CN103086586A - 玻璃基板的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明的玻璃基板的特征在于，基板尺寸为1100mm×1250mm以上，且在路径长度50mm下的波长500～800nm的透射率为80％以上。

Description

玻璃基板的制造方法
本申请是200880114584.8(国际申请号：PCT/JP2008/072940)的分案申请，原申请的申请日为2008年12月17日，原申请的发明名称玻璃基板
技术领域
本发明涉及适合于液晶显示器(LCD)、电致发光(EL)显示器、等离子体显示板(PDP)、具有各种电子发射元件的各种形式的场致发光显示器(FED)等平板显示器用基板的玻璃基板。
背景技术
薄膜晶体管型有源矩阵LCD(TFT-LCD)等电子器件由于薄且电耗少，因此被用于汽车导航仪、数码相机的取景器、以及电脑的显示屏、电视机等各种用途。
通常，作为TFT-LCD用玻璃基板的材质，采用实质上不含碱金属氧化物的铝硼硅酸玻璃，迄今为止已提出了各种玻璃组成(参照专利文献1～3)。
但是，TFT-LCD面板制造者是通过在玻璃制造者加工成形了的玻璃基板(坯板)上制作多个单元后，再将每个单元分割切断，取得产品，由此来提高生产率、降低成本。近年来，电脑的显示屏、电视机等的画面尺寸不断变大，为了将这些显示器进行多倒角，需要大型的玻璃基板。
专利文献1：日本专利第2990379号公报
专利文献2：日本专利第3465238号公报
专利文献3：日本特开2002-29775号公报
发明内容
如上所述，近年来玻璃基板的基板尺寸有变大的趋势，如今正在使用基板尺寸为2000mm×2000mm以上的玻璃基板。但是，当玻璃基板的基板尺寸变大时，难以恰当地进行熔融缺陷检查，很难得到没有熔融缺陷的玻璃基板。
具体而言，玻璃基板的熔融缺陷检查通过如下方式来进行：从玻璃基板的一侧基板端面入射光，检测透射至另一侧的基板端面侧(非入射侧)的光来进行熔融缺陷检查。若采用该方法，当玻璃基板存在熔融缺陷时，由于从一侧基板端面入射的光照射到熔融缺陷而发生散射，因此从玻璃基板的表面通过肉眼或CCD照相机等观察、测定该散射光，即可检测出有无熔融缺陷。若限定端面方向导入入射光，则光源的光不易对检测精度带来影响，其结果是，能高精度化地进行熔融缺陷检查。但是，若玻璃基板的基板尺寸变大，则到达另一侧的基板端面侧(非入射侧)的路径长度变长，入射的光被玻璃吸收的比例增加，因此透过玻璃基板的光量下降，其结果是，即使在玻璃基板上存在熔融缺陷，也无法在另一侧的基板端面侧(非入射侧)得到足够的照度，很难检测出熔融缺陷。该问题在玻璃基板的基板尺寸为1100mm×1250mm以上、特别是2000mm×2000mm以上时更为显著。
对于基板尺寸大的玻璃基板，为了提高熔融缺陷的检测精度，可以设想提高光源侧的照度的方法，但若光源侧的照度过高，反而会使入射光的基板端面附近过亮，很难检测出微细的熔融缺陷，终究不是有效的解决方法。
为此，本发明的技术课题在于当基板尺寸为1100mm×1250mm以上、特别是2000mm×2000mm以上时，通过对玻璃基板整个面恰当地进行熔融缺陷检查而得到无熔融缺陷的大型玻璃基板。
本发明者等进行了潜心研究，结果发现：在玻璃基板的基板尺寸大的情况下，以在路径长度(厚度)50mm下的波长500～800nm的透射率为指标，能评价熔融缺陷检查的检查精度，并且通过控制在路径长度50mm下的波长500～800nm的透射率，能解决上述技术课题，从而提出本发明。即，本发明的玻璃基板的特征在于，基板尺寸为1100mm×1250mm以上，且在路径长度50mm下的波长500～800nm的透射率为80％以上。这里，“基板尺寸”是指玻璃基板的表面和背面中一个面的面积。另外，“在路径长度50mm下的波长500～800nm的透射率为80％以上”是指在波长500～800nm的整个范围内透射率为80％以上。
在玻璃基板的基板尺寸为1100mm×1250mm以上的情况下，若将在路径长度50mm下的波长500～800nm的透射率控制在80％以上，则入射到玻璃基板的一侧的基板端面的光被玻璃吸收的比例变小，即使到达另一侧的基板端面侧(非入射侧)的路径长度变长，也能抑制透过玻璃基板的光量的下降，即在另一侧的基板端面侧(非入射侧)附近能得到足够的照度，其结果是能对玻璃基板整个面恰当地检测熔融缺陷。
另外，本发明的玻璃基板的特征在于，在上述构成中，不含25μm以上的熔融缺陷。这样的话，能减少由玻璃基板引起的图像缺陷，因而能很好地应对显示器的高精细化、高性能化。这里，“熔融缺陷”包括未熔解原料、耐火物的混入、脱玻点、气泡等。
另外，本发明的玻璃基板的特征在于，在上述构成中，玻璃组成中含有0.001～0.03质量％的Fe2O3。这里，本发明所谓的“Fe2O3”不仅包括以Fe3+的形态存在的氧化铁，还包括以Fe2+的形态存在的氧化铁。另外，以Fe2+的形态存在的氧化铁换算成Fe2O3来表示。
另外，本发明的玻璃基板的特征在于，在上述构成中，基板端面的平均表面粗糙度Ra为1μm以下。这里，“基板端面的平均表面粗糙度Ra”是指利用根据JIS B0601：2001的方法测定的值，是指在评价长度8mm、切断值(cut off)λc＝0.8mm、切断比λc/λs＝100的条件下测定的值。
另外，本发明的玻璃基板的特征在于，在上述构成中，基板表面未经研磨，且波纹度为0.1μm以下。这里，“基板表面未经研磨”是指除玻璃基板的端面之外的至少玻璃基板的表面(优选保证面)、优选为玻璃基板的表面背面两个面未研磨。另外，“波纹度”是指使用触针式的表面形状测定装置测定JIS B-0610中记载的WCA(滤波中心线波纹度)而得到的值，该测定采用根据SEMI STD D15-1296“FPD玻璃基板的表面波纹度的测定方法”的方法来测定，测定时的切断值为0.8～8mm，并且测定与玻璃基板的拉出方向相垂直的方向上300mm的长度。
本发明的玻璃基板的特征在于，在上述构成中，通过溢流下拉法(overflow down draw)成形而成。这样的话，能得到未研磨且基板表面平滑的玻璃基板。
本发明的玻璃基板的特征在于，在上述构成中，作为玻璃组成，以下述氧化物换算的质量％计，含有50～80％的SiO2、0～20％的B2O3、0～15％的MgO、0～15％的CaO、0～15％的SrO、0～15％的BaO、0～15％的Na2O、0～10％的K2O、0.001～0.03％的Fe2O3。
