CN103088305B - 使用溅射装置的溅射方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种使用溅射装置的溅射方法，更详细地涉及一种设定从溅射靶材的一侧到另一侧的整个扫描区间，并使磁体沿着所述整个扫描区间做正向和反向的连续多次往返运动，以扫描所述溅射靶材的溅射装置的溅射方法。其特征在于，将所述整个扫描区间分割为n个部分，并且为了将溅射靶材均匀侵蚀，使磁体在被分割成n个部分的所述整个扫描区间的部分区间移动。由此，提供一种通过溅射靶材的均匀的侵蚀，能够提高溅射靶材的使用效率，且延长溅射靶材的更换周期，并可降低溅射工艺的制造成本的使用溅射装置的溅射方法。

Description

使用溅射装置的溅射方法

技术领域

本发明涉及一种使用溅射装置的溅射方法（SPUTERRING METHODUSING OFSPUTERRING DEVICE），更详细地涉及一种将对整个溅射靶材的整个扫描区间的一部分作为区间的扫描区间依次适用于扫描溅射靶材底面的同时移动的磁体的扫描区间，由此提高溅射靶材的使用效率的使用溅射装置的溅射方法。

背景技术

一般来说,溅射装置为在半导体元器件用基板或液晶显示装置用基板上形成薄膜时广泛使用的一种成膜装置，在半导体元器件的制造或液晶显示装置的制造中被视为非常重要的装置。

图1是溅射装置的示意图。参照图1，溅射装置在真空腔室101的内侧配置有用来安置基板103的基座102和在基板103的相对面上作为蒸镀源使用的金属物质溅射靶材104。

其中，溅射靶材104通过支承板（back plate）105固定，并供给将在基板103上形成薄膜的材料，而且沿着溅射靶材104的侧面设置有接地屏蔽（ground shield）106，沿着基板103和溅射靶材104之间的周边部设置有掩膜107。

在支承板105的底面通过规定的驱动装置109结合有用于施加DC电源的磁体（magnet）108，所述磁体108可在溅射靶材104的左右方向移动。

在如上状态下，当向真空腔室101的内部注入惰性气体氩气（Ar），并对溅射靶材104施加DC偏压时，惰性气体成为离子化的等离子状态，而且离子与溅射靶材104冲突，溅射靶材104释放出原子并在基板103上形成薄膜。

此时，磁体108如图2所示做左右方向的往返运动，并扫描溅射靶材104的同时供给磁场，以引导离子与溅射靶材104冲突。

而在以往的磁体108的扫描动作中，由于在溅射靶材104的左侧端部和右侧端部中需要降低扫描速度，因此与中央部相比停留时间长，当磁体108长时间停留时，磁体108的扫描区间D的左侧端部和右侧端部与中央部相比，在磁场中暴露的时间相对较长。

即在溅射靶材103中，磁体108的暴露时间相对较长的左侧端部和右侧端部中产生的侵蚀比中央部产生的侵蚀相对较多。

图3是图2的Ｉ-Ｉ向剖视图。从图3中可看出，与最初设置时的溅射靶材A的厚度t1相比，在溅射靶材A的两侧端部中产生的厚度t3的侵蚀比中央部产生的厚度t2的侵蚀更多。

结果是，设置在溅射装置的溅射靶材中，与中央部相比，在左侧端部和右侧端部中产生相对集中侵蚀的部分，存在溅射靶材的使用效率下降的问题。

而且，随着溅射靶材的低使用效率，还存在溅射靶材的更换周期加快的问题。

另外，随着溅射靶材的更换周期的加快，存在制造成本增加的问题。

发明内容

本发明是为了解决如上所述以往问题而提出的，其目的是提供一种使用溅射装置的溅射方法，该方法通过在溅射装置中溅射靶材的均匀的侵蚀，能够提高溅射靶材的使用效率，并延长溅射靶材的更换周期。

