CN111796653A - 一种控制硬盘上电的装置及存储设备 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种控制硬盘上电的装置，包括电源模块、多个开关及控制模块。其中，开关设置于硬盘内部，且与硬盘一一对应，控制模块在电源模块输出电源后，通过各个在位的硬盘的预设引脚控制多个开关错开导通。可见，本申请中通过控制模块控制多个在位的硬盘对应地开关错开导通可以实现多个硬盘的错峰上电；因此，不用选择功率较大的电源模块，提高了该电源模块的转换效率，也减小了电源模块的成本。此外，将各个开关设置于各个硬盘内部，若因某个开关出现故障导致该开关所在硬盘不能上电时，只需更换该开关所在的硬盘即可，减小了维修成本，也降低了硬盘背板的失效率。本发明还公开了一种存储设备，具有与上述控制硬盘上电的装置相同的有益效果。

Description

一种控制硬盘上电的装置及存储设备

技术领域

本发明涉及存储领域，特别是涉及一种控制硬盘上电的装置及存储设备。

背景技术

硬盘普遍采用磁片作为数据存储介质，磁片通过马达旋转，马达上的磁头进行对磁片外侧到内侧的移动，实现对磁片全范围的数据读写操作。其中，在硬盘上电的瞬间，也即硬盘中的马达起转时，此时硬盘的功耗比硬盘正常工作时的功耗大很多。假设一个硬盘正常工作时的功耗约为8-12瓦，而马达起转（也即硬盘上电瞬间），硬盘的功耗约为20-35瓦。存储服务器或者存储阵列等设备，通常支持多个硬盘，在多个机械硬盘同时上电瞬间功耗极大。假设存储服务器有72个硬盘，则72个硬盘同时上电时的功耗超过1800瓦，而上电后正常工作时硬盘的功耗约为650瓦。

为了保证硬盘的启动，现有技术中通常选择功率较大的电源模块，但使用功率较大的电源模块，正常工作时电源模块的负载功率小于电源模块的功率的50%，转换效率低，且使用功率较大的电源模块成本较高。

发明内容

本发明的目的是提供一种控制硬盘上电的装置及存储设备，提高了硬盘上电的准确性；不用选择功率较大的电源模块，提高了该电源模块的转换效率，也减小了电源模块的成本。此外，将各个开关设置于各个硬盘内部，若因某个开关处出现故障导致该开关所在硬盘不能上电时，只需更换该开关所在的硬盘即可，减小了维修成本，也降低了硬盘背板的失效率。

为解决上述技术问题，本发明提供了一种控制硬盘上电的装置，包括：

电源模块，用于为多个所述硬盘供电；

分别设置于各个所述硬盘内部，第一端与所述电源模块的输出端连接，第二端与自身所在所述硬盘的电源输入端连接的开关；

输出端分别通过各个所述硬盘上的预设引脚与各个所述开关的控制端连接的控制模块，用于在所述电源模块输出电源后，控制多个所述开关错开导通；

所述控制模块的检测端与各个所述硬盘的在位引脚连接；

所述控制模块具体用于在所述电源模块输出电源后，确定各个所述硬盘的在位情况，并控制在位的各个硬盘对应的各个所述开关错开导通。

优选地，所述控制模块具体用于预先将多个所述开关分为N组，在所述电源模块输出电源后，控制N组所述开关延时导通，且每组所述开关的延时导通时间各不相同，N为不小于2的正整数。

