CN103071656A - Yag晶体的清理方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种YAG晶体的清理方法，步骤包括：在容器内放置漆片，酒精、白灰粉，充分搅拌，其中按照重量百分比，漆片50%-60%，酒精25%-30%、白灰粉10%-20%；将YAG晶体放入上述容器，1-2分钟取出分开晾干；反复步骤（2）3-5次，上述YAG晶体表面形成一层浊膜；将上述YAG晶体放入炉中在150°C-200°C下加温1-1.5小时取出；将上述YAG晶体用水清洗；将上述YAG晶体烘干。本发明的优点在于，选用本发明的方法进行清洗，附着在晶体器件的有机物在高温下燃烧干净，无机物和晶体器件被有机物隔离，高温作用下自动脱离不留字迹。工艺简单，加工方便快捷，成本低，收益提高15% -20%。
Description
技术领域
本发明涉及一种清理方法，尤其是YAG晶体的清理方法。
背景技术
YAG晶体是一种优秀的Nd和Yb激光被动Q 开关材料，由于它在0.8～1.2mm范围内吸收稳定，YAG基质晶体导热率高，可高重频工作晶体被动Q开关，应用广泛。
YAG晶体机械光学加工完成，要及时清洁晶体加工过程中留下的残留物。残留物在机械运动中组合形成了凝胶状，随着晶体加工时间延长慢慢积累附着在晶体侧面。晶体侧面是精磨面，相对抛光面显得很粗糙，因此残留物对晶体的附着力很大。一般选用超声波清洗或手洗，超声波清洗方便，资金成本大，固化物很难去掉，还是要用清洗剂清洗。手工清洗，工作效率低，容易造成划伤通光平面，二次污染严重，要反复再清洗。造成晶体器件残留物清洗难度主要是，凝胶状残留物的附着力，结痂后就更难去除。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种YAG晶体的清理方法，能有效去除YAG晶体表面的残留物。
本发明是通过以下技术方案来实现的。
一种YAG晶体的清理方法，步骤包括：
（1）在容器内放置漆片，酒精、白灰粉，充分搅拌，其中按照重量百分比，漆片50%-60%，酒精25%-30%、白灰粉10%-20%；
（2）将YAG晶体放入上述容器，1-2分钟取出分开晾干；
（3）反复步骤（2）3-5次，上述YAG晶体表面形成一层浊膜；
（4）将上述YAG晶体放入炉中在150°C-200°C下加温1-1.5小时取出；
（5）将上述YAG晶体用水清洗；
（6）将上述YAG晶体烘干。
进一步地，上述步骤（1）中，先在容器内放置漆片，然后加入酒精充分稀释融化至饱和状态后，再加入白灰粉均匀搅拌。
进一步地，上述步骤（4）中，上述炉为马弗炉。
进一步地，上述步骤（5）中，使用去离子水清洗上述YAG晶体。
进一步地，上述步骤（5）中，使用去离子水清洗后，再用清洗液进行清洗。
本发明的有益效果：
选用本发明的方法进行清洗，附着在晶体器件的有机物在高温下燃烧干净，无机物和晶体器件被有机物隔离，高温作用下自动脱离不留字迹。工艺简单，加工方便快捷，成本低，收益提高15% -20%。
具体实施方式
下面根据实施例对本发明作进一步详细说明。
实施案例1：
（1）在容器内放置漆片，酒精、白灰粉，充分搅拌，其中按照重量百分比，漆片50%，酒精30%、白灰粉20%；
具体是先在容器内放置漆片，然后加入酒精充分稀释融化至饱和状态后，再加入白灰粉均匀搅拌；
（2）将YAG晶体放入上述容器，1-2分钟取出分开晾干；
（3）反复步骤（2）3-5次，上述YAG晶体表面形成一层浊膜；
（4）将上述YAG晶体放入马弗炉中在150°C-200°C下加温1-1.5小时取出；
（5）将上述YAG晶体用水清洗，选用去离子水清洗上述YAG晶体，再用清洗液进行清洗；
（6）将上述YAG晶体烘干。
实施案例2：
（1）在容器内放置漆片，酒精、白灰粉，充分搅拌，其中按照重量百分比，漆片60%，酒精30%、白灰粉10%；
具体是先在容器内放置漆片，然后加入酒精充分稀释融化至饱和状态后，再加入白灰粉均匀搅拌；
（2）将YAG晶体放入上述容器，1-2分钟取出分开晾干；
（3）反复步骤（2）3-5次，上述YAG晶体表面形成一层浊膜；
（4）将上述YAG晶体放入马弗炉中在150°C-200°C下加温1-1.5小时取出；
（5）将上述YAG晶体用水清洗，选用去离子水清洗上述YAG晶体，再用清洗液进行清洗；
（6）将上述YAG晶体烘干。
实施案例3：
（1）在容器内放置漆片，酒精、白灰粉，充分搅拌，其中按照重量百分比，漆片55%，酒精28%、白灰粉17%；
具体是先在容器内放置漆片，然后加入酒精充分稀释融化至饱和状态后，再加入白灰粉均匀搅拌；