而且，本发明的目的是提供一种使用溅射装置的溅射方法，该方法通过延长溅射靶材的更换周期，能够降低制造成本。

本发明的目的可通过如下的本发明一实施例的使用溅射装置的溅射方法来实现。本发明一实施例的使用溅射装置的溅射方法，设定从溅射靶材的一侧到另一侧的整个扫描区间，并使磁体沿着所述整个扫描区间做正向和反向的连续多次往返运动，以扫描所述溅射靶材，其特征在于，包括：原扫描步骤，以扫描方向为基准从所述溅射靶材的左侧端部到右侧端部将所述整个扫描区间区划为n个部分，并设定分别以第p个部分和第n-p+1个部分为开始部分和结尾部分的原扫描区间，并使所述磁体将所述原扫描区间至少往返扫描一次，其中n为等于或大于4的整数，p为等于或大于1且等于或小于n/2的整数；及变更扫描步骤，在所述原扫描步骤后，设定分别以第q个部分和第n-q+1个部分为开始部分和结尾部分的变更扫描区间，并使所述磁体将所述变更扫描部分至少往返扫描一次，其中q为等于或大于1且等于或小于n/2的整数，并且q≠p，所述变更扫描步骤至少执行一次。

其中，在所述变更扫描步骤中，所述q为p-1或p+1。

其中，当所述变更扫描步骤执行两次以上时，将多个变更扫描区间的开始部分及结尾部分设定为互不相同。

此外，上述目的通过本发明的另一实施例的使用溅射装置的溅射方法来实现。本发明的另一实施例的使用溅射装置的溅射方法，设定从溅射靶材的一侧到另一侧的整个扫描区间，使磁体沿着整个扫描区间做正向和反向的连续多次往返运动，以扫描所述溅射靶材，其特征在于，包括以下步骤：设定被分割为n个部分的所述整个扫描区间，其中n为正整数；设定将所述整个扫描区间中的至少一部分作为区间的多个正向扫描区间和多个反向扫描区间；设定分别由多个所述正向扫描区间和所述反向扫描区间组成的第一扫描周期和第二扫描周期；所述第一扫描周期如下：将所述n个的部分中的第一个部分和第p个部分分别设定为第一个正向扫描区间的开始部分和结尾部分，将所述n个部分中的第a个部分和第p+a-1个部分分别设定为第a个正向扫描区间的开始部分和结尾部分，以此类推将多个正向扫描区间排列至p+a-1成为n为止，其中，1≤a≤n/2,（n/2）+1≤p<n,a、p为整数，所述第二扫描周期如下：按所述第一扫描周期中排列的多个正向扫描区间的倒序排列多个正向扫描区间，在所述第一扫描周期和所述第二扫描周期中构成的多个反向扫描区间分别以前一个正向扫描区间的结尾部分作为开始部分，以后一个正向扫描区间的开始部分作为结尾部分，以使磁体连续移动；所述第一扫描周期和所述第二扫描周期至少交替排列一次。

此外，上述目的通过本发明的另一实施例的使用溅射装置的溅射方法来实现。本发明的另一实施例的使用溅射装置的溅射方法，设定从溅射靶材的一侧到另一侧的整个扫描区间，并使磁体沿着所述整个扫描区间做正向和反向的连续多次的往返运动，以扫描所述溅射靶材，其特征在于，包括以下步骤：设定分割为n个部分的所述整个扫描区间，其中n为正整数；设定将所述整个扫描区间中至少一部分作为区间并交替排列的多个正向扫描区间和多个反向扫描区间；设定分别由多个所述正向扫描区间和多个所述反向扫描区间构成的第一扫描周期和第二扫描周期；所述第一扫描周期如下：将所述n个部分中的第一个部分和第n个部分分别设定为第一个正向扫描区间的开始部分和结尾部分，将所述n个部分中的第a个部分和第n-a+1个部分分别设定为第a个正向扫描区间的开始部分和结尾部分，当n为双数时，将多个正向扫描区间排列到a成为n/2为止，当n为单数时，将多个正向扫描区间排列到(n-1)/2为止，其中1≤a≤n/2，a为整数，所述第二扫描周期如下：按所述第一扫描周期中排列的多个正向扫描区间的倒序排列多个正向扫描区间，所述第一扫描周期和所述第二扫描周期中的多个反向扫描区间分别以前一个正向扫描区间的结尾部分作为开始部分，以后一个正向扫描区间的开始部分作为结尾部分，以使磁体连续移动，所述第一扫描周期和所述第二扫描周期至少交替排列一次。

