JP2013101893A - 有機el素子 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 45
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 27
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 45
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 45
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 claims description 32
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 24
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 15
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 15
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 15
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 10
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 9
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 8
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 7
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000003232 water-soluble binding agent Substances 0.000 claims description 7
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims description 6
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 claims description 5
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 claims description 5
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910000583 Nd alloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 4
- 101150068479 chrb gene Proteins 0.000 claims description 3
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 285
- 238000000034 method Methods 0.000 description 77
- 239000010408 film Substances 0.000 description 64
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 53
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 25
- 239000000463 material Substances 0.000 description 22
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 17
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 16
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 15
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 12
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 11
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 10
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 10
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 10
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 10
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 9
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 9
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 9
- 230000008569 process Effects 0.000 description 9
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 7
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 6
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 5
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 5
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 5
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 5
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 5
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 5
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 4
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 4
- 238000007646 gravure printing Methods 0.000 description 4
- 239000002082 metal nanoparticle Substances 0.000 description 4
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 4
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 4
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 4
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 4
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N Nitric oxide Chemical compound O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 3
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000002252 acyl group Chemical group 0.000 description 3
- 125000004423 acyloxy group Chemical group 0.000 description 3
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 description 3
- 125000004453 alkoxycarbonyl group Chemical group 0.000 description 3
- 125000004390 alkyl sulfonyl group Chemical group 0.000 description 3
- 125000005278 alkyl sulfonyloxy group Chemical group 0.000 description 3
- 125000004414 alkyl thio group Chemical group 0.000 description 3
- 125000000304 alkynyl group Chemical group 0.000 description 3
- 125000005098 aryl alkoxy carbonyl group Chemical group 0.000 description 3
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 description 3
- 125000005161 aryl oxy carbonyl group Chemical group 0.000 description 3
- 125000004391 aryl sulfonyl group Chemical group 0.000 description 3
- 125000005279 aryl sulfonyloxy group Chemical group 0.000 description 3
- 125000004421 aryl sulphonamide group Chemical group 0.000 description 3
- 125000005110 aryl thio group Chemical group 0.000 description 3
- 125000004104 aryloxy group Chemical group 0.000 description 3
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 3
- XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M caesium fluoride Chemical compound [F-].[Cs+] XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 3
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 3
- 125000000000 cycloalkoxy group Chemical group 0.000 description 3
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- 125000001072 heteroaryl group Chemical group 0.000 description 3
- 125000000592 heterocycloalkyl group Chemical group 0.000 description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 3
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 3
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 3
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 3
- QENGPZGAWFQWCZ-UHFFFAOYSA-N 3-Methylthiophene Chemical compound CC=1C=CSC=1 QENGPZGAWFQWCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HAEQAUJYNHQVHV-UHFFFAOYSA-N 3-[4-(aminomethyl)-6-(trifluoromethyl)pyridin-2-yl]oxy-N-phenylbenzamide Chemical compound NCC1=CC(=NC(=C1)C(F)(F)F)OC=1C=C(C(=O)NC2=CC=CC=C2)C=CC=1 HAEQAUJYNHQVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 9H-carbazole Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N Aniline Chemical compound NC1=CC=CC=C1 PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002284 Cellulose triacetate Polymers 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- TWRXJAOTZQYOKJ-UHFFFAOYSA-L Magnesium chloride Chemical compound [Mg+2].[Cl-].[Cl-] TWRXJAOTZQYOKJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L Magnesium sulfate Chemical compound [Mg+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 2
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 2
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 2
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N Pyrrole Chemical compound C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FOIXSVOLVBLSDH-UHFFFAOYSA-N Silver ion Chemical compound [Ag+] FOIXSVOLVBLSDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N [(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-diacetyloxy-3-[(2s,3r,4s,5r,6r)-3,4,5-triacetyloxy-6-(acetyloxymethyl)oxan-2-yl]oxy-6-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5,6-triacetyloxy-2-(acetyloxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxan-2-yl]methyl acetate Chemical compound O([C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O)O[C@H]1[C@@H]([C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@@H](COC(C)=O)O1)OC(C)=O)COC(=O)C)[C@@H]1[C@@H](COC(C)=O)O[C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N 0.000 description 2