优选地，所述控制模块具体用于在所述电源模块输出电源后，通过控制各个所述预设引脚的电平控制多个所述开关错开导通。

优选地，所述开关为P沟道金属半导体场效应管PMOS；

其中，所述PMOS管的源极作为所述开关的第一端，所述PMOS管的漏极作为所述开关的第二端，所述PMOS管的栅极作为所述开关的控制端。

优选地，所述控制模块为复杂可编程逻辑器件CPLD。

优选地，确定各个所述硬盘的在位情况，包括：

基于各个所述硬盘的在位引脚的电平状态确定各个所述硬盘是否在位。

优选地，还包括：

与所述控制模块连接的中央处理单元CPU，用于在接收到所述控制模块的开关导通指令后，基于所述硬盘遵从的协议和导通的所述开关所在的所述硬盘建立业务通信。

优选地，所述协议为串行连接SCSI接口SAS3.0协议；

其中，所述 SAS3.0协议中的P3管脚作为所述硬盘的预设引脚，所述SAS3.0协议中的P10管脚作为所述硬盘的在位引脚；

还包括：

一端与CPU连接，另一端与所述硬盘连接的SAS控制芯片，用于对所述CPU的高速串行计算机扩展总线标准PCIE接口与SAS接口进行转换；

与所述SAS控制芯片连接的SAS扩展芯片，用于对所述SAS控制芯片的所述SAS接口进行扩展。

本发明还提供了一种存储设备，包括如上述所述的控制硬盘上电的装置。

本发明提供了一种控制硬盘上电的装置，包括电源模块、多个开关及控制模块。其中，开关设置于硬盘内部，且与硬盘一一对应，控制模块在电源模块输出电源后，控制多个在位的硬盘对应地开关错开导通。可见，本申请中通过控制模块控制多个开关在不同的时间导通可以实现多个在位的硬盘的分组错峰上电，提高了硬盘上电的准确性；且由于不用选择功率较大的电源模块，提高了该电源模块的转换效率，也减小了电源模块的成本。此外，将各个开关设置于各个硬盘内部，若因某个开关处出现故障导致该开关所在硬盘不能上电时，只需更换该开关所在的硬盘即可，减小了维修成本，也降低了硬盘背板的失效率。

本发明还提供了一种存储设备，具有与上述控制硬盘上电的装置相同的有益效果。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对现有技术和实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明提供的一种控制硬盘上电的装置的结构示意图；

图2为本发明提供的另一种控制硬盘上电的装置的结构示意图。

具体实施方式

本发明的核心是提供一种控制硬盘上电的装置及存储设备，提高了硬盘上电的准确性；不用选择功率较大的电源模块，提高了该电源模块的转换效率，也减小了电源模块的成本。此外，将各个开关设置于各个硬盘内部，若因某个开关处出现故障导致该开关所在硬盘不能上电时，只需更换该开关所在的硬盘即可，减小了维修成本，也降低了硬盘背板的失效率。

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

请参照图1，图1为本发明提供的一种控制硬盘上电的装置的结构示意图，该装置包括：

电源模块1，用于为多个硬盘供电；

分别设置于各个硬盘内部，第一端与电源模块1的输出端连接，第二端与自身所在硬盘的电源输入端连接的开关2；

输出端分别通过各个硬盘上的预设引脚与各个开关2的控制端连接的控制模块3，用于在电源模块1输出电源后，控制多个开关2错开导通；

控制模块3的检测端与各个硬盘的在位引脚连接；

控制模块3具体用于在电源模块1输出电源后，确定各个硬盘的在位情况，并控制在位的各个硬盘对应的各个开关2错开导通。

考虑到存储设备一般包括多个硬盘，多个硬盘同时上电所需要的功耗远大于多个硬盘正常工作时所需要的功耗，因为在硬盘上电时，硬盘内的马达需要起转，起转时的功耗大于正常工作时的功耗。若要保证硬盘能够正常上电，需要选择功率较大的电源模块1，但在正常工作时，功率较大的电源模块1的负载转换率较低，使用功率较大的电源模块1的成本较大。

申请人考虑到将开关2设置于电源模块1与硬盘之间，以通过控制开关2的错开导通来减小硬盘的上电初的功耗。若将开关2不设置于硬盘内部，而是设置在独立于硬盘外的硬盘背板上。则当某个开关2故障时，为更换故障的开关2，需要对整个硬盘背板进行更换，维护成本较大。