本发明的玻璃基板的特征在于，在上述构成中，作为玻璃组成，含有3～20质量％的B2O3，且实质上不含碱金属氧化物(Li2O、Na2O、K2O)。这里，“实质上不含碱金属氧化物”是指玻璃组成中的碱金属氧化物的含量为1000ppm(质量)以下的情况。
本发明的玻璃基板适用于显示器、尤其是液晶显示器和有机EL显示器。
另外，本发明者等通过潜心研究发现：通过控制在路径长度(厚度)50mm下的波长550nm的透射率以及路径长度50mm下的波长550nm的透射率与路径长度50mm下的波长650nm的透射率之差，能解决上述技术课题，从而提出本发明。即，本发明的玻璃基板的特征在于，基板尺寸为1100mm×1250mm以上，在路径长度50mm下的波长550nm的透射率为85％以上，并且在路径长度50mm下的波长550nm的透射率与在路径长度50mm下的波长650nm的透射率之差为3％以下。这里，“基板尺寸”是指玻璃基板的表面背面中一个面的面积。
在玻璃基板的基板尺寸为1100mm×1250mm以上的情况下，若将路径长度50mm下的波长550nm的透射率控制在85％以上，则入射到玻璃基板的一侧的基板端面的光被玻璃吸收的比例变小，即使到达另一侧的基板端面侧(非入射侧)的路径长度变长，也能抑制透过玻璃基板的光量的下降，即在另一侧的基板端面侧(非入射侧)附近能得到足够的照度，其结果是能对玻璃基板整个面恰当地检测熔融缺陷。
本发明者等通过潜心研究发现玻璃组成中的Cr3+使玻璃基板的透射率下降，对熔融缺陷检查的检查精度有较大影响，因此将Cr3+的影响作为评价指标，控制在路径长度50mm下的波长550nm的透射率与路径长度50mm下的波长650nm的透射率之差。即，本发明的玻璃基板当基板尺寸为1100mm×1250mm以上的情况下，将在路径长度50mm下的波长550nm的透射率与在路径长度50mm下的波长650nm的透射率之差控制在3％以下，防止因Cr3+引起的熔融缺陷检查的检查精度下降的现象。这里，Cr3+的吸收少的波长550nm的透射率与Cr3+的吸收大的波长650nm的透射率之差越大，意味着Cr3+的影响越大。
本发明的玻璃基板的特征在于，在上述构成中，不含25μm以上的熔融缺陷。这样的话，能减少由玻璃基板引起的图像缺陷，因而能很好地应对显示器的高精细化、高性能化。这里，“熔融缺陷”包括未熔解原料、耐火物的混入、脱玻点、气泡等。
本发明的玻璃基板的特征在于，在上述构成中，玻璃组成中含有0.0001～0.002质量％的Cr2O3。将Cr2O3的含量控制在0.0001～0.002质量％，容易防止因Cr3+引起的熔融缺陷检查的检查精度下降的现象。
本发明的玻璃基板的特征在于，在上述构成中，基板端面的平均表面粗糙度Ra为1μm以下。这里，“基板端面的平均表面粗糙度Ra”遵照上述定义。
本发明的玻璃基板的特征在于，在上述构成中，基板表面未经研磨，且波纹度为0.1μm以下。这里，“基板表面未经研磨”、“波纹度”遵照上述定义。
本发明的玻璃基板的特征在于，在上述构成中，通过溢流下拉法成形而成。这样的话，能得到未经研磨且基板表面平滑的玻璃基板。
本发明的玻璃基板的特征在于，在上述构成中，作为玻璃组成，以下述氧化物换算的质量％计，含有50～80％的SiO2、0～20％的B2O3、0～15％的MgO、0～15％的CaO、0～15％的SrO、0～15％的BaO、0～15％的Na2O、0～10％的K2O、0.0001～0.002％的Cr2O3。
本发明的玻璃基板的特征在于，在上述构成中，作为玻璃组成，含有3～20质量％的B2O3，且实质上不含碱金属氧化物(Li2O、Na2O、K2O)。这里，“实质上不含碱金属氧化物”是指玻璃组成中的碱金属氧化物的含量为1000ppm(质量)以下的情况。
本发明的玻璃基板的特征在于，适用于显示器、尤其是液晶显示器和有机EL显示器。
具体实施方式
在第1实施方式的玻璃基板中，基板尺寸为1100mm×1250mm以上，优选为1500mm×1800mm以上，进一步优选为1870mm×2200mm以上，更优选为2350×2500mm以上，特别优选为2400×2800mm以上，最优选为2850×3050mm以上。即，玻璃基板的基板尺寸越大，本发明的效果越大。由于玻璃基板的基板尺寸越大，熔融缺陷检查所需的路径长度越长，因此很难得到检查熔融缺陷所需的照度。但是，该实施方式的玻璃基板由于在路径长度50mm下的波长500～800nm的透射率高，因此即使基板尺寸大，也能切实地检测出玻璃基板中的熔融缺陷。另外，该实施方式的玻璃基板中，基板尺寸的上限没有特殊限制，但考虑到玻璃基板的生产率，优选为4000mm×4000mm以下。
在该实施方式的玻璃基板中，路径长度50mm下的波长500～800nm的透射率为80％以上，优选为81％以上，进一步优选为82％以上，更优选为83％以上。这样的话，在玻璃基板的基板尺寸大的情况下，能恰当地进行熔融缺陷检查，能切实地检测出存在于玻璃基板的熔融缺陷。
该实施方式的玻璃基板优选不含25μm以上(优选为20μm以上、进一步优选为15μm以上)的熔融缺陷。若在玻璃基板上存在25μm以上的熔融缺陷，则会阻碍显示器的高精细化、高性能化的实现。本发明的玻璃基板即使基板尺寸大也能恰当地进行熔融缺陷检查，因此能容易地检测出含有25μm以上的熔融缺陷的玻璃基板。
Fe2O3是作为杂质在玻璃原料等中含有的成分。在玻璃组成中，氧化铁主要以Fe2+和Fe3+这两种形式存在。Fe3+在可见区域～紫外区域(350～450nm附近)、Fe2+在600～1000nm的长波长区域产生光的吸收。Fe2+和Fe3+的存在比率因熔融条件(熔融温度、熔融气氛、熔融时间等)、玻璃原料以及杂质等各种因素而不同。因此，路径长度50mm下的波长500～800nm的透射率不仅仅由玻璃组成中的Fe2O3的含量来决定。但是，若将Fe2O3的含量控制在0.03％以下、优选为0.025％以下、进一步优选为0.02％以下，则容易将路径长度50mm下的波长500～800nm的透射率控制在80％以上。
若使Fe2O3的含量为0，则能提高在路径长度50mm下的波长500～800的透射率。但在这种情况下，必须使用高纯度的玻璃原料的同时，严格管理玻璃基板的制造工序，使杂质Fe2O3的含量为0，因此玻璃基板的制造成本不合理地上升，并不现实。因此，若考虑到玻璃基板的制造成本，最好将Fe2O3的含量控制在0.001％以上(优选为0.005％以上、进一步优选为0.006％以上、更优选为0.007％以上)。