其中，本发明的使用溅射装置的溅射方法的特征在于，在所述第一扫描周期和所述第二扫描周期交替排列时，进一步排列以先排列扫描周期的最后一个正向扫描区间的结尾部分作为开始部分，以后排列扫描周期的第一个正向扫描区间的开始部分作为结尾部分的反向扫描区间。

另外，将所述n个部分中每个部分的宽度优选设定为实质上相同，将所述n个部分中每个部分的宽度优选设定为与溅射靶材的宽度实质上相同。

根据本发明，提供一种在溅射装置中提高溅射靶材的使用效率并可延长溅射靶材的更换周期的使用溅射装置的溅射方法。

而且，提供一种可通过延长溅射靶材的更换周期来降低制造成本的使用溅射装置的溅射方法。

附图说明

图1是溅射装置的示意图。

图2是在以往的溅射方法中使用的溅射靶材和磁体的俯视图。

图3是图2的Ｉ-Ｉ向剖视图。

图4和图5是在本发明的使用溅射装置的溅射方法中使用的溅射靶材和磁体的俯视图。

图6至图13是根据本发明的使用溅射装置的溅射方法的实施例的溅射靶材的状态图。

图14是在根据本发明第二实施例的使用溅射装置的溅射方法中使用的溅射装置的示意图。

图15是根据本发明的第二实施例的单位扫描区间的排列图。

图16是根据本发明的溅射方法使用的溅射靶材的侵蚀状态图。

图17是根据本发明第三实施例的单位扫描区间的排列图。

图18是根据本发明第三实施例的变形例的单位扫描区间的排列图。

具体实施方式

在进行说明之前需要强调的是，在多个实施例中，对于具有相同结构的结构要素使用相同的附图标记，并在第一实施例中进行代表性的说明，在其他实施例中说明与第一实施例不同的结构。

下面，参照附图详细说明本发明第一实施例的使用溅射装置的溅射方法。

在本实施例中使用的溅射装置可以与以往的溅射装置实质上相同，而且所使用的溅射靶材也与以往同样地使用向一个方向较长地形成的靶材。

图4和图5是在本发明的第一实施例的使用溅射装置的溅射方法中使用的溅射靶材和磁体的俯视图。

本发明第一实施例的使用溅射装置的溅射方法如下。首先如图4所示，从溅射靶材10的左侧到右侧将扫描区间分割区划为n个部分，其中扫描区间为磁体20移动的同时扫描溅射靶材10的区间，n是正整数。

为了最大限度地提高溅射靶材10的使用效率，一般将整个扫描区间设定为从左侧端部到右侧端部，但根据需要，也可将溅射靶材10的一部分作为整个扫描区间。

此时被区划的各分割部分的宽度可以实质上相同，优选可以区划为与磁体20的宽度实质上相同。

当各分割区划部分的宽度与磁体20的宽度实质上相同时，在两侧端部上不存在因磁体而集中侵蚀的部分的重叠现象，由此可防止局部重叠部分中严重集中侵蚀的现象。

接下来，在将磁体20设定为分别将第p个部分(p为1≤p≤n/2的整数)和第n-p+1个部分作为开始部分和结尾部分的原扫描区间L1后，使磁体在规定的时间内至少往返扫描一次原扫描区间L1，以扫描溅射靶材。其中，规定时间是可预先设定的时间。

