CN103155205B - 有机电致发光器件 - Google Patents

有机电致发光器件 Download PDF

Info

Publication number
CN103155205B
CN103155205B CN201180050667.7A CN201180050667A CN103155205B CN 103155205 B CN103155205 B CN 103155205B CN 201180050667 A CN201180050667 A CN 201180050667A CN 103155205 B CN103155205 B CN 103155205B
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
flexing
organic
organic electroluminescence
stacking
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN201180050667.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN103155205A (zh
Inventor
H.F.博尔纳
H.赫梅尔
C.戈德曼恩
Original Assignee
Koninklijke Philips Electronics NV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Koninklijke Philips Electronics NV filed Critical Koninklijke Philips Electronics NV
Publication of CN103155205A publication Critical patent/CN103155205A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN103155205B publication Critical patent/CN103155205B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/805Electrodes
    • H10K50/82Cathodes
    • H10K50/826Multilayers, e.g. opaque multilayers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/805Electrodes
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/12Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/10Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/125OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
    • H10K50/13OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light comprising stacked EL layers within one EL unit
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/85Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/856Arrangements for extracting light from the devices comprising reflective means
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301Details of OLEDs
    • H10K2102/351Thickness

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本发明提供一种具有改进的光出耦合的OLED器件,其可以以低成本容易且可靠地制造,该器件包括位于衬底(1)之上的电致发光层堆叠(2,3,4),其中电致发光层堆叠(2,3,4)包括具有夹在面向衬底(1)的第一电极(2)与10第二电极(4)之间的一个或多个有机层的有机发光层堆叠(3),其中第二电极(4)包括至少由位于有机发光层堆叠(3)之上的透明传导保护层(41)、位于保护层(41)之上的透明有机传导屈曲层(42)以及位于屈曲层(42)之上以将应力引入到屈曲层(42)的应力诱导层15(43)构成的层堆叠,该屈曲层(42)具有低于有机发光层堆叠(3)内的有机层的最低玻璃转变温度的玻璃转变温度。本发明进一步涉及一种通过将电致发光层(2,3,4)堆叠加热到一定的温度来制造这样的OLED器件的方法,该温度高于屈曲层(42)的玻璃转变温度且低于有机发光层堆叠(3)内的有机层的最低玻璃转变温度,该加热持续足以20在屈曲层(42)内获得屈曲(B)的时间段。

