CN103081111A - 纳米颗粒抗反射层 - Google Patents

Abstract

公开了供光学元件或光电器件使用的薄膜宽带抗反射层，其中该薄膜宽带抗反射层包括：至少一层薄膜介电层；和置于所述薄膜介电层之上或其内的纳米颗粒的至少一个阵列，其中所述纳米颗粒的介电常数显著不同于所述介电层的介电常数。

Description

纳米颗粒抗反射层

发明领域

本发明涉及纳米颗粒抗反射层，和特别地，尽管不一定地，涉及纳米颗粒薄膜宽带抗反射层，含这种抗反射层的光学元件和光电器件，以及这种纳米颗粒在抗反射层中的用途。

发明背景

抗反射(AR)涂层(层)是在光学器件或元件中使用的众所周知的光学涂层，以便降低光的反射。使用这种AR涂层覆盖宽范围的重要光学用具，其中包括用于光学元件，例如透镜，和光电器件，例如太阳能电池，发光二极管，激光器和显示器的AR涂层。常规的AR涂层以在特定厚度和折射指数的一层或更多层介电层内的干涉效应为基础。单层AR涂层固有地不能在宽范围的波长内降低反射。这在将太阳发出的宽的光谱转化成电的太阳能电池中尤其重要。而且，这种常规的AR涂层遭受非所需的角度依赖性(angle dependence)。

为了解决这一问题，典型地使用多层分级指数(graded-index)的AR涂层。例如，Chhajed等人在它们的文章"Nanostructuredmultilayer graded-index antireflection coating for Si solarcells with broadband and omnidirectional characteristics(具有宽带和全方向特征的S i太阳能电池用纳米结构的多层分级指数的抗反射涂层)"(Applied Physics Letters 93,251108(2008))中公开了使用多层分级指数的AR涂层，该涂层包括低折射指数的纳米结构的多孔二氧化硅面层。实现分级指数抗反射涂层的其他方式公开于US7,170,666中，其公开了蚀刻纳米结构成薄膜氧化物层的方法，从而实现分级指数的氧化物表面。然而，这种宽带分级指数多层抗反射涂层要求紧密地控制工艺参数，例如层厚和层的组成，因此不适合于实施大规模生产光学器件和元件。

US2008/0171192建议使用相对小尺寸和间距的纳米颗粒阵列用作可见光范围(400-800nm)内的AR层。然而，对于特定的应用，例如太阳能电池应用来说，极端的宽带AR涂层是所需的，它提供全太阳光谱，其中包括UV，可见光，近红外和红外辐射线的光学透射。

因此，本领域需要提供改进的AR涂层，它在宽范围的入射角度内提供有效的宽带抗反射性能。而且，本领域需要宽带AC涂层，它的制造简单。

发明概述

本发明的目的是降低或消除现有技术的至少一个缺点。在一个方面中，本发明可涉及供光学元件或光电器件使用的薄膜宽带抗反射层，其中所述抗反射层包括：至少一层薄膜介电层；和置于所述薄膜介电层之上或之内的至少一个阵列的纳米颗粒，其中所述纳米颗粒的介电常数显著不同于所述介电层的介电常数。这一纳米颗粒抗反射层在宽范围的波长内，其中包括UV和IR光谱范围内提供改进的抗反射性能。

在一个实施方案中，选择抗反射层的厚度、在纳米颗粒阵列内的纳米颗粒尺寸和纳米颗粒阵列的间距，以便与300-1100nm之间的太阳光谱有关的光子透射率大于80%，优选大于85%。