而且，在对原扫描区间L1扫描规定时间之后，如图5所示，在规定的时间内至少往返扫描一次将第q个部分（q为1≤q≤n/2的整数，q≠p）和第n-q+1个部分分别作为开始部分和结尾部分的变更扫描区间L2（S30）。其中，q优选为p-1或p+1。

即，为了最大限度地提高溅射靶材的使用效率，通过变更扫描步骤扫描的区间的开始部分优选选择原扫描步骤的开始部分的最近部分。

此时，将变更扫描区间L2扫描两次以上时，优选使首次扫描的变更扫描区间的开始部分和第二次扫描的变更扫描区间的开始部分互不相同，并使首次扫描的变更扫描区间的结尾部分和第二次扫描的变更扫描区间的结尾部分互不相同，并进行往返扫描。

下面举出具体的例子说明如上所述的使用溅射装置的溅射方法。

示例1

假定p=1，q=2，并扫描一次变更扫描区间，此时由于p=1,如图6所示，原扫描区间L1的开始部分和结尾部分分别为第一个部分和第n个部分；由于q=2，如图8所示，变更扫描区间L2的开始部分和结尾部分分别为第二个部分和第n-1个部分。

在如上设定的状态下，如图6，使磁体在规定时间内至少往返扫描一次所设定的从第一至第n个部分的原扫描区间L1，以扫描溅射靶材10。

图7是图6的Ⅱ-Ⅱ'向剖视图。参照图7，当在规定时间内扫描原扫描区间L1时，在第一个部分和第n个部分中出现集中侵蚀的部分。

而且，在规定时间内扫描原扫描区间L1后，如图8所示，使磁体在规定时间内在从第二至第n-1个部分的变更扫描区间L2至少往返运动一次，并以此扫描溅射靶材10。

图9是图8的Ⅲ-Ⅲ'向剖视图。参照图9，当在规定时间内扫描变更扫描区间L2时，在溅射靶材10的第二个部分和第n-1个部分中出现集中侵蚀的部分。

即，在分开扫描原扫描区间L1和变更扫描区间L2后观察溅射靶材10的厚度可知，由于第一个部分区间和第n个部分区间没有包括在变更扫描区间L2内，因此在扫描变更扫描区间L2时，在溅射靶材10的第一个部分和第n个部分中几乎没有出现进一步的集中侵蚀。因此，能够比以往分散整个靶材中集中侵蚀的部分，由此能够提高溅射靶材的使用效率。

示例2

假定p=2，q=1，并扫描一次变更扫描区间，此时原扫描区间（图10的L1'）被设定成如图8的L2，变更扫描区间(图10的L2')被设定成如图6的L1，并扫描溅射靶材20。

当在如上状态下进行扫描时，如图10，在规定时间内扫描原扫描区间L1'后，在第二个部分和第n-1个部分中出现集中侵蚀的部分，而且在扫描变更扫描区间L2'后，在第一个部分和第n个部分中出现集中侵蚀的部分。

于是，位于最外侧的部分中经过一定时间后出现侵蚀，所以比中央部的侵蚀量相对较少，由此如前面说明的实施例，能够分散整个靶材中集中侵蚀的部分，可进一步提高溅射靶材的使用效率。

示例3

假定p=1,q1=2,q2=3,并反复扫描两次变更扫描区间，此时如图6所示，原扫描区间L1的开始部分和结尾部分为第一个部分和第n个部分；由于q1=2，如图8所示，变更扫描区间的开始部分和结尾部分为第二个部分和第n-1个部分。

而且，由于q2=3，如图12所示，变更扫描区间L3的开始部分和结尾部分为第三个部分和第n-2个部分。

在此，如第一实施例，依次扫描原扫描区间L1和变更扫描区间L2。之后扫描以溅射靶材10上的第三个部分到第n-2个部分为区间的变更扫描区间L3。

此时，如图13所示，由于溅射靶材10的第一、二个部分和第n-1、n个部分位于变更扫描区间L3的外侧，所以几乎不会出现进一步的集中侵蚀。

本实施例的情况也如同如上说明的实施例，分散集中侵蚀的部分，由此能够进一步提高溅射靶材的使用效率。

上述实施例以最典型的例子进行了说明，而且根据需要可设定多个变更扫描区间，而且将各变更扫描区间的各开始部分及结尾部分设定为彼此不同，并在此状态下扫描溅射靶材，由此可提高溅射靶材的使用效率。

