CN103155184A - 晶片级发光二极管封装件及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明的示例性实施例公开了一种晶片级发光二极管封装件，所述晶片级发光二极管封装件包括：第一基板，具有导电通孔以及布置在第一基板的表面上的绝缘反射层和电极图案；端子，第一基板布置在端子；第二基板，布置在第一基板上，第二基板包括形成空腔的开口，形成空腔的开口暴露电极图案；以及发光芯片，布置在电极图案上。发光芯片是不具有芯片基板的倒装键合的发光结构，导电通孔将电极图案和端子电连接。

Description

晶片级发光二极管封装件及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种晶片级发光二极管封装件和该晶片级发光二极管封装件的制造方法，更具体地，涉及一种可以防止潮气通过结合面渗透并防止热变形的发生，由此改善产品可靠性，增加从发光芯片产生的光的反射效率，并增加光提取效率，由此改善封装件的光学性质的晶片级发光二极管封装件和该晶片级发光二极管封装件的制造方法。
背景技术
通常，发光二极管(LED)是指发光的半导体装置，产生的光的颜色可以根据诸如GaAs、AlGaAs、GaN和InGaInP的化合物半导体材料的变化而改变。
通过对LED施加电流，在p型半导体和n型半导体之间的结处发生电子-空穴复合，这导致LED中光的产生。
LED装置的被测量的特性可以包括颜色、亮度、发光强度、热和电可靠性等。尽管可以通过在LED装置中使用的化合物半导体材料确定装置的特性，但是其中安装了发光芯片的封装件的结构可能会影响装置的特性。
仅依赖于封装组件的开发，当装置产生光时，封装结构可能不会实现足够的散热特性(是指朝着封装结构的外部的散热)。
由于可能需要LED封装件不仅表现出热和电可靠性，而且表现出光学特性，因此它可能具有与典型的半导体封装件的结构不同的结构。
引线框架型成型(mold)封装件是LED封装件的示例。引线框架型成型封装件包括封装体和成对的引线框架，封装体是注射成型的树脂材料，所述注射成型的树脂材料形成其中设置有发光芯片的空腔，成对的引线框架在封装体的内部一体地成形以彼此隔开预定的间隔。这里，发光芯片通过金属线引线键合到引线框架。
陶瓷型成型封装件是LED封装件的另一个示例，其中，通过彼此堆叠多层陶瓷片来形成陶瓷基板，安装在陶瓷基板的上表面上的发光芯片通过金属线电连接到形成在陶瓷基板的上表面上的电极图案，并且透明树脂材料包封陶瓷基板的上表面，由此形成密封件。
然而，现有技术的这些成型封装件在它们可简化制造工艺、通过减小尺寸而实现小型化以及有助于实现批量处理的程度方面受到限制。因此，已经引入了晶片级封装技术以实现LED的简化、小型化和批量处理。
Park等人申请的第10-2006-0095271号韩国专利申请公布公开了一种以晶片级制造LED封装件的方法。通过在晶片基板上安装多个发光芯片，在安装的发光芯片的上表面上涂覆荧光糊，固化荧光糊，并以芯片尺寸切割得到的结构来制造晶片级LED封装件。
然而，在这种制造LED封装件的方法中，晶片基板和荧光糊形成异质结合，并具有不同的热膨胀系数。因此，外部的潮气会通过晶片基板和荧光糊之间的界面渗透到封装件中，并可能发生热变形，从而成为可能会增加缺陷率的因素。
另外，现有技术的晶片级LED封装件在以下方面能力有限：通过增加在发光芯片工作时光向外部的反射效率或通过增加光穿过发光芯片的芯片基板的透射率来增加光提取效率。
发明内容
技术问题
为了解决现有技术的上述问题，提出了本发明，因此本发明的目的是提供一种能够防止潮气通过结合面渗透并防止热变形的发生，由此改善产品可靠性，增加当发光芯片产生光时的反射效率，并增加光提取效率，由此改善封装件的光学性质的晶片级发光二极管(LED)封装件以及制造该晶片级发光二极管(LED)封装件的方法。
问题的解决方案
在本发明的一个方面中，晶片级发光二极管封装件包括：下基板，具有在其上表面上的绝缘反射层和电极图案、在其下侧上的外部端子以及将电极图案电连接到外部端子的导电通孔；上基板，结合到下基板，并且具有形成空腔的开口，形成空腔的开口穿过上基板的与电极图案对应的区域；以及发光芯片，安装在电极图案上。发光芯片是不具有芯片基板的发光结构。