除Fe2O3以外，还优选尽量减少在可见光区域吸收光或在可见光区域增强光吸收的成分、例如过渡金属氧化物的含量。例如，优选将CeO2的含量控制在0.1％以下(优选为0.05％以下、进一步优选为0.01％以下)。但是，与Fe2O3的情况同样，若考虑到玻璃基板的制造成本，优选将CeO2的含量控制在0.001％以上。另外，还优选将TiO2的含量控制在0.1％以下(优选为0.05％以下、进一步优选为0.01％以下)。但若考虑到玻璃基板的制造成本，优选将TiO2的含量控制在0.001％以上。此外，优选将NiO的含量控制在0.05％以下(优选为0.01％以下、进一步优选为0.005％以下)。但若考虑到玻璃基板的制造成本，优选将NiO的含量控制在0.001％以上。
在该实施方式的玻璃基板中，基板表面优选为未研磨。若基板表面未研磨，则由于省略了研磨工序，因此能大幅降低玻璃基板的制造成本。另外，在该实施方式的玻璃基板中，波纹度优选为0.1μm以下(优选为0.05μm以下，进一步优选为0.03μm以下，更优选为0.01μm以下)。若玻璃基板的波纹度大于0.1μm，则在LCD等制造工序中，会导致单元间隙的偏差，可能会引起显示不均。另外，若在调节制造条件后用溢流下拉法成形成玻璃基板，则可以得到基板表面为未研磨且波纹度为0.1μm以下的玻璃基板。
在该实施方式的玻璃基板中，基板端面的平均表面粗糙度Ra优选为1μm以下，进一步优选为0.5μm以下。关于玻璃基板的熔融缺陷检查，从玻璃基板的一侧的基板端面入射光，测定到达另一侧的基板端面侧(非入射侧)的光的照度。因此，玻璃基板的基板断面的表面状态会对熔融缺陷检查带来很大影响。若基板端面的平均表面粗糙度Ra大于1μm，则光会在基板端面发生散射，熔融缺陷检查的检查精度容易下降。
LCD或有机EL显示器中使用的玻璃基板还要求具有以下的特性。
(1)具有不会因光刻工序中使用的各种酸、碱等试剂而劣化的耐试剂性。
(2)不会在成膜、退火等热处理工序中热收缩。因此要具有高的应变点。
(3)玻璃熔融性或成形性优异，不会发生玻璃基板所不希望的熔融缺陷。
该实施方式的玻璃基板优选在80℃的10％HCl水溶液中浸渍3小时后肉眼观察不到表面有白浊、粗糙。另外，该实施方式的玻璃基板还优选在20℃的63BHF溶液(HF：6质量％，NH4F：30质量％)中浸渍15分钟后肉眼观察不到表面有白浊、粗糙。在TFT-LCD用玻璃基板的表面，形成透明导电膜、绝缘膜、半导体膜、金属膜等，还通过光刻形成各种电路或图案。在这些成膜工序或光刻工序中，对玻璃基板实施各种热处理和试剂处理。通常，在TFT-Array工序中，反复进行成膜工序→抗蚀图案形成工序→蚀刻工序→抗蚀剂剥离工序这一系列工序。此时，作为蚀刻液，在Al、Mo类膜的蚀刻中，采用磷酸类溶液，在ITO类膜的蚀刻中，采用王水(HCl+HNO3)类溶液，在SiNx、SiO2膜等的蚀刻中，采用BHF溶液等各种试剂液，考虑到降低成本，这些试剂液并非用完即仍，而是形成循环的液体流路。若玻璃基板的耐试剂性低，则在蚀刻时有可能会引起各种问题，诸如：试剂液与玻璃基板的反应产物会导致循环的液体流路的过滤器堵塞，或因不均蚀刻而在玻璃基板表面产生白浊，或因蚀刻液的成分改变而使蚀刻率变得不稳定等。
在该实施方式的玻璃基板中，应变点优选为630℃以上，进一步优选为635℃以上，更优选为640℃以上，最优选为645℃以上。在TFT-LCD的制造工序中，玻璃基板要进行高温的热处理。若玻璃基板的应变点不足630℃，则例如玻璃基板在400～600℃下被热处理时，会产生被称为热收缩的微小的尺寸收缩，这有可能会引起TFT的像素间距的偏移而导致显示不良。另外，若玻璃基板的应变点不足630℃，则有可能会产生玻璃基板的变形、翘曲等。这里，“应变点”是指采用根据ASTM C336的方法测定的值。
在该实施方式的玻璃基板中，液相温度优选为1200℃以下，进一步优选为1150℃以下，更优选为1080℃以下，特别优选为1050℃以下，最优选为1030℃以下。通常，溢流下拉法与浮动法(float method)等其他的成形方法相比，由于玻璃成形时的粘度高，因此若玻璃的耐失透性差，则成形中会产生脱玻点，很难成形为玻璃基板。具体而言，若液相温度高于1200℃，则很难用溢流下拉法成形，难以得到表面品质良好的玻璃基板。也就是说，若液相温度高于1200℃，则会对玻璃基板的成形方法带来不合理的制约，很难成形成具有所需的表面品质的玻璃基板。这里，关于“液相温度”是指将玻璃粉碎，并通过标准筛30目(500μm)，将残留于50目(300μm)的玻璃粉末装入铂蒸发皿，在温度梯度炉中保持24小时后，在玻璃中析出结晶的温度。
在该实施方式的玻璃基板中，102.5dPa·s下的温度优选为1575℃以下，进一步优选为1560℃以下。若将玻璃在高温下长时间熔融，则能减少玻璃中的气泡和异物等熔融缺陷，但高温范围下的熔融会增加玻璃熔融炉的负担。例如炉所使用的氧化铝或氧化锆等耐火物，越是高温，熔融玻璃的侵蚀越厉害，炉的生命周期也随之变短。另外，将炉的内部保持高温的运行成本与低温下熔融的情况相比要高。因此，高温范围下的熔融对于制造玻璃基板不利。另外，高温粘度102.5dPa·s下的熔融玻璃的温度相当于熔融温度。这里“102.5dPa·s下的温度”是指用已知的铂上提法测定的值。
该实施方式的玻璃基板优选，作为玻璃组成，以下述氧化物换算的质量％计，含有50～80％的SiO2、0～20％的B2O3、0～15％的MgO、0～15％的CaO、0～15％的SrO、0～15％的BaO、0～15％的Na2O、0～10％的K2O、0.001～0.03％的Fe2O3，当用于LCD或有机EL显示器时，优选作为玻璃组成，以下述氧化物换算的质量％计，含有50～80％的SiO2、3～20％的B2O3、0～15％的MgO、3～15％的CaO、0～15％的SrO、0～15％的BaO、0.001～0.03％的Fe2O3，且实质上不含碱金属氧化物。
在该实施方式的玻璃基板中，如上所述那样限定玻璃组成范围的理由如下所述。另外，以下的％符号除特殊说明外，是指质量％。
SiO2是玻璃的网络形成体，是提高玻璃耐热性的成分，具体而言，是具有提高应变点、减小玻璃基板的热收缩的效果的成分，其含量为50～80％，优选为52～70％，进一步优选为54～68％。若SiO2的含量多，则玻璃的高温粘性过高，玻璃的熔融性下降，而且容易析出方石英的脱玻点。另一方面，若SiO2的含量少，则玻璃的耐酸性和应变点存在下降的倾向。
Al2O3是提高玻璃的应变点、抑制方石英的脱玻点的析出、降低玻璃的液相温度的成分，其含量为5～25％，优选为7～22％，进一步优选为9～20％。若Al2O3的含量多，则玻璃的耐氢氟酸缓冲液性(耐BHF性)会下降，或玻璃的液相温度上升而难以成形为玻璃基板。另一方面，若Al2O3的含量少，则玻璃的应变点存在下降的倾向。