Description

有机电致发光器件
技术领域
本发明涉及具有增强的光出耦合的有机电致发光器件领域。
背景技术
有机电致发光器件(或二极管)是这样的器件:其中当驱动电压被施加到这样的有机电致发光器件(OLED)时有机分子发光。OLED典型地包括透明衬底,在该衬底之上沉积了电致发光层堆叠,其包括位于两个电极层之间的有机发光层堆叠,所述两个电极典型地为在衬底之上的透明阳极和在有机层堆叠之上的反射阴极。由于有机分子对水分和氧气是敏感的,因此该层堆叠由在衬底之上密封的气密罩盖封装。为了操作OLED,施加大约几伏(例如2-15V)的驱动电压。
OLED器件是旨在用于房间照明的大面积光源。然而,从OLED器件发出的光的量仅为由发光层在内部产生的光的量的20%。为了提高OLED器件的效率,期望改进的光出耦合。OLED器件中主要损耗因素是由于OLED器件的平坦的几何形状导致的光俘获。典型地,仅有所产生的光的大约50%进入玻璃衬底并且仅有大约20%逃入空气中。剩余的50%在波导模式下被俘获,其在高指数有机层和氧化铟锡(ITO)电极中传播。迄今为止,在这些模式下俘获的光特别难以以经济的方式被提取。具有用于散射俘获的光的光栅的特殊衬底已被用来改进光出耦合,其中ITO电极和OLED层堆叠被沉积在这种结构之上。这样的结构将会把某种形态引入到OLED层堆叠中,其与具有平坦的OLED层堆叠的OLED器件相比降低了所得非平坦层堆叠的短路电阻。结构化的衬底将会另外增加制造努力和制造成本。
文献WO2010/064186A1公开了有机发光器件,其中光反射层(在OLED器件背面上的电极)包括导致增强来自OLED器件的光出耦合的散射光的变形。这些变形经由入射到光反射层后表面的激光束产生。激光束将热量引入到包括有机层和反射层的层系统。当利用该激光束将层堆叠加热到超过夹在两个电极之间的有机层的玻璃转变温度时,整个层堆叠形成屈曲或皱褶。这些屈曲或皱褶的形成由金属外套(反射层)中的应力驱动,该应力在由于加热导致反射层下面的有机层变软时通过起皱来减轻。这些皱褶是拟周期的,其具有广泛的周期性分布和方向随机性,并且这些皱褶充当增强光出耦合的一种类型的布拉格(Bragg)光栅。然而,经处理超过玻璃转变温度的OLED器件大多数被缩短,因为在出现的皱褶谷底处,阴极与阳极之间的距离非常短,从而导致高电流密度。有时,两个电极可以直接接触。因此,如上所描述的那样处理的OLED器件只能以低产品收得率制造并且由于发生短路的概率大而引起该OLED器件在寿命期限内是不可靠的。存在提供一种具有改进的光出耦合的OLED器件的需求,该OLED器件可以以低成本容易且可靠地制造。
发明内容
本发明的目的是提供一种具有改进的光出耦合的OLED器件,其可以以低成本容易且可靠地制造。
该目的通过一种有机电致发光器件实现,该有机电致发光器件包括位于衬底之上的电致发光层堆叠,其中电致发光层堆叠包括具有夹在面向衬底的第一电极与第二电极之间的一个或多个有机层的有机发光层堆叠,其中第二电极包括至少由位于有机发光层堆叠之上的透明传导保护层、位于保护层之上的透明有机传导屈曲层以及位于屈曲层之上以将应力引入到屈曲层的应力诱导层构成的层堆叠,该屈曲层具有低于有机发光层堆叠内的有机层的最低玻璃转变温度的玻璃转变温度。根据本发明的OLED器件示出了独立于所发出光的波长的光出耦合的显著改进。由普通的氧化铟锡(ITO)覆盖的玻璃衬底仍然可以被用来制造OLED器件。当前的OLED器件是用于在不破坏OLED器件的层结构的情况下改进OLED器件的光出耦合的非常廉价和可靠的解决方案。所需的制造步骤容易执行。
屈曲层作为平坦层被沉积在电致发光层堆叠的先前沉积层之上,所述先前沉积层也被制备为平坦层。应力诱导层起初也作为平坦层被沉积在屈曲层之上。通过在将屈曲层加热到高于屈曲层的玻璃转变温度时利用与屈曲层直接接触的应力诱导层的应力来获得屈曲层内的屈曲。玻璃转变或玻璃化是指玻璃形成液体到玻璃的转换,这通常在快速冷却时发生。它是发生在物质的两种不同状态(液体和玻璃)之间的动态现象,每种状态具有不同的物理属性。在通过玻璃转变的温度范围(“玻璃转换范围”)冷却时,在没有形成任何长程有序或显著对称的原子排列的情况下,液体以与超过熔点大约相同的速率更为连续地收缩,直到热膨胀系数(TEC)减小。玻璃转变温度Tg低于熔解温度。与粘度形成对照,无机玻璃的热膨胀、热容和许多其他属性在玻璃转变温度处显示出相对突然的变化。发生该快速变化的温度被表示为玻璃转变温度。作为示例,α-NPD的玻璃转变温度Tg为95℃,TPD的Tg为60℃,且MTDATA的Tg为75℃。与此形成对照,适合用作空穴传导材料的螺环化合物具有Tg>120℃。本领域技术人员可以在本发明的范围内根据他们的技术知识选择具有其他玻璃转变温度的其他有机材料。屈曲层内屈曲的形成是通过减轻位于屈曲层之上的应力诱导层的内部层应力驱动的,该屈曲层在高于玻璃转变温度时是软的。一种用于沉积屈曲层的适当的沉积技术是真空蒸镀。