CN103192313A - 小型扭曲模音叉晶片的抛光方法 - Google Patents

小型扭曲模音叉晶片的抛光方法 Download PDF

Info

Publication number
CN103192313A
CN103192313A CN2013101347429A CN201310134742A CN103192313A CN 103192313 A CN103192313 A CN 103192313A CN 2013101347429 A CN2013101347429 A CN 2013101347429A CN 201310134742 A CN201310134742 A CN 201310134742A CN 103192313 A CN103192313 A CN 103192313A
Authority
CN
China
Prior art keywords
tuning fork
ultrasonic
water
corrosion
small
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN2013101347429A
Other languages
English (en)
Other versions
CN103192313B (zh
Inventor
王学兵
王艳
汪永生
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tongling City Jiayin Electronic Science & Technology Co Ltd
Original Assignee
Tongling City Jiayin Electronic Science & Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tongling City Jiayin Electronic Science & Technology Co Ltd filed Critical Tongling City Jiayin Electronic Science & Technology Co Ltd
Priority to CN201310134742.9A priority Critical patent/CN103192313B/zh
Publication of CN103192313A publication Critical patent/CN103192313A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN103192313B publication Critical patent/CN103192313B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

本发明公开了小型扭曲模音叉晶片的抛光方法，它包括音叉晶片表面腐蚀步骤和深层次清洁处理步骤，本发明相较传统的清洗腐蚀方法本发明的有益效果是抛光后光洁度为9-9.5级，相较传统抛光后的光洁度明显提升，晶片表面腐蚀均匀，损伤小，晶片表面平整、光亮，很大程度上提高了晶体动态振动时的长期稳定性和可靠性。

