CN103187085A - 硬盘 - Google Patents
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Abstract
一种硬盘,包括一控制单元、一缓存单元、一磁头单元、一盘片单元、一主轴电机单元、一供电单元、一开关单元及一接口。所述控制单元控制所述缓存单元、磁头单元、盘片单元及主轴电机单元配合工作以实现硬盘的读写功能,并侦测所述缓存单元、磁头单元、盘片单元及主轴电机单元的工作状态,且在侦测到其中至少一单元坏掉时发送一控制信号给所述开关单元。所述开关单元接收到所述控制信号后,停止将所述接口的电源引脚输出的电源输出给所述供电单元。本发明硬盘在不能正常工作时能自动断开外部电源的输入,以节省电能。
Description
技术领域
本发明涉及一种硬盘。
背景技术
随着科技的发展,电子设备(如电脑,服务器等)中硬盘的数目不断增多,且硬盘的存储容量不断增大,传输速度不断加快,从而导致硬盘消耗的电能不断增加。在具有多个硬盘的电子设备中,若其中一个硬盘坏掉了,电子设备仍能工作,且会继续为坏掉的硬盘供电,这就造成了电能的浪费。
发明内容
鉴于以上内容,有必要提供一种在不能正常工作时自动断开电源输入的硬盘,以节省电能。
一种硬盘,包括一控制单元、一缓存单元、一磁头单元、一盘片单元、一主轴电机单元、一供电单元、一开关单元及一接口,所述控制单元用于控制所述缓存单元、磁头单元、盘片单元及主轴电机单元配合工作以实现硬盘的读写功能,并侦测所述缓存单元、磁头单元、盘片单元及主轴电机单元的工作状态,当侦测到其中至少一单元坏掉时发送一控制信号给所述开关单元,所述供电单元用于将所述接口的电源引脚输出的电源转换成所述控制单元、缓存单元、磁头单元、盘片单元及主轴电机单元所需的电源,并为所述控制单元、缓存单元、磁头单元、盘片单元及主轴电机单元供电,所述开关单元用于在接收到所述控制信号后,停止将所述接口的电源引脚输出的电源输出给所述供电单元。
上述硬盘通过在所述供电单元与所述接口的电源引脚之间设置所述开关单元,并通过所述控制单元来侦测所述缓存单元、磁头单元、盘片单元及主轴电机单元的工作状态,以在侦测到其中至少一单元坏掉时,所述控制单元控制所述开关单元停止将所述接口的电源引脚输出的电源输出给所述供电单元,从而达到省电的目的。
附图说明
图1是本发明硬盘的较佳实施方式的原理框图。
图2是图1的电路连接示意图。
主要元件符号说明
硬盘 | 10 |
控制单元 | 20 |
缓存单元 | 30 |
磁头单元 | 40 |
盘片单元 | 50 |
主轴电机单元 | 60 |
供电单元 | 70 |
开关单元 | 80 |
接口 | 90 |
电源引脚 | 91、92 |
信号引脚 | 93 |
电阻 | R1、R2、R3、R4 |
NMOS场效应管 | Q1、Q2 |
如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。
具体实施方式
下面结合附图及较佳实施方式对本发明作进一步详细描述:
请参考图1,本发明硬盘10的较佳实施方式包括一控制单元20、一缓存单元30、一磁头单元40、一盘片单元50、一主轴电机单元60、一供电单元70、一开关单元80及一接口90。所述控制单元20与所述缓存单元30、磁头单元40、盘片单元50、主轴电机单元60、开关单元80及接口90相连。所述供电单元70与所述控制单元20、缓存单元30、磁头单元40、盘片单元50、及主轴电机单元60相连。所述盘片单元50还与所述磁头单元40及所述主轴电机单元60相连。所述开关单元80还与所述供电单元70及接口90相连。
所述控制单元20用于控制所述缓存单元30、磁头单元40、盘片单元50及主轴电机单元60配合工作以实现硬盘的读写功能,并侦测所述缓存单元30、磁头单元40、盘片单元50及主轴电机单元60的工作状态,且在侦测到其中至少一单元坏掉时发送一控制信号给所述开关单元80。所述缓存单元30用于存储缓存数据。所述磁头单元40用于在所述盘片单元50中写入和读出数据。所述盘片单元50用于存储数据。所述主轴电机单元60用于驱动所述盘片单元50中的盘片旋转。所述供电单元70用于将所述接口90的电源引脚输出的电源转换成所述控制单元20、缓存单元30、磁头单元40、盘片单元50及主轴电机单元60所需的电源,并为所述控制单元20、缓存单元30、磁头单元40、盘片单元50及主轴电机单元60供电。所述开关单元80用于在接收到来自控制单元20的控制信号后,停止将所述接口90的电源引脚输出的电源输出给所述供电单元70。
请参考图2,所述开关单元80包括一第一电子开关Q1及一第二电子开关Q2。所述接口90包括两电源引脚91、92及若干信号引脚93。在本实施方式中,所述第一电子开关Q1及第二电子开关Q2均为NMOS场效应管。在其他实施方式中,所述第一电子开关Q1及第二电子开关Q2可为NPN型三极管或其他具有相同功能的电子开关,所述接口90的电源引脚及信号引脚的数目可根据实际情况进行相应调整。