在一个实施方案中，所述薄膜介电层可包括二氧化硅，氮化硅，原硅酸四乙酯(TEOS)，有机树脂，聚合物，半导体层和/或其结合。

在一个实施方案中，所述薄膜介电层的厚度可以是约10-300nm，优选50-100nm。

在再一实施方案中，可选择所述纳米颗粒的平均尺寸为约50-300nm，和其中选择所述颗粒之间的平均距离为200-700nm。

在进一步的实施方案中，所述纳米颗粒的至少一部分可以是金属纳米颗粒。在再进一步的实施方案中，所述金属可选自Au,Ag,Cu,Al和/或其合金。

在一个变通方案中，所述纳米颗粒的至少一部分可以是半导纳米颗粒。在另一变通方案中，所述半导材料可选自第IV族半导体，III-V或II-VI半导化合物和/或其结合。

在进一步的变通方案中，所述纳米颗粒的至少一部分可以是金属氧化物纳米颗粒。在再进一步的变通方案中，所述金属氧化物可涉及高折射指数氧化物，其选自Al2O3,Ta2O5,Ti3O5,TiO2,ZiO2,Nb2O5,CeO2和Si3N4。

在一个实施方案中，所述纳米颗粒的至少一部分具有基本上球体的形状；在另一实施方案中，所述纳米颗粒的至少一部分基本上为圆柱形状。

在进一步的方面中，本发明可涉及含根据以上所述的任何实施方案和/或变通方案的至少一层抗反射层的多层结构。

在其他方面中，本发明可涉及光学元件，优选光学透镜或显示器屏幕，它包括根据以上所述的任何实施方案和/或变通方案的抗反射层，或者涉及光电器件，优选光接收或光发射器件，它包括根据以上所述的任何实施方案和/或变通方案的抗反射层。

在一个实施方案中，将所述抗反射层置于与光电器件有关的薄膜光吸收或光发射层上。

在再进一步的方面中，本发明涉及电介质纳米颗粒，优选金属纳米颗粒作为至少一部分抗反射涂层的用途。在一个实施方案中，可选择所述所使用的纳米颗粒的平均尺寸为约100-300nm，和其中选择所述颗粒之间的平均距离为200-700nm。在另一实施方案中，所述所使用的纳米颗粒的至少一部分可以是金属纳米颗粒，优选所述金属选自Au,Ag,Cu,Al和/或其合金；和/或其中所述所使用的纳米颗粒的至少一部分可以是半导纳米颗粒，优选所述半导材料选自第IV族半导体，III-V或II-VI半导化合物和/或其结合；和/或其中所述所使用的纳米颗粒的至少一部分可以是金属氧化物纳米颗粒，优选选自Ta2O5,Ti3O5,TiO2,ZiO2,Nb2O5,CeO2和Si3N4中的高折射指数的氧化物。

参考附图，进一步阐述本发明，所述附图图示了本发明的实施方案。要理解，本发明绝不限制到这些具体的实施方案上。

附图简述

图1阐述了光透射到用根据本发明的一个实施方案的纳米颗粒AR涂层覆盖的硅基底内的透射率。

图2描绘了对于根据本发明的一个实施方案的纳米颗粒AR涂层来说，作为Ag纳米颗粒高度和Si3N4间隔层的厚度的函数的增强因子。

图3描绘了对于本发明的各种其他实施方案来说，作为(a)颗粒高度和(b)薄膜介电层的函数的增强因子。

图4A和4B描绘了作为与根据本发明的各种实施方案的纳米颗粒AR涂层有关的各种参数的函数的增强因子。

图5描绘了作为纳米颗粒形状的函数的增强因子。

图6描绘了光透射到用根据本发明再一实施方案的纳米颗粒AR涂层覆盖的硅基底内的透射率。

图7描绘了根据本发明的一个实施方案的介电层和纳米颗粒层的组合抗反射效果。

图8描绘了根据本发明另一实施方案的介电层和纳米颗粒层的结合抗反射效果。

详细说明

与常规的AR涂层相比，所述常规的AR涂层被设计为使用具有低折射的顶部介电层和相对高折射指数的底部介电层的电介质叠层，使空气的折射指数与光学元件或光电器件的折射指数相匹配，本发明使用在薄膜电介质表面之上提供或者在其表面内包埋的纳米颗粒的阵列。