诱导的应力优选地是张应力。应力的减轻导致屈曲层和应力诱导层的起皱层堆叠。在屈曲层和应力诱导层的层堆叠内部得到的屈曲充当向回散射来自应力诱导层的光的一种类型的布拉格光栅。应力诱导层优选地是具有高反射率的镜层,以便反射回尽可能多的光。由于屈曲的缘故,背向反射在随机角度下发生,导致光在适合被耦合出OLED器件的入射角下进入衬底表面。最佳结果利用在屈曲结构内最高与最低点之间具有大约10-20nm的平均落差的屈曲结构来实现。电极之间的有机发光层堆叠的有机层将保持为平坦层以避免电极之间的任何短路。该平坦结构通过所施加的温度来维持,以将屈曲引入到低于有机发光层堆叠内的有机层的所有玻璃转变温度的屈曲层。随后,与加热到高于有机发光层堆叠的玻璃转变温度的屈曲的OLED相比,电极之间的形态保持平坦的形态以防止短路。此外,由应力诱导层诱导的应力将与有机发光层堆叠分离,以便支持有机发光层堆叠的平坦形态。保护层保护沉积在衬底与保护层之间的层免受由沉积在保护层之上的层诱导的应力。保护层通过热蒸镀来沉积,从而在没有内部应力的情况下形成无定形、坚硬且透明的层。根据本发明提供的OLED器件显示出由于光被从应力诱导层反射回到衬底的反射角度的随机变化而引起的改进的光出耦合。OLED器件可以通过利用普通的沉积技术应用平坦层来容易地制造,并且OLED器件工作可靠,这是因为由于有机发光层堆叠内的平坦几何形状(平坦形态)的维持而防止了短路。可靠操作避免了由于基于形态的短路而引起的生产损失并且因此可以以低成本制造。
有机电致发光器件可以利用有机小分子或聚合物来产生光。相应地,OLED可以被称为小分子有机发光器件(SMOLED)或聚合物发光器件(PLED)。然而,SMOLED是优选的,这是因为它们更好的发光性能的缘故。通过衬底发光的OLED被表示为底发射器。底发射器的衬底由具有两个基本平行的表面的透明材料(例如玻璃或塑料)制成。通过与衬底相对的OLED侧面发光的OLED被表示为顶发射器。电致发光层堆叠包括作为阳极和阴极的至少两个电极和在中间的有机发光层堆叠。在一些实施例中,可能存在布置在电极之间的多个有机层,比如空穴传输层、电子传输层、空穴阻挡层、电子阻挡层、一个或多个发光层(例如包括具有嵌入的发光分子的基质(host)材料)。包括不同数量/类型的层的大量不同的电致发光层堆叠是技术人员已知的,技术人员能够依据期望的应用选择适当的电致发光层堆叠。可替代地,有机发光层堆叠可以仅包括一个能够发光的有机层。在底发射器的情况下,沉积在衬底之上的电极是透明阳极,例如由氧化铟锡(ITO)制成。根据本发明的OLED器件可能是底发射器或顶发射器。在顶发射器的情况下,应力诱导层也必须是透明的或半透明的。将所需的内部层应力诱导到下面的层的至少半透明层可以由薄金属层(例如大约10nm厚的铝层)实现。
电致发光层堆叠由罩盖覆盖,以便防止水分或氧气透入有机发光层堆叠中以提供具有足够寿命的OLED。罩盖由提供充分的屏障以防止水分和/或氧气扩散到罩盖与衬底之间的封装体积中的任何适当的刚性材料制成。该罩盖通过应用至少防止水分和氧气的充分气密的适当的密封材料而被密封在衬底之上,所述密封材料例如是玻璃熔块(非传导材料)或传导密封材料(例如具有传导填充物的环氧胶)。术语“密封在衬底之上”表示罩盖与衬底之间的紧密连接。在上面具有附加层(例如用于第一和/或第二电极的接触垫)的衬底的情况下,罩盖跨越这些层而被密封到衬底。罩盖具有内侧和外侧,其中内侧表示罩盖的面向电致发光层堆叠的一侧。外侧相应地是罩盖的另一侧。罩盖的形状适于在罩盖的内侧与电致发光层堆叠之间提供间隙。该间隙将防止来自OLED器件外部的对罩盖的任何机械冲击到达电致发光层。吸气剂材料可以布置在间隙内部,典型地附着到罩盖的内侧。罩盖与电致发光层堆叠之间的间隙可以具有高达几毫米的尺寸。典型地,该间隙填充有气体,例如干氮气。可替代地,该间隙可以填充有干燥的环境空气。
在本发明中,术语“传导的”总是表示导电材料或组件,即使不使用术语“电”。
在一个实施例中,应力诱导层是金属层,优选地是铝层。利用蒸镀或溅射制备的金属层能够以低的层厚度诱导所需的应力,优选地诱导张应力。作为优选材料,铝在将屈曲层加热到高于玻璃转变温度时自发地形成期望的屈曲。为了获得期望的屈曲,应力诱导层的厚度大于5nm,优选地低于50nm,更优选地介于10nm和25nm之间。如果应力诱导层太厚,则屈曲行为不足。如果应力诱导层太薄,则诱导的应力太低而不能使屈曲层屈曲。应力诱导层优选地通过真空蒸镀来沉积以提供所需的被诱导到第二电极的应力。
在另一个实施例中,保护层由金属氧化物制成,优选地由MoO3、WO3、V2O5或这些材料的混合物制成。这些材料能够防止有机发光层受被诱导到第二电极层堆叠的应力影响。在另一个实施例中,保护层具有大于20nm、优选地大于40nm、更优选地大于60nm的厚度。具有这样的层厚度的保护层能够防止有机发光层受被诱导到第二电极层堆叠的应力影响。保护层所需的厚度取决于诱导的应力的强度。而且,导电保护层的某个最小厚度有助于平衡由于屈曲结构而引起的屈曲层内不同的横向电导率,以便保持到有机发光层堆叠中的电流注入尽可能均匀。