Description

小型扭曲模音叉晶片的抛光方法
技术领域
本发明涉及抛光工艺，尤其涉及小型扭曲模音叉晶片的抛光方法。
背景技术
石英晶片在工业生产、科学研究等领域中的应用十分广泛。一方面，石英晶体元器件可应用于通信、计算机、彩色电视机、音像制品、电子玩具、汽车电子设备和医用电子设备等诸多领域；另一方面，石英晶片作为固定物质的载体，广泛应用于检测仪器中，如表面等离子体共振仪（surface plasmonresonance instrument，SPRI）、核磁共振成像仪（nuclear magnetic resonance imaging，NMRI）、椭偏仪、石英晶体微天平（quartz crystal microbalance，QCM）等。在石英晶片的使用过程中，表面清洗与处理是一个较重要的环节。由于晶片表面容易存在金属、颗粒以及有机物等污染物，使用前必须对其进行有效清洗抛光。
传统的清洗用NaOH和水在电炉上加热，腐蚀用HF、纯水配成腐蚀液。操作方法根据操作人员经验确定温度、时间：采用手工抖动方法。冲洗，用C2H5OH过滤、烘干。这种方法操作不规范，容易出现偏差，清洗和腐蚀的效果不尽如人意，光洁度为7.5-8级。
发明内容
本发明要解决的技术问题是现有的音叉晶片的表面清洗与处理达不到要求，为此提供一种小型扭曲模音叉晶片的抛光方法。
本发明的技术方案是：小型扭曲模音叉晶片的抛光方法，其特征是它包括音叉晶片表面腐蚀步骤和深层次清洁处理步骤，所述的音叉晶片表面腐蚀步骤包括：
（1）、配置腐蚀液：将65g NH4HF2溶于200ml纯水中，再倒入40ml HF摇匀；（2）、腐蚀：将步骤1所述的腐蚀液倒入耐腐蚀的圆形滚筒内，倒入音叉晶片10000片，再将滚筒固定放入超声波槽内，槽内水平面高于滚筒内腐蚀液面20~30mm，滚动、超声；
（3）、清洗：腐蚀后倒去腐蚀液，用热水与冷水交替冲洗，在冲洗过程中不断晃动，将音叉晶片从滚筒内倒入清洗网框中，用流水冲洗；
所述的深层次清洁处理步骤包括：
（4）、配置处理液：将500ml H2O2溶于500ml纯水中，再倒入 250mlHCL搅拌均匀；
（5）、超声：将配制后的处理液倒入烧杯内，同时倒入腐蚀后的音叉晶片，每次15000~20000片，将烧杯放入超声波槽内进行超声，槽内水平面与烧杯内溶液面相等；
（6）、二次清洗：超声后倒去烧杯内溶液，将音叉晶片倒入清洗网框中用纯水流水冲洗，再用去离子水流水冲洗，然后把盛有音叉晶片的清洗网框和C2H5OH倒入烧杯内二次超声，二次超声后倒去C2H5OH，将盛有音叉晶片的清洗网框甩干，放入充有N2的烘箱内烘干。
上述方案中步骤2中的滚筒转速为45~50r/min，槽内水温75±5℃，超声波电流为2A，超声时间为30~40min。
上述方案中步骤3中的热水温度为60~80℃，热水冷水交替冲洗的时间为3-5min，流水冲洗5-8min。
上述方案中步骤5的超声时间为10min，超声波槽内水温40-50℃，超声波的电流为0.7A。
上述方案中步骤6的纯水流水冲洗时间为3~5min，离子水流水冲洗为3~5min，二次超声的时间为5-6min，超声电流为0.7A，烘干时间为2h，温度为85℃。
本发明的有益效果是抛光后光洁度为9-9.5级，相较传统抛光后的光洁度明显提升，晶片表面腐蚀均匀，损伤小，晶片表面平整、光亮，很大程度上提高了晶体动态振动时的长期稳定性和可靠性。
具体实施方式
实施例1：音叉晶片表面腐蚀步骤包括：
（1）、配置腐蚀液：将65g NH4HF2溶于200ml纯水中，再倒入40ml HF摇匀；（2）、腐蚀：将步骤1所述的腐蚀液倒入耐腐蚀的圆形滚筒内，倒入音叉晶片10000片，再将滚筒固定放入超声波槽内，槽内水平面高于滚筒内腐蚀液面20mm，滚筒转速：45r/min，超声波槽内水温：70℃，超声波电流：2A，时间：30min；
（3）、清洗：腐蚀后倒去腐蚀液，用60℃热水与冷水交替冲洗3min，在冲洗过程中不断晃动，将音叉晶片从滚筒内倒入清洗网框中，用流水冲洗5min；
所述的深层次清洁处理步骤包括：
（4）、配置处理液：将500ml H2O2溶于500ml纯水中，再倒入 250ml HCL搅拌均匀；
（5）、超声：将配制后的处理液倒入烧杯内，同时倒入腐蚀后的音叉晶片，每次15000片，将烧杯放入超声波槽内进行超声，槽内水平面与烧杯内溶液面相等，超声波槽内水温：40℃，超声波电流：0.7A，时间：10min；
（6）、二次清洗：超声后倒去烧杯内溶液，将音叉晶片倒入清洗网框中用纯水流水冲洗3min，再用去离子水流水冲洗3min，然后把盛有音叉晶片的清洗网框和C2H5OH倒入烧杯内二次超声5min，超声波电流：0.7A，二次超声后倒去C2H5OH，将盛有音叉晶片的清洗网框甩干，放入充有N2的烘箱内烘干，烘箱温度85℃，烘干时间2h。
实施例2：音叉晶片表面腐蚀步骤包括：（1）、配置腐蚀液：将65g NH4HF2溶于200ml纯水中，再倒入40ml HF摇匀；（2）、腐蚀：将步骤1所述的腐蚀液倒入耐腐蚀的圆形滚筒内，倒入音叉晶片10000片，再将滚筒固定放入超声波槽内，槽内水平面高于滚筒内腐蚀液面:30mm，滚筒转速：50r/min，超声波槽内水温：80℃，超声波电流：2A，时间：40min；
（3）、清洗：腐蚀后倒去腐蚀液，用80℃热水与冷水交替冲洗5min，在冲洗过程中不断晃动，将音叉晶片从滚筒内倒入清洗网框中，用流水冲洗8min；
所述的深层次清洁处理步骤包括：
（4）、配置处理液：将500ml H2O2溶于500ml纯水中，再倒入 250ml HCL搅拌均匀；
（5）、超声：将配制后的处理液倒入烧杯内，同时倒入腐蚀后的音叉晶片，每次20000片，将烧杯放入超声波槽内进行超声，槽内水平面与烧杯内溶液面相等，超声波槽内水温：50℃，超声波电流：0.7A，时间：10min；
（6）、二次清洗：超声后倒去烧杯内溶液，将音叉晶片倒入清洗网框中用纯水流水冲洗5min，再用去离子水流水冲洗5min，然后把盛有音叉晶片的清洗网框和C2H5OH倒入烧杯内二次超声6min，超声波电流：0.7A，二次超声后倒去C2H5OH，将盛有音叉晶片的清洗网框甩干，放入充有N2的烘箱内烘干，烘箱温度85℃，烘干时间2h。
本发明中NH4HF2即是氟化氢铵，HF是氢氟酸，NH4HF2是氟化氢铵，H2O2是过氧化氢，C2H5OH是无水乙醇，N2是氮气，在步骤3中音叉晶片来料厚度0.36±0.005mm，腐蚀后厚度0.33±0.005mm。