此外，在抗反射涂层内使用金属不常见，因为已知金属薄膜是良好的反射体(reflector)。在本发明中，金属颗粒的纳米结构及其在规则阵列或无规几何形状内的组件导致有效的抗反射性能。

特别地，本发明利用光的散射性能，所述光的散射取决于纳米颗粒的光学常数，周围电介质的光学常数和基底的光学常数。优选通过在高折射指数基底材料内的纳米颗粒，散射光，从而赋予金属纳米颗粒阵列有效的抗反射涂层。例如在太阳能电池中应用的本发明的进一步的优点是散射的光在基底内获得角展度(angular spread)，这可导致在太阳能电池内更加有效地吸收光。对于薄膜太阳能电池来说，这是尤其重要的优点。

图1阐述了光通过根据本发明的一个实施方案的纳米颗粒的AR涂层的透射率。特别地，在图1中所使用的实例涉及Ag纳米颗粒106的阵列沉积在其上的含50nm薄膜Si3N4介电层104的晶体硅(c-Si)基底102。颗粒的尺寸为约200nm宽×175nm高，和在这一实例中，阵列间距为约450nm。光在纳米颗粒AR涂层的基底内的透射率与裸硅基底和用常规的80nm厚的Si3N4 AR涂层(n～2.05)覆盖的硅基底(n～3,92)的透射率相当。图1的光谱范围相当于典型地在太阳能电池内吸收太阳光时的波长范围。尽管裸c-Si的透射率范围为0.4-0.65，但纳米颗粒涂布的c-Si基底显示出高得多的透射率，特别是在UV和红外(IR)范围内。对于对IR辐射特别敏感的Si-基太阳能电池来说，这是尤其相关的。

尽管在650nm处的效果不如标准AR涂层一样高，但总的增强较大，这是由于纳米颗粒提供的宽带效果导致的。图2对此进行了更详细的阐述，它描绘了透射到硅基底内的光的总增强(即，光谱，例如在图1中，在300-1100nm的全AM1.5太阳光谱内积分)，这是由于作为颗粒高度的函数，存在纳米颗粒AR涂层导致的。在这一实例中，将银纳米颗粒置于50nm厚的Si3N4（间隔）层上，和银颗粒具有椭圆形状。作为参考，提供裸基底和用80nm厚的Si3N4 AR涂层覆盖的硅基底的数据。

图2(a)和(b)描绘了不同颗粒参数的增强因子。这些附图表明纳米颗粒薄膜AR涂层允许改进的AR性能，尤其大于8%的改进，当与常规的Si3N4 AR涂层相比时。AR效果的改进依赖于各种参数，其中包括例如颗粒高度(图2(a))和间隔层厚(图2(b))。对于高度为至少75nm，优选大于或等于100nm的纳米颗粒来说，实现宽带AR效果的显著改进。类似地，对于厚度为30-70nm，优选35-65nm，更优选40-60nm的Si3N4间隔层来说，实现宽带AR效果的显著改进。

图3(a)和(b)描绘了对于根据本发明另一实施方案的颗粒薄膜AR涂层来说的增强因子。图3(a)描绘了一个实施方案，其中针对在无定形硅(a-Si)之上的纳米颗粒AR涂层来说，作为颗粒高度的函数的增强因子。在这一实例中，纳米颗粒AR涂层包括置于厚度50nm的Si3N4薄膜电介质上的宽度约200nm和阵列间距约450nm的圆柱形Ag颗粒。图3(a)表明对于这些参数来说，尤其对于宽度200nm和高度范围为约100-150nm的颗粒来说，圆柱形颗粒的增强因子类似于参考图2所述的球体颗粒。这可通过下述事实解释：对于这些特定的参数来说，在其中a-Si吸收光好于c-Si的部分光谱处，光的耦合尤其加强。