接下来，说明本发明第二实施例的使用溅射装置的溅射方法。

图14是在本发明第二实施例的使用溅射装置的溅射方法中使用的溅射装置的示意图。

参照图14，本发明的第二实施例也如同上述第一实施例，将扫描溅射靶材的整个扫描区间从溅射靶材的左侧到右侧分割区划为n个部分（N是正整数）。

而且，为了最大限度地提高溅射靶材10的使用效率，整个扫描区间设定为从左侧端部到右侧端部，但根据需要也可将溅射靶材10的一部分设定为整个扫描区间。而且，分割部分的宽度优选设定为与第一实施例实质上相同。

根据本发明第二实施例的使用溅射装置的溅射方法如下。在如上分割的状态下设定以整个扫描区间中的一部分为区间的多个正向扫描区间和反向扫描区间。

而且，由所设定的多个正向扫描区间和多个反向扫描区间分别构成第一扫描周期和第二扫描周期，并且将各扫描周期中的多个正向扫描区间和反向扫描区间交替排列。

其中，在排列在所述第一扫描周期的多个正向扫描区间中，第一个正向扫描区间的开始部分和结尾部分分别为所述n个部分中的第一个部分和第p个部分，第a个正向扫描区间的开始部分和结尾部分分别为n个部分中的第a个部分和第p+a个部分。

而且，直至最后一个正向扫描区间的结尾部分（p+a）成为n为止进行排列。在此，a、p为整数，而且其值的范围是1≤a≤（n/2），（n/2）+1≤p<n。

排列在所述第二扫描周期的正向扫描区间的排列顺序为排列在第一周期的多个正向扫描区间的倒序。

而且，排列在第一扫描周期和第二扫描周期的多个反向扫描区间与如上排列的多个正向扫描区间交替排列，而且将前一个正向扫描区间的结尾部分作为开始部分，将后一个正向扫描区间的开始部分作为结尾部分，并在此状态下连续移动磁体10。

另外，所述第一扫描周期和第二扫描周期至少交替排列一次，并在此状态下连续移动磁体。

此时，可进一步排列反向扫描区间，以保证磁体扫描的连续性。所述反向扫描区间的开始部分为先排列扫描周期的最后一个正向扫描区间，结尾部分为后排列扫描周期的第一个正向扫描区间。

参照图15具体说明如下。将扫描区间分割区划为十个部分，分别由多个正向扫描区间和多个反向扫描区间组成，而且将所组成的正向扫描区间和反向扫描区间适当排列而设定第一扫描周期和第二扫描周期。

在此，排列在所述第一扫描周期的正向扫描区间中的第一个正向扫描区间设定为其开始部分和结尾部分分别为十个部分中的第一个部分和第六个部分。

而且，第二个正向扫描区间设定为其开始部分和结尾部分分别为十个部分中的第二个部分和第七个部分（6+2-1），第三个正向扫描区间设定为其开始部分和结尾部分分别为十个部分中的第三个部分和第八个部分（6+3-1）。

以此类推依次设定正向扫描区间，而且由于区划成十个部分，所以直至相当于结尾部分为第十个部分（6+5-1）的第五个正向扫描区间为止设定排列五个正向扫描区间。

而且，第一扫描周期的反向扫描区间与所排列的多个正向扫描区间交替排列，并且将所述反向扫描区间设定为其开始部分为前一个正向扫描区间的结尾部分，其结尾部分为后一个正向扫描区间的开始部分。由此能够保证磁体的连续扫描。