Claims (5)

1.小型扭曲模音叉晶片的抛光方法，其特征是它包括音叉晶片表面腐蚀步骤和深层次清洁处理步骤，所述的音叉晶片表面腐蚀步骤包括：
（1）、配置腐蚀液：将65g NH4HF2溶于200ml纯水中，再倒入40ml HF摇匀；（2）、腐蚀：将步骤1所述的腐蚀液倒入耐腐蚀的圆形滚筒内，倒入音叉晶片10000片，再将滚筒固定放入超声波槽内，槽内水平面高于滚筒内腐蚀液面20~30mm，滚动、超声；
（3）、清洗：腐蚀后倒去腐蚀液，用热水与冷水交替冲洗，在冲洗过程中不断晃动，将音叉晶片从滚筒内倒入清洗网框中，用流水冲洗；
所述的深层次清洁处理步骤包括：
（4）、配置处理液：将500mlH2O2溶于500ml纯水中，再倒入 250mlHCL搅拌均匀；
（5）、超声：将配制后的处理液倒入烧杯内，同时倒入腐蚀后的音叉晶片，每次15000~20000片，将烧杯放入超声波槽内进行超声，槽内水平面与烧杯内溶液面相等；
（6）、二次清洗：超声后倒去烧杯内溶液，将音叉晶片倒入清洗网框中用纯水流水冲洗，再用去离子水流水冲洗，然后把盛有音叉晶片的清洗网框和C2H5OH倒入烧杯内二次超声，二次超声后倒去C2H5OH，将盛有音叉晶片的清洗网框甩干，放入充有N2的烘箱内烘干。
2.如权利要求1所述的小型扭曲模音叉晶片的抛光方法，其特征是所述步骤2中的滚筒转速为45~50r/min，槽内水温75±5℃，超声波电流为2A，超声时间为30~40min。
3.如权利要求2所述的小型扭曲模音叉晶片的抛光方法，其特征是所述步骤3中的热水温度为60~80℃，热水冷水交替冲洗的时间为3-5min，流水冲洗5-8min。
4.如权利要求3所述的小型扭曲模音叉晶片的抛光方法，其特征是所述步骤5的超声时间为10min，超声波槽内水温40-50℃，超声波的电流为0.7A。
5.如权利要求4所述的小型扭曲模音叉晶片的抛光方法，其特征是所述步骤6的纯水流水冲洗时间为3~5min，离子水流水冲洗为3~5min，二次超声的时间为5-6min，超声电流为0.7A，烘干时间为2h，温度为85℃。
CN201310134742.9A 2013-04-18 2013-04-18 小型扭曲模音叉晶片的抛光方法 Expired - Fee Related CN103192313B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201310134742.9A CN103192313B (zh) 2013-04-18 2013-04-18 小型扭曲模音叉晶片的抛光方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201310134742.9A CN103192313B (zh) 2013-04-18 2013-04-18 小型扭曲模音叉晶片的抛光方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN103192313A true CN103192313A (zh) 2013-07-10
CN103192313B CN103192313B (zh) 2015-05-20