优选地，晶片级发光二极管封装件还包括波长转换结构。所述波长转换结构是形成在发光结构的上表面上的荧光层、涂覆在发光结构和上基板的上表面上的荧光膜或者填充形成空腔的开口的树脂荧光材料。
优选地，外部端子包括电极焊盘和低共熔电极，电极焊盘与导电通孔的下端接触，低共熔电极堆叠在电极焊盘上。
优选地，上基板和下基板均由选自SiC、Si、GaN和AlN中的一种制成。
优选地，形成空腔的开口在以预定角度倾斜的斜面上具有反射层。
优选地，绝缘反射层和反射层由相同的反射材料或不同的反射材料制成。
在本发明的另一个方面中，制造晶片级发光二极管封装件的方法包括以下步骤：准备在其上表面上具有至少一个绝缘反射层的下基板；形成导电通孔，导电通孔将形成在下基板上的电极图案连接到形成在下基板上的外部电极；将上基板结合到下基板的上表面上，上基板具有形成空腔的开口；在通过形成空腔的开口暴露的电极图案上安装发光芯片；通过辐射激光束来去除发光芯片的芯片基板；使上基板变薄，以使得上基板的厚度相当于去除了芯片基板的发光芯片的厚度；以及通过切割得到的包括上基板和下基板的结构来制造单独的发光二极管封装件。
优选地，所述方法还包括在去除芯片基板之后形成波长转换结构的步骤。波长转换结构转换从发光芯片产生的光的波长。
优选地，所述波长转换结构是形成在发光结构的上表面上的荧光层、涂覆在发光结构和上基板的上表面上的荧光膜或填充形成空腔的开口的树脂荧光材料。
优选地，形成空腔的开口设置为以预定角度倾斜的斜面，在斜面上设置反射层，使得它反射当发光芯片工作时产生的光。
优选地，绝缘反射层和反射层由相同的反射材料或不同的反射材料制成。
本发明的有益效果
如上所述，具有开口(该开口预计形成空腔)的上基板与在其上表面上具有绝缘反射层和电极图案的下基板通过在下基板的顶部上堆叠上基板而结合到彼此，发光芯片安装在结合到上基板的下基板上，使用激光束去除发光芯片的芯片基板，减小上基板的厚度，使得上基板的上表面对应于去除了芯片基板的发光结构的上表面。因此，从发光结构产生的光可以出射到外部而不经过芯片基板，由此增加光提取效率并改善封装件的光学特性。另外，能够防止潮气通过结合面渗透和热变形的发生，由此增加了封装产品的可靠性。
另外，形成在上基板和下基板之间的界面处的绝缘反射层和形成在开口(该开口预计形成空腔)的斜面上的反射层可以增加当发光芯片工作时光向外反射的效率，由此进一步改善了封装件的光学特性。
附图说明
图1、图2、图3、图4、图5、图6、图7和图8是示出了根据本发明的第一示例性实施例的晶片级LED封装件的制造方法的剖视图。
图9是示出了在根据本发明的第二示例性实施例的晶片级LED封装件的制造方法中形成荧光膜的步骤的剖视图。
图10是示出了在根据本发明的第三示例性实施例的晶片级LED封装件的制造方法中形成荧光树脂材料的步骤的剖视图。
图11是示出了根据本发明的第一示例性实施例的晶片级LED封装件的剖视图。
图12是示出了根据本发明的第二示例性实施例的晶片级LED封装件的剖视图。
图13是示出了根据本发明的第三示例性实施例的晶片级LED封装件的剖视图。
具体实施方式
以下参照附图更充分地描述本发明，在附图中示出了本发明的实施例。然而，本发明可以以许多不同的形式实施，并且不应该解释为局限于这里所阐述的示例性实施例。确切地说，提供这些示例性实施例以使得本公开是彻底的，并且这些示例性实施例将把本发明的范围充分地传达给本领域技术人员。在附图中，为了清晰起见，可以夸大层和区域的尺寸和相对尺寸。在附图中，相同的附图标记表示相同的元件。
将理解的是，当元件或层被称作在另一元件或层“上”或“连接到”另一元件或层时，该元件或层可以直接在另一元件或层上、或直接连接到另一元件或层，或者可以存在中间元件或中间层。相反，当元件被称作“直接在”另一元件或层“上”或“直接连接到”另一元件或层时，不存在中间元件或中间层。