- 125000004422 alkyl sulphonamide group Chemical group 0.000 description 2
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000005142 aryl oxy sulfonyl group Chemical group 0.000 description 2
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 2
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Chemical compound [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 2
- OSGAYBCDTDRGGQ-UHFFFAOYSA-L calcium sulfate Chemical compound [Ca+2].[O-]S([O-])(=O)=O OSGAYBCDTDRGGQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N coronene Chemical compound C1=C(C2=C34)C=CC3=CC=C(C=C3)C4=C4C3=CC=C(C=C3)C4=C2C3=C1 VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N cyclopentadiene Chemical compound C1C=CC=C1 ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 125000001301 ethoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- RNVCVTLRINQCPJ-UHFFFAOYSA-N o-toluidine Chemical compound CC1=CC=CC=C1N RNVCVTLRINQCPJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 2
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N perchloric acid Chemical class OCl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 2
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 2
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 2
- 229920000447 polyanionic polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 2
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 2
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N pyrene Chemical compound C1=CC=C2C=CC3=CC=CC4=CC=C1C2=C43 BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 2
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 2
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- GGCZERPQGJTIQP-UHFFFAOYSA-N sodium;9,10-dioxoanthracene-2-sulfonic acid Chemical compound [Na+].C1=CC=C2C(=O)C3=CC(S(=O)(=O)O)=CC=C3C(=O)C2=C1 GGCZERPQGJTIQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 150000003467 sulfuric acid derivatives Chemical class 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 2
- NGQSLSMAEVWNPU-YTEMWHBBSA-N 1,2-bis[(e)-2-phenylethenyl]benzene Chemical class C=1C=CC=CC=1/C=C/C1=CC=CC=C1\C=C\C1=CC=CC=C1 NGQSLSMAEVWNPU-YTEMWHBBSA-N 0.000 description 1
- BCMCBBGGLRIHSE-UHFFFAOYSA-N 1,3-benzoxazole Chemical compound C1=CC=C2OC=NC2=C1 BCMCBBGGLRIHSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 1,4,4-triphenylbuta-1,3-dienylbenzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(C=1C=CC=CC=1)=CC=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GUPMCMZMDAGSPF-UHFFFAOYSA-N 1-phenylbuta-1,3-dienylbenzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1[C](C=C[CH2])C1=CC=CC=C1 GUPMCMZMDAGSPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GKWLILHTTGWKLQ-UHFFFAOYSA-N 2,3-dihydrothieno[3,4-b][1,4]dioxine Chemical compound O1CCOC2=CSC=C21 GKWLILHTTGWKLQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZMCHBSMFKQYNKA-UHFFFAOYSA-N 2-aminobenzenesulfonic acid Chemical compound NC1=CC=CC=C1S(O)(=O)=O ZMCHBSMFKQYNKA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IJVRPNIWWODHHA-UHFFFAOYSA-N 2-cyanoprop-2-enoic acid Chemical class OC(=O)C(=C)C#N IJVRPNIWWODHHA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OMIGHNLMNHATMP-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxyethyl prop-2-enoate Chemical compound OCCOC(=O)C=C OMIGHNLMNHATMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000094 2-phenylethyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000003903 2-propenyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 1
- XWEYATZFSPHATJ-UHFFFAOYSA-N 3,4-dibutoxythiophene Chemical compound CCCCOC1=CSC=C1OCCCC XWEYATZFSPHATJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LGPVKMIWERPYIJ-UHFFFAOYSA-N 3,4-dibutyl-1h-pyrrole Chemical compound CCCCC1=CNC=C1CCCC LGPVKMIWERPYIJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FKXCQUBXKMXXBG-UHFFFAOYSA-N 3,4-dibutylthiophene Chemical compound CCCCC1=CSC=C1CCCC FKXCQUBXKMXXBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CFCYZQALCKXBOZ-UHFFFAOYSA-N 3,4-didecoxythiophene Chemical compound CCCCCCCCCCOC1=CSC=C1OCCCCCCCCCC CFCYZQALCKXBOZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GVQISPCTVFFREP-UHFFFAOYSA-N 3,4-didodecoxythiophene Chemical compound CCCCCCCCCCCCOC1=CSC=C1OCCCCCCCCCCCC GVQISPCTVFFREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BUZZAMRHHXZQNN-UHFFFAOYSA-N 3,4-diheptoxythiophene Chemical compound CCCCCCCOC1=CSC=C1OCCCCCCC BUZZAMRHHXZQNN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OMANTHZRUHGCNC-UHFFFAOYSA-N 3,4-dihexoxythiophene Chemical compound CCCCCCOC1=CSC=C1OCCCCCC OMANTHZRUHGCNC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WNOOCRQGKGWSJE-UHFFFAOYSA-N 3,4-dihydro-2h-thieno[3,4-b][1,4]dioxepine Chemical compound O1CCCOC2=CSC=C21 WNOOCRQGKGWSJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZUDCKLVMBAXBIF-UHFFFAOYSA-N 3,4-dimethoxythiophene Chemical compound COC1=CSC=C1OC ZUDCKLVMBAXBIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OJFOWGWQOFZNNJ-UHFFFAOYSA-N 3,4-dimethyl-1h-pyrrole Chemical compound CC1=CNC=C1C OJFOWGWQOFZNNJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GPSFYJDZKSRMKZ-UHFFFAOYSA-N 3,4-dimethylthiophene Chemical compound CC1=CSC=C1C GPSFYJDZKSRMKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OTUYNPNPIIFVGN-UHFFFAOYSA-N 3,4-dioctoxythiophene Chemical compound CCCCCCCCOC1=CSC=C1OCCCCCCCC OTUYNPNPIIFVGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LKYDJXOAZWBJIM-UHFFFAOYSA-N 3,4-dipropoxythiophene Chemical compound CCCOC1=CSC=C1OCCC LKYDJXOAZWBJIM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GOLORTLGFDVFDW-UHFFFAOYSA-N 3-(1h-benzimidazol-2-yl)-7-(diethylamino)chromen-2-one Chemical compound C1=CC=C2NC(C3=CC4=CC=C(C=C4OC3=O)N(CC)CC)=NC2=C1 GOLORTLGFDVFDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JSOMPMRZESLPSM-UHFFFAOYSA-N 3-(2-methylpropyl)aniline Chemical compound CC(C)CC1=CC=CC(N)=C1 JSOMPMRZESLPSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYMPIGRRSUORAR-UHFFFAOYSA-N 3-(4-methyl-1h-pyrrol-3-yl)propanoic acid Chemical compound CC1=CNC=C1CCC(O)=O FYMPIGRRSUORAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JCOLSHCVCITSFG-UHFFFAOYSA-N 3-(4-methylthiophen-3-yl)propanoic acid Chemical compound CC1=CSC=C1CCC(O)=O JCOLSHCVCITSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XCMISAPCWHTVNG-UHFFFAOYSA-N 3-bromothiophene Chemical compound BrC=1C=CSC=1 XCMISAPCWHTVNG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FCVHZARBOWEONP-UHFFFAOYSA-N 3-butoxy-1h-pyrrole Chemical compound CCCCOC=1C=CNC=1 FCVHZARBOWEONP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NZSSXTMHSXMZBL-UHFFFAOYSA-N 3-butoxythiophene Chemical compound CCCCOC=1C=CSC=1 NZSSXTMHSXMZBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATWNFFKGYPYZPJ-UHFFFAOYSA-N 3-butyl-1h-pyrrole Chemical compound CCCCC=1C=CNC=1 ATWNFFKGYPYZPJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KPOCSQCZXMATFR-UHFFFAOYSA-N 3-butylthiophene Chemical compound CCCCC=1C=CSC=1 KPOCSQCZXMATFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QUBJDMPBDURTJT-UHFFFAOYSA-N 3-chlorothiophene Chemical compound ClC=1C=CSC=1 QUBJDMPBDURTJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YTIXUMPBYXTWQA-UHFFFAOYSA-N 3-decoxythiophene Chemical compound CCCCCCCCCCOC=1C=CSC=1 YTIXUMPBYXTWQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FFRZVVFLHHGORC-UHFFFAOYSA-N 3-decyl-1h-pyrrole Chemical compound CCCCCCCCCCC=1C=CNC=1 FFRZVVFLHHGORC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JAYBIBLZTQMCAY-UHFFFAOYSA-N 3-decylthiophene Chemical compound CCCCCCCCCCC=1C=CSC=1 JAYBIBLZTQMCAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQKVUWMATDWFJI-UHFFFAOYSA-N 3-dodecoxythiophene Chemical compound CCCCCCCCCCCCOC=1C=CSC=1 HQKVUWMATDWFJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HGICMYITGGLHHY-UHFFFAOYSA-N 3-dodecyl-1h-pyrrole Chemical compound CCCCCCCCCCCCC=1C=CNC=1 HGICMYITGGLHHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RFKWIEFTBMACPZ-UHFFFAOYSA-N 3-dodecylthiophene Chemical compound CCCCCCCCCCCCC=1C=CSC=1 RFKWIEFTBMACPZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KEAYXGHOGPUYPB-UHFFFAOYSA-N 3-ethoxy-1h-pyrrole Chemical compound CCOC=1C=CNC=1 KEAYXGHOGPUYPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZFQVXRBCYGOGAA-UHFFFAOYSA-N 3-ethoxy-4-methylthiophene Chemical compound CCOC1=CSC=C1C ZFQVXRBCYGOGAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RDEGOEYUQCUBPE-UHFFFAOYSA-N 3-ethoxythiophene Chemical compound CCOC=1C=CSC=1 RDEGOEYUQCUBPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RLLBWIDEGAIFPI-UHFFFAOYSA-N 3-ethyl-1h-pyrrole Chemical compound CCC=1C=CNC=1 RLLBWIDEGAIFPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SLDBAXYJAIRQMX-UHFFFAOYSA-N 3-ethylthiophene Chemical compound CCC=1C=CSC=1 SLDBAXYJAIRQMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JFRPBGLJDHIQGT-UHFFFAOYSA-N 3-heptoxythiophene Chemical compound CCCCCCCOC=1C=CSC=1 JFRPBGLJDHIQGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IUUMHORDQCAXQU-UHFFFAOYSA-N 3-heptylthiophene Chemical compound CCCCCCCC=1C=CSC=1 IUUMHORDQCAXQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IOKBHBPVRURKRQ-UHFFFAOYSA-N 3-hexoxy-1h-pyrrole Chemical compound CCCCCCOC=1C=CNC=1 IOKBHBPVRURKRQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- INZDUCBKJIQWBX-UHFFFAOYSA-N 3-hexoxy-4-methyl-1h-pyrrole Chemical compound CCCCCCOC1=CNC=C1C INZDUCBKJIQWBX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GFJHLDVJFOQWLT-UHFFFAOYSA-N 3-hexoxythiophene Chemical compound CCCCCCOC=1C=CSC=1 GFJHLDVJFOQWLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WGKRMQIQXMJVFZ-UHFFFAOYSA-N 3-iodothiophene Chemical compound IC=1C=CSC=1 WGKRMQIQXMJVFZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HGDGACBSGVRCSM-UHFFFAOYSA-N 3-methoxy-4-methylthiophene Chemical compound COC1=CSC=C1C HGDGACBSGVRCSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RFSKGCVUDQRZSD-UHFFFAOYSA-N 3-methoxythiophene Chemical compound COC=1C=CSC=1 RFSKGCVUDQRZSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FEKWWZCCJDUWLY-UHFFFAOYSA-N 3-methyl-1h-pyrrole Chemical compound CC=1C=CNC=1 FEKWWZCCJDUWLY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OIXVNYHVHGWVEN-UHFFFAOYSA-N 3-methyl-5-(1h-pyrrol-2-yl)pentanoic acid Chemical compound OC(=O)CC(C)CCC1=CC=CN1 OIXVNYHVHGWVEN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRTWOPGOPPTXOA-UHFFFAOYSA-N 3-methyl-5-thiophen-2-ylpentanoic acid Chemical compound OC(=O)CC(C)CCC1=CC=CS1 GRTWOPGOPPTXOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KPORMHZYIJPHAV-UHFFFAOYSA-N 3-octadecoxythiophene Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCOC=1C=CSC=1 KPORMHZYIJPHAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ARFJPHXJBIEWSZ-UHFFFAOYSA-N 3-octadecylthiophene Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCC=1C=CSC=1 ARFJPHXJBIEWSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AUVZKIJQGLYISA-UHFFFAOYSA-N 3-octoxythiophene Chemical compound CCCCCCCCOC=1C=CSC=1 AUVZKIJQGLYISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFHVTZRAIPYMMO-UHFFFAOYSA-N 3-octyl-1h-pyrrole Chemical compound CCCCCCCCC=1C=CNC=1 WFHVTZRAIPYMMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WQYWXQCOYRZFAV-UHFFFAOYSA-N 3-octylthiophene Chemical compound CCCCCCCCC=1C=CSC=1 WQYWXQCOYRZFAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZDQZVKVIYAPRON-UHFFFAOYSA-N 3-phenylthiophene Chemical compound S1C=CC(C=2C=CC=CC=2)=C1 ZDQZVKVIYAPRON-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FAOPZUAEZGKQNC-UHFFFAOYSA-N 3-propyl-1h-pyrrole Chemical compound CCCC=1C=CNC=1 FAOPZUAEZGKQNC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QZNFRMXKQCIPQY-UHFFFAOYSA-N 3-propylthiophene Chemical compound CCCC=1C=CSC=1 QZNFRMXKQCIPQY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WEELZNKFYGCZKL-UHFFFAOYSA-N 4-(4-phenylphenyl)-n,n-bis[4-(4-phenylphenyl)phenyl]aniline Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC=CC=2)C=C1 WEELZNKFYGCZKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FXPOCCDGHHTZAO-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-1h-pyrrole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CNC=C1C(O)=O FXPOCCDGHHTZAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LRFIHWGUGBXFEC-UHFFFAOYSA-N 4-methylthiophene-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CSC=C1C(O)=O LRFIHWGUGBXFEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical group [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPMFPOGUJAAYHL-UHFFFAOYSA-N 9H-Pyrido[2,3-b]indole Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=N1 BPMFPOGUJAAYHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DLFVBJFMPXGRIB-UHFFFAOYSA-N Acetamide Chemical group CC(N)=O DLFVBJFMPXGRIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- KXDAEFPNCMNJSK-UHFFFAOYSA-N Benzamide Chemical group NC(=O)C1=CC=CC=C1 KXDAEFPNCMNJSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M Bisulfite Chemical compound OS([O-])=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 1
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical group [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PBTJPWDPWUYFIT-UHFFFAOYSA-N COC1=CNC=C1.OC1=CNC=C1 Chemical compound COC1=CNC=C1.OC1=CNC=C1 PBTJPWDPWUYFIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UXVMQQNJUSDDNG-UHFFFAOYSA-L Calcium chloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Ca+2] UXVMQQNJUSDDNG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 229910000799 K alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- MPCRDALPQLDDFX-UHFFFAOYSA-L Magnesium perchlorate Chemical compound [Mg+2].[O-]Cl(=O)(=O)=O.[O-]Cl(=O)(=O)=O MPCRDALPQLDDFX-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004839 Moisture curing adhesive Substances 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N Phenanthrene Natural products C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- 229920012266 Poly(ether sulfone) PES Polymers 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 229920002377 Polythiazyl Polymers 0.000 description 1