图3(b)描绘了一个实施方案，其中针对纳米颗粒AR涂层，作为薄膜介电层，在这一情况下，在a-Si基底之上的薄膜氧化锡铟(ITO)层，即透明的传导层(TCO)的函数，测量增强因子。在这一实例中，使用宽度200nm和高度125nm且阵列间距约450nm的Ag球状体。这一纳米颗粒AR涂层可有利地在基于a-Si的光伏电池中使用。根据这一附图，得出结论，在宽范围的ITO厚度，在这一情况下，约20-60nm，优选30nm-55nm，更优选35-50nm内存在显著的增强因子。

因此，发明人发现，结合薄膜介电层与含介电常数明显不同于它们周围的材料的纳米颗粒形成非常简单和有效的宽带AR涂层。本发明以这种纳米颗粒可用作强光散射剂的观点为基础。例如，对于金属纳米颗粒，例如尺寸足够大的Ag或Au纳米颗粒来说，在颗粒内几乎不存在吸附，和散射截面可很好地超过颗粒的几何截面。这种颗粒因此可用作要求相对小表面覆盖率的有效光散射剂。取决于颗粒的尺寸，这种优化的覆盖率数量级可以是表面积的约10-20%。

由于在具有比空气高的介电指数的基底之上存在纳米颗粒的阵列，因此通过纳米颗粒散射的光将优先散射到基底内。图4A阐述了透射到晶体基底402内的光的增强，这是因为对于各种纳米颗粒阵列的结构来说，存在直接置于硅基底表面上的金属纳米颗粒404导致的。添加与常规的80nm厚的Si3N4 AR涂层有关的(最大)增强因子和裸c-Si基底的增强因子作为参考。在这些数据中，通过在限制到c-Si的带隙波长的太阳光谱内进行的增强的加权平均，计算增强。

根据图4A，可得出，纳米颗粒阵列包括颗粒宽度在160-280nm范围内和/或颗粒高度为130-220nm的纳米颗粒。此外，图4A表明增强因子对范围为300-600nm的阵列间距的强烈依赖有效地提高光透射到基底内，当与裸c-Si参考物相比时。特别地，对于大于300nm的间距，尤其范围为350-500nm的间距来说，优选为400-500nm，测定到增强因子的强烈增加。在间距为约450nm的阵列中排列的约200×175nm的颗粒，实现了约1,35的最大增强。

此外，根据图4A，通常可理解，若颗粒(即颗粒宽度或高度)太小，则散射到基底内的与颗粒相互作用的光的分数高，但散射效率非常低，且在颗粒内的吸收可能相对高。相反，若颗粒太大，则散射效率大，但仅仅相对小部分的散射光进入到基底内。对于颗粒高度来说，类似的原因可应用到颗粒宽度上。此外，若间距低，则表面覆盖率变高，且颗粒层有效地变为(半)连续层，例如在金属纳米颗粒的情况下，可变为金属反射层，或者例如在电介质纳米颗粒情况下，可变为介电层，从而产生经典的干涉效应。

在例如太阳能电池上形成纳米颗粒AR涂层中使用金属纳米颗粒的优点之一是金属(例如Ag或Al)用于形成太阳能电池的顶部电触点。按照这一方式，可在单一的加工步骤中，使用相同的金属，实现电触点和纳米颗粒AR涂层的沉积。在一些实施方案中，发现通过在基底上的电介质间隔薄层上放置纳米颗粒，透光率得到改进。这种间隔层可以是例如已经存在于标准半导体制造工艺中的钝化薄层。

图4B示出了对于各种纳米颗粒阵列几何形状和不同的间隔层厚度来说，所测量的晶体硅(c-Si)基底的反射下降，这是因为存在置于Si3N4层之上的银纳米颗粒导致的。为了参考，还示出了与67nm厚的Si3N4涂层有关的反射系数(虚线)。