因此，本申请将开关2设置于硬盘内部，各个开关2的控制端与各个硬盘的预设引脚连接，控制模块3通过各个硬盘的预设引脚对各个开关2进行控制，使各个开关2错开导通，也即多个硬盘错开上电，此时，使用较小功率的电源模块1即可，减小了电源模块1的成本。此外，由于开关2设置于硬盘内部，在某个开关2故障导致与此开关2连接的硬盘不能上电时，对发生故障的开关2所在的硬盘进行更换即可（硬盘通常可插拔），也减小了维修成本。

具体地，以36个3.5寸硬盘为例，若每个硬盘正常工作时的功耗为8-12瓦，而每个硬盘上电（也即马达起转）时的功耗为20-35瓦，则36个硬盘若同时上电时的功耗超过900瓦，而36个硬盘正常工作时的功耗约为324瓦。若36个硬盘没有错开上电，为了保证36个硬盘能够上电，电源模块1的功率应大于为900瓦，在36个硬盘正常工作时，电源模块1的负载率小于电源模块1功率的50%，转换效率低，且电源模块1的成本较高。若将开关2设置于电源模块1与硬盘之间，但不在硬盘的内部，可以通过控制模块3控制36个开关2的错开导通以实现对36个硬盘的错开上电，减小36个硬盘同时上电的功耗，假设每个开关2均错开导通，则选择400瓦的电源模块1即可，减小了电源模块1的成本。但是，开关2没有设置于硬盘内部时，而是将36个开关2与36个硬盘一一对应设置于硬盘背板上，若存在一个开关2故障，需对整个硬盘背板进行更换（也即更换36个开关2及36个硬盘）。而本申请中将36个开关2设置于36个硬盘内部，也可以通过控制模块3控制36个开关2的错开导通以实现36个硬盘的错开上电，减小了36个硬盘同时上电的功耗，假设每个开关2均错开导通，则可以选择400瓦的电源模块1，减小了电源模块1的成本。此外，将开关2设置于硬盘内部，若出现一个开关2故障，只需对这一个开关2及该开关2所在的硬盘进行更换即可（也即更换一个开关2及一个硬盘）。可见，本申请的方式在很大程度上减小了维修成本，也降低了硬盘背板的失效率。

进一步地，考虑到在对硬盘进行上电时，可能存在因为某些情况导致硬盘不在位的情况，比如因某个硬盘损坏拿掉该硬盘或某个硬盘槽位本身就没有设置硬盘，这种情况如果直接上电可能会影响硬盘上电的准确性。

基于此，本申请的控制模块3在电源模块1输出电源后，还需确定各个硬盘的在位情况，确定哪些硬盘槽位的硬盘是在位的，然后对在位的硬盘上的开关2进行控制，使各个开关2错开导通。其中，控制模块3的检测端与各个硬盘的在位引脚连接，通过各个硬盘的在位引脚检测各个硬盘是否在位。

可见，本申请中的控制模块3确定各个硬盘的在位情况的方式，保证了多个硬盘上电的准确性。

具体地，以36个硬盘为例，控制模块3通过各个硬盘的在位引脚检测到有4个硬盘不在位，也即有32个硬盘在位，则控制模块3对在位的32个硬盘的32个开关2进行控制，使32个开关2错开导通，以降低32个硬盘同时启动的功耗。

综上，本申请中通过控制模块3控制多个在位的硬盘对应地开关2在不同的时间导通可以实现多个硬盘的分组错峰上电，提高了硬盘上电的准确性；且由于不用选择功率较大的电源模块1，提高了该电源模块1的转换效率，也减小了电源模块1的成本。此外，将各个开关2设置于各个硬盘内部，若因某个开关2处出现故障导致该开关2所在硬盘不能上电时，只需更换该开关2所在的硬盘即可，减小了维修成本。

此外，本申请中的硬盘为机械硬盘，也可以为固态硬盘，但固态硬盘的固件升级后需要单个固态硬盘下电后再重新上电，新的固件才能生效，本申请不再赘述。

在上述实施例的基础上：

作为一种优选的实施例，控制模块3具体用于预先将多个开关2分为N组，在电源模块1输出电源后，控制N组开关2延时导通，且每组开关2的延时导通时间各不相同，N为不小于2的正整数。