如图1、图2、图3、图4、图5、图6、图7和图8中所示，根据本发明的第一示例性实施例的晶片级LED封装件100的制造方法包括以下步骤：准备下基板；形成导电通孔(conductive vias)；结合上基板；安装发光芯片；去除芯片基板；减小上基板的厚度；以及切割得到的结构。
如图1中所示，准备下基板的步骤包括提供下基板110。下基板110具有形成在其上表面上的至少一个绝缘反射层112。发光芯片130可以安装在绝缘反射层112上。
下基板110可以由从SiC、Si、GaN和AlN中选择的基板材料制成。绝缘反射层112可以形成为分布式布拉格反射器(DBR)，DBR折射并反射从发光芯片130产生的特定的波长范围内的光。绝缘反射层112可以由钛(Ti)氧化物、硅(Si)氧化物、铌(Nb)氧化物和Si氮化物制成，以在其上表面上形成可以结合到上基板120(见图4)的绝缘层，同时增加光提取效率。
如图2和图3中所示，在形成导电通孔的步骤中，形成导电通孔118，使得它们将形成在绝缘反射层112(在下基板110的上表面上)上的电极图案114电连接到形成在下基板110的下侧上的外部端子116。
即，形成过孔(through-holes)，以穿透下基板110的其上可以安装发光芯片130的区域，且所述过孔用导电通孔118填充。然后，形成电极图案114，使得它与导电通孔118的上端接触。形成电极图案114，使得当发光芯片130安装在下基板110的图案化的上部区域时，电极图案114电连接到发光芯片130。
随后，形成外部端子116，使得它们与导电通孔118的下端接触。
这里，每个外部端子116包括电极焊盘116a和沉积在电极焊盘116a上的外部电极116b，其中，电极焊盘116a图案印刷在下基板110的下侧上，使得它与导电通孔118的下端接触。
外部电极116b可以由金(Au)/锡(Sn)、铟(In)、铝(Al)、银(Ag)或包括这些金属的组合的合金制成，从而当晶片级LED封装件100安装在金属基板或硅基板上时，产生稳定的结合力。
外部端子116是可以连接到诸如印刷电路板(PCB)的外部电路(未示出)的电力输入端子，电力从外部电路输入到外部端子116。
如图4中所示，执行结合上基板的步骤，以将上基板120结合到下基板110的上表面上。上基板120具有开口124，每个开口124形成空腔(在下文中称为“形成空腔的开口”)。形成空腔的开口124具有预定的尺寸，并穿透上基板120。
上基板120是基板构件，其中，具有预定尺寸的形成空腔的开口124在对应于电极图案114的区域穿过该基板构件，电极图案114图案印刷在下基板110的上表面上。可以通过湿法蚀刻形成形成空腔的开口124。
通过在上基板120的上表面上通过光刻形成图案(该图案预计形成形成空腔的开口124)，然后使用诸如氢氧化钾(KOH)、四甲基氢氧化铵(TMAH)或乙二胺邻苯二酚(EDP)的湿法蚀刻溶液蚀刻上基板120，使得蚀刻溶液穿透上基板120，来以预定尺寸形成其中可以安装发光芯片130的形成空腔的开口124。
上基板120可以由与下基板110的基板材料相同或不同的基板材料制成。
这里，形成空腔的开口124是以预定的角度倾斜的斜面的形式，反射层122形成在形成空腔的开口124的斜面上，使得反射层122可以反射当发光芯片130工作时产生的光。反射层122可以由与形成在下基板110的上表面上的绝缘反射层112的反射材料相同或不同的反射材料制成。
如图5中所示，在安装发光芯片的步骤中，在通过上基板120的形成空腔的开口124而暴露的下基板110的电极图案114上安装发光芯片130，每个发光芯片130包括发光结构131和芯片基板132。
发光芯片130包括芯片基板132和发光结构131。发光结构131由在芯片基板132的上表面上顺序地层叠的n半导体层、活性层和p半导体层制成。
芯片基板132是生长基板，提供所述生长基板以在其上生长氮化物半导体层。芯片基板132是高电阻基板，其可以是蓝宝石基板。
由于蓝宝石基板由具有hexa-rhombo R3c对称性且c轴和a轴方向上的晶格常数为13.001和4.758的晶体制成，所以它可以用作用于在其上生长氮化物半导体的基板。蓝宝石基板还具有C(0001)面、A(1120)面和R(1102)面，其中在C面上生长氮化物薄膜是相对更容易的。蓝宝石基板在高温下是稳定的。
