CN103039364B - 一种循环诱导山药微型块茎的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种循环诱导山药微型块茎的方法,有以下步骤:(1)怀山药带芽茎段的预处理:将怀山药试管苗切成长度为1cm左右的带腋芽茎段接种于基本培养基为MS,添加20-40g/L的蔗糖和TDZ0.001-0.01mg/L,在培养室进行培养,25-40d即可长成健壮的植株;(2)怀山药试管苗的快速增殖:将上述得到的植株在无菌条件下直接接种于MS+20-40g/L蔗糖的培养基上,在恒温振荡箱中进行振荡培养12-18d,可短时间得到大量新生枝条;(3)怀山药微型块茎的诱导:将第二步得到的植株在无菌条件下接种于MS+40-100g/L蔗糖的诱导培养基上,先在恒温振荡培养箱中进行振荡培养0-45d,再置于培养室的散射光下静置培养30-45d,可以诱导出大量的微型块茎,本发明应用于山药的繁殖。
Description
技术领域:
本发明涉及植物块茎繁殖方法,特别是一种循环诱导山药微型块茎的方法。
背景技术:
怀山药是我国著名的“四大怀药”之一,具有很好的药用和食用价值,尤其是铁棍山药,它药食兼优,主要以块茎和珠芽入药,具有极高的营养和药用价值,属怀山药中的“极品”,备受国内外消费者的青睐,被誉为“怀参”或“大棒人参”。但在生产中,由于长期采用营养繁殖导致病毒感染严重,致使其种质退化、产量下降。因此,如何改善其品质、提高其产量已成为山药生产中亟需解决的一个重要的问题。应用植物组织培养技术获得脱毒苗可有效的解决这些问题,但脱毒苗不易运输、包装且移栽成活率低。研究发现,怀山药脱毒试管苗在繁殖过程中可以形成微型块茎,它不仅是植物的繁殖方式之一,而且也有利于种质的包装、运输、分配与利用,它的推广应用是提高山药产量、改善山药品质的一条有效途径。目前对于山药脱毒微型块茎的规模化生产,尤其是铁棍山药微型块茎的规模化生产方面未见有经济实用的诱导方法。
发明内容:
本发明的目的是提供一种循环诱导山药微型块茎的方法,形成的微型块茎品质好、产量高、周期短和便于运输。
实现本发明目的的技术方案是,一种循环诱导山药微型块茎的方法,其特征在于有以下步骤:
(1)怀山药带芽茎段的预处理
在超净工作台上,将怀山药试管苗切成长度为1 cm左右的带腋芽茎段接种于基本培养基为MS,添加20-40g/L的蔗糖和TDZ 0.001-0.01mg/L,在培养室进行培养,25-40 d即可长成健壮的植株,培养室的培养条件为:温度24-30℃,光照12-16 h/d,光强2000-3000lx;
(2)怀山药试管苗的快速增殖
在超净工作台上,将上述得到的植株在无菌条件下直接接种于MS + 20-40g/L蔗糖的培养基上,在恒温振荡箱中进行振荡培养12-18d,可短时间得到大量新生枝条,恒温振荡培养箱设置的参数为:温度25-35℃,100-140rpm;
(3)怀山药微型块茎的诱导
在超净工作台上,将第二步得到的植株在无菌条件下接种于MS + 40-100g/L蔗糖的诱导培养基上,先在恒温振荡培养箱中进行振荡培养0-45d,再置于培养室的散射光下静置培养30-45 d,可以诱导出大量的微型块茎,恒温振荡培养箱设置的参数为:温度24-30℃,40-60rpm,培养室的培养条件为:温度24-30℃,散射光。
本发明与现有技术比较具有诱导材料可循环利用、微型块茎的形成周期短、数量多、品质好的显著优点。
具体实施方式:
本发明有以下实施例:
(1)怀山药带芽茎段的预处理
在超净工作台上将怀山药试管苗切成长度为1 cm左右的带腋芽茎段接种于基本培养基为MS,添加20-40g/L的蔗糖、TDZ 0.001-0.01mg/L,在培养室进行培养,25-40 d即可长成健壮的植株,培养室的培养条件为:温度24-30℃,光照12-16 h/d,光强为2000-3000lx;
(2)怀山药试管苗的快速增殖
在超净工作台上,将上述得到的植株在无菌条件下直接接种于MS + 20-40g/L蔗糖的培养基上,在恒温振荡箱中进行振荡培养12-18d,可短时间得到大量新生枝条;恒温振荡培养箱设置的参数为:温度25-35℃,100-140rpm;
(3)怀山药微型块茎的诱导
在超净工作台上,将第二步得到的植株在无菌条件下接种于MS + 40-100g/L蔗糖的诱导培养基上,先在恒温振荡培养箱中进行振荡培养0-45d,再置于培养室的散射光下静置培养30-45 d,可以诱导出大量的微型块茎;恒温振荡培养箱设置的参数为:温度24-30℃,40-60rpm;培养室的培养条件为:温度24-30℃,散射光。
Claims (1)
1.一种循环诱导山药微型块茎的方法,其特征在于有以下步骤:
(1)怀山药带芽茎段的预处理
在超净工作台上,将怀山药试管苗切成长度为1 cm左右的带腋芽茎段接种于基本培养基为MS,添加20-40g/L的蔗糖和TDZ 0.001-0.01mg/L,在培养室进行培养,25-40 d即可长成健壮的植株,培养室的培养条件为:温度24-30℃,光照12-16 h/d,光强2000-3000lx;
(2)怀山药试管苗的快速增殖
在超净工作台上,将上述得到的植株在无菌条件下直接接种于MS + 20-40g/L蔗糖的培养基上,在恒温振荡箱中进行振荡培养12-18d,短时间得到大量新生枝条,恒温振荡培养箱设置的参数为:温度25-35℃,100-140rpm;
(3)怀山药微型块茎的诱导
在超净工作台上,将第二步得到的植株在无菌条件下接种于MS + 40-100g/L蔗糖的诱导培养基上,先在恒温振荡培养箱中进行振荡培养45d,再置于培养室的散射光下静置培养30-45 d,诱导出大量的微型块茎,恒温振荡培养箱设置的参数为:温度24-30℃,40-60rpm,培养室的培养条件为:温度24-30℃,散射光。
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