本实施例中，基于用户的需求，预先将多个开关2分为N组，N为不小于2的正整数，因为N等于1时，多个硬盘不需要分组。然后在电源模块1输出电源后，控制模块3控制N组开关2延时导通，且每组开关2的延时导通时间不同。

具体地，若N与开关2的数量相同，也即每组开关2的数量为一个，此时，产生冲击电流最小，降低马达起转（也即硬盘上电）的功耗的效果最明显。若N不等于开关2的数量，也即每组开关2的数量大于一个时，考虑到硬盘本身可承受一定的冲击电流，所以可以同时导通不止一个的开关2，也即不止一个的硬盘同时上电，这种方式在一定程度上减小了冲击电流，且缩短了所有硬盘均完成上电的时间。

本实施例中，用户根据需求将多个硬盘分为N组，N可以在电源模块1输出电源12V后，控制模块3先导通第一组开关2，然后延时M秒后导通第二组开关2，重复N次此过程，直至所有的开关2均导通（也即所有的硬盘均上电），其中，M为多个硬盘上电所需时间的最大值。

以36个硬盘为例，假设每个硬盘上电所需时间为6至8秒，则令M=8。假设用户将36个硬盘分为9组（也即N=9），每组4个硬盘，则在电源模块1输出电源后，控制模块3先控制第一组硬盘导通，并延时8秒，再控制第二组硬盘导通并延时8秒，重复此过程，直至第9组硬盘完成上电。此实施例中的选择的电源模块1的功率至少可以承受4个硬盘同时启动所需要的功率。当然，本实施例中，每组的硬盘个数并不仅限于4个，可以为其他个数，但每组的硬盘同时启动所需要的功率应与电源模块1的功率相适应，本申请在此不再赘述。

作为一种优选的实施例，控制模块3具体用于在电源模块1输出电源后，通过控制各个预设引脚的电平控制多个开关2错开导通。

本实施例中，控制模块3的输出端通过各个硬盘的预设引脚与各个开关2的控制端连接，在电源模块1输出电源12V后，控制模块3通过控制各个硬盘的预设引脚的电平状态进而控制与各个硬盘对应的开关2的导通或截止状态，本实施例中，控制模块3通过控制预设引脚的电平控制多个开关2错开导通。

具体地，控制模块3向预设引脚输出高电平时，也即开关2的控制端接收到高电平信号时，开关2截止，也即硬盘输入的12V电源关断，也即与此开关2连接的硬盘不上电；控制模块3向预设引脚输出低电平或硬盘的预设引脚悬空时，开关2导通，也即硬盘通过开关2与电源模块1的输出端连接，硬盘上电。具体地，控制模块3在不同的时间分别向多个开关2输出低电平信号，使多个开关2错开导通。

控制模块3通过控制硬盘上的预设引脚控制与此预设引脚连接的开关2导通，可以通过外部程序实现，不需要通过外部手动开关2实现，减小了成本，且方便用户控制。

此外，用户也可以通过对程序的更改使控制模块3向预设引脚输出低电平或者悬空时，开关2截止，也即与此开关2对应的硬盘不上电；控制模块3向预设引脚输出高电平时，开关2导通，也即与此开关2对应的硬盘上电。控制模块3在不同的时间分别向多个开关2输出高电平以实现多个开关2的错开导通。本申请对具体哪种电平控制开关2导通不做特别的限定。

作为一种优选的实施例，开关2为PMOS（positive channel Metal OxideSemiconducto，P沟道金属半导体场效应管）；

其中，PMOS管的源极作为开关2的第一端，PMOS管的漏极作为开关2的第二端，PMOS管的栅极作为开关2的控制端。

具体地，在控制模块3向预设引脚输出高电平时，也即PMOS管的栅极接收到控制模块3输出的高电平信号时，PMOS管处于截止状态，与此PMOS管对应的硬盘不上电；在控制模块3向预设模块向预设引脚输出低电平时，也即PMOS管的栅极接收到控制模块3输出的低电平信号时，PMOS管导通，与此PMOS管连接的硬盘和电源模块1连接，也即硬盘上电。