B2O3是作为熔剂起作用、降低玻璃的粘性、改善玻璃的熔融性的成分，其含量为0～20％，优选为3～20％，进一步优选为5～15％，更优选为6～14％，特别优选为7～13％。若是玻璃组成中实质上不含碱金属氧化物的无碱玻璃，则B2O3是必须成分，在玻璃组成中必须含有3％以上、优选为6％以上、进一步优选为7％以上的B2O3。若B2O3的含量多，则存在玻璃的应变点下降、或玻璃的耐酸性下降的倾向。另一方面，若B2O3的含量少，则难以得到作为熔剂的效果。
MgO是不降低玻璃的应变点而只降低高温粘性、改善玻璃的熔融性的成分，其含量为0～15％，优选为0～10％，进一步优选为0～7％，更优选为0～0.5％。若MgO的含量多，则容易产生方石英或顽辉石的脱玻点。另外，若MgO的含量多，则耐BHF性会下降，在光刻工序中玻璃基板被侵蚀，其反应产物附着于玻璃基板的表面，玻璃基板容易白浊。
CaO是不降低玻璃的应变点而只降低高温粘性、改善玻璃的熔融性的成分，其含量为0～15％，优选为0～12％，进一步优选为3～10％。若是无碱玻璃，则CaO为必须成分，在玻璃组成中必须含有3％以上的CaO。若CaO的含量多，则耐BHF性会下降，而且玻璃的密度和热膨胀系数存在上升的倾向。
SrO是提高玻璃的耐试剂性和耐失透性的成分，其含量为0～15％，优选为0～12％，进一步优选为1～10％。若SrO的含量多，则玻璃的密度和热膨胀系数存在上升的倾向。
BaO是提高玻璃的耐试剂性和耐失透性的成分，其含量为0～15％，优选为0～12％，进一步优选为0～10％。若BaO的含量多，则玻璃的密度和热膨胀系数存在上升的倾向。
关于碱土类金属氧化物(MgO、CaO、SrO、BaO)，混合含有它们虽然能提高玻璃的熔融性和耐失透性，但当这些成分较多时，玻璃的密度存在上升的倾向，玻璃基板的轻量化变难。关于碱土类氧化物的含量，总计为0～25％，优选为1～22％，进一步优选为5～20％，更优选为7～18％。
Na2O是控制玻璃的热膨胀系数、提高玻璃的熔融性的成分，其含量为0～15％，优选为0～10％。若Na2O的含量多，则玻璃的应变点存在下降的倾向。K2O是控制玻璃的热膨胀系数、提高玻璃的熔融性的成分，其含量为0～10％。若K2O的含量多，则玻璃的应变点存在下降的倾向。另外，当用于LCD或有机EL显示器时，优选实质上不含碱金属氧化物(Na2O、K2O、Li2O)。这样的话，在TFT的制造工序中，在热处理中，碱金属离子扩散到已成膜的半导体物质中，无需担心膜特性劣化，不会损害TFT的可靠性。
Fe2O3是影响玻璃的透射率的成分，其含量为0.001～0.03％，优选为0.001～0.025％，进一步优选为0.005～0.02％，更优选为0.006～0.02％，特别优选为0.007～0.02％。若Fe2O3的含量多于0.03％，则玻璃基板的透射率容易下降。另一方面，若Fe2O3的含量少于0.001％，则必须使用高纯度的玻璃原料，且必须严格管理玻璃基板的制造工序，因此玻璃基板的制造成本会不合理地上升。
该实施方式的玻璃基板的玻璃组成中，除含有上述成分以外还可含有15％以下的下述成分。
ZnO是改善玻璃的耐BHF性且改善玻璃的熔融性的成分，其含量为0～10％，优选为0～5％，进一步优选为0～3％。若ZnO的含量多，则玻璃容易脱玻，应变点容易下降。
ZrO2是改善玻璃的耐试剂性、尤其是耐酸性、提高杨氏模量的成分，其含量为0～10％，优选为0～2％，进一步优选为0～1％。若ZrO2的含量多，则玻璃的液相温度上升，容易产生锆石的脱玻点。
As2O3、Sb2O3、SnO2、Cl、F是作为澄清剂起作用的成分，其含量按总计为0～2％，优选为0～1.5％，进一步优选为0.01～1％。另外，还可以在不影响玻璃基板的透射率的范围内含有C、SO3作为澄清剂。但从环境保护的观点出发，作为澄清剂，优选实质上不含有As2O3。这里，“实质上不含有As2O3、”是指玻璃组成中的As2O3的含量为1000ppm(质量)以下。另外，从环境保护的观点出发，作为澄清剂，优选实质上不含Sb2O3。这里“实质上不含Sb2O3”是指玻璃组成中的Sb2O3的含量为1000ppm(质量)以下。
As2O3是影响透射率的成分，若玻璃组成中含有As2O3，则玻璃基板的透射率容易下降。另一方面，关于SnO2，若在玻璃组成中含有0.01～2％、0.05～1％、特别是0.1～0.5％的SnO2，则利用SnO2的还原效果，能提高玻璃的透射率。另外，如上所述，As2O3、Sb2O3从环境保护的观点出发，优选实质上不含As2O3。考虑到上述观点，作为澄清剂，优选含有SnO2作为必须成分，而实质上不含As2O3、Sb2O3。
Cr2O3是影响玻璃的透射率的成分，其含量为0～0.001％，优选为0.0001～0.002％，进一步优选为0.0002～0.0015％，更优选为0.0003～0.001％。Cr3+由于在波长范围400～550nm和波长范围550～700nm处吸收光，因此若Cr2O3的含量多于0.002％，则熔融缺陷检查的检查精度容易下降。另一方面，若Cr2O3的含量少于0.0001％，则必须在使用高纯度的玻璃原料的同时，严格管理玻璃基板的制造工序，因此玻璃基板的制造成本会不合理地上升。
另外，如上所述，优选尽量减少在可见光区域吸收光或在可见光区域增强光吸收的成分、例如过渡金属氧化物的含量。例如，优选将CeO2的含量控制在0.1％以下(优选为0.05％以下、进一步优选为0.01％以下)。但若考虑到玻璃基板的制造成本，优选将CeO2的含量控制在0.001％以上。另外，还优选将TiO2的含量控制在0.1％以下(优选为0.05％以下、进一步优选为0.01％以下)。但若考虑到玻璃基板的制造成本，优选将TiO2的含量控制在0.001％以上。此外，优选将NiO的含量控制在0.05％以下(优选为0.01％以下、进一步优选为0.005％以下)。但若考虑到玻璃基板的制造成本，优选将NiO的含量控制在0.001％以上。
除上述成分以外，还可以添加在500～800nm的波长范围内具有显著吸收的成分，例如可以含有5％以下的Y2O3、Nb2O5、La2O3。这些成分具有提高玻璃的应变点、杨氏模量等的作用，但若其含量多，则密度存在增大的倾向。
该实施方式的玻璃基板可以通过如下方法来制造：将按所需的玻璃组成调制而成的玻璃原料投入连续熔融炉中，将玻璃原料在1450～1650℃下加热熔融，澄清后，提供于成形装置，将熔融玻璃成形为板状，并缓慢冷却，由此来制造玻璃基板。另外，作为使波长500～800nm下的玻璃基板的透射率为80％以上的方法，可以列举如下方法：(1)使用使透射率下降的杂质少的玻璃原料、特别是Fe2O3少的玻璃原料；(2)避免在玻璃基板的制造工序中混入Fe2O3等；(3)调节玻璃的熔融条件、例如熔融温度、熔融气氛、熔融时间等。