- 229920001328 Polyvinylidene chloride Polymers 0.000 description 1
- 206010037660 Pyrexia Diseases 0.000 description 1
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical compound N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L Sodium Sulfate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]S([O-])(=O)=O PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N Tetrahydroanthracene Natural products C1=CC=C2C=C(CCCC3)C3=CC2=C1 XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N [1,10]phenanthroline Chemical compound C1=CN=C2C3=NC=CC=C3C=CC2=C1 DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002777 acetyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)=O 0.000 description 1
- 125000003668 acetyloxy group Chemical group [H]C([H])([H])C(=O)O[*] 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 125000005115 alkyl carbamoyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005153 alkyl sulfamoyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000005354 aluminosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N anhydrous quinoline Natural products N1=CC=CC2=CC=CC=C21 SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001448 anilines Chemical class 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000732 arylene group Chemical group 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- SGUXGJPBTNFBAD-UHFFFAOYSA-L barium iodide Chemical compound [I-].[I-].[Ba+2] SGUXGJPBTNFBAD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001638 barium iodide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940075444 barium iodide Drugs 0.000 description 1
- OOULUYZFLXDWDQ-UHFFFAOYSA-L barium perchlorate Chemical compound [Ba+2].[O-]Cl(=O)(=O)=O.[O-]Cl(=O)(=O)=O OOULUYZFLXDWDQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- KHBQMWCZKVMBLN-IDEBNGHGSA-N benzenesulfonamide Chemical group NS(=O)(=O)[13C]1=[13CH][13CH]=[13CH][13CH]=[13CH]1 KHBQMWCZKVMBLN-IDEBNGHGSA-N 0.000 description 1
- WZJYKHNJTSNBHV-UHFFFAOYSA-N benzoquinoline Natural products C1=CN=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 WZJYKHNJTSNBHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003236 benzoyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C(*)=O 0.000 description 1
- 125000001231 benzoyloxy group Chemical group C(C1=CC=CC=C1)(=O)O* 0.000 description 1
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000001584 benzyloxycarbonyl group Chemical group C(=O)(OCC1=CC=CC=C1)* 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 125000004106 butoxy group Chemical group [*]OC([H])([H])C([H])([H])C(C([H])([H])[H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000001110 calcium chloride Substances 0.000 description 1
- 229910001628 calcium chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 1
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000011132 calcium sulphate Nutrition 0.000 description 1
- 125000001951 carbamoylamino group Chemical group C(N)(=O)N* 0.000 description 1
- 125000002091 cationic group Chemical group 0.000 description 1
- MOOUSOJAOQPDEH-UHFFFAOYSA-K cerium(iii) bromide Chemical compound [Br-].[Br-].[Br-].[Ce+3] MOOUSOJAOQPDEH-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 description 1
- 229940044175 cobalt sulfate Drugs 0.000 description 1
- 229910000361 cobalt sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- KTVIXTQDYHMGHF-UHFFFAOYSA-L cobalt(2+) sulfate Chemical compound [Co+2].[O-]S([O-])(=O)=O KTVIXTQDYHMGHF-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000002322 conducting polymer Substances 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 125000001995 cyclobutyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])(*)C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000001352 cyclobutyloxy group Chemical group C1(CCC1)O* 0.000 description 1
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000002933 cyclohexyloxy group Chemical group C1(CCCCC1)O* 0.000 description 1
- 125000001511 cyclopentyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000001887 cyclopentyloxy group Chemical group C1(CCCC1)O* 0.000 description 1
- 125000001559 cyclopropyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C1([H])* 0.000 description 1
- 125000000131 cyclopropyloxy group Chemical group C1(CC1)O* 0.000 description 1
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 125000000532 dioxanyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 239000004815 dispersion polymer Substances 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 239000000839 emulsion Substances 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000000816 ethylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 1
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 1
- 125000006125 ethylsulfonyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004705 ethylthio group Chemical group C(C)S* 0.000 description 1
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N fluoranthrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=C22)=C3C2=CC=CC3=C1 GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007850 fluorescent dye Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 125000002485 formyl group Chemical group [H]C(*)=O 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- 125000004051 hexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000003707 hexyloxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 229920001519 homopolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000012943 hotmelt Substances 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 229920001477 hydrophilic polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 230000005764 inhibitory process Effects 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 125000000555 isopropenyl group Chemical group [H]\C([H])=C(\*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000001182 laser chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 239000005355 lead glass Substances 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- OTCKOJUMXQWKQG-UHFFFAOYSA-L magnesium bromide Chemical compound [Mg+2].[Br-].[Br-] OTCKOJUMXQWKQG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001623 magnesium bromide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001629 magnesium chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- BLQJIBCZHWBKSL-UHFFFAOYSA-L magnesium iodide Chemical compound [Mg+2].[I-].[I-] BLQJIBCZHWBKSL-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001641 magnesium iodide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052943 magnesium sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019341 magnesium sulphate Nutrition 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- HNQIVZYLYMDVSB-UHFFFAOYSA-N methanesulfonimidic acid Chemical group CS(N)(=O)=O HNQIVZYLYMDVSB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 125000001160 methoxycarbonyl group Chemical group [H]C([H])([H])OC(*)=O 0.000 description 1