（2）将YAG晶体放入上述容器，1-2分钟取出分开晾干；
（3）反复步骤（2）3-5次，上述YAG晶体表面形成一层浊膜；
（4）将上述YAG晶体放入马弗炉中在150°C-200°C下加温1-1.5小时取出；
（5）将上述YAG晶体用水清洗，选用去离子水清洗上述YAG晶体，再用清洗液进行清洗；
（6）将上述YAG晶体烘干。
本发明，YAG晶体的清理方法，选用本发明的方法进行清洗，附着在晶体器件的有机物在高温下燃烧干净，无机物和晶体器件被有机物隔离，高温作用下自动脱离不留字迹。工艺简单，加工方便快捷，成本低，收益提高15% -20%。
上述实施例只为说明本发明的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此领域技术的人士能够了解本发明内容并加以实施，并不能以此限制本发明的保护范围。凡根据本发明精神实质所作的等效变化或修饰，都应涵盖在本发明的保护范围内。
Claims (5)
1.一种YAG晶体的清理方法，其特征在于，步骤包括：
（1）在容器内放置漆片，酒精、白灰粉，充分搅拌，其中按照重量百分比，漆片50%-60%，酒精25%-30%、白灰粉10%-20%；
（2）将YAG晶体放入所述容器，1-2分钟取出分开晾干；
（3）反复步骤（2）3-5次，所述YAG晶体表面形成一层浊膜；
（4）将所述YAG晶体放入炉中在150°C-200°C下加温1-1.5小时取出；
（5）将所述YAG晶体用水清洗；
（6）将所述YAG晶体烘干。
2.根据权利要求1所述的YAG晶体的清理方法，其特征在于，所述步骤（1）中，先在容器内放置漆片，然后加入酒精充分稀释融化至饱和状态后，再加入白灰粉均匀搅拌。
3.根据权利要求1所述的YAG晶体的清理方法，其特征在于，所述步骤（4）中，所述炉为马弗炉。
4.根据权利要求1所述的YAG晶体的清理方法，其特征在于，所述步骤（5）中，使用去离子水清洗所述YAG晶体。
5.根据权利要求4所述的YAG晶体的清理方法，其特征在于，所述步骤（5）中，使用去离子水清洗后，再用清洗液进行清洗。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN 201310030370 CN103071656A (zh) | 2013-01-25 | 2013-01-25 | Yag晶体的清理方法 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN 201310030370 CN103071656A (zh) | 2013-01-25 | 2013-01-25 | Yag晶体的清理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103071656A true CN103071656A (zh) | 2013-05-01 |
Family
ID=48148469
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| CN 201310030370 Pending CN103071656A (zh) | 2013-01-25 | 2013-01-25 | Yag晶体的清理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN103071656A (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110067025A (zh) * | 2018-01-20 | 2019-07-30 | 河北胤丞光电科技有限公司 | 一种高输出功率的yag晶体的制备方法 |
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2013
- 2013-01-25 CN CN 201310030370 patent/CN103071656A/zh active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110067025A (zh) * | 2018-01-20 | 2019-07-30 | 河北胤丞光电科技有限公司 | 一种高输出功率的yag晶体的制备方法 |
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| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20130501 |