在另一个实施例中,屈曲层具有比有机发光层堆叠内有机层的最低玻璃转变温度至少低30℃的玻璃转变温度。屈曲层与电致发光层堆叠内的其他有机层的玻璃转变温度之间的差是维持有机发光层堆叠的平坦形态所需要的。至少30℃的差异将防止在将屈曲层加热到高于其玻璃转变温度期间减轻应力的过程中对有机发光层堆叠的当前几何形状的任何负面影响。作为示例,在屈曲层由Tg=60℃的TPD制成的情况下,用于OLED器件的普通有机材料(比如Tg=95℃的α-NPD)在有机发光层堆叠内是适用的。Tg>120℃的螺环化合物也可以被用作有机发光层堆叠内的空穴导电材料。
在另一个实施例中,屈曲层包括掺杂到屈曲层的适当量的传导材料,以便增强屈曲层的电导率。屈曲层的增加的电导率将支持第二电极上更均匀的电流分布。屈曲层的掺杂可以以与在有机发光层堆叠内掺杂有机层相同的方式来执行。用于有机发光材料的普通的n-掺杂剂和p-掺杂剂也可以用于屈曲层。作为示例,α-NPD或TPD可以掺杂有量在0.1%到10%之间变化的掺杂剂。
在另一个实施例中,屈曲层具有超过20nm的层厚度,优选地具有低于150nm的厚度,更优选地具有介于50nm和100nm之间的厚度。伴随屈曲结构内最高与最低点之间的10-20nm的落差,出耦合行为显示出了最佳结果。层厚度随后应当大于20nm。太厚的屈曲层将不会显示出所需的屈曲行为,因此屈曲层的层厚度应当低于150nm。
在另一个实施例中,第二电极进一步包括沉积在应力诱导层之上的应力增强层,其具有比应力诱导层更大的内部应力。如果由应力诱导层诱导的应力不足以获得所需的屈曲行为(例如屈曲结构内最高与最低点之间的某种周期性或某种落差),则应力可以通过附加层(应力增强层)来增强。在优选实施例中,应力增强层是由Mn、Cu、Cr或其混合物制成的金属层。应力增强层可以通过真空蒸镀来沉积,以便提供所需的应力属性。
在另一个实施例中,电流分布层被沉积在第二电极之上,优选地由铝或铜制成。电流分布层是导电的并且具有低于屈曲层和保护层的薄层电阻。电流分布层另外支持电流分布并提供发出具有更均匀的亮度的光的OLED器件。用于电流分布层的优选材料是铝和铜,这是因为它们的良好的电导率和对应的低薄层电阻的缘故。
本发明进一步涉及一种制造根据本发明的有机电致发光器件的方法,该方法包括以下步骤:
-将包括至少由透明传导保护层、透明有机传导屈曲层和应力诱导层构成的层堆叠的第二电极沉积在有机发光层堆叠之上,以及
-将电致发光层堆叠加热到一定温度,该温度高于屈曲层的玻璃转变温度且低于有机发光层堆叠内的有机层的最低玻璃转变温度,该加热持续足以在屈曲层内获得屈曲的时间段,优选地该时间段介于20秒与40秒之间。根据本发明的方法的优点是用于提供OLED器件的大多数普通制造步骤的适用性。用于作为层堆叠沉积第二电极以实现本发明的另外所需的制造步骤是容易执行的。第二电极的层的材料沉积可以例如通过蒸镀来执行。加热可以通过将OLED置于烤箱中并将烤箱加热到期望的温度来执行。
在另一个实施例中,该方法进一步包括在加热步骤期间利用预成形的屈曲工具压印屈曲层以便将屈曲引入到屈曲层中的步骤,优选地利用由硅树脂或橡胶制成的屈曲工具来进行。高于屈曲层的玻璃转变温度的温度提供了软屈曲层,其可以利用屈曲工具来成形或除了应力之外利用屈曲工具再生。屈曲工具必须包括期望的屈曲表面以便将期望的屈曲结构压印(或印刷)到屈曲层中。屈曲工具可以是由硅或橡胶制成的模板或印模以便防止对屈曲层下面的层的任何破坏。保护层再次为下面的层提供足够的机械保护以实现屈曲结构的软压印。模板或印模可以以与例如制造用于安全全息图的全息膜(mater)相同的方式来制造。可替代地,屈曲过程本身可以用来制造该膜。第二电极的压花(压印)的优点是屈曲的预定模式。
在另一个实施例中,该方法包括在加热电致发光层堆叠之前将应力增强层沉积在应力诱导层之上的步骤。在另一个实施例中,该方法进一步包括通过在加热步骤之后将电流分布层沉积在第二电极之上来使第二电极变厚的步骤。沉积的电流分布层将维持屈曲的结构,以便维持根据本发明的OLED器件的改进的光出耦合。
附图说明
本发明的这些和其他方面将根据下文描述的实施例而清楚明白并且参照这些实施例进行阐释。
在附图中:
图1:根据本发明的OLED的一个实施例。
图2:在加热步骤之后具有屈曲结构的图1的OLED。
图3:根据本发明的OLED的另一个实施例,其进一步包括位于第二电极之上的电流分布层。
图4:根据本发明的OLED器件的另一个实施例,其中屈曲被压花或压印到屈曲层中。
具体实施方式