- 125000002816 methylsulfanyl group Chemical group [H]C([H])([H])S[*] 0.000 description 1
- 125000004170 methylsulfonyl group Chemical group [H]C([H])([H])S(*)(=O)=O 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- 125000004312 morpholin-2-yl group Chemical group [H]N1C([H])([H])C([H])([H])OC([H])(*)C1([H])[H] 0.000 description 1
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004923 naphthylmethyl group Chemical group C1(=CC=CC2=CC=CC=C12)C* 0.000 description 1
- 125000005146 naphthylsulfonyl group Chemical group C1(=CC=CC2=CC=CC=C12)S(=O)(=O)* 0.000 description 1
- 125000005029 naphthylthio group Chemical group C1(=CC=CC2=CC=CC=C12)S* 0.000 description 1
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000002347 octyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000005447 octyloxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N oxadiazole Chemical compound C1=CON=N1 WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 125000000951 phenoxy group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(O*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 125000006678 phenoxycarbonyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 125000003356 phenylsulfanyl group Chemical group [*]SC1=C([H])C([H])=C([H])C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 125000003170 phenylsulfonyl group Chemical group C1(=CC=CC=C1)S(=O)(=O)* 0.000 description 1
- 238000000016 photochemical curing Methods 0.000 description 1
- 125000000587 piperidin-1-yl group Chemical group [H]C1([H])N(*)C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 1
- 229920001197 polyacetylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000323 polyazulene Polymers 0.000 description 1
- 229920001088 polycarbazole Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 1
- 229920000414 polyfuran Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 description 1
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 239000005033 polyvinylidene chloride Substances 0.000 description 1
- BITYAPCSNKJESK-UHFFFAOYSA-N potassiosodium Chemical compound [Na].[K] BITYAPCSNKJESK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CHWRSCGUEQEHOH-UHFFFAOYSA-N potassium oxide Chemical compound [O-2].[K+].[K+] CHWRSCGUEQEHOH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001950 potassium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000004805 propylene group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 125000004076 pyridyl group Chemical group 0.000 description 1
- DOYOPBSXEIZLRE-UHFFFAOYSA-N pyrrole-3-carboxylic acid Chemical compound OC(=O)C=1C=CNC=1 DOYOPBSXEIZLRE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003233 pyrroles Chemical class 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000010526 radical polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 1
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N sodium oxide Chemical compound [O-2].[Na+].[Na+] KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001948 sodium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052938 sodium sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011152 sodium sulphate Nutrition 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000565 sulfonamide group Chemical group 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YRGLXIVYESZPLQ-UHFFFAOYSA-I tantalum pentafluoride Chemical compound F[Ta](F)(F)(F)F YRGLXIVYESZPLQ-UHFFFAOYSA-I 0.000 description 1
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N tetracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC=CC=C4C=C3C=C21 IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 125000001544 thienyl group Chemical group 0.000 description 1
- 150000003568 thioethers Chemical class 0.000 description 1
- HERSKCAGZCXYMC-UHFFFAOYSA-N thiophen-3-ol Chemical compound OC=1C=CSC=1 HERSKCAGZCXYMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MPKQTNAUFAZSIJ-UHFFFAOYSA-N thiophene-3,4-diol Chemical compound OC1=CSC=C1O MPKQTNAUFAZSIJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GSXCEVHRIVLFJV-UHFFFAOYSA-N thiophene-3-carbonitrile Chemical compound N#CC=1C=CSC=1 GSXCEVHRIVLFJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YNVOMSDITJMNET-UHFFFAOYSA-N thiophene-3-carboxylic acid Chemical compound OC(=O)C=1C=CSC=1 YNVOMSDITJMNET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003577 thiophenes Chemical class 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- LMYRWZFENFIFIT-UHFFFAOYSA-N toluene-4-sulfonamide Chemical group CC1=CC=C(S(N)(=O)=O)C=C1 LMYRWZFENFIFIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920003169 water-soluble polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Abstract
【解決手段】有機EL素子10は、透明基板1と、透明導電膜から構成される陽極層2と、有機化合物層3、陰極層4および絶縁層5をこの順に積層した発光部7と、を備え、透明基板1上に陽極層2が形成され、陽極層2上に複数の発光部7が形成されている。各発光部7では、陰極層4が絶縁層5で被覆され、各発光部7が互いに間隔をあけた状態で陽極層2上に形成され、各発光部7上およびその間隙から露出する陽極層2上には、陽極層2より低抵抗の第3の電極層6が形成され、各発光部7の間隙から露出する陽極層2と第3の電極層6とが接触している。
【選択図】図1
Description
一方、有機EL素子は、電子注入電極(陰極)とホール注入電極(陽極)とから、それぞれ電子とホールとを発光層内に注入し、このように注入された電子とホールとを発光層内で結合させて、有機材料を励起状態にし、この有機材料が励起状態から基底状態に戻るときに発光するようになっている。有機EL素子は、無機EL素子に比べて低い電圧で駆動できるという利点があるため、特に照明器具やディスプレイのバックライトなどの大きな発光面積を有するパネル用途としての展開が期待されている。
かかる有機EL素子では、電極間に電圧を印加した場合に、ITOは抵抗率が大きいために陽極給電部から遠くなる(離れる)に従い電圧が降下する。それに伴い、電極間の有機化合物層(発光層)に印加される電圧も陽極給電部から遠くなるに従い降下し、陽極給電部付近では輝度が高く、陽極給電部から離れた位置では輝度が低くなる。その結果、発光面全体として「輝度ムラ」が生じる。
特に、プラスチック基板上にITOを製膜するような場合には、基板の制約によりITOの抵抗を小さくすることは困難であり、かかる有機EL素子では発光時の面内輝度ムラが顕著に現れる。
しかし、特許文献1の技術では、パネル面積が増大するほど外周部からのITOの電圧降下の影響が大きく、面内輝度ムラを十分に抑制するのは困難である。
特に、特許文献2の技術では、各発光パネルユニットを、側縁部を折り曲げて配線基板(2)のソケット部(22)に差し込むといった構成を採用している(段落0028や図3参照)。
しかし、特許文献2の技術では、発光パネルユニットの折曲げやソケット部の設置の分だけ高さが必要となってパネルの厚みが増大するし、ソケット部の設置数が増大すればその分だけ非発光部分の面積が大きくなり、特許文献2の技術はパネルの大面積化に好適であるとはいえない。
特に、特許文献3の技術では、各有機ELパネルに対し、陽極用の端子ピン(陽極端子10aおよび陽極側中間タップ端子ピン10p)と陰極用の端子ピン(10b)とを形成して、各端子のピンを、1枚の大面積のパネル搭載用基板(1)上に形成された陽極用コネクタ(1x)と陰極用コネクタ(1y)とにセットする(差し込む)といった構成を採用している(段落0025〜0035や図1参照)。
しかし、特許文献3の技術でも、特許文献2の技術と同様に、端子ピンやコネクタの分だけ高さが必要となってパネルの厚みが増大するし、各有機ELパネルに対し、陽極用の端子ピン(陽極端子10aおよび陽極側中間タップ端子ピン10p)を形成するための領域を確保しなければならず(図2(a)参照)、各有機ELパネルをつなぎ合わせた場合に、非発光部分の面積が大きくなるといった問題があり、特許文献3の技術もパネルの大面積化に好適であるとはいえない。
特に、特許文献4の技術では、各陽極層が、ITOなどの透明電極(21〜2n)とこれに給電するための細長の補助電極(31〜3n)とから構成され、補助電極を透明電極の外縁部に重複する位置で延在させ、各透明電極での電圧降下に起因する輝度ムラを抑制している(段落0010、0018〜0019や図1、図2参照)。
しかし、特許文献4の技術では、補助電極自体に幅を確保する必要があるし、透明電極の電気抵抗を低減するためには補助電極をある程度幅広にする必要があり、補助電極の幅の分だけ非発光部分の面積が大きくなる。
しかし、特許文献5のかかる技術であっても、透明導電膜のシート抵抗は1Ω/□程度が低限であって、透明導電膜の部位によって電圧降下量に高低差が生じ、結果的に輝度ムラが発生する可能性があり、30cm平方を超えるような大面積パネルの作製は困難であると考えられる。
したがって、本発明の主な目的は、輝度ムラを抑制しながらパネルの大面積化を図ることができる有機EL素子を提供することにある。
透明基板と、
透明導電膜から構成される第1の電極層と、
有機化合物層、第2の電極層および絶縁層をこの順に積層した発光部と、
を備え、前記透明基板上に前記第1の電極層が形成され、前記第1の電極層上に複数の前記発光部が形成された有機EL素子であって、
前記各発光部では、前記第2の電極層が前記絶縁層で被覆され、
前記各発光部が互いに間隔をあけた状態で前記第1の電極層上に形成され、
前記各発光部上およびその間隙から露出する前記第1の電極層上には、前記第1の電極層より低抵抗の第3の電極層が形成され、
前記各発光部の間隙から露出する前記第1の電極層と前記第3の電極層とが接触していることを特徴とする有機EL素子が提供される。
図1に示すとおり、有機EL素子10は透明基板1を有している。