当然，本申请中的开关2并不仅限于PMOS管，也可以选用其他的开关2，本申请在此不做特别的限定。

作为一种优选的实施例，控制模块3为CPLD（Complex Programmable LogicDevice，复杂可编程逻辑器件）。

本实施例中，控制模块3可以为CPLD。CPLD为数字处理器，由集成的数字电路组成，结构简单，且能够完成本申请中所需要的控制预设引脚的电平状态以及控制各个开关2延时导通时间的功能。

此外，本申请中的控制模块3并不仅限于CPLD，也可以选用其它具有控制功能的控制模块3，比如单片机等，本申请在此不做特别的限定。

作为一种优选的实施例，确定各个硬盘的在位情况，包括：

基于各个硬盘的在位引脚的电平状态确定各个硬盘是否在位。

本实施例中，控制模块3通过各个硬盘的在为引脚检测各个硬盘的在位情况。具体地，控制模块3通过各个硬盘的在位引脚的电平状态确定各个硬盘是否在位。

具体地，硬盘在位时，该硬盘的在位引脚的电平被拉低，也即控制模块3检测到硬盘的在位引脚为低电平时，判定该硬盘在位；硬盘不在位时，硬盘的在位引脚的电平被拉高，也即控制模块3检测到硬盘的在位引脚为高电平时，判定该硬盘不在位。

请参照图2，图2为本发明提供的另一种控制硬盘上电的装置的结构示意图。

作为一种优选的实施例，还包括：

与控制模块3连接的CPU4（central processing unit，中央处理单元），用于在接收到控制模块3的开关2导通指令后，基于硬盘遵从的协议和导通的开关2所在的硬盘建立业务通信。

本实施例中还包括CPU4，在控制模块3控制开关2导通后，控制模块3向CPU4发送开关2导通指令，CPU4在接收到控制模块3发送的开关2导通指令后，基于硬盘遵从的协议和导通的开关2所在的硬盘建立业务通信，也即CPU4和硬盘开始工作。

具体地，在CPU4与硬盘建立业务通信后，CPU4可以对硬盘内的数据进行读和/或写，硬盘也可以对CPU4内部的数据进行读和/或写，CPU4和硬盘之间进行双工传输。

请参照表1：

表1 遵从SAS3.0协议的硬盘的各个引脚定义表

作为一种优选的实施例，协议为SAS3.0协议（Serial Attached SCSI，串行连接SCSI接口）；

其中， SAS3.0协议中的P3管脚作为硬盘的预设引脚，SAS3.0协议中的P10管脚作为硬盘的在位引脚；

还包括：

一端与CPU4连接，另一端与硬盘连接的SAS控制芯片，用于对CPU4的PCIE（PeripheralComponent Interconnect Express，高速串行计算机扩展总线标准）接口与SAS接口进行转换；

与SAS控制芯片连接的SAS扩展芯片，用于对SAS控制芯片的SAS接口进行扩展。

具体地，本申请中的多个硬盘遵从的协议为SAS3.0协议。也即CPU4和各个硬盘在SAS3.0协议的基础上建立业务通信。其中，SAS3.0协议中对应有15个管脚，其中，P3管脚本身为空闲状态，申请人将P3管脚定义为硬盘的预设引脚，控制模块3通过各个硬盘的预设引脚控制各个开关2的错开导通，也即是控制模块3通过控制P3管脚控制各个开关2的错开导通（各个硬盘的错开上电）。其中的P10管脚作为各个硬盘的在位引脚，也即控制模块3通过各个硬盘的P10管脚确定各个硬盘的在位情况。

在协议为SAS3.0协议时，本申请还包括SAS控制芯片和SAS扩展芯片。具体地，CPU4的数据接口为PCIE接口，硬盘的数据接口为SAS接口， SAS控制芯片在CPU4的PCIE接口和硬盘的SAS接口之间进行转换，以使CPU4能够与各个硬盘之间建立业务连接。考虑到直接使用SAS控制芯片的SAS接口的数量较少，所能够连接的硬盘数量较少，本申请中的SAS扩展芯片对SAS控制芯片的SAS接口进行扩展，以便能够连接更多的硬盘。