图1示出根据本发明的OLED的一个实施例,其中有机电致发光器件包括位于衬底1之上的电致发光层堆叠2、3、4,其中电致发光层堆叠2、3、4包括具有夹在面向衬底1的第一电极2与第二电极4之间的一个或多个有机层的有机发光层堆叠3。第二电极4包括至少由位于有机发光层堆叠3之上的透明传导保护层41、位于保护层41之上的透明有机传导屈曲层42以及位于屈曲层42之上以将应力引入到屈曲层42的应力诱导层43构成的层堆叠,该屈曲层42具有低于有机发光层堆叠3内的有机层的最低玻璃转变温度的玻璃转变温度。第二电极在被沉积之后仍然具有平坦的几何形状。作为具有10nm厚度的应力诱导层的铝层的被诱导到具有75nm厚度的屈曲层42的应力在低于屈曲层42的玻璃转变温度Tg的温度下(例如在室温下)不足以引入屈曲B。在示例A和B中给出了根据本发明的OLED器件结构的明确示例,其中术语OLE层堆叠和CDL表示有机发光层堆叠3和电流分布层。“d”表示特定层的层厚度。
示例A
在示例A中,屈曲层的Tg比有机发光层堆叠的最低的Tg低38℃。
示例B
在示例B中,屈曲层的Tg比有机发光层堆叠的最低的Tg低73℃。
在示例A和B中,Bis-OXD表示4,4’-bis(5-苯基-[1,3,4]噁二唑-2-yl)-2,2’-二萘基联苯以及(hpp)表示1,3,4,6,7,8-六氢化-2H-嘧啶并[1,2-a]嘧啶的阴离子。作为用于保护层的可替代方案,MoO3或V2O5可以替代WO3用在这些示例中。
图2示出在应用了将电致发光层2、3、4堆叠加热到一定温度的步骤之后的OLED器件,该温度高于屈曲层42的玻璃转变温度Tg且低于有机发光层堆叠3内的有机层的最低玻璃转变温度,该加热持续足以在屈曲层42内获得屈曲B的30秒的时间段,并且在该屈曲结构内最高和最低点之间的落差D为15nm。作为具有50nm厚度的保护层41的WO3层防止WO3层下面的有机发光层3受屈曲层41的屈曲影响。在第二电极的层的其他应用材料和/或其他厚度的情况下,所诱导的应力可能不足以获得期望的屈曲结构。沉积在应力诱导层43之上具有比应力诱导层43更大的内部应力的附加应力增强层(这里未示出)可以用来调节诱导到屈曲层42的所需应力。用于应力增强层的适当材料是例如Mn、Cu、Cr或其混合物。所发出的光的传播方向在图2中由一些示例性示例指示。有机发光层3内的发射原则上是各向同性的。具有近似垂直于透明衬底1的表面的传播方向的光5将直接引导OLED器件。以较高入射角进入表面的光可以从衬底1的表面被反射回来。这种光51可以以某个入射角进入第二电极层4并且将从与反射的应力诱导铝层43接触的屈曲结构42的表面以取决于其中光51进入屈曲结构的表面的位置的随机角分布被反射回来。因此,仅需要非常有限数量的光来回反射来为以足以离开OLED器件的入射角进入衬底表面的反射光提供传播方向。
图3示出根据本发明的OLED器件的另一个实施例,其中根据图2的OLED器件进一步包括位于第二电极4之上的电流分布层6。电流分布层6是导电的并且具有比屈曲层42和保护层41低得多的薄层电阻。电流分布层6另外支持电流分布并且提供发出具有更均匀亮度的光的OLED器件。用于电流分布层6的优选材料是铝和铜,这是因为它们的良好的电导率和对应的低薄层电阻的缘故。应力诱导层43也可以由铝制成,然而厚度为10nm的非常薄的应力诱导层不具有与作为电流分布层6的厚铝层(例如具有100nm的厚度)相同的电导率属性。光51的效果保持与图2中所示的相同。
图4示出根据本发明的OLED器件的另一个实施例,其中利用屈曲工具7将屈曲B压花或压印到屈曲层42中。利用预成形的屈曲工具7压印S屈曲层42的步骤在例如在烤箱中将OLED器件加热到高于屈曲层42的玻璃转变温度期间执行。高于屈曲层42的玻璃转变温度的温度提供了软屈曲层42,其可以利用屈曲工具7来成形或者除了应力之外利用屈曲工具7再生。屈曲层7必须包括期望的屈曲表面以便将期望的屈曲B压印S(或印刷)到屈曲层42中。屈曲工具7可以是由硅制成的模板或印模以便防止对屈曲层42下面的层2和3的任何破坏。保护层再次为下面的层2和3提供足够的机械保护以实现屈曲结构的软压印。模板或印模可以以与例如制造用于安全全息图的全息膜相同的方式来制造。可替代地,屈曲过程本身可以用来制造该膜。第二电极4的压花(压印)的优点是屈曲B的预定模式。这里,在以与图3所示相同的方式提供了屈曲结构之后,可以使第二电极4变厚。
尽管已经在附图和前面的描述中图示和描述了本发明,但是这样的图示和描述将被认为是说明性的或示例性的,而非限制性的;本发明不限于所公开的实施例。本领域技术人员在实践要求保护的发明时通过研究附图、公开内容和所附权利要求能够理解并实现所公开的实施例的其他变形。在权利要求中,词语“包括”不排除其他元件或步骤,并且不定冠词“一”不排除多个。在相互不同的从属权利要求中叙述某些措施的起码事实并不表示这些措施的组合不能被有利地使用。权利要求中的任何附图标记不应当被解释为限制范围。
附图标记的列表
1衬底
2第一电极
3有机发光层堆叠
4第二电极
41保护层
42屈曲层
43应力诱导层
5直接发出的光
51从衬底表面反射回来的光
52从屈曲结构随机反射回来的光
6电流分布层
7屈曲工具
B屈曲
D屈曲结构内最高与最低点之间的距离
S将屈曲压花或压印到屈曲层中