所述第二扫描周期按照与所述的第一扫描周期倒序的方式排列正向扫描区间，并以相同的方法排列反向扫描区间。

另外，第一扫描周期和第二扫描周期可交替排列一次以上，而且在交替排列时，可在第一扫描周期的最后一个正向扫描区间和第二扫描周期的最后一个正向扫描区间之间进一步排列反向扫描区间k。由此能够实现磁体的连续扫描。

当沿着如上排列的第一扫描周期和第二扫描周期移动磁体时，如图16所示，在磁体的移动速度降低的部分(开始部分和结尾部分)出现溅射靶材的均匀侵蚀，由此能够提高溅射靶材的使用效率。

接下来，说明根据本发明的第三实施例的使用溅射装置的溅射方法。

根据本发明第三实施例的使用溅射装置的溅射方法，如同第二实施例，将整个扫描区间分割区划为n个部分，并设定以整个扫描区间的一部分为区间的多个正向扫描区间和多个反向扫描区间。

而且，设定分别以多个正向扫描区间和多个反向扫描区间构成的第一扫描周期和第二扫描周期。

其中在所述第一扫描周期中，第一个正向扫描区间的开始部分和结尾部分分别为所述n个部分中的第一个部分和第n个部分，第a个正向扫描区间的开始部分和结尾部分分别为n个部分中的第a个部分和第n-a+1个部分。

此时，在设定第a个正向扫描区间时，如果n为双数，则直到a成为n/2为止进行设定排列，如果n为单数，则直到a成为（n-1）/2为止进行设定排列。其中，a是整数，值的范围是1≤a≤（n/2）。

在所述第二扫描周期中，按照与第一扫描周期中所排列的多个正向扫描区间的倒序排列多个正向扫描区间。

而且，在第一扫描周期和第二扫描周期中构成的多个反向扫描区间分别与所排列的正向扫描区间交替排列。

此时，可将前一个正向扫描区间的结尾部分作为开始部分，将后一个正向扫描区间的开始部分作为结尾部分，由此保证磁体的连续扫描。

另外，所述第一扫描周期和第二扫描周期至少交替排列一次，从而使磁体连续移动。

此时，如第二实施例，可进一步排列反向扫描区间，以保证磁体的扫描连续性。所述反向扫描区间的开始部分为先排列扫描周期的最后一个正向扫描区间的结尾部分，所述反向扫描区间的结尾部分为后排列扫描周期的第一个正向扫描区间的开始部分。

图17是根据本发明第三实施例的溅射装置的单位扫描区间的排列图。参照图17具体说明如下。将扫描区间分割区划为十个部分，并设定分别由多个正向扫描区间和多个反向扫描区间构成且适当排列所构成的正向扫描区间和反向扫描区间的第一扫描周期和第二扫描周期。

其中，在排列在所述第一扫描周期中的正向扫描区间中，将第一个正向扫描区间设定为其开始部分和结尾部分分别为十个部分中的第一个部分和第十个部分。

而且，将第二个正向扫描区间设定为其开始部分和结尾部分分别为十个部分中的第二个部分和第九个部分（10-2+1），将第三个正向扫描区间设定为其开始部分和结尾部分分别为十个部分中的第三个部分和第八个部分（10-3+1）。

以此类推依次设定正向扫描区间，而且由于10为双数，所以一直设定到开始部分为第五部分（10/2）为止，并排列五个正向扫描区间。

而且，在第一扫描周期中的反向扫描区间与所排列的多个正向扫描区间交替排列，并且其开始部分为前一个正向扫描区间的结尾部分，其结尾部分为后一个正向扫描区间的开始部分。由此能够保证磁体的连续扫描。

所述第二扫描周期按照与上述第一扫描周期的倒序排列正向扫描区间，并以相同的方法，排列反向扫描区间。

另外，第一扫描周期和第二扫描周期如同第二实施例，可交替排列一次以上，而且在交替排列时可在第一扫描周期的最后一个正向扫描区间和第二扫描周期的最后一个正向扫描区间之间进一步排列反向扫描区间k。由此能够实现磁体的连续扫描。