例如，每个SAS控制芯片的SAS接口有8个，若硬盘的数量不大于8，则可以只用SAS控制芯片即可，若硬盘的数量大于8，假设有36个硬盘，则需要使用SAS扩展芯片对SAS控制芯片的8个SAS接口扩展至36个，以便能够连接36个硬盘。

此外，若NVMe协议（NVolatile Memory expressME，非易失性存储器标准协议）中的P3管脚也可以被定义为与SAS3.0协议中的P3管脚相同的功能，则本申请中的协议也可以为NVMe协议，本申请在此不再赘述。

本发明还提供了一种存储设备，包括如上述的控制硬盘上电的装置。

对于本发明提供的一种存储设备的介绍请参照上述实施例，本发明在此不再赘述。

本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。对于实施例公开的装置而言，由于其与实施例公开的方法相对应，所以描述的比较简单，相关之处参见方法部分说明即可。

还需要说明的是，在本说明书中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。

对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其他实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (9)

1.一种控制硬盘上电的装置，其特征在于，包括：

电源模块，用于为多个所述硬盘供电；

分别设置于各个所述硬盘内部，第一端与所述电源模块的输出端连接，第二端与自身所在所述硬盘的电源输入端连接的开关；

输出端分别通过各个所述硬盘上的预设引脚与各个所述开关的控制端连接的控制模块，用于在所述电源模块输出电源后，控制多个所述开关错开导通；

所述控制模块的检测端与各个所述硬盘的在位引脚连接；

所述控制模块具体用于在所述电源模块输出电源后，确定各个所述硬盘的在位情况，并控制在位的各个硬盘对应的各个所述开关错开导通。

2.如权利要求1所述的控制硬盘上电的装置，其特征在于，所述控制模块具体用于预先将多个所述开关分为N组，在所述电源模块输出电源后，控制N组所述开关延时导通，且每组所述开关的延时导通时间各不相同，N为不小于2的正整数。

3.如权利要求1所述的控制硬盘上电的装置，其特征在于，所述控制模块具体用于在所述电源模块输出电源后，通过控制各个所述预设引脚的电平控制多个所述开关错开导通。

4.如权利要求1所述的控制硬盘上电的装置，其特征在于，所述开关为P沟道金属半导体场效应管PMOS；

其中，所述PMOS管的源极作为所述开关的第一端，所述PMOS管的漏极作为所述开关的第二端，所述PMOS管的栅极作为所述开关的控制端。

5.如权利要求1所述的控制硬盘上电的装置，其特征在于，所述控制模块为复杂可编程逻辑器件CPLD。

6.如权利要求1所述的控制硬盘上电的装置，其特征在于，确定各个所述硬盘的在位情况，包括：

基于各个所述硬盘的在位引脚的电平状态确定各个所述硬盘是否在位。

7.如权利要求6所述的控制硬盘上电的装置，其特征在于，还包括：

与所述控制模块连接的中央处理单元CPU，用于在接收到所述控制模块的开关导通指令后，基于所述硬盘遵从的协议和导通的所述开关所在的所述硬盘建立业务通信。

8.如权利要求7所述的控制硬盘上电的装置，其特征在于，所述协议为串行连接SCSI接口SAS3.0协议；

其中，所述 SAS3.0协议中的P3管脚作为所述硬盘的预设引脚，所述SAS3.0协议中的P10管脚作为所述硬盘的在位引脚；

还包括：

一端与CPU连接，另一端与所述硬盘连接的SAS控制芯片，用于对所述CPU的高速串行计算机扩展总线标准PCIE接口与SAS接口进行转换；

与所述SAS控制芯片连接的SAS扩展芯片，用于对所述SAS控制芯片的所述SAS接口进行扩展。

9.一种存储设备，其特征在于，包括如权利要求1-8任一项所述的控制硬盘上电的装置。

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