Claims (26)

1.一种有机电致发光器件,包括位于衬底(1)之上的电致发光层堆叠(2,3,4),其中电致发光层堆叠(2,3,4)包括具有夹在面向衬底(1)的第一电极(2)与第二电极(4)之间的一个或多个有机层的有机发光层堆叠(3),其中第二电极(4)包括至少由位于有机发光层堆叠(3)之上的透明传导保护层(41)、位于保护层(41)之上的透明有机传导屈曲层(42)以及位于屈曲层(42)之上以将应力引入到屈曲层(42)的应力诱导层(43)构成的层堆叠,该屈曲层具有低于有机发光层堆叠(3)内的有机层的最低玻璃转变温度的玻璃转变温度。
2.如权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于应力诱导层(43)是金属层。
3.如权利要求2所述的有机电致发光器件,其特征在于所述金属层是铝层。
4.如权利要求2所述的有机电致发光器件,其特征在于应力诱导层(43)具有大于5nm的厚度。
5.如权利要求4所述的有机电致发光器件,其特征在于应力诱导层(43)具有低于50nm的厚度。
6.如权利要求5所述的有机电致发光器件,其特征在于应力诱导层(43)具有介于10nm和25nm之间的厚度。
7.如前述权利要求中任一项所述的有机电致发光器件,其特征在于保护层(41)由金属氧化物制成。
8.如权利要求7所述的有机电致发光器件,其特征在于保护层(41)由MoO3、WO3、V2O5或这些材料的混合物制成。
9.如权利要求1-6中任一项所述的有机电致发光器件,其特征在于保护层(41)具有大于20nm的厚度。
10.如权利要求9所述的有机电致发光器件,其特征在于保护层(41)具有大于40nm的厚度。
11.如权利要求10所述的有机电致发光器件,其特征在于保护层(41)具有大于60nm的厚度。
12.如权利要求1-6中任一项所述的有机电致发光器件,其特征在于屈曲层(42)具有比有机发光层堆叠(3)内的有机层的最低玻璃转变温度至少低30℃的玻璃转变温度。
13.如权利要求1-6中任一项所述的有机电致发光器件,其特征在于屈曲层(42)包括掺杂到屈曲层(42)的适当量的传导材料,以便增强屈曲层(42)的电导率。
14.如权利要求1-6中任一项所述的有机电致发光器件,其特征在于屈曲层(42)具有超过20nm的层厚度。
15.如权利要求14所述的有机电致发光器件,其特征在于屈曲层(42)具有低于150nm的厚度。
16.如权利要求15所述的有机电致发光器件,其特征在于屈曲层(42)具有介于50nm和100nm之间的厚度。
17.如权利要求1-6中任一项所述的有机电致发光器件,其特征在于第二电极(4)进一步包括沉积在应力诱导层(43)之上的应力增强层,其具有比应力诱导层(43)更大的内部应力。
18.如权利要求17所述的有机电致发光器件,其特征在于应力增强层是由Mn、Cu、Cr或其混合物制成的金属层。
19.如权利要求1-6中任一项所述的有机电致发光器件,其特征在于电流分布层(6)被沉积在第二电极(4)之上。
20.如权利要求19所述的有机电致发光器件,其特征在于电流分布层(6)由铝或铜制成。
21.一种制造如权利要求1所述的有机电致发光器件的方法,包括以下步骤:
-将包括至少由透明传导保护层(41)、透明有机传导屈曲层(42)和应力诱导层(43)构成的层堆叠的第二电极(4)沉积在有机发光层堆叠(3)之上,以及
-将电致发光层堆叠(2,3,4)加热到一定温度,该温度高于屈曲层(42)的玻璃转变温度且低于有机发光层堆叠(3)内的有机层的最低玻璃转变温度,该加热持续足以在屈曲层(42)内获得屈曲(B)的时间段。
22.如权利要求21所述的方法,其特征在于所述时间段介于20秒与40秒之间。
23.如权利要求21所述的方法,进一步包括以下步骤:在加热步骤期间利用预成形的屈曲工具(7)压印(S)屈曲层(42)以便将屈曲(B)引入屈曲层(42)中。
24.如权利要求23所述的方法,其特征在于预成形的屈曲工具(7)由硅树脂或橡胶制成。
25.如权利要求21-24中任一项所述的方法,进一步包括以下步骤:在加热电致发光层堆叠(2,3,4)之前将应力增强层沉积在应力诱导层(43)之上。
26.如权利要求21-24中任一项所述的方法,进一步包括以下步骤:通过在加热步骤之后将电流分布层(6)沉积在第二电极(4)之上来使第二电极(4)变厚。
CN201180050667.7A 2010-10-20 2011-10-05 有机电致发光器件 Expired - Fee Related CN103155205B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP10188231.4 2010-10-20
EP10188231 2010-10-20
PCT/IB2011/054373 WO2012052866A1 (en) 2010-10-20 2011-10-05 Organic electroluminescent device.