n半导体层和p半导体层可以由组成式AlxInyGa(1-x-y)N(其中0＝x＝1，0＝y＝1，0＝x+y＝1)表示的且分别掺杂有n掺杂剂和p掺杂剂的半导体材料制成。所述半导体材料的代表性示例可以包括GaN、AlGaN和InGaN。
另外，n掺杂剂的可用的示例可以包括Si、锗(Ge)、硒(Se)、碲(Te)、碳(C)等，p掺杂剂的可用的示例可以包括镁(Mg)、锌(Zn)、铍(Be)等。
可以使用已知的生长氮化物半导体层的方法来形成n和p半导体层，所述方法的示例可以包括金属有机化学气相沉积(MOCVD)、分子束外延(MBE)和氢化物气相外延(HVPE)等。
另外，尽管未示出，但是缓冲层可以形成在基板110上，以减少芯片基板和n半导体层之间的晶格失配。缓冲层可以是由III-V族氮化物化合物半导体制成的作为n材料层或未掺杂的材料层的含有AlN或n-GaN的低温成核层。
另外，活性层是其中通过电子-空穴载流子复合而发生发光的材料层。活性层可以是包含诸如GaN的III-V族氮化物的化合物半导体层，并可具有其中多个量子阱层和量子垒层交替地彼此层叠的多量子阱(MQW)结构。在MQW结构中，量子垒层可以由AlxInyGa(1-x-y)N表示的材料制成，其中0＝x＝1，0＜y＝1，0＜x+y＝1，量子阱层可以由InzGa(1-z)N表示的材料制成，其中0＝z＝1。可以以具有预定厚度的超晶格结构的形式设置量子垒层，以使得从p半导体层注入的空穴可以通过隧穿(tunneling)经过量子垒层。
从发光芯片130产生的光通过芯片基板132发射到外部。由于芯片基板132具有低透光率，所以优选的是，去除芯片基板132以增加当发光结构131产生光时的光提取效率。
如图6中所示，在去除芯片基板132的步骤中，通过将激光束L辐射到发光芯片130的芯片基板132上来去除芯片基板132，使得发光结构131暴露于外部。
即，当将波长范围是198nm至248nm的准分子激光束辐射到芯片基板132的表面上时，由于发光结构131的氮化物半导体层(外延生长层)和芯片基板132(蓝宝石基板)之间的界面吸收了大部分的激光束，所以该界面的温度急剧上升。
随着氮化物半导体层和芯片基板132之间的界面的温度急剧上升，界面处的化学键断裂，使得氮化物半导体膜与芯片基板132即蓝宝石基板分离。
这里，准分子激光束的波长取决于可以在蓝宝石芯片基板上方生长的缓冲层的类型，准分子激光束的能量可以大于缓冲层(界面)的带隙。具体地，由于可以减小氮化物半导体层上的吸光层的厚度，所以具有短波长的准分子激光束可以将对氮化物半导体层的损害最小化。
在去除芯片基板132的步骤之后，可以形成波长转换结构140，以将从发光结构131发射的具有特定波长的光转换成白光。
波长转换结构140可以形成为图7中示出的荧光层141、图9中示出的荧光膜142或图10中示出的树脂荧光材料143。如图7中所示，荧光层141包含荧光材料，并通过在去除了发光结构131而暴露于外部的发光结构131的上表面上进行涂覆来形成荧光层141。如图9中所示，荧光膜142包含荧光材料，并涂覆在上基板120和发光结构131的上表面上。如图10中所示，树脂荧光材料143包含荧光材料，并被分配到形成在上基板中并且其中设置有发光芯片130的形成空腔的开口124中。
尽管荧光膜142已经被描述为结合到发光结构131的上表面以及上基板120的上表面，但其他的布置是可以的。例如，荧光膜142可以仅结合到发光结构131的上表面，像荧光层141那样。
包含在荧光层141、荧光膜142和树脂荧光材料143中的荧光材料形成波长转换器，波长转换器将从发光结构131产生的具有红波长、蓝波长或绿波长的光转换成白光。
荧光材料可以是包含钇铝石榴石(YAG)、铽铝石榴石(TAG)、硅酸盐等的粉末，以将从发光结构131产生的诸如红光、蓝光或绿光的第一波长的光转换成第二波长的光，即白光。