通过在太阳光谱内，例如最多到c-Si带隙的波长，对所测量的反射率取平均，计算这一附图中所示的反射系数。该图表明可利用颗粒阵列几何形状和Si3N4间隔层二者的选择，最小化反射，这是因为颗粒和Si3N4间隔层的性能之间存在强烈的耦合导致的。图4B示出了对于特定的纳米颗粒阵列几何形状、间距和间隔厚度来说，反射有效地下降。特别地，当选择颗粒宽度范围为120-240nm，优选130nm-230nm时，反射下降。也可通过选择阵列间距范围为350-550nm，优选400nm-550nm，减少反射。另外，图4B还阐述了反射系数还受到间隔层厚度的强烈影响。特别地，通过选择Si3N4间隔厚度在50-90nm，优选55-80nm范围内，获得反射的显著下降。

正如下文更加详细地描述的，根据本发明的纳米颗粒AR涂层不限于参考图1-4B所述的材料，且在没有脱离本发明的情况下，可应用到各种组合上。以下更加详细地讨论了这些变通方案以及与本发明有关的优点。

图5阐述了在纳米颗粒AR涂层中所使用的纳米颗粒的形状的影响。特别地，这一附图阐述了当颗粒形状从圆柱形变化为球体状时，同时保持颗粒宽度和体积大致恒定的同时，增强因子的变化(针对在一定面积的c-Si上的单一颗粒计算)。根据这一附图，可得出在某些几何形状中，球形颗粒可提供比圆柱形颗粒好的AR性能。

图6描绘了再一实施方案，其中在纳米颗粒AR涂层中使用半导纳米颗粒。在这一实施方案中，球形Si纳米颗粒的阵列置于c-Si基底上。宽度约160nm和高度50nm的纳米颗粒阵列具有约200nm的阵列间距。在基底和阵列上沉积120nm的薄膜电介质(n=1.5)，以便Si纳米颗粒包埋在薄膜电介质内。

在图6中，可看出，对于太阳光谱的红色部分来说，Si纳米颗粒AR涂层提供与80nm的常规Si3N4涂层相同的增强，但在高于370nm的蓝色部分内提高光在基底内的耦合。因此，图6中的结果表明，具有高介电常数的非金属纳米颗粒，例如半导纳米颗粒，例如Si，或者绝缘纳米颗粒，例如高折射金属氧化物，例如Al2O3,Ta2O5,Ti3O5,TiO2,ZiO2,Nb2O5,CeO2和Si3N4的纳米颗粒也可用作强光散射剂以供在本发明的纳米颗粒AR涂层中使用。在这一实施方案中，Si纳米颗粒包埋在薄膜介电层内，从而提供防止Si纳米颗粒氧化的优点。因此，薄膜介电层另外充当纳米颗粒的钝化层。而且，含包埋纳米颗粒的这种薄膜介电层提供机械坚固性。

图7描绘了根据本发明的一个实施方案，介电层和纳米颗粒层的组合抗反射效果。特别地，它描绘了裸Si基底(实线)，含50nm厚Si3N4涂层的硅基底(虚线)，包括在具有450nm间距的正方形阵列内排列的含200nm宽和175nm高球形银颗粒的纳米颗粒AR层的硅基底(点线)，和包括50nm厚Si3N4间隔层以及在间隔层之上的含在具有450nm间距的正方形阵列内排列的200nm宽和125nm高球形银纳米颗粒的纳米颗粒AR层的硅基底(点划线（dash-dotted line）)的透射光谱。

根据这些图表，可得出由于电介质间隔层和纳米颗粒AR层之间的相互作用导致电介质间隔层特别地改进光谱的UV和可见光部分内光的透射率，同时含介电常数显著不同于介电层的介电常数的纳米颗粒的纳米颗粒AR层改进近红外和红外光谱范围内的透射率。结合这些AR层提供在全部太阳光谱内显著的宽带透射提高。