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN103155205A CN103155205A (zh) 2013-06-12
CN103155205B true CN103155205B (zh) 2016-03-16

Family

ID=44863162

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201180050667.7A Expired - Fee Related CN103155205B (zh) 2010-10-20 2011-10-05 有机电致发光器件

Country Status (6)

Country Link
US (1) US8987987B2 (zh)
EP (1) EP2630679B1 (zh)
JP (1) JP5945787B2 (zh)
KR (1) KR101855545B1 (zh)
CN (1) CN103155205B (zh)
WO (1) WO2012052866A1 (zh)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9761841B2 (en) * 2014-04-24 2017-09-12 Vitro, S.A.B. De C.V. Organic light emitting diode with surface modification layer
KR102293473B1 (ko) * 2014-09-17 2021-08-24 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법
KR102330331B1 (ko) * 2015-07-17 2021-11-25 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
US10321626B2 (en) 2016-08-26 2019-06-18 Cnh Industrial America Llc Lightweight stalk roll knife
US10535840B2 (en) * 2018-01-26 2020-01-14 Apple Inc. Organic light-emitting diode displays
KR20210079898A (ko) * 2019-12-20 2021-06-30 엘지디스플레이 주식회사 표시장치

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101188887A (zh) * 2006-11-14 2008-05-28 株式会社日立显示器 有机el显示装置