Family

ID=48715223

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201310134742.9A Expired - Fee Related CN103192313B (zh) 2013-04-18 2013-04-18 小型扭曲模音叉晶片的抛光方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN103192313B (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106087066A (zh) * 2016-06-15 2016-11-09 廊坊中电熊猫晶体科技有限公司 一种改善石英晶体片表面粗糙度的方法
CN112111790A (zh) * 2020-09-21 2020-12-22 北京石晶光电科技股份有限公司 一种人造种晶片腐蚀清洗工艺
CN113376961A (zh) * 2021-06-09 2021-09-10 浙江一晶科技股份有限公司 一种石英音叉的加工方法
CN113376961B (zh) * 2021-06-09 2024-06-07 浙江一晶科技股份有限公司 一种石英音叉的加工方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0290524A (ja) * 1988-09-28 1990-03-30 Toshiba Corp 超音波洗浄装置
CN101532180A (zh) * 2009-03-11 2009-09-16 南京德研电子有限公司 一种用于晶片频率腐蚀的方法及其设备
CN101699615A (zh) * 2009-09-23 2010-04-28 镇江市港南电子有限公司 一种浸蚀硅片方法
CN102218441A (zh) * 2011-05-11 2011-10-19 中山市泰帝科技有限公司 一种餐厨垃圾的固液分离装置及方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0290524A (ja) * 1988-09-28 1990-03-30 Toshiba Corp 超音波洗浄装置
CN101532180A (zh) * 2009-03-11 2009-09-16 南京德研电子有限公司 一种用于晶片频率腐蚀的方法及其设备
CN101699615A (zh) * 2009-09-23 2010-04-28 镇江市港南电子有限公司 一种浸蚀硅片方法
CN102218441A (zh) * 2011-05-11 2011-10-19 中山市泰帝科技有限公司 一种餐厨垃圾的固液分离装置及方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106087066A (zh) * 2016-06-15 2016-11-09 廊坊中电熊猫晶体科技有限公司 一种改善石英晶体片表面粗糙度的方法
CN112111790A (zh) * 2020-09-21 2020-12-22 北京石晶光电科技股份有限公司 一种人造种晶片腐蚀清洗工艺
CN112111790B (zh) * 2020-09-21 2022-03-29 北京石晶光电科技股份有限公司 一种人造种晶片腐蚀清洗工艺
CN113376961A (zh) * 2021-06-09 2021-09-10 浙江一晶科技股份有限公司 一种石英音叉的加工方法
CN113376961B (zh) * 2021-06-09 2024-06-07 浙江一晶科技股份有限公司 一种石英音叉的加工方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN103192313B (zh) 2015-05-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2021043167A1 (zh) 一种碳化硅单晶抛光片衬底的最终清洗方法
JPH10144650A (ja) 半導体材料の洗浄装置
JP4827587B2 (ja) シリコンウェーハの製造方法
JP2016040211A (ja) アンチグレアガラスの製造方法
CN103192313B (zh) 小型扭曲模音叉晶片的抛光方法
TWI770556B (zh) 半導體處理設備零部件的清洗方法
CN103241957A (zh) 一种玻璃基板减薄蚀刻方法
JP2012140292A (ja) ガラス基板製造方法
CN104195575A (zh) 去除附着于金属零件表面TiN及Ti薄膜的清洗方法
KR20090124961A (ko) 종형 열처리 장치의 석영 부재에 부착된 금속 오염 물질의 제거 방법 및 시스템
WO2022242539A1 (zh) 陶瓷件清洗方法
CN107777892A (zh) 一种液晶显示屏镀膜工艺
JP2013138075A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
CN102615068B (zh) Mocvd设备的清洁方法
CN108101378A (zh) 一种无碱硼铝硅酸盐玻璃的化学减薄方法
CN104252103A (zh) 光刻返工后残留光刻胶的去除方法
CN105762062A (zh) 一种砷化镓半导体基片湿法刻蚀工艺
JP6529715B2 (ja) シリコンウェーハの製造方法
CN105525278A (zh) 用于pecvd镀硅或硅化物膜的真空腔体的清洗方法
CN102513916A (zh) 一种超精密光学元件的微孔抛光方法
KR20090030204A (ko) 반도체 웨이퍼의 세척 방법
US20040266191A1 (en) Process for the wet-chemical surface treatment of a semiconductor wafer
CN106611696B (zh) 一种碳化硅表面氧化膜的制备方法
CN106929822A (zh) 一种薄膜沉积方法
CN106611700A (zh) 一种碳化硅表面氧化膜的制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20150520

Termination date: 20160418