作为熔融槽的材质，优选使用氧化铝质电铸砖等氧化铝耐火物、氧化锆耐火物、锆石耐火物、石英块等石英耐火物等。这些耐火物不易被熔融玻璃侵蚀，向玻璃中的成分溶出少，因而优选。
该实施方式的玻璃基板优选用溢流下拉法成形而成。若用溢流下拉法成形成玻璃基板，则能制造未研磨且表面品质良好的玻璃基板。其理由为若采用溢流下拉法，则应成为玻璃基板的表面的面不会与管状耐火物接触，而在自由表面的状态下成形。这里，溢流下拉法是指使熔融玻璃从具有耐热性的管状耐火物的两侧溢出，并使溢出的熔融玻璃在管状耐火物的下流汇合，与此同时，向下方延伸成形来制造玻璃基板。管状耐火物的结构和材质只要是能实现使玻璃基板的尺寸和表面精度为所需的状态并能在玻璃基板中使用的品质即可，没有特殊限制。另外，可以用任何方法对玻璃基板施加力以进行下方的延伸成形。例如，可以采用在使具有足够大的宽度的耐热性辊与玻璃基板接触的状态下旋转延伸的方法，也可以采用使成多对的耐热性辊仅与玻璃基板的端面附近接触而延伸的方法。另外，若液相温度为1200℃以下、液相粘度为104.0dPa·s以上，即可用溢流下拉法制造玻璃基板。
作为该实施方式的玻璃基板的成形方法，除溢流下拉法以外，还可以采用各种方法。例如，可以采用浮动法、流孔下引法(slot down drawmethod)、转出法(rollout method)等成形方法。
该实施方式的玻璃基板优选用于显示器。该实施方式的玻璃基板由于在路径长度50mm下的波长500～800nm的透射率高，因此容易检测出熔融缺陷，能够满足近年来的显示器的高精细化、高功能化的要求。另外，该实施方式的玻璃基板还优选用于LCD或有机EL显示器。该实施方式的玻璃基板由于基板尺寸大且在路径长度50mm下的波长500～800nm的透射率高，因此容易实现LCD或有机EL显示器的生产率的提高、成本的降低。此外，该实施方式的玻璃基板由于能够满足LCD或有机EL显示器所需的各种特性，因此优选用于此用途。
在第2实施方式的玻璃基板中，基板尺寸为1100mm×1250mm以上，优选为1500mm×1800mm以上，进一步优选为1870mm×2200mm以上，更优选为2350×2500mm以上，特别优选为2400×2800mm以上，最优选为2850×3050mm以上。即，玻璃基板的基板尺寸越大，本发明的效果越大。由于玻璃基板的基板尺寸越大，熔融缺陷检查所需的路径长度越长，因此很难得到检查熔融缺陷所需的照度。但是，该实施方式的玻璃基板由于在路径长度50mm下的波长550nm的透射率最高，且路径长度50mm下的波长550nm的透射率与路径长度50mm下的波长650nm的透射率之差小，因此即使基板尺寸大，也能切实地检测出玻璃基板中的熔融缺陷。另外，该实施方式的玻璃基板中，基板尺寸的上限没有特殊限制，但考虑到玻璃基板的生产率，优选为4000mm×4000mm以下。
在该实施方式的玻璃基板中，路径长度50mm下的波长550nm的透射率为85％以上，优选为86％以上，进一步优选为87％以上。这样的话，在玻璃基板的基板尺寸大的情况下，能恰当地进行熔融缺陷检查，能切实地检测出存在于玻璃基板的熔融缺陷。
在该实施方式的玻璃基板中，路径长度50mm下的波长550nm的透射率与路径长度50mm下的波长650nm的透射率之差为3％以下，优选为2％以下，进一步优选为1.5％以下，更优选为1％以下。这样的话，容易防止因Cr3+引起的熔融缺陷检查的检查精度下降的现象。
该实施方式的玻璃基板出于与第1实施方式中所述的理由相同的理由，优选不含25μm以上(优选为20μm以上、进一步优选为15μm以上)的熔融缺陷。
Cr2O3是作为杂质在玻璃原料等中含有的成分。在玻璃组成中，氧化铬主要以Cr3+的形式存在。Cr3+在波长范围400～550nm和波长范围550～700nm下产生光的吸收。波长550nm是这两个波长范围内存在的Cr3+的吸收较小的波长。波长650nm是在波长范围550～700nm中Cr3+的吸收较大的波长。因此，可以说路径长度50mm下的波长550nm的透射率与路径长度50mm下的波长650nm的透射率之差越小，Cr3+产生的吸收的影响就越小。若控制该透射率之差，则容易防止因Cr3+引起的熔融缺陷检查的检查精度下降的现象。路径长度50mm下的波长550nm的透射率和路径长度50mm下的波长650nm的透射率并非仅由玻璃组成中的Cr2O3的含量来决定，但若将Cr2O3的含量控制在0.002质量％以下、优选为0.0015质量％以下、进一步优选为0.001质量％以下，则容易将路径长度50mm下的波长550nm的透射率与路径长度50mm下的波长650nm的透射率之差控制在3％以下。
若使Cr2O3的含量为0，则容易防止因Cr3+引起的熔融缺陷检查的检查精度下降的现象。但在这种情况下，必须使用高纯度的玻璃原料，且必须严格管理玻璃基板的制造工序使杂质Cr2O3的含量为0，因此玻璃基板的制造成本不合理地上升，并不现实。因此，若考虑到玻璃基板的制造成本，最好将Cr2O3的含量控制在0.0001％以上(优选为0.0002％以上、进一步优选为0.0003％以上)。
除Cr2O3以外，还优选尽量减少在可见光区域吸收光或在可见光区域增强光吸收的成分、例如过渡金属氧化物的含量。例如，优选将CeO2的含量控制在0.1％以下(优选为0.05％以下、进一步优选为0.01％以下)。但是，与Cr2O3的情况同样，若考虑到玻璃基板的制造成本，优选将CeO2的含量控制在0.001％以上。另外，还优选将TiO2的含量控制在0.1％以下(优选为0.05％以下、进一步优选为0.01％以下)。但若考虑到玻璃基板的制造成本，优选将TiO2的含量控制在0.001％以上。此外，优选将NiO的含量控制在0.05％以下(优选为0.01％以下、进一步优选为0.005％以下)。但若考虑到玻璃基板的制造成本，优选将NiO的含量控制在0.001％以上。
在该实施方式的玻璃基板中，出于与第1实施方式中所述的理由相同的理由，基板表面优选为未研磨，且波纹度优选为0.1μm以下(优选为0.05μm以下，进一步优选为0.03μm以下，更优选为0.01μm以下)。
在该实施方式的玻璃基板中，出于与第1实施方式中所述的理由相同的理由，基板端面的平均表面粗糙度Ra优选为1μm以下，进一步优选为0.5μm以下。
在该实施方式的玻璃基板中，出于与第1实施方式中所述的理由相同的理由，优选在80℃的10％HCl水溶液中浸渍3小时后肉眼观察不到表面有白浊、粗糙，且在20℃的63BHF溶液(HF：6质量％，NH4F：30质量％)中浸渍15分钟后肉眼观察不到表面有白浊、粗糙。