透明基板1上には透明導電膜から構成された電極層2が形成されている。
電極層2上には有機化合物層3、電極層4および絶縁層5がこの順に積層されている。有機化合物層3、電極層4および絶縁層5の積層体が1つの発光部7となって、複数の発光部7が電極層2上に形成されている。各発光部7間には所定の間隔があけられている。
発光部7上には電極層6が形成され、各発光部7上およびその間隙から露出する電極層2上が電極層6により被覆されている。電極層6は、各発光部7の間隙から露出する電極層2と直に接触し電気的に接続されている。
透明基板1としては、プラスチックフィルム、ガラスなどを用いることができる。
透明基板1としては、軽量性と柔軟性の観点から、透明プラスチックフィルムを用いることが好ましい。
プラスチックフィルム及びプラスチック板の原料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)などのポリエステル類、ポリエチレン(PE)、ポリプロピレン(PP)、ポリスチレン、EVAなどのポリオレフィン類、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデンなどのビニル系樹脂、ポリエーテルエーテルケトン(PEEK)、ポリサルホン(PSF)、ポリエーテルサルホン(PES)、ポリカーボネート(PC)、ポリアミド、ポリイミド、アクリル樹脂、トリアセチルセルロース(TAC)などを用いることができる。中でも好ましいのは、PETおよびPENである。
表面の平滑性は算術平均粗さRaが5nm以下かつ最大高さRzが50nm以下であることが好ましく、Raが2nm以下かつRzが30nm以下であることがより好ましく、さらに好ましくはRaが1nm以下かつRzが20nm以下である。透明基板1の表面は、熱硬化性樹脂、紫外線硬化性樹脂、電子線硬化性樹脂、放射線硬化性樹脂等の下塗り層を付与して平滑化してもよいし、研磨などの機械加工によって平滑にすることもできる。ここで、表面の平滑性は、原子間力顕微鏡(AFM)等による測定から、表面粗さ規格(JIS B 0601−2001)に従い、求めることができる。
ガスバリア層の形成材料としては、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム等の金属酸化物、金属窒化物が使用できる。これらの材料は、水蒸気バリア機能のほかに酸素バリア機能も有する。特にバリア性、耐溶剤性、透明性が良好な窒化シリコン、酸化窒化シリコンが好ましい。
また、バリア層は必要に応じて多層構成とすることも可能である。ガスバリア層の形成方法は、材料に応じて、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、反応性蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法を用いることができる。前記ガスバリア層を構成する各無機層の厚みに関しては特に限定されないが、典型的には1層あたり5nm〜500nmの範囲内であることが好ましく、さらに好ましくは1層あたり10nm〜400nmである。ガスバリア層は基板の少なくとも一方の面に設けられ、両面に設けられるのがより好ましい。
ハードコート層は、光ラジカル発生材、ラジカル重合性の単官能および/又は多官能モノマーの混合物を所望の膜厚に均一に塗布したのち、必要なエネルギー量の紫外光を照射することによってラジカル重合させることにより得られる、透明かつ高硬度のポリマー層である。
本発明に用いることのできるガラス基板には特に限定は無い。中では無アルカリガラスが好ましく用いられる。
その他、ロールトゥロールでの生産適性、有機エレクトロルミネッセンス素子用の透明電極に供した際の素子のフレキシビリティ等の観点からは、厚さが10〜200μmの薄膜ガラスを用いることが好ましい。更にガラス基板の厚さは50〜120μmであることが破損のしにくさ、ロール搬送の容易さの観点から望ましい。具体的には特開2010−132532号公報にガラスフィルムとして記載あるような薄膜ガラスを用いることができる。
(1)基本構成
電極層2は、有機EL素子10における陽極(アノード)として機能するものである。
電極層2は、透明な金属酸化物を導電性物質として含有する層である。
当該透明な金属酸化物としては具体的には、酸化インジウムスズ(ITO)を用いる事ができるほか、酸化インジウム(IO)、酸化スズ(TOまたはSnO2)、酸化亜鉛(ZnO)、酸化インジウム亜鉛(IZO)、酸化チタン(TiO2)等も用いることができる。
これら透明な金属酸化物については、書籍「最新透明導電膜大全集〜材料別特性と代替展望/サイクル・工程ノウハウ・応用別要求特性等〜」(株式会社情報機構発行、2007年12月17日第1刷)、および書籍「透明導電膜の最新技術」(株式会社東レリサーチセンター、2010年1月第1刷)に材料構成、成膜方法、パターニング方法含めて詳述されており、本発明ではそれらの記載を一例として使用することができる。
これら透明な金属酸化物のなかで最も好ましいのはITOである。
電極層2の別の構成として、金属製の細線補助電極上に、導電性ポリマー層を塗設して形成した電極層を用いることができる。
図2に示すとおり、当該電極層2では、透明基板1上に金属細線補助電極8が形成され、金属細線補助電極8上に導電性ポリマー層9が塗設して形成される。
金属細線補助電極8は、透明基板1上にパターン状に形成された金属材料から構成されたものである。
これにより金属材料からなる光不透過の導電部と透光性窓部を併せ持つフィルム基板となり、透明性、導電性に優れた電極基板が作製できる。
金属材料は、導電性に優れていれば特に制限はなく、例えば、金、銀、銅、鉄、ニッケル、クロム等の金属が使用可能であり、その他にそれらの合金であってもよい。特に、後述のようにパターンの形成のしやすさの観点から金属材料の態様は、金属微粒子であることが好ましく、金属材料は導電性の観点から銀であることが好ましい。
パターン形状には特に制限はないが、例えば、導電部がストライプ状(平行線状)、格子状、ハニカム状、あるいはランダムな網目状であってもよく、特にストライプ状、格子状、ハニカム状が好ましい。
パターンの線幅は好ましくは10〜200μmであり、さらに好ましくは10〜100μmの範囲である。細線の線幅が10μm以上で、所望の導電性が得られ、また200μm以下とすることで透明性が向上する。
ストライプ状、格子状のパターンにおいて細線の間隔は、0.5〜4mmが好ましい。またハニカム状のパターンにおいては、一辺の長さが0.5〜4mmが好ましい。
細線の高さは、0.1〜10μmが好ましい。細線の高さが0.1μm以上で、所望の導電性が得られ、また10μm以下とすることで有機EL素子10の形成において、電流リークや機能層の膜厚分布不良の要因となることを防止できる。
その他の方法としては、例えば、基材全面に金属層を形成し、公知のフォトリソ法によって形成できる。具体的には、基材上に全面に、印刷、蒸着、スパッタ、めっき等の1あるいは2以上の物理的または化学的形成手法を用いて導電体層を形成する、あるいは、金属箔を接着剤で基材に積層した後、公知のフォトリソ法を用いて、エッチングすることにより、所望のストライプ状あるいはメッシュ状に加工できる。
別な方法としては、金属微粒子を含有するインクをスクリーン印刷により所望の形状に印刷する方法や、メッキ可能な触媒インクをグラビア印刷、あるいは、インクジェット方式で所望の形状に塗布した後、メッキ処理する方法、さらに別な方法としては、銀塩写真技術を応用した方法も利用できる。銀塩写真技術を応用した方法については、例えば、特開2009−140750号公報の[0076]−[0112]、及び実施例を参考にして実施できる。触媒インクをグラビア印刷してメッキ処理する方法については、例えば、特開2007−281290号公報を参考にして実施できる。
ランダムな網目構造としては、例えば、特表2005−530005号公報に記載のような、金属微粒子を含有する液を塗布乾燥することにより、自発的に導電性微粒子の無秩序な網目構造を形成する方法を利用できる。
前記金属の細線パターンは金属粒子のペーストを印刷することにより設けることが好ましい。印刷後、導電性を高めるために、加熱し焼成する。基材にPETフィルムを用いる場合、焼成の温度は110℃以下が好ましい。前記金属粒子は、高い導電性が得られることから、金属ナノ粒子が好ましい。
前記金属ナノ粒子とは、粒子径が原子スケールからnmサイズの微粒子状の金属のことをいう。金属ナノ粒子の平均粒径としては3〜300nmが好ましく、5〜100nmであることがより好ましい。本発明に係る金属ナノ粒子に用いられる金属としては、導電性の観点から銀または銅が好ましく、銀または銅単独でもよいし、それぞれの組み合わせでもよく、銀と銅の合金、銀または銅が一方の金属でめっきされていてもよい。中でも特に銀のナノ粒子が好ましい。中でも、平均粒径30nm以下の銀ナノ粒子が好ましい。
透明基板1上に形成された金属細線補助電極8には、加熱焼成処理を施すことが好ましい。これにより、金属微粒子同士の融着が進み、金属細線補助電極が高導電化するため、特に好ましい。加熱焼成の温度は100〜900℃の範囲が好ましく特に150から600℃の範囲が更に好ましい。加熱焼成の時間は、温度によって好ましい範囲が異なるが、1〜60分が好ましい。
導電性ポリマー層9は、導電性ポリマーを含有する。
導電性ポリマーとしては、π共役系導電性高分子とポリアニオンとを含んで成る導電性ポリマーが好ましく用いられる。
こうした導電性ポリマーは、後述するπ共役系導電性高分子を形成する前駆体モノマーを、適切な酸化剤と酸化触媒と後述のポリアニオンの存在下で化学酸化重合することによって容易に製造できる。
π共役系導電性高分子として、ポリチオフェン(基本のポリチオフェンを含む、以下同様)類、ポリピロール類、ポリインドール類、ポリカルバゾール類、ポリアニリン類、ポリアセチレン類、ポリフラン類、ポリパラフェニレンビニレン類、ポリアズレン類、ポリパラフェニレン類、ポリパラフェニレンサルファイド類、ポリイソチアナフテン類、ポリチアジル類の鎖状導電性ポリマーを利用することができる。
中でも、導電性、透明性、安定性等の観点からポリチオフェン類やポリアニリン類が好ましい。特にポリチオフェン類が好ましく、ポリエチレンジオキシチオフェンであることが最も好ましい。
前駆体モノマーは、分子内にπ共役系を有し、適切な酸化剤の作用によって高分子化した際にもその主鎖にπ共役系が形成されるものである。例えば、ピロール類及びその誘導体、チオフェン類及びその誘導体、アニリン類及びその誘導体等が挙げられる。
前駆体モノマーの具体例としては、ピロール、3−メチルピロール、3−エチルピロール、3−n−プロピルピロール、3−ブチルピロール、3−オクチルピロール、3−デシルピロール、3−ドデシルピロール、3,4−ジメチルピロール、3,4−ジブチルピロール、3−カルボキシルピロール、3−メチル−4−カルボキシルピロール、3−メチル−4−カルボキシエチルピロール、3−メチル−4−カルボキシブチルピロール、3−ヒドロキシピロール、3−メトキシピロール、3−エトキシピロール、3−ブトキシピロール、3−ヘキシルオキシピロール、3−メチル−4−ヘキシルオキシピロール、チオフェン、3−メチルチオフェン、3−エチルチオフェン、3−プロピルチオフェン、3−ブチルチオフェン、3−ヘキシルチオフェン、3−ヘプチルチオフェン、3−オクチルチオフェン、3−デシルチオフェン、3−ドデシルチオフェン、3−オクタデシルチオフェン、3−ブロモチオフェン、3−クロロチオフェン、3−ヨードチオフェン、3−シアノチオフェン、3−フェニルチオフェン、3,4−ジメチルチオフェン、3,4−ジブチルチオフェン、3−ヒドロキシチオフェン、3−メトキシチオフェン、3−エトキシチオフェン、3−ブトキシチオフェン、3−ヘキシルオキシチオフェン、3−ヘプチルオキシチオフェン、3−オクチルオキシチオフェン、3−デシルオキシチオフェン、3−ドデシルオキシチオフェン、3−オクタデシルオキシチオフェン、3,4−ジヒドロキシチオフェン、3,4−ジメトキシチオフェン、3,4−ジエトキシチオフェン、3,4−ジプロポキシチオフェン、3,4−ジブトキシチオフェン、3,4−ジヘキシルオキシチオフェン、3,4−ジヘプチルオキシチオフェン、3,4−ジオクチルオキシチオフェン、3,4−ジデシルオキシチオフェン、3,4−ジドデシルオキシチオフェン、3,4−エチレンジオキシチオフェン、3,4−プロピレンジオキシチオフェン、3,4−ブテンジオキシチオフェン、3−メチル−4−メトキシチオフェン、3−メチル−4−エトキシチオフェン、3−カルボキシチオフェン、3−メチル−4−カルボキシチオフェン、3−メチル−4−カルボキシエチルチオフェン、3−メチル−4−カルボキシブチルチオフェン、アニリン、2−メチルアニリン、3−イソブチルアニリン、2−アニリンスルホン酸、3−アニリンスルホン酸等が挙げられる。
導電性ポリマー層9は、少なくとも一般式(I)で表わされる構造単位を含む水溶性バインダー樹脂を含有することができる。
本発明において水溶性バインダー樹脂とは、水溶性で、かつ、25℃の水100gに0.001g以上溶解するバインダー樹脂を意味する。
前記溶解は、ヘイズメーターや濁度計で測定することができる。
本発明に係る水溶性バインダー樹脂は、少なくとも前記一般式(I)で表される構造単位を含む構造を有し、前記一般式(I)で表わされるホモポリマーであってもよいし、他の成分を共重合されていてもよい。他の成分を共重合する場合は、前記一般式(I)で表わされる構造単位を10モル%以上含有することが好ましく、30モル%以上含有することがより好ましく、50モル%以上含有することがさらに好ましい。
水溶性バインダー樹脂は、導電性ポリマー層9中に40質量%以上、80質量%以下含まれていることが好ましく、50質量%以上、70質量%以下であることがさらに好ましい。
アルキル基は、例えば炭素原子数1〜5の直鎖、あるいは分岐アルキル基が好ましく、より好ましくはメチル基である。また、これらのアルキル基は置換基で置換されていてもよい。
これら置換基の例としては、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、ヘテロシクロアルキル基、ヘテロアリール基、水酸基、ハロゲン原子、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、シクロアルコキシ基、アリールオキシ基、アシル基、アルキルカルボンアミド基、アリールカルボンアミド基、アルキルスルホンアミド基、アリールスルホンアミド基、ウレイド基、アラルキル基、ニトロ基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基、アルキルカルバモイル基、アリールカルバモイル基、アルキルスルファモイル基、アリールスルファモイル基、アシルオキシ基、アルケニル基、アルキニル基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、アルキルオキシスルホニル基、アリールオキシスルホニル基、アルキルスルホニルオキシ基、アリールスルホニルオキシ基等で置換されてもよい。これらのうち好ましくは、水酸基、アルキルオキシ基である。
上記ハロゲン原子には、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が含まれる。
上記アルキル基は分岐を有していてもよく、炭素原子数は、1〜20であることが好ましく、1〜12であることがより好ましく、1〜8であることがさらに好ましい。アルキル基の例には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、t−ブチル基、ヘキシル基、オクチル基等が含まれる。