随后，如图8中所示，执行减小上基板120的厚度的步骤，以减少包括上基板120和下基板110的晶片级LED封装件100的整体厚度。具体地，通过使用磨料对上基板120的上表面进行抛光以去除上基板120的上表面，使得通过从发光芯片130去除芯片基板132而暴露的发光结构131的上表面与上基板120的上表面基本上处于同一水平。换言之，发光结构131的上表面和上基板120的上表面是基本上共面的。
最后，在通过去除上基板120的上表面使上基板120的厚度减小之后，如图8中的虚线所示，使用切割工具沿着切割线切割得到的包括上基板120和下基板110的结构，由此制造出彼此分开的单独的晶片级LED封装件100。
图11是示出了根据本发明的第一示例性实施例的晶片级LED封装件l00的剖视图。晶片级LED封装件100包括下基板110、上基板120和发光芯片130。可以与上述方法基本上相似地形成根据第一示例性实施例的晶片级LED封装件100，且根据第一示例性实施例的晶片级LED封装件100可以包括相同的特征。
下基板110由从SiC、Si、GaN和AlN中选择的基板材料制成，绝缘反射层112在下基板110上。电极图案114在绝缘反射层112上，其中电极图案114电连接到发光芯片130。
这里，绝缘反射层112可以形成为DBR，DBR在其上表面中形成结合到上基板120的绝缘层，同时通过折射和反射从发光芯片130产生的光来增加光提取效率。
外部端子116设置在下基板110的下侧上，导电通孔118将电极图案114电连接到外部端子116。
这里，每个外部端子116可包括与导电通孔118的下端接触的电极焊盘116a，以及堆叠在电极焊盘116a的外表面上的外部电极116b。
上基板120形成为由与下基板110的基板材料相同或不同的基板材料制成的晶片构件。上基板120一体地结合到具有绝缘反射层112、电极图案114、外部端子116和导电通孔118的下基板110的上表面。
这里，形成空腔的开口124在上基板120的与其上安装发光芯片130的电极图案114对应的区域中穿过，并使用抛光、湿法蚀刻或干法蚀刻去除上基板120的一部分上表面，使得该上表面与从其上去除了芯片基板132的发光结构131的上表面基本上处于同一水平。
形成空腔的开口124是以预定角度倾斜的斜面的形式，反射层122形成在该斜面上，以通过反射当安装在下基板上的发光芯片工作时产生的具有任意波长段的光来增加光提取效率。反射层122可以由与形成在下基板110的上表面上的绝缘反射层112的反射材料相同或不同的反射材料制成。
发光芯片130包括通过倒装芯片键合安装在电极图案114上的发光结构131。这里，电极图案114形成在下基板110的上表面上，并且如上所述，使用激光束L从发光结构131去除芯片基板132。可以使用各种方法将发光结构131连接到电极图案114。例如，可以使用凸块152将发光芯片130电连接到电极图案114。
波长转换结构140可以将发光结构131中产生的具有特定波长的光转换成白光。如图11中所示，波长转换结构140可以形成为包含荧光材料的荧光层141，通过在暴露于外部的发光结构131的上表面上进行涂覆来形成荧光层141。
如图12中所示，波长转换结构140可以设置为包含荧光材料的荧光膜142，荧光膜142涂覆在发光结构131和上基板120的上表面上。在形成空腔的开口124中并在荧光膜142、发光结构131和上基板120的上表面之间可以形成气隙。可选择地，如图13中所示，波长转换结构140可以设置为包含荧光材料的树脂荧光材料143，树脂荧光材料143被分配到形成空腔的开口124中。上基板120的上表面、树脂荧光材料143的上表面和发光结构131的上表面是共面的。
根据上述的示例性实施例，发光结构131中产生的光可以发射到外部而不经过芯片基板，由此增加光提取效率并改善封装件的光学特性。另外，本发明的示例性实施例可以防止潮气通过结合面渗透，并防止热变形发生，由此增加封装产品的可靠性。
另外，形成在上基板120和下基板110之间的界面处的绝缘反射层112以及形成在开口124的斜面上的反射层122可以增加当发光芯片130工作时光向外反射的效率，由此进一步改善了封装件的光学特性。
尽管参照本发明的特定的示例性实施例示出并描述了本发明，但是对本领域技术人员来讲明显的是，在不脱离本发明的精神和范围的情况下，在此可以做出形式和细节方面的各种改变，并且这样的改变落入所附权利要求的范围内。