图8描绘了根据本发明进一步的实施方案，介电层和纳米颗粒层的结合的抗反射效果。特别地，它描绘了裸Si基底(实线)，含45nm厚Si3N4涂层的硅基底(虚线)，和包括在具有400nm间距的正方形阵列内排列的含250nm宽和150nm高的圆柱形硅颗粒的纳米颗粒涂层的硅基底(点线)，和包括45nm厚的Si3N4间隔层以及在间隔层之上排列的含在具有450nm间距的正方形阵列内的250nm宽和150nm高圆柱形银纳米颗粒的纳米颗粒AR层的硅基底(点划线)的透射光谱。

这一实施方案还阐述了透射光谱内的宽带提高起源于纳米颗粒层和电介质AR层的结合效果，其中所述纳米颗粒层改进近红外和红外光谱范围的透射率，和电介质AR层改进光谱的蓝色和可见光部分的透射率，其中纳米颗粒的介电常数显著不同于介电层的介电常数ε。

本发明的纳米颗粒AR涂层中所使用的材料的介电常数值是本领域众所周知的，例如聚合物ε～1.4;SiO2ε～2.15;Si3N4ε～4;TiO2ε～7.5;Siε～12.25(1100nm波长)和ε～15(500nm)。此外，本领域众所周知的是，金属的介电常数是复杂的波长依赖的函数，例如对于Ag来说，ε的实部在-55(1100nm)至2(300nm)之间变化，和ε的虚部可在0.5-3.5之间变化，而对于Au来说，ε的实部在-60(1100nm)至0(300nm)之间变化，和ε的虚部可在1-7之间变化。较强的散射效应要求间隔层和纳米颗粒所使用的材料的介电常数之间的差值较大。

在进一步的实施方案中，参考图1-5所述的金属纳米颗粒可包埋在薄膜介电层内。例如，200nm宽和125nm高以及450nm阵列间距的Ag纳米颗粒可包埋在225nm厚的Si3N4电介质内。按照这一方式，防止Ag纳米颗粒氧化。

参考图1-8所述的实施方案中所使用的材料和AR涂层结构仅仅用于阐述，和绝不限制本发明。例如，可用本发明的纳米颗粒AR涂层涂布的典型基底通常可涉及在光学元件和显示器器件中使用的任何种类的透明玻璃类基底。

其他可预见的基底包括在光电器件，例如光伏器件中使用的半导基底，其中包括无定形或(多)晶半导体基底，其中半导体可选自硅，GaAs和相关的III-V化合物,CdTe,Cu(In,Ga)(Se,S)CdSe,PbS,PbSe,工程材料，例如量子点超晶格，或任何其他半导体材料。此外，还预见可使用有机类光学元件和光电器件。

而且，认为纳米颗粒AR涂层可以是多层结构的一部分，所述多层结构例如包括在纳米颗粒之上沉积的一层或更多层钝化层。这种钝化层可以例如包括本领域众所周知的UV可固化的树脂。此外，纳米颗粒的阵列可均包括具有预定间距的二维布局和纳米颗粒的无规布局。在这一无规的布局中，替代阵列间距，可使用有效的表面覆盖率(%/单位面积)作为定义纳米颗粒AR涂层的参数之一。

可使用各种已知的平版印刷技术，例如UV,X-射线，e-束平版印刷和其他相关技术结合已知的薄膜沉积方法，例如溅射、热蒸发、化学气相沉积或溶胶-凝胶技术，制造纳米颗粒AR涂层。

此外，可使用改编(adapted)的筛网印刷或喷墨印刷技术，这些技术允许直接印刷纳米尺寸的金属结构(参见，例如Zhao等人，"Self-aligned inkjet printing of highly conducting goldelectrodes with submicron resolution(自校准的喷墨印刷具有亚微米分辨率的高导电的金电极)",Journal of Applied Physics 101,064513,2007)。