在该实施方式的玻璃基板中，出于与第1实施方式中所述的理由相同的理由，应变点优选为630℃以上，进一步优选为635℃以上，更优选为640℃以上，最优选为645℃以上。
在该实施方式的玻璃基板中，出于与第1实施方式中所述的理由相同的理由，液相温度优选为1200℃以下，进一步优选为1150℃以下，更优选为1080℃以下，特别优选为1050℃以下，最优选为1030℃以下。
在该实施方式的玻璃基板中，出于与第1实施方式中所述的理由相同的理由，102.5dPa·s下的温度优选为1575℃以下，进一步优选为1560℃以下。
该实施方式的玻璃基板优选，作为玻璃组成，以下述氧化物换算的质量％计，含有50～80％的SiO2、0～20％的B2O3、0～15％的MgO、0～15％的CaO、0～15％的SrO、0～15％的BaO、0～15％的Na2O、0～10％的K2O、0.0001～0.002％的Cr2O3，当用于LCD或有机EL显示器时，优选作为玻璃组成，以下述氧化物换算的质量％计，含有50～80％的SiO2、3～20％的B2O3、0～15％的MgO、3～15％的CaO、0～15％的SrO、0～15％的BaO、0.0001～0.002％的Cr2O3，且实质上不含碱金属氧化物。
在该实施方式的玻璃基板中，如上所述那样限定玻璃组成范围的理由如下所述。另外，以下的％符号除特殊说明外，指质量％。
SiO2是玻璃的网络形成体，是提高玻璃耐热性的成分，具体而言，是具有提高应变点、减小玻璃基板的热收缩的效果的成分，其含量为50～80％，优选为52～70％，进一步优选为54～68％。若SiO2的含量多，则玻璃的高温粘性过高，玻璃的熔融性下降，而且容易析出方石英的脱玻点。另一方面，若SiO2的含量少，则玻璃的耐酸性和应变点存在下降的倾向。
Al2O3是提高玻璃的应变点、抑制方石英的脱玻点的析出、降低玻璃的液相温度的成分，其含量为5～25％，优选为7～22％，进一步优选为9～20％。若Al2O3的含量多，则存在玻璃的耐氢氟酸缓冲液性(耐BHF性)会下降，或玻璃的液相温度上升而难以成形为玻璃基板的趋势。另一方面，若Al2O3的含量少，则玻璃的应变点存在下降的倾向。
B2O3是作为熔剂起作用、降低玻璃的粘性、改善玻璃的熔融性的成分，其含量为0～20％，优选为3～20％，进一步优选为5～15％，更优选为6～14％，特别优选为7～13％。若是玻璃组成中实质上不含碱金属氧化物的无碱玻璃，则B2O3是必须成分，在玻璃组成中必须含有3％以上、优选为6％以上、进一步优选为7％以上的B2O3。若B2O3的含量多，则存在玻璃的应变点下降、或玻璃的耐酸性下降的倾向。另一方面，若B2O3的含量少，则难以得到作为熔剂的效果。
MgO是不降低玻璃的应变点而只降低高温粘性、改善玻璃的熔融性的成分，其含量为0～15％，优选为0～10％，进一步优选为0～7％，更优选为0～0.5％。若MgO的含量多，则容易产生方石英或顽辉石的脱玻点。另外，若MgO的含量多，则耐BHF性会下降，在光刻工序中玻璃基板会被侵蚀，其反应产物附着于玻璃基板的表面，玻璃基板容易发生白浊。
CaO是不降低玻璃的应变点而只降低高温粘性、改善玻璃的熔融性的成分，其含量为0～15％，优选为0～12％，进一步优选为3～10％。若是无碱玻璃，则CaO为必须成分，在玻璃组成中必须含有3％以上的CaO。若CaO的含量多，则耐BHF性会下降，而且玻璃的密度和热膨胀系数存在上升的倾向。
SrO是提高玻璃的耐试剂性和耐失透性的成分，其含量为0～15％，优选为0～12％，进一步优选为1～10％。若SrO的含量多，则玻璃的密度和热膨胀系数存在上升的倾向。
BaO是提高玻璃的耐试剂性和耐失透性的成分，其含量为0～15％，优选为0～12％，进一步优选为0～10％。若BaO的含量多，则玻璃的密度和热膨胀系数存在上升的倾向。
关于碱土类金属氧化物(MgO、CaO、SrO、BaO)，混合含有它们虽然能提高玻璃的熔融性和耐失透性，但当这些成分较多时，玻璃的密度存在上升的倾向，玻璃基板的轻量化变得困难。关于碱土类氧化物的含量，总计为0～25％，优选为1～22％，进一步优选为5～20％，更优选为7～18％。
Na2O是控制玻璃的热膨胀系数、提高玻璃的熔融性的成分，其含量为0～15％，优选为0～10％。若Na2O的含量多，则玻璃的应变点存在下降的倾向。K2O是控制玻璃的热膨胀系数、提高玻璃的熔融性的成分，其含量为0～10％。若K2O的含量多，则玻璃的应变点存在下降的倾向。另外，当用于LCD或有机EL显示器时，优选实质上不含碱金属氧化物(Na2O、K2O、Li2O)。这样的话，在TFT的制造工序中，在热处理中，碱金属离子扩散到已成膜的半导体物质中，无需担心膜特性劣化，不会损害TFT的可靠性。
Cr2O3是影响玻璃的透射率的成分，其含量为0.0001～0.002％，优选为0.0002～0.0015％，进一步优选为0.0003～0.001％。若Cr2O3的含量多于0.002％，则熔融缺陷检查的检查精度容易下降。另一方面，若Cr2O3的含量少于0.0001％，则必须使用高纯度的玻璃原料，且必须严格管理玻璃基板的制造工序，因此玻璃基板的制造成本会不合理地上升。
该实施方式的玻璃基板在玻璃组成中除上述成分以外还可以含有15％以下的下述成分。
ZnO是改善玻璃的耐BHF性且改善玻璃的熔融性的成分，其含量为0～10％，优选为0～5％，进一步优选为0～3％。若ZnO的含量多，则玻璃容易脱玻，应变点容易下降。
ZrO2是改善玻璃的耐试剂性、尤其是耐酸性、提高杨氏模量的成分，其含量为0～10％，优选为0～2％，进一步优选为0～1％。若ZrO2的含量多，则玻璃的液相温度上升，容易产生锆石的脱玻点。
As2O3、Sb2O3、SnO2、Cl、F是作为澄清剂起作用的成分，其含量按总计为0～2％，优选为0～1.5％，进一步优选为0.01～1％。另外，还可以在不影响玻璃基板的透射率的范围内含有C、SO3作为澄清剂。但从环境保护的观点出发，作为澄清剂，优选实质上不含有As2O3。这里，“实质上不含有As2O3、”是指玻璃组成中的As2O3的含量为1000ppm(质量)以下。另外，从环境保护的观点出发，作为澄清剂，优选实质上不含Sb2O3。这里“实质上不含Sb2O3”是指玻璃组成中的Sb2O3的含量为1000ppm(质量)以下。
As2O3是影响透射率的成分，若玻璃组成中含有As2O3，则玻璃基板的透射率容易下降。另一方面，关于SnO2，若在玻璃组成中含有0.01～2％、0.05～1％、特别是0.1～0.5％的SnO2，则利用SnO2的还原效果，能提高玻璃的透射率。如上所述，As2O3、Sb2O3从环境保护的观点出发，优选实质上不含As2O3。考虑到上述观点，作为澄清剂，优选含有SnO2作为必须成分，而实质上不含As2O3、Sb2O3。