Claims (18)

1.一种晶片级发光二极管封装件，所述晶片级发光二极管封装件包括：
第一基板，包括：
绝缘反射层和电极图案，布置在第一基板的表面上；以及
导电通孔；
端子，第一基板布置端子上；
第二基板，布置在第一基板上，第二基板包括形成空腔的开口，形成空腔的开口暴露电极图案；以及
发光芯片，布置在电极图案上，
其中，发光芯片是不具有芯片基板的倒装芯片键合的发光结构，以及
其中，导电通孔将电极图案和端子电连接。
2.根据权利要求1所述的晶片级发光二极管封装件，所述晶片级发光二极管封装件还包括波长转换结构，其中，波长转换结构包括：荧光层，设置在发光结构的表面上；荧光膜，设置在第二基板的表面和发光结构的表面上；或者树脂荧光材料，布置在形成空腔的开口中。
3.根据权利要求1所述的晶片级发光二极管封装件，其中，端子包括电极焊盘和外部电极，电极焊盘接触导电通孔的第一端，外部电极布置在电极焊盘上。
4.根据权利要求1所述的晶片级发光二极管封装件，其中，第二基板和第一基板均包括SiC、Si、GaN或A1N。
5.根据权利要求1所述的晶片级发光二极管封装件，其中，形成空腔的开口的侧壁包括反射层。
6.根据权利要求5所述的晶片级发光二极管封装件，其中，绝缘反射层和反射层包括相同的反射材料。
7.根据权利要求5所述的晶片级发光二极管封装件，其中，绝缘反射层和反射层包括不同的反射材料。
8.根据权利要求1所述的晶片级发光二极管封装件，其中，绝缘反射层包括分布式布拉格反射器。
9.根据权利要求1所述的晶片级发光二极管封装件，其中，第二基板和发光芯片沿着晶片级发光二极管封装件的顶水平表面基本上共面。
10.根据权利要求2所述的晶片级发光二极管封装件，其中，第二基板和发光芯片沿着晶片级发光二极管封装件的顶水平表面基本上共面，并且
其中，荧光膜设置在晶片级发光二极管封装件的顶水平表面上。
11.根据权利要求3所述的晶片级发光二极管封装件，其中，电极图案接触导电通孔的第二端。
12.一种制造晶片级发光二极管封装件的方法，所述方法包括：
在第一基板的表面上形成至少一个绝缘反射层；
在所述至少一个绝缘反射层上形成电极图案；
在第一基板中形成导电通孔；
在第一基板的第二表面上形成电极，第二表面背对第一表面，导电通孔将电极连接到电极图案；
将第二基板结合到第一基板上，第二基板包括形成空腔的开口，形成空腔的开口暴露电极图案；
在电极图案上安装发光芯片，发光芯片包括芯片基板和发光结构；
去除芯片基板；
使第二基板变薄，以使得第二基板的上表面与去除了芯片基板的发光芯片的上表面基本上共面，第二基板的上表面和发光芯片的上表面沿着晶片级发光二极管封装件的顶水平表面共面；以及
通过切割第一基板和第二基板来制造单独的晶片级发光二极管封装件。
13.根据权利要求12所述的方法，所述方法还包括：在去除芯片基板之后在发光结构上形成波长转换结构，波长转换结构用于转换从发光芯片发射的光的波长。
14.根据权利要求13所述的方法，其中，波长转换结构包括设置在发光结构的表面上的荧光层、设置在第二基板的表面和发光结构的表面上的荧光膜或布置在形成空腔的开口中的树脂荧光材料。
15.根据权利要求13所述的方法，其中，形成空腔的开口的侧壁包括反射层，反射层用于反射从发光芯片发射的光。
16.根据权利要求15所述的方法，其中，绝缘反射层和反射层包括相同的反射材料。
17.根据权利要求15所述的方法，其中，绝缘反射层和反射层包括不同的材料。
18.一种发光二极管封装件，所述发光二极管封装件包括：
第一基板；
反射绝缘层，设置在第一基板的第一侧上；
电极，设置在反射绝缘层上；
端子，设置在第一基板的第二侧上，第一基板的第一侧和第二侧是第一基板的相反的侧；
导电通孔，将电极和端子电连接；
第二基板，布置在第一基板的第一侧上，第二基板包括暴露电极的开口；以及
发光芯片，布置在电极上，
其中，发光芯片是不具有芯片基板的倒装芯片键合的发光结构。
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