接下来，说明根据本发明第三实施例的变形例的使用溅射装置的溅射方法。根据第三实施例的变形例的使用溅射装置的溅射方法与第三实施例相比较，两者的区别在于以单数分割区划整个扫描区间，即n是单数。

在第三实施例的变形例中，由于n为单数，因此在如实施例2设定第一扫描周期和第二扫描周期时，在第一扫描周期中将第a个正向扫描区间设定排列到（n-1）/2为止。其他结构与第三实施例相同，因此省略详细说明。

具体来说，参照图18，假定整个扫描区间被分割区划为九个部分。

此时，将第一扫描周期的最后一个正向扫描区间即第四个正向扫描区间的开始部分设定为第四部分（（9-1）/2），此时将结尾部分设定为第六部分（9-4+1）。

而且，在交替排列第一扫描周期和第二扫描时，如上述第二实施例和第三实施例，可进一步排列额外的反向扫描区间k，由此保证磁体的连续扫描。

设定如上所述的扫描区间，并使磁体沿着所设定的扫描区间移动扫描，就能实现溅射靶材的均匀侵蚀，结果能够显著地提高溅射靶材的使用效率。

另外，随着溅射靶材的使用效率的提高，能够降低溅射工艺的制造成本。

本发明的权利范围并不局限于上述实施例，而在所附的权利要求书记载的范围内可实现为多种形态的实施例。在不脱离权利要求书中要求保护的本发明精神的范围内，本发明所属技术领域中的技术人员均能变形的各种范围也应属于本发明的权利要求范围。

符号说明

10:溅射靶材

20:磁体

Claims (13)

1.一种使用溅射装置的溅射方法，设定从溅射靶材的一侧到另一侧的整个扫描区间，并使磁体沿着所述整个扫描区间做正向和反向的连续多次往返运动，以扫描所述溅射靶材，其特征在于，包括：

原扫描步骤，以扫描方向为基准从所述溅射靶材的左侧端部到右侧端部将所述整个扫描区间区划为n个部分，并设定分别以第p个部分和第n-p+1个部分为开始部分和结尾部分的原扫描区间，并使所述磁体将所述原扫描区间至少往返扫描一次，其中n为等于或大于4的整数，p为等于或大于1且等于或小于n/2的整数；及

变更扫描步骤，在所述原扫描步骤后，设定分别以第q个部分和第n-q+1个部分为开始部分和结尾部分的变更扫描区间，并使所述磁体将所述变更扫描部分至少往返扫描一次，其中q为等于或大于1且等于或小于n/2的整数，并且q≠p，

所述变更扫描步骤至少执行一次；

其中，所述磁体在所述原扫描步骤期间不扫描所述原扫描区间外部的区间，以及所述磁体在所述变更扫描步骤期间不扫描所述变更扫描区间外部的区间。

2.根据权利要求1所述的使用溅射装置的溅射方法，其特征在于，

在所述变更扫描步骤中，所述q为p-1或p+1。

3.根据权利要求1所述的使用溅射装置的溅射方法，其特征在于，

当所述变更扫描步骤执行两次以上时，将多个变更扫描区间的开始部分设定为互不相同。

4.根据权利要求1所述的使用溅射装置的溅射方法，其特征在于，

将所述n个部分中每个部分的宽度设定为实质上相同。

5.根据权利要求1所述的使用溅射装置的溅射方法，其特征在于，

将所述n个部分中每个部分的宽度设定为实质上与磁体的宽度相同。

6.一种使用溅射装置的溅射方法，设定从溅射靶材的一侧到另一侧的整个扫描区间，使磁体沿着整个扫描区间做正向和反向的连续多次往返运动，以扫描所述溅射靶材，其特征在于，包括以下步骤：