Fe2O3是影响玻璃的透射率的成分，其含量为0.001～0.03％，优选为0.001～0.025％，进一步优选为0.005～0.02％，更优选为0.006～0.02％，特别优选为0.007～0.02％。若Fe2O3的含量多于0.03％，则玻璃基板的透射率容易下降。另一方面，若Fe2O3的含量少于0.001％，则必须在使用高纯度的玻璃原料，且必须严格管理玻璃基板的制造工序，因此玻璃基板的制造成本会不合理地上升。
另外，如上所述，优选尽量减少在可见光区域吸收光或在可见光区域增强光吸收的成分、例如过渡金属氧化物的含量。例如，优选将CeO2的含量控制在0.1％以下(优选为0.05％以下、进一步优选为0.01％以下)。但若考虑到玻璃基板的制造成本，优选将CeO2的含量控制在0.001％以上。另外，还优选将TiO2的含量控制在0.1％以下(优选为0.05％以下、进一步优选为0.01％以下)。但若考虑到玻璃基板的制造成本，优选将TiO2的含量控制在0.001％以上。此外，优选将NiO的含量控制在0.05％以下(优选为0.01％以下、进一步优选为0.005％以下)。但若考虑到玻璃基板的制造成本，优选将NiO的含量控制在0.001％以上。
除上述成分以外，还可以添加在可见光区域不具有显著吸收的成分，例如可以含有5％以下的Y2O3、Nb2O5、La2O3。这些成分具有提高玻璃的应变点、杨氏模量等的作用，但若其含量多，则密度存在增大的倾向。
该实施方式的玻璃基板可以通过如下方法来制造：将按所需的玻璃组成调制而成的玻璃原料投入连续熔融炉中，将玻璃原料在1450～1650℃下加热熔融，澄清后，提供于成形装置，将熔融玻璃成形为板状，缓慢冷却来制造玻璃基板。另外，作为使在路径长度50mm下的波长550nm的透射率为85％以上且使路径长度50mm下的波长550nm的透射率与路径长度50mm下的波长650nm的透射率之差为3％以下的方法，可以列举如下方法：(1)使用使透射率下降的杂质少的玻璃原料、特别是Cr2O3少的玻璃原料；(2)避免在玻璃基板的制造工序中混入Cr2O3等；(3)调节玻璃的熔融条件、例如熔融温度、熔融气氛、熔融时间等。
作为熔融槽的材质，优选使用氧化铝质电铸砖等氧化铝耐火物、氧化锆耐火物、锆石耐火物、石英块等石英耐火物等。这些耐火物不易被熔融玻璃侵蚀，向玻璃中的成分溶出少，因而优选。
在该实施方式的玻璃基板中，出于与第1实施方式中所述的理由相同的理由，优选用溢流下拉法成形而成。
作为该实施方式的玻璃基板的成形方法，除溢流下拉法以外，还可以采用各种方法。例如，可以采用浮动法、流孔下引法、转出法等成形方法。
该实施方式的玻璃基板也优选用于显示器。该实施方式的玻璃基板由于在路径长度50mm下的波长550nm的透射率高，且路径长度50mm下的波长550nm的透射率与路径长度50mm下的波长650nm的透射率之差小，因此容易检测出熔融缺陷，能够满足近年来的显示器的高精细化、高功能化的要求。另外，该实施方式的玻璃基板还优选用于LCD或有机EL显示器。该实施方式的玻璃基板由于基板尺寸大且路径长度50mm下的波长550nm的透射率高，且路径长度50mm下的波长550nm的透射率与路径长度50mm下的波长650nm的透射率之差小，因此容易实现LCD或有机EL显示器的生产率的提高、成本的降低。此外，该实施方式的玻璃基板由于能够满足LCD或有机EL显示器所需的各种特性，因此优选用于此用途。
实施例1
表1、表2所示为本发明的实施例1(样品No.1～15)，表3所示为本发明的比较例1(样品No.16、No.17)。
[表1]
[表1]
Figure BDA00002746298400211
[表2]
[表2]
Figure BDA00002746298400212
[表3]
[表3]
表中的各样品通过如下操作来制作。
首先，按表中的玻璃组成调制玻璃原料，将制得的批料装入铂坩埚，在1600℃下熔融23.5小时后，流出至碳板上，成形为板状。接着，将成形后的玻璃置于保持在750℃的退火炉中，缓慢冷却，得到各样品。
密度采用公知的阿基米德方法来测定。
热膨胀系数通过使用膨胀计在30～380℃的温度范围下进行测定。
应变点通过根据ASTM C336的方法来测定。
软化点通过根据ASTM C338的方法来测定。
高温粘度102.5dPa·s下的温度采用公知的铂球上提法来测定。
杨氏模量采用共振法来测定。
关于耐BHF性，使用63BHF溶液，在20℃、15分钟的条件下处理各样品，肉眼观察各样品的表面来进行评价。具体而言，将样品的表面未出现白浊、龟裂以及裂纹的样品评价为“○”，将样品的表面有白浊但样品的表面没有产生龟裂和裂纹的样品评价为“△”，将样品的表面有白浊且样品的表面产生了龟裂或裂纹的样品评价为“×”。
关于耐酸性，使用10％盐酸水溶液，在80℃、3小时的条件下处理各样品，肉眼观察各样品的表面来进行评价。具体而言，将样品的表面未出现白浊、龟裂以及裂纹的样品评价为“○”，将样品的表面有白浊但样品的表面没有产生龟裂和裂纹的样品评价为“△”，将样品的表面有白浊且样品的表面产生了龟裂或裂纹的样品评价为“×”。
路径长度50mm下的波长500nm以及800nm的透射率通过如下操作来测定。首先，将各样品切成50mm厚，将横切面进行镜面研磨，制作厚50mm的测定样品。接着，使用分光光度计，测定该测定样品的波长500nm以及800nm的透射率。
路径长度2000mm下的熔融缺陷检查通过如下操作来进行。首先，将各样品进行多头喷灯(日文：ブルバ一ナ一)加工，制作长2000mm的圆棒，将两端面进行镜面研磨。接着，从一侧的端面入射光，在另一侧的端面侧(非入射侧)测定照度。根据照度的测定值，将能检测出25μm的熔融缺陷的样品评价为“○”，将检测不到25μm的熔融缺陷的样品评价为“×”。
表1、表2表明：样品No.1～15的路径长度50mm下的波长500nm以及800nm的透射率为80％以上，也就是说路径长度50mm下的波长500～800nm的透射率为80％以上，且路径长度2000mm下的熔融缺陷检查的评价为良好。
另一方面，由表3可知：样品No.16虽然Fe2O3的含量为0.020％，但由于添加了还原剂C而熔融，因此800nm的透射率不足80％，路径长度2000mm下的熔融缺陷检查的评价为不佳。另外，样品No.17由于Fe2O3的含量为0.035％，因此800nm的透射率不足80％，路径长度2000mm下的熔融缺陷检查的评价为不佳。