上記シクロアルキル基の炭素原子数は、3〜20であることが好ましく、3〜12であることがより好ましく、3〜8であることがさらに好ましい。シクロアルキル基の例には、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基及びシクロヘキシル基が含まれる。
上記アルコキシ基は、分岐を有していてもよく、炭素原子数は1〜20であることが好ましく、1〜12であることがより好ましく、1〜6であることがさらに好ましく、1〜4であることが最も好ましい。アルコキシ基の例としては、メトキシ基、エトキシ基、2−メトキシエトキシ基、2−メトキシ−2−エトキシエトキシ基、ブチルオキシ基、ヘキシルオキシ基及びオクチルオキシ基が含まれ、好ましくはエトキシ基である。
上記アルキルチオ基の炭素数は、分岐を有していてもよく、炭素原子数は1〜20であることが好ましく、1〜12であることがより好ましく、1〜6であることがさらに好ましく、1〜4であることが最も好ましい。アルキルチオ基の例としては、メチルチオ基、エチルチオ基等が含まれる。
上記アリールチオ基の炭素数は、6〜20であることが好ましく、6〜12であることがさらに好ましい。アリールチオ基の例にはフェニルチオ基及びナフチルチオ基等が含まれる。
上記シクロアルコキシ基の炭素原子数は、3〜12であることが好ましく、より好ましくは3〜8である。シクロアルコキシ基の例には、シクロプロポキシ基、シクロブチロキシ基、シクロペンチロキシ基及びシクロヘキシロキシ基が含まれる。
上記アリール基の炭素原子数は6〜20であることが好ましく、6〜12であることがさらに好ましい。アリール基の例にはフェニル基及びナフチル基が含まれる。
上記アリールオキシ基の炭素原子数は6〜20であることが好ましく、6〜12であることがさらに好ましい。アリールオキシ基の例にはフェノキシ基及びナフトキシ基が含まれる。
上記へテロシクロアルキル基の炭素原子数は、2〜10であることが好ましく、3〜5であることがさらに好ましい。へテロシクロアルキル基の例にはピペリジノ基、ジオキサニル基及び2−モルホリニル基が含まれる。
上記へテロアリール基の炭素原子数は、3〜20であることが好ましく、3〜10であることがさらに好ましい。へテロアリール基の例にはチエニル基、ピリジル基が含まれる。
上記アシル基の炭素原子数は1〜20であることが好ましく、1〜12であることがさらに好ましい。アシル基の例にはホルミル基、アセチル基及びベンゾイル基が含まれる。
上記アルキルカルボンアミド基の炭素原子数は1〜20であることが好ましく、1〜12であることがさらに好ましい。アルキルカルボンアミド基の例にはアセトアミド基等が含まれる。
上記アリールカルボンアミド基の炭素原子数は1〜20であることが好ましく、1〜12であることがさらに好ましい。アリールカルボンアミド基の例にはベンズアミド基等が含まれる。
上記アルキルスルホンアミド基の炭素原子数は1〜20であることが好ましく、1〜12であることがさらに好ましい。スルホンアミド基の例にはメタンスルホンアミド基等が含まれる。
上記アリールスルホンアミド基の炭素原子数は1〜20であることが好ましく、1〜12であることがさらに好ましい。アリールスルホンアミド基の例には、ベンゼンスルホンアミド基及びp−トルエンスルホンアミドが基含まれる。
上記アラルキル基の炭素原子数は7〜20であることが好ましく、7〜12であることがさらに好ましい。アラルキル基の例にはベンジル基、フェネチル基及びナフチルメチル基が含まれる。
上記アルコキシカルボニル基の炭素原子数は1〜20であることが好ましく、2〜12であることがさらに好ましい。アルコキシカルボニル基の例にはメトキシカルボニル基が含まれる。
上記アリールオキシカルボニル基の炭素原子数は7〜20であることが好ましく、7〜12であることがさらに好ましい。アリールオキシカルボニル基の例にはフェノキシカルボニル基が含まれる。
上記アラルキルオキシカルボニル基の炭素原子数は8〜20であることが好ましく、8〜12であることがさらに好ましい。アラルキルオキシカルボニル基の例にはベンジルオキシカルボニル基が含まれる。
上記アシルオキシ基の炭素原子数は1〜20であることが好ましく、2〜12であることがさらに好ましい。アシルオキシ基の例にはアセトキシ基及びベンゾイルオキシ基が含まれる。
上記アルケニル基の炭素原子数は2〜20であることが好ましく、2〜12であることがさらに好ましい。アルケニル基の例に、ビニル基、アリル基及びイソプロペニル基が含まれる。
上記アルキニル基の炭素原子数は2〜20であることが好ましく、2〜12であることがさらに好ましい。アルキニル基の例にはエチニル基が含まれる。
上記アルキルスルホニル基の炭素原子数は1〜20であることが好ましく、1〜12であることがさらに好ましい。アルキルスルホニル基の例に、メチルスルホニル基、エチルスルホニル基が含まれる。
上記アリールスルホニル基の炭素原子数は6〜20であることが好ましく、6〜12であることがさらに好ましい。アリールスルホニル基の例に、フェニルスルホニル基、ナフチルスルホニル基が含まれる。
上記アルキルオキシスルホニル基の炭素原子数は1〜20あることが好ましく、1〜12であることがさらに好ましい。アルキルオキシスルホニル基の例に、メトキシスルホニル基、エトキシスルホニル基が含まれる。
上記アリールオキシスルホニル基の炭素原子数は6〜20であることが好ましく、6〜12であることがさらに好ましい。アリールオキシスルホニル基の例に、フェノキシスルホニル基、ナフトキシスルホニル基が含まれる。
上記アルキルスルホニルオキシ基の炭素原子数は1〜20であることが好ましく、1〜12であることがさらに好ましい。アルキルスルホニルオキシ基の例に、メチルスルホニルオキシ基、エチルスルホニルオキシ基が含まれる。
上記アリールスルホニルオキシ基の炭素原子数は6〜20であることが好ましく、6〜12であることがさらに好ましい。アリールスルホニルオキシ基の例に、フェニルスルホニルオキシ基、ナフチルスルホニルオキシ基が含まれる。置換基は同一でも異なっていても良く、これら置換基がさらに置換されてもよい。
アルキレン基は、例えば炭素原子数1〜5が好ましく、より好ましくはエチレン基、プロピレン基である。これらのアルキレン基は前述した置換基で置換されていてもよい。
Rbは水素原子、アルキル基を表す。アルキル基は、例えば炭素原子数1〜5の直鎖、あるいは分岐アルキル基が好ましく、より好ましくはメチル基である。また、これらのアルキル基は前述の置換基で置換されていてもよい。
xは平均繰り返しユニット数を表し、0〜100が好ましく、より好ましくは0〜10である。繰り返しユニット数は分布を有しており、表記は平均値を示し、小数点以下1桁で表記してもよい。
導電性ポリマー層9は、上記の少なくとも一般式(I)で表わされる構造単位を含む水溶性バインダー樹脂以外の水溶性高分子、親水性高分子、水分散性高分子等を含有することも可能である。
有機EL素子10では、電極層2の上に有機化合物層3が形成されている。
有機化合物層3は、発光層に加えて、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層、正孔ブロック層、電子ブロック層などの層と併用して発光を制御する層を有しても良い。電極層2が導電性ポリマーを含有する場合は正孔注入層として働くことも可能であるので、電極層2が正孔注入層を兼ねることも可能だが、独立に正孔注入層を設けても良い。
(i)(電極層2)/発光層/電子輸送層/(電極層4)
(ii)(電極層2)/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/(電極層4)
(iii)(電極層2)/正孔輸送層/発光層/正孔ブロック層/電子輸送層/(電極層4)
(iv)(電極層2)/正孔輸送層/発光層/正孔ブロック層/電子輸送層/陰極バッファー層/(電極層4)
(v)(電極層2)/陽極バッファー層/正孔輸送層/発光層/正孔ブロック層/電子輸送層/陰極バッファー層/(電極層4)
有機化合物層3に使用できる発光材料またはドーピング材料としては、アントラセン、ナフタレン、ピレン、テトラセン、コロネン、ペリレン、フタロペリレン、ナフタロペリレン、ジフェニルブタジエン、テトラフェニルブタジエン、クマリン、カルバゾール、アザカルバゾール、オキサジアゾール、ビスベンゾキサゾリン、ビススチリル、シクロペンタジエン、キノリン金属錯体、トリス(8−ヒドロキシキノリナート)アルミニウム錯体、トリス(4−メチル−8−キノリナート)アルミニウム錯体、トリス(5−フェニル−8−キノリナート)アルミニウム錯体、アミノキノリン金属錯体、ベンゾキノリン金属錯体、トリ−(p−ターフェニル−4−イル)アミン、1−アリール−2,5−ジ(2−チエニル)ピロール誘導体、ピラン、キナクリドン、ルブレン、ジスチルベンゼン誘導体、ジスチルアリーレン誘導体、及び各種蛍光色素及び希土類金属錯体、燐光発光材料等があるが、これらに限定されるものではない。またこれらの化合物のうちから選択される発光材料を90〜99.5質量部、ドーピング材料を0.5〜10質量部含むようにすることも好ましい。
発光層は上記の材料等を用いて公知の方法によって作製されるものであり、蒸着、塗布、転写などの方法が挙げられる。この発光層の厚みは0.5〜500nmが好ましく、特に、0.5〜200nmが好ましい。
本発明の有機化合物層3を構成する前述の発光層、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層、正孔ブロック層、電子ブロック層などの層は、特開2010−80473号公報に記載されているものを用いる事ができる。
電極層4は、有機EL素子10における陰極(カソード)として機能するものである。
電極層4には、金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。
このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム/銅混合物、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウム(Al2O3)混合物、インジウム、リチウム/アルミニウム混合物、希土類金属等が挙げられる。
これらの中で、電子注入性及び酸化等に対する耐久性の点から、電子注入性金属とこれより仕事関数の値が大きく安定な金属である第二金属との混合物、例えば、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウム(Al2O3)混合物、リチウム/アルミニウム混合物、アルミニウム/ネオジウム混合物、アルミニウム等が好適である。陰極としての電極層4はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させることにより、作製することができる。
陰極としての電極層4のシート抵抗は数百Ω/□以下が好ましく、膜厚は通常1〜5μm、好ましくは50〜200nmの範囲で選ばれる。
電極層4の上には、絶縁層5が形成されている。
絶縁層5は電極層4の上面および側面を被覆しており、電極層4と電極層6との接触(短絡)を防止している。
絶縁層5は、特に制限はないが、例えば、酸化物膜及び窒化物膜のいずれか一方又は両方からなることが好ましい。
絶縁層5を構成する絶縁膜は、シリコン窒化物膜(SiNx膜)及びシリコン酸化物膜(SiOx膜)から選ばれた少なくとも1種の膜であり、好ましくはこれら2種の膜からなる二層構造を有する膜である。
このシリコン窒化物膜は、例えば、シランガスとアンモニアガスとを用い、プラズマCVD法に従って、公知のプロセス条件で、50〜200nmの膜厚で形成することができる。その他に、常圧CVD法、減圧CVD法、スパッタ法及び蒸着法等を用いて形成しても良い。
シリコン酸化物膜は、シランガスと酸素原子含有ガス(例えば、酸素ガスや酸化窒素ガス等)とを用いて、上記したプラズマCVD法等に従って公知のプロセス条件で、50〜300nmの膜厚で形成することができる。
その後、絶縁膜の上に、a−Si膜を、例えばプラズマCVD法に従って、シランガスを用いて、公知のプロセス条件で、40〜100nmの膜厚で形成することができる。
電極層6は、複数の発光部7上と各発光部7の間隙から露出する電極層2上とを被覆しており、特に各発光部7の間隙から露出する電極層2と直接的に接触し電気的に接続されている。
電極層6は電極層2より低抵抗材料から構成されている。
電極層6には、電極層4と同様の電極物質を用いることが可能である。
電極層6に機械的強度が要求される場合は、電極層6はアルミニウムまたはアルミニウム/ネオジウム合金から選ばれる金属膜により構成されることが好ましい。
(1)封止膜
一般的に有機EL素子においては、使用環境中の酸素、水分による発光阻害を防止する目的で、ガス透過性の低い材料で構成される封止膜で素子構成を覆うことが行われている。
有機EL素子10では、電極層6が封止膜を兼ねる(封止膜として機能する)ことも可能である。
電極層6が封止膜を兼ねる場合においては、電極層6にガス透過性が低いことと、機械的強度が要求される。この要求に適した電極物質としては前述のアルミニウムまたはアルミニウム/ネオジウム合金から選ばれる金属膜が好ましい。電極層6が当該金属膜から構成され封止膜として機能する場合にも、電極層6が電極層2よりも低抵抗となるように電極層2の構成材料を適宜選択する必要がある。
アルミニウムまたはアルミニウム/ネオジウム合金から成る電極層6は、スパッタ、またはEB蒸着による公知の手法によって形成することができる。
封止膜を兼ねた電極層6の厚さは、100nm以上で1μm以下であることが好ましい。この範囲より薄い場合は、ガス透過性が高くなったり、機械的強度が不足したりする場合がある。逆にこの範囲より厚い場合は、電極層6が絶縁層5上から剥離し易くなる場合がある。
有機EL素子10においては、電極層6が封止膜を兼ねない構成も選択可能であり、電極層6上に別途封止手段が設けられてもよい。
その場合の封止手段としては、例えば、封止部材と、電極層6(および透明基板1)とを、接着剤で接着する方法を挙げることができる。封止部材としては、有機EL素子10の表示領域を覆うように配置されておればよく、凹板状でも、平板状でもよい。
封止部材の構成材料としては、具体的に、ガラス板、ポリマー板・フィルム、金属板・フィルム等が挙げられる。
ガラス板としては、特にソーダ石灰ガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英等を挙げることができる。
ポリマー板としては、ポリカーボネート、アクリル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルサルファイド、ポリサルホン等を挙げることができる。
金属板としては、ステンレス、鉄、銅、アルミニウム、マグネシウム、ニッケル、亜鉛、クロム、チタン、モリブテン、シリコン、ゲルマニウム及びタンタルからなる群から選ばれる一種以上の金属または合金からなるものが挙げられる。
特に、ポリマーフィルムは、JIS K 7129−1992に準拠した方法で測定された水蒸気透過度(25±0.5℃、相対湿度(90±2)%RH)が、1×10−3g/(m2・24h)以下のバリア性フィルムであることが好ましく、更にはJIS K 7126−1987に準拠した方法で測定された酸素透過度が、1×10−3ml/m2・24h・atm以下、水蒸気透過度(25±0.5℃、相対湿度(90±2)%RH)が、1×10−3g/(m2・24h)以下の高バリア性フィルムであることが好ましい。
なお、有機EL素子10が熱処理により劣化する場合があるので、室温から80℃までに接着硬化できるものが好ましい。また、前記接着剤中に乾燥剤を分散させておいてもよい。封止部分への接着剤の塗布は、市販のディスペンサーを使ってもよいし、スクリーン印刷のように印刷してもよい。
この場合、該膜を形成する材料としては、水分や酸素などパネルの劣化をもたらすものの浸入を抑制する機能を有する材料であればよく、例えば、酸化珪素、二酸化珪素、窒化珪素などを用いることができる。更に該膜の脆弱性を改良するためにこれら無機層と有機材料からなる層の積層構造を持たせることが好ましい。