设定被分割为n个部分的所述整个扫描区间，其中n为正整数；

设定将所述整个扫描区间中的至少一部分作为区间的多个正向扫描区间和多个反向扫描区间；

设定分别由多个所述正向扫描区间和多个所述反向扫描区间组成的第一扫描周期和第二扫描周期；

所述第一扫描周期如下：将所述n个部分中的第一个部分和第p个部分分别设定为第一个正向扫描区间的开始部分和结尾部分，将所述n个部分中的第a个部分和第p+a-1个部分分别设定为第a个正向扫描区间的开始部分和结尾部分，以此类推将多个正向扫描区间排列至p+a-1成为n为止，其中，1≤a≤n/2,(n/2)+1≤p<n,a、p为整数，

所述第二扫描周期如下：按所述第一扫描周期中排列的多个正向扫描区间的倒序排列多个正向扫描区间，

在所述第一扫描周期和所述第二扫描周期中构成的多个反向扫描区间分别以前一个正向扫描区间的结尾部分作为开始部分，以后一个正向扫描区间的开始部分作为结尾部分，以使磁体连续移动，

所述第一扫描周期和所述第二扫描周期至少交替排列一次。

7.根据权利要求6所述的使用溅射装置的溅射方法，其特征在于,

在所述第一扫描周期和所述第二扫描周期交替排列时，进一步排列以先排列扫描周期的最后一个正向扫描区间的结尾部分作为开始部分，以后排列扫描周期的第一个正向扫描区间的开始部分作为结尾部分的反向扫描区间。

8.根据权利要求6所述的使用溅射装置的溅射方法，其特征在于,

将所述n个部分中每个部分的宽度设定为实质上相同。

9.根据权利要求6所述的使用溅射装置的溅射方法，其特征在于,

将所述n个部分中每个部分的宽度设定为与磁体的宽度实质上相同。

10.一种使用溅射装置的溅射方法，设定从溅射靶材的一侧到另一侧的整个扫描区间，并使磁体沿着所述整个扫描区间做正向和反向的连续多次的往返运动，以扫描所述溅射靶材，其特征在于，包括以下步骤：

设定分割为n个部分的所述整个扫描区间，其中n为正整数；

设定将所述整个扫描区间中至少一部分作为区间并交替排列的多个正向扫描区间和多个反向扫描区间；

设定分别由多个所述正向扫描区间和多个所述反向扫描区间构成的第一扫描周期和第二扫描周期，

所述第一扫描周期如下：将所述n个部分中的第一个部分和第n个部分分别设定为第一个正向扫描区间的开始部分和结尾部分，将所述n个部分中的第a个部分和第n-a+1个部分分别设定为第a个正向扫描区间的开始部分和结尾部分，当n为双数时，将多个正向扫描区间排列到a成为n/2为止，当n为单数时，将多个正向扫描区间排列到(n-1)/2为止，其中1≤a≤n/2，a为整数，

所述第二扫描周期如下：按所述第一扫描周期中排列的多个正向扫描区间的倒序排列多个正向扫描区间，

所述第一扫描周期和所述第二扫描周期中的多个反向扫描区间分别以前一个正向扫描区间的结尾部分作为开始部分，以后一个正向扫描区间的开始部分作为结尾部分，以使磁体连续移动，

所述第一扫描周期和所述第二扫描周期至少交替排列一次。

11.根据权利要求10所述的使用溅射装置的溅射方法，其特征在于,

在所述第一扫描周期和所述第二扫描周期交替排列时，进一步排列以先排列扫描周期的最后一个正向扫描区间的结尾部分作为开始部分，以后排列扫描周期的第一个正向扫描区间的开始部分作为结尾部分的反向扫描区间。

12.根据权利要求10所述的使用溅射装置的溅射方法，其特征在于,

将所述n个部分中每个部分的宽度设定为实质上相同。

13.根据权利要求10所述的使用溅射装置的溅射方法，其特征在于,

将所述n个部分中每个部分的宽度设定为与磁体的宽度实质上相同。