此外，对于样品No.1～15，在试验熔融炉中熔融，采用溢流下拉法成形，制作基板表面未经研磨、波纹度为0.1μm以下且基板尺寸为2000mm×2000mm×0.5mm厚的玻璃基板，可知路径长度50mm下的波长500～800nm的透射率为80％以上，且路径长度2000mm下的熔融缺陷检查中检查出25μm的熔融缺陷。这里，路径长度50mm下的波长500～800nm的透射率通过在50mm的玻璃制单元上层叠玻璃基板后进行测定。另外，在测定时，考虑到表面反射率的影响，使浸液(苄醇)渗透到玻璃基板间。而且，在测定时，将基板端面的平均表面粗糙度Ra控制在1μm以下。
实施例2
表4、表5所示为本发明的实施例2(样品No.1～15)，表6所示为本发明的比较例2(样品No.16、No.17)。
[表4]
[表4]
Figure BDA00002746298400241
[表5]
[表5]
Figure BDA00002746298400242
[表6]
[表6]
表中的各样品采用与在实施例1的项目中说明的制造方法相同的制造方法来制作。关于各样品的物性值，采用与在实施例1的项目中说明的测定方法相同的测定方法来测定。关于耐BHF性和耐酸性，在与实施例1的项目中说明的条件以及评价标准相同的条件以及评价标准下进行评价。
路径长度50mm下的波长550nm以及650nm的透射率通过如下操作来测定。首先，将各样品切成50mm厚，将切断面进行镜面研磨，制作厚50mm的测定样品。接着，使用分光光度计，测定该测定样品的波长550nm以及650nm的透射率。
路径长度2000mm下的熔融缺陷检查通过如下操作来进行。首先，将各样品进行多头喷灯加工，制作长2000mm的圆棒，将两端面进行镜面研磨。接着，从一侧的端面入射光，在另一侧的端面(非入射侧)测定照度。根据照度的测定值，将能检测出25μm的熔融缺陷的样品评价为“○”，将检测不到25μm的熔融缺陷的样品评价为“×”。
表4、表5表明：样品No.1～15的路径长度50mm下的波长550nm的透射率为85％以上，且路径长度50mm下的波长550nm的透射率与路径长度50mm下的波长650nm的透射率之差为3％以下，因此路径长度2000mm下的熔融缺陷检查的评价为良好。
另一方面，由表6可知：样品No.16由于Cr2O3的含量为0.0025％，因此路径长度50mm下的波长550nm的透射率与路径长度50mm下的波长650nm的透射率之差大于3％，路径长度2000mm下的熔融缺陷检查的评价为不佳。另外，样品No.17由于Cr2O3的含量为0.0040％，因此路径长度50mm下的波长550nm的透射率小于85％，且路径长度50mm下的波长550nm的透射率与路径长度50mm下的波长650nm的透射率之差大于3％，路径长度2000mm下的熔融缺陷检查的评价为不佳。
此外，对于样品No.1～15，在试验熔融炉中熔融，采用溢流下拉法成形，制作基板表面未经研磨、波纹度为0.1μm以下且基板尺寸为2000mm×2000mm×0.5mm厚的玻璃基板，可知路径长度50mm下的波长550nm的透射率为85％以上，路径长度50mm下的波长550nm的透射率与路径长度50mm下的波长650nm的透射率之差为3％以下，且路径长度2000mm下的熔融缺陷检查中检查出25μm的熔融缺陷。这里，路径长度50mm下的波长550的透射率以及路径长度50mm下的650nm的透射率通过在50mm的玻璃制单元上层叠玻璃基板后测定。另外，在测定时，考虑到表面反射率的影响，使浸液(苄醇)渗透到玻璃基板间。而且，在测定时，将基板端面的平均表面粗糙度Ra控制在1μm以下。
工业上利用的可能性
以上的说明表明，本发明的玻璃基板适用于LCD、有机EL显示器、无机EL显示器、PDP、FED等平板显示器用基板。另外，本发明的玻璃基板还适用于电荷偶合元件(CCD)和等倍接触型固体摄像元件(CIS)等图像传感器用防护玻璃以及太阳电池用基板。

Claims (10)

1.一种玻璃基板的制造方法，其特征在于，是制造基板尺寸为1100mm×1250mm以上的玻璃基板的方法，其包括：
制造工序，以使在路径长度50mm下的波长550nm的透射率为85％以上，并且在路径长度50mm下的波长550nm的透射率与在路径长度50mm下的波长650nm的透射率之差为3％以下、基板端面的平均表面粗糙度Ra为1μm以下的方式制造玻璃基板；
检查工序，从玻璃基板的一侧端面入射光，并穿过所述玻璃基板的内部，直至透射至另一侧端面，通过检查入射到所述玻璃基板的另一侧端面的所述光，来检查所述玻璃基板有无熔融缺陷。
2.根据权利要求1所述的玻璃基板的制造方法，其特征在于，
在玻璃基板的玻璃组成中含有0.0001～0.002质量％的Cr2O3。
3.根据权利要求1或2所述的玻璃基板的制造方法，其特征在于，
所述玻璃基板的基板表面未经研磨，且波纹度为0.1μm以下。
4.根据权利要求1或2所述的玻璃基板的制造方法，其特征在于，
所述玻璃基板是通过溢流下拉法成形而成的。
5.根据权利要求1或2所述的玻璃基板的制造方法，其特征在于，
作为玻璃基板的玻璃组成，以下述氧化物换算的质量％计，含有50～80％的SiO2、0～20％的B2O3、0～15％的MgO、0～15％的CaO、0～15％的SrO、0～15％的BaO、0～15％的Na2O、0～10％的K2O、0.0001～0.002％的Cr2O3。
6.根据权利要求1或2所述的玻璃基板的制造方法，其特征在于，
作为玻璃基板的玻璃组成，含有3～20质量％的B2O3，且实质上不含有碱金属氧化物。
7.根据权利要求1或2所述的玻璃基板的制造方法，其特征在于，
所述玻璃基板用于液晶显示器或有机EL显示器。
8.根据权利要求1或2所述的玻璃基板的制造方法，其特征在于，
所述玻璃基板是通过溢流下拉法成形而成的，且所述玻璃基板的基板表面未经研磨，且基板表面的波纹度为0.1μm以下。
9.根据权利要求1或2所述的玻璃基板的制造方法，其特征在于，
所述玻璃基板是通过溢流下拉法成形而成的，且作为玻璃基板的玻璃组成，含有3～20质量％的B2O3，且实质上不含有碱金属氧化物。
10.根据权利要求1或2所述的玻璃基板的制造方法，其特征在于，
所述玻璃基板是通过溢流下拉法成形而成的，作为玻璃基板的玻璃组成，以下述氧化物换算的质量％计，含有50～80％的SiO2、0～20％的B2O3、0～15％的MgO、0～15％的CaO、0～15％的SrO、0～15％的BaO、0～15％的Na2O、0～10％的K2O、0.0001～0.002％的Cr2O3。
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