大面积施加的一种特别有用的技术是压印平版印刷技术。这一技术的一个实施方案例如公开于美国专利申请US2008/0011934中，在此通过参考将其引入到本申请中。使用这一方法，制造与具有相对于图1-8所述的典型尺寸的预定纳米颗粒阵列的图案相符合的压印模板。压印模板的结构转印到可固化树脂层上，所述树脂层布置在光伏电池的半导体层上。在固化树脂之后，蚀刻构图的抗蚀剂层，以便暴露半导体层的表面。在压印的抗蚀剂图案上沉积金属层，接着除去(lift-off)，完成完整结构的实现。

要理解，可单独或结合所述的其他特征使用任何一个实施方案所述的任何特征，且也可与任何其他实施方案的一个或更多个特征或者任何其他实施方案的任何组合结合使用。而且，本发明不限于以上所述的实施方案，这些实施方案可在所附权利要求的范围内变化。

Claims (15)

1.供光学元件或光电器件使用的薄膜宽带抗反射层，它包括：

至少一层薄膜介电层；

置于所述薄膜介电层之上或其内的至少一个阵列的纳米颗粒，其中所述纳米颗粒的介电常数显著不同于所述介电层的介电常数。

2.权利要求1的抗反射层，其中所述薄膜介电层包括二氧化硅，氮化硅，原硅酸四乙酯(TEOS)，有机树脂，聚合物，半导体和/或其结合。

3.权利要求1或2的抗反射层，其中所述薄膜电介质的厚度大约在10和300nm之间，优选在50和100nm之间。

4.权利要求1-3任一项的抗反射层，其中选择所述纳米颗粒的平均尺寸在大约100和300nm，和其中选择所述颗粒之间的平均距离在200和700nm之间。

5.权利要求1-4任一项的抗反射层，其中所述纳米颗粒的至少一部分是金属纳米颗粒，优选所述金属选自Au，Ag，Cu，Al和/或其合金。

6.权利要求1-4任一项的抗反射层，其中所述纳米颗粒的至少一部分是半导纳米颗粒，优选所述半导材料选自第IV族的半导体，III-V或II-VI半导化合物和/或其结合。

7.权利要求1-4任一项的抗反射层，其中所述纳米颗粒的至少一部分是金属氧化物纳米颗粒，优选选自Al2O3,Ta2O5,Ti3O5,TiO2,ZiO2,Nb2O5,CeO2和Si3N4中的高折射指数氧化物。

8.权利要求1-7任一项的抗反射层，其中所述纳米颗粒的至少一部分具有基本上球体的形状。

9.多层结构，它包括至少一层权利要求1-7任一项的抗反射层。

10.光学元件，优选光学透镜或显示器屏幕，它包括权利要求1-8任一项的抗反射层。

11.光电器件，优选光接收或发光器件，它包括权利要求1-8任一项的抗反射层。

12.光电器件，其中所述抗反射层沉积在薄膜光吸收或发光层上。

13.一阵列的电介质纳米颗粒和/或金属纳米颗粒作为抗反射涂层的至少一部分的用途。

14.权利要求12的用途，其中选择所述纳米颗粒的平均尺寸在约100和300nm之间，和其中选择所述颗粒之间的平均距离在200和700nm之间。

15.权利要求12或13的用途，其中所述纳米颗粒的至少一部分是金属纳米颗粒，优选所述金属选自Au,Ag,Cu,Al和/或其合金；和/或，其中所述纳米颗粒的至少一部分是半导纳米颗粒，优选所述半导材料选自第IV族半导体，III-V或II-VI半导化合物和/或其结合；和/或其中所述纳米颗粒的至少一部分是金属氧化物纳米颗粒，优选选自Ta2O5,Ti3O5,TiO2,ZiO2,Nb2O5,CeO2和Si3N4中的高折射指数的氧化物。

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