所述NMOS场效应管Q1、Q2的栅极均与所述控制单元20相连,并均通过一电阻R1接地,还均通过一电阻R2与一电源VCC1相连。所述NMOS场效应管Q1的漏极与所述接口90的电源引脚91相连。所述NMOS场效应管Q2的漏极与所述接口90的电源引脚92相连。所述NMOS场效应管Q1、Q2的源极均与所述供电单元70相连。所述接口90的电源引脚91还通过一电阻R3与一外部电源VCC2相连,所述接口90的电源引脚92还通过一电阻R4与一外部电源VCC3相连。所述接口90的信号引脚93与所述控制单元20相连,并与一主板上的SATA(Serial Advanced Technology Attachment,串行高级技术附件)接口(图未示)相连,以实现所述硬盘10与所述主板的通讯。在本实施方式中,所述电源VCC1为一由所述硬盘10内部的电池提供的电源,所述外部电源VCC2为一由电脑电源提供的5V电源,所述外部电源VCC3为一由电脑电源提供的12V电源。在其它实施方式中,所述电阻R3、R4可省略。
当所述硬盘10开始工作时,所述NMOS场效应管Q1、Q2的栅极接收所述电源VCC1经所述电阻R1、R2分压后所述电阻R1分得的电压,所述NMOS场效应管Q1、Q2导通。所述外部电源VCC2通过所述NMOS场效应管Q1为所述供电单元70供电,所述外部电源VCC3通过所述NMOS场效应管Q2为所述供电单元70供电。所述供电单元70将所述外部电源VCC2、VCC3转换成所述控制单元20、缓存单元30、磁头单元40、盘片单元50及主轴电机单元60所需的电源,并为所述控制单元20、缓存单元30、磁头单元40、盘片单元50及主轴电机单元60供电。所述控制单元20控制所述缓存单元30、磁头单元40、盘片单元50及主轴电机单元60配合工作以实现硬盘的读写功能,并侦测所述缓存单元30、磁头单元40、盘片单元50及主轴电机单元60的工作状态。
当所述控制单元20侦测到其中至少一单元坏掉时,所述硬盘10不能工作,此时,所述控制单元20将发送一低电平的控制信号给所述NMOS场效应管Q1、Q2的栅极。所述NMOS场效应管Q1、Q2均因栅极接收到低电平控制信号而截止。所述外部电源VCC1、VCC2不能通过所述NMOS场效应管Q1、Q2输出给所述供电单元70,从而达到省电的目的。
上述硬盘10通过在所述供电单元70与所述接口90的电源引脚91、92之间设置所述开关单元80,并通过所述控制单元20来侦测所述缓存单元30、磁头单元40、盘片单元50及主轴电机单元60的工作状态,以在侦测到其中至少一单元坏掉时,所述控制单元20控制所述开关单元80停止将所述接口90的电源引脚91、92输出的电源输出给所述供电单元70,从而达到省电的目的。
Claims (5)
1.一种硬盘,包括一控制单元、一缓存单元、一磁头单元、一盘片单元、一主轴电机单元、一供电单元、一开关单元及一接口,所述控制单元用于控制所述缓存单元、磁头单元、盘片单元及主轴电机单元配合工作以实现硬盘的读写功能,并侦测所述缓存单元、磁头单元、盘片单元及主轴电机单元的工作状态,当侦测到其中至少一单元坏掉时发送一控制信号给所述开关单元,所述供电单元用于将所述接口的电源引脚输出的电源转换成所述控制单元、缓存单元、磁头单元、盘片单元及主轴电机单元所需的电源,并为所述控制单元、缓存单元、磁头单元、盘片单元及主轴电机单元供电,所述开关单元用于在接收到所述控制信号后,停止将所述接口的电源引脚输出的电源输出给所述供电单元。
2.如权利要求1所述的硬盘,其特征在于:所述开关单元包括一第一电子开关及一第二电子开关,所述接口包括一第一电源引脚、一第二电源引脚及若干信号引脚,所述第一及第二电子开关的第一端均与所述控制单元相连,并均通过一第一电阻与一第一电源相连,还均通过一第二电阻接地,所述第一电子开关的第二端与所述第一电源引脚相连,所述第二电子开关的第二端与所述第二电源引脚相连,所述第一及第二电子开关的第三端均与所述供电单元相连,所述第一电源引脚还与一第二电源相连,所述第二电源引脚还与一第三电源相连,所述信号引脚均与所述控制单元相连;当所述控制单元输出控制信号时,所述第一电子开关及第二电子开关均断开,以使得所述接口的第一电源引脚及第二电源引脚停止输出电源给供电单元。
3.如权利要求2所述的硬盘,其特征在于:当所述开关单元未接收到所述控制信号时,所述第一及第二电子开关的第一端接收所述第一电源经所述第一及第二电阻分压后所述第二电阻分得的电压,所述第一及第二电子开关导通,所述第二电源经所述第一电子开关输出给所述供电单元,所述第三电源经所述第二电子开关输出给所述供电单元;当所述开关单元接收到所述控制信号时,所述第一及第二电子开关均因第一端接收到所述控制信号而截止,所述第二电源不能通过所述第一电子开关输出给所述供电单元,所述第三电源不能通过所述第二电子开关输出给所述供电单元。
4.如权利要求3所述的硬盘,其特征在于:所述第一及第二电子开关均为NMOS场效应管,所述第一及第二电子开关的第一、第二及第三端分别对应NMOS场效应管的栅极、漏极及源极。
5.如权利要求3所述的硬盘,其特征在于:所述第一及第二电子开关均为NPN型三极管,所述第一及第二电子开关的第一、第二及第三端分别对应NPN型三极管的基极、集电极及发射极。
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