これらの膜の形成方法については特に限定はなく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスタ−イオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマCVD法、レーザーCVD法、熱CVD法、コーティング法などを用いることができる。
封止部材の内部には吸湿性化合物を封入することもできる。
吸湿性化合物としては、例えば、金属酸化物(例えば、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化カルシウム、酸化バリウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム等)、硫酸塩(例えば、硫酸ナトリウム、硫酸カルシウム、硫酸マグネシウム、硫酸コバルト等)、金属ハロゲン化物(例えば、塩化カルシウム、塩化マグネシウム、フッ化セシウム、フッ化タンタル、臭化セリウム、臭化マグネシウム、沃化バリウム、沃化マグネシウム等)、過塩素酸類(例えば過塩素酸バリウム、過塩素酸マグネシウム等)等が挙げられ、硫酸塩、金属ハロゲン化物及び過塩素酸類においては無水塩が好適に用いられる。
有機EL素子10では、電極層6が封止膜を兼ねる(封止膜として機能している)場合、電極層6上に保護膜を貼合することが好ましい。
保護膜としては、前記封止に用いたのと同様なガラス板、ポリマー板・フィルム、金属板・フィルム等を用いることができるが、軽量且つ薄膜化ということからポリマーフィルムを用いることが好ましい。
はじめに、図3に示すとおり、透明基板1を準備してその一方の面に対し面一的に電極層2を形成する。
その後、図4に示すとおり、電極層2上に対し複数の有機化合物層3を形成する。本実施形態では、有機化合物層3を、電極層2の一方の辺からそれに対向する他方の辺にかけて帯状に延在させ、各有機化合物層3を、一定の間隔をあけながら互いに平行に配置する。
その後、図5に示すとおり、各有機化合物層3上に対しそれより幅狭の電極層4を形成する。
その後、図6に示すとおり、有機化合物層3や電極層4上に対し絶縁層5を形成し、有機化合物層3の電極層4からはみ出た部分や、電極層4の上面および側面を絶縁層5で被覆する。かかる場合、電極層4の図6上段中の上端部および下端部は絶縁層5から露出させ、給電用の部位を形成する。
その結果、有機化合物層3の形成数に応じた複数の発光部7が形成される。各発光部7間には互いに一定の間隔があけられ、各発光部7は互いに平行に配置され、その間隙から電極層2が露出している。
最後に、図7に示すとおり、各発光部7上に対し面一的に電極層6を形成し、透明基板1の側縁部や電極層2の側縁部、各発光部7、各発光部7の間隙から露出する電極層2を、電極層6で被覆する。かかる場合、各発光部7の間隙から露出する電極層2と電極層6とを直に接触させ電気的に接続する。
すなわち、有機EL素子10において電極層6がない場合、陰極に相当する電極層4から給電された電子は、陽極に相当する電極層2を通過してその端部から取り出される。かかる場合、電極層2は透明基板1上に面一的に形成されているから、複数の電極層4のうち、内側の(中央部に近い)電極層4から給電された電子は、外側の電極層4から給電された電子よりも、電極層2の抵抗を多く受け電極層2から取り出されにくい。したがって、有機EL素子10を平面視した場合に、内側の位置と外側の位置とでは、内側の位置で輝度が低下し、発光面全体としてみると輝度ムラが発生している。
これに対し、電極層6が形成された場合は、電極層6が各発光部7の間隙から露出する電極層2と電気的に接続されているから、内側の電極層4から給電された電子が、電極層6を通じて取り出されやすく、内側の位置でも輝度が低下しにくく、発光面全体としての輝度ムラの発生が抑制される。
以上から、各発光部7の間隙から露出する電極層2と電極層6とを接触させ電気的に接続すれば、輝度ムラの発生を抑制しながら有機EL素子10によるパネルの大面積化を実現することができる。
この発光面を長方形にした有機EL素子を複数組み合わせて大面積化する構成の例として、前述の特許文献2〜4の技術が挙げられるが、いずれも単一の発光面をつなぐ非発光のスペースにおいて、電極配線を複雑に設置する必要があることから、非発光のスペースの面積が大きくなるという欠点がある。
これに対し、本実施形態にかかる有機EL素子10では、前述の長方形の発光面の長辺側にあたる透明電極の接点(各発光部7の間隙から露出する電極層2)に対し、電極層6との接触点を給電部として設けているため、非発光のスペースの面積を極めて縮小化することができ、パネルの大面積化に好適に利用することができる。
図3〜図7の作製順序にしたがってこれと同様の構成を有する有機EL素子のサンプルを作製した。
(1.1)金属製細線補助電極の形成
1.0mmの厚さ、一辺500mm正方形の無アルカリガラスを支持体に用い、銀ナノ粒子インキ1(TEC−PA−010;InkTec社製)を用いて、1mmピッチ、幅50μmの平行線パターンを有するスクリーン版(メッシュ#730、乳剤厚3μm)でスクリーン印刷を行った。パターンを印刷するエリアの面積は449mm平方とした。平行線パターンの方向は、図3上段における左右水平方向である(点線部参照)。印刷後の支持体を、電気炉を用いて250℃で2分間焼成し、支持体上に金属製細線補助電極を形成した。
金属製細線補助電極のパターンを高輝度非接触3次元表面形状粗さ計WYKO NT9100で測定したところ、パターンの高さは0.7μm、パターン細線上の中心線に沿って測定した平均粗さRaは0.01μmであった。
上記で得られた金属製細線補助電極パターニング済みの支持体上に、下記組成の透明導電層塗布液をウェット膜厚10μmになるようにインクジェットプリンタでパターン塗布した。パターンのエリアは、金属細線補助電極を覆う位置で450mm平方とした。パターン塗布後の支持体を、循環式恒温槽を用いて90℃で1分間乾燥させ、その後電気炉を用いて230℃で2分間焼成し、導電性ポリマー層を形成した。
以上のようにして、金属製細線補助電極と導電性ポリマー層からなる陽極(図3の電極層2に相当する。)を、透明基板上に形成した。
導電性ポリマー分散液(Clevios TH510;H.C.Starck社製、固形分1.7wt%) 17.6g
ポリ(2−ヒドロキシエチルアクリレート)20wt%水溶液(粘度2.4cp;振動式粘度計) 3.5g
ジメチルスルホキシド 1.0g
陽極を形成した透明基板を、真空蒸着装置内にセットし、真空蒸着装置内の蒸着用るつぼの各々に、各層の構成材料を各々素子作製に最適の量を充填した。
蒸着用るつぼとしてモリブデン製またはタングステン製の抵抗加熱用材料で作製されたものを用いた。
次いで、以下の手順で有機化合物層(正孔輸送層,発光層,正孔ブロック層,電子輸送層)を形成した。
まず、真空度1×10−4Paまで減圧した後、下記α−NPDの入った前記蒸着用るつぼに通電して加熱し、蒸着速度0.1nm/秒で蒸着し、30nmの正孔輸送層を設けた。
下記Ir−1が13質量%、下記Ir−14が3.7質量%の濃度になるように、Ir−1、Ir−14及び下記化合物1−7を蒸着速度0.1nm/秒で共蒸着し、発光極大波長が622nm、厚さ10nmの緑赤色燐光発光層を形成した。
次いで、下記E−66が10質量%になるように、E−66及び化合物1−7を蒸着速度0.1nm/秒で共蒸着し、発光極大波長が471nm、厚さ15nmの青色燐光発光層を形成した。
その後、下記M−1を膜厚5nmに蒸着して正孔ブロック層を形成し、更にCsFを膜厚比で10%になるようにM−1と共蒸着し、厚さ45nmの電子輸送層を形成した。
以上の蒸着は、長辺452mm、短辺146mmの長方形が4mm間隔で3箇所に配置されるように行った(図4上段参照)。
各層形成に用いた化合物を下記に示す。
上記で形成した電子輸送層の上に、アルミニウムを5×10−4Paの真空下にてマスク蒸着し、厚さ100nmの陰極を形成した。
陰極の蒸着は、長辺458mm、短辺144mmの長方形が6mm間隔で3箇所に配置されるように行った(図5上段参照)。
上記で形成した陰極の上に、シランガスとアンモニアガスとを用い、プラズマCVD法を用いて、シリコン窒化物膜を200nmの膜厚で形成した。
絶縁層は、長辺456mm、短辺148mmの長方形が2mm間隔で3箇所に配置されるように形成した(図6上段参照)。
上記で形成した絶縁層の上に、アルミニウム膜をスパッタリングで400nmの膜厚で形成し、被覆用の電極層を形成した。
当該電極層は、長辺458mm、短辺454mmの長方形とし、短辺方向が図7上段における縦線方向と一致するように配置した。
以上の処理により、有機EL素子のパネルサンプルとして「サンプル1」を作製した。
図7上段中、上下辺に露出する陰極(電極層4)の6箇所を並列接続して負電荷を印加し、また被覆用の電極層(電極層6)の左右端を並列接続して正電荷を印加し、透明基板(透明基板1)側からの発光の強度分布を測定した。その際、印加した電荷は、発光面の単位面積当たりの電流密度が2.5mA/cm2となるように電圧調整した。
その結果、最大輝度(パネルの正電荷印加点直近)が1790cd/m2であり、最小輝度(パネルのほぼ中央)が1520cd/m2であり、最小輝度/最大輝度の比が85%であった。
以上の結果から、陽極および陰極のほかに第3の電極層として被覆用の電極層を形成し、当該被覆用の電極層を、各発光部(有機化合物層、陰極および絶縁層の積層体)の間隙から露出する陽極と接触させ電気的に接続することは、輝度ムラの発生を抑制しながらパネルの大面積化を実現するうえで、有用であることがわかった。
(1)サンプル2−1
実施例1のサンプル1において、陽極を、金属製細線補助電極と導電性ポリマー層とを組み合わせたものから、ITOに変更して、「サンプル2−1」を作製した。
その際、サンプル2−1では、各部材のパターンサイズを下記のとおりに変更した。ただし、下記でいう「長辺」とは図7上段における横方向の辺(左右辺)に相当し、「短辺」とは縦方向の辺(上下辺)に相当する。
透明基板:短辺=300mm、長辺=500mm、無アルカリガラス
陽極:短辺=248mm、長辺=450mm
有機化合物層:短辺=78mm、長辺=452mm、パターン間隔=4mm
陰極:短辺=76mm、長辺=458mm、パターン間隔=6mm
絶縁層:短辺=80mm、長辺=456mm、パターン間隔=2mm
被覆用の電極層:短辺=256mm、長辺=454mm
サンプル2−1と同様に、実施例1のサンプル1において、陽極を、金属製細線補助電極と導電性ポリマーとを組み合わせたものから、ITOに変更した。
さらに、サンプル2−1の構成において、パネルサイズを同一にしたまま、パネル中の発光部の部数を3つから1つとして「サンプル2−2」とした。
サンプル2−2では、発光部を複数設けていないため、被覆用の電極層の機能は不要になり、当該被覆用の電極層の設置は行わなかった。
各部材のパターンサイズは下記のとおりとした。
透明基板:短辺=300mm、長辺=500mm、無アルカリガラス
陽極:短辺=248mm、長辺=450mm
有機化合物層:短辺=240mm、長辺=452mm
陰極:短辺=238mm、長辺=458mm
絶縁層:短辺=242mm、長辺=456mm
サンプル2−1,2−2に対し実施例1と同様の評価をおこなった。ただし、サンプル2−2では、正電荷は陽極の左右端を並列接続して印加した。
その結果、サンプル2−1では、最大輝度(パネルの正電荷印加点直近)が1770cd/m2であり、最小輝度(パネルのほぼ中央)が1260cd/m2であり、最小輝度/最大輝度の比が71%であった。
これに対し、サンプル2−2では、最大輝度(パネルの正電荷印加点直近)が1800cd/m2であり、最小輝度(パネルのほぼ中央)が340cd/m2であり、最小輝度/最大輝度の比が19%であった。
以上の結果から、発光部を面一的に形成してその部数を1つ(単一)とするよりも、発光部を複数形成してその間隙を被覆用の電極層で被覆し、当該被覆用の電極層を、発光部間の間隙から露出する陽極と電気的に接続するほうが、発光面全体として輝度ムラの発生を抑制しうることがわかった。
2 電極層(陽極)
3 有機化合物層
4 電極層(陰極)
5 絶縁層
6 電極層
7 発光部
8 金属細線補助電極
9 導電性ポリマー層
10 有機EL素子
Claims (11)
- 透明基板と、
透明導電膜から構成される第1の電極層と、
有機化合物層、第2の電極層および絶縁層をこの順に積層した発光部と、
を備え、前記透明基板上に前記第1の電極層が形成され、前記第1の電極層上に複数の前記発光部が形成された有機EL素子であって、
前記各発光部では、前記第2の電極層が前記絶縁層で被覆され、
前記各発光部が互いに間隔をあけた状態で前記第1の電極層上に形成され、
前記各発光部上およびその間隙から露出する前記第1の電極層上には、前記第1の電極層より低抵抗の第3の電極層が形成され、
前記各発光部の間隙から露出する前記第1の電極層と前記第3の電極層とが接触していることを特徴とする有機EL素子。 - 請求項1に記載の有機EL素子において、
前記第1の電極層が透明な金属酸化物を含有する層であることを特徴とする有機EL素子。 - 請求項2に記載の有機EL素子において、
前記透明な金属酸化物を含有する層がITOであることを特徴とする有機EL素子。 - 請求項1に記載の有機EL素子において、
前記第1の電極層が、金属製の細線補助電極上に導電性ポリマー層が塗設された電極層であることを特徴とする有機EL素子。 - 請求項4に記載の有機EL素子において、
前記金属製の細線補助電極が、銀もしくは銅またはそれらの合金で構成されていることを特徴とする有機EL素子。 - 請求項4または5に記載の有機EL素子において、
前記導電性ポリマー層がポリチオフェン誘導体を含有することを特徴とする有機EL素子。 - 請求項1〜7のいずれか一項に記載の有機EL素子において、
前記発光部の絶縁層が、シリコン窒化物膜(SiNx膜)およびシリコン酸化物膜(SiOx膜)から選ばれる少なくとも1種の膜であることを特徴とする有機EL素子。 - 請求項1〜8のいずれか一項に記載の有機EL素子において、
前記第3の電極層が封止膜として機能していることを特徴とする有機EL素子。 - 請求項9に記載の有機EL素子において、
前記第3の電極層がアルミニウムまたはアルミニウム/ネオジウム合金から選ばれる金属膜により構成されていることを特徴とする有機EL素子。 - 請求項10に記載の有機EL素子において、
前記第3の電極層上には保護膜が貼合されていることを特徴とする有機EL素子。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2011246031A JP2013101893A (ja) | 2011-11-10 | 2011-11-10 | 有機el素子 |
Applications Claiming Priority (1)
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JP2013101893A true JP2013101893A (ja) | 2013-05-23 |
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ID=48622322
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2011246031A Pending JP2013101893A (ja) | 2011-11-10 | 2011-11-10 | 有機el素子 |
Country Status (1)
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