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000117885A (ja) * 1998-10-16 2000-04-25 Minnesota Mining & Mfg Co <3M> 装飾フィルム及びその製造方法
JP2001217078A (ja) * 2000-02-03 2001-08-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd 有機発光素子及びその製造方法
JP2003167116A (ja) * 2001-12-03 2003-06-13 Citizen Watch Co Ltd カラーフィルターを備えた反射基板とその製造方法
JP2004079512A (ja) * 2002-06-17 2004-03-11 Sanyo Electric Co Ltd 有機elパネルおよびその製造方法
JP2004119259A (ja) * 2002-09-27 2004-04-15 Stanley Electric Co Ltd 有機el表示素子
KR100563059B1 (ko) 2003-11-28 2006-03-24 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 디스플레이 장치 및 이의 제조에 사용되는레이저 열전사용 도너 필름
KR100570978B1 (ko) * 2004-02-20 2006-04-13 삼성에스디아이 주식회사 표면이 개질된 유기막층을 사용하는 유기 전계 발광디스플레이 디바이스 및 이의 제조 방법
JP4689176B2 (ja) * 2004-02-26 2011-05-25 大日本印刷株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
US7141924B2 (en) * 2004-05-07 2006-11-28 Au Optronics Corporation Multi-layer cathode in organic light-emitting devices
CN100555705C (zh) * 2004-05-17 2009-10-28 汤姆森特许公司 具有提高的光提取效率的有机发光二极管和对应的显示装置
WO2006026618A2 (en) 2004-08-31 2006-03-09 Eigenlight Corporation Broadband fiber optic tap
KR20070049211A (ko) 2004-09-30 2007-05-10 가부시끼가이샤 도시바 유기 일렉트로루미네센스 표시 장치
JP2006156267A (ja) * 2004-12-01 2006-06-15 Sony Corp 表示装置の製造方法および表示装置
JP4801429B2 (ja) * 2004-12-06 2011-10-26 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子、及び該発光素子を有する発光装置
CN101073164B (zh) * 2004-12-06 2010-05-05 株式会社半导体能源研究所 发光元件和使用该元件的发光装置
JP4631683B2 (ja) * 2005-01-17 2011-02-16 セイコーエプソン株式会社 発光装置、及び電子機器
JP2006228570A (ja) * 2005-02-17 2006-08-31 Sanyo Electric Co Ltd エレクトロルミネッセンス素子及びエレクトロルミネッセンスパネル
JP4858337B2 (ja) * 2007-07-11 2012-01-18 日本ゼオン株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法
JP4852008B2 (ja) * 2007-07-31 2012-01-11 住友化学株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
US7914908B2 (en) * 2007-11-02 2011-03-29 Global Oled Technology Llc Organic electroluminescent device having an azatriphenylene derivative
TWI364840B (en) * 2007-12-03 2012-05-21 Chimei Innolux Corp Tandem organic light emitting device and method for assembling the same
US20090152533A1 (en) 2007-12-17 2009-06-18 Winston Kong Chan Increasing the external efficiency of light emitting diodes
JP2009193797A (ja) * 2008-02-14 2009-08-27 Hitachi Displays Ltd 表示装置およびその製造方法
JP5416913B2 (ja) * 2008-03-31 2014-02-12 ローム株式会社 有機el素子
GB2464111B (en) 2008-10-02 2011-06-15 Cambridge Display Tech Ltd Organic electroluminescent device
CN102239581A (zh) 2008-12-05 2011-11-09 皇家飞利浦电子股份有限公司 光导、图案化发光二极管设备、照明系统和生成光导或图案化发光二极管设备的方法
JP5212095B2 (ja) * 2008-12-26 2013-06-19 大日本印刷株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法
TWI425867B (zh) * 2010-11-19 2014-02-01 Au Optronics Corp 有機電激發光顯示元件及其製造方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101188887A (zh) * 2006-11-14 2008-05-28 株式会社日立显示器 有机el显示装置

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Light extraction from organic light-emitting diodes enhanced by spontaneously formed buckles;Won Hoe Koo et al;《nature photonics》;20100221;第4卷(第4期);222-226 *

Also Published As

Publication number Publication date
KR101855545B1 (ko) 2018-05-04
US8987987B2 (en) 2015-03-24
US20130293095A1 (en) 2013-11-07
KR20130143590A (ko) 2013-12-31
EP2630679B1 (en) 2015-03-18
WO2012052866A1 (en) 2012-04-26
JP2013544007A (ja) 2013-12-09
JP5945787B2 (ja) 2016-07-05
EP2630679A1 (en) 2013-08-28
CN103155205A (zh) 2013-06-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103155205B (zh) 有机电致发光器件
JP6141808B2 (ja) 光のアウトカップリングが改良されたoled
KR101499380B1 (ko) 유기전자소자용 기판
JP6336569B2 (ja) 有機発光素子およびその製造方法
EP2007843B1 (en) Organic electroluminescent device
US20080238310A1 (en) OLED with improved light outcoupling
US9508957B2 (en) OLED with improved light outcoupling
CN105633293A (zh) 一种oled器件及显示装置
EP2765624A1 (en) Transparent conductive film, and organic light-emitting device comprising same
TW200919794A (en) Organic functional device and method of manufacturing same
JP6047038B2 (ja) 有機el装置
JP2013101893A (ja) 有機el素子
KR20130135142A (ko) 유기전자장치
JP6816407B2 (ja) 有機el素子、ならびに、当該有機el素子を含む照明装置、面状光源、および表示装置
JP2018092767A (ja) 有機el素子、ならびに、当該有機el素子を含む照明装置、面状光源、および表示装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20160329

Address after: Aachen

Patentee after: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.

Address before: Holland Ian Deho Finn

Patentee before: Koninklijke Philips Electronics N.V.

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20160316

Termination date: 20191005