CN103030408A - 碳化硅镁砖 - Google Patents

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李洪义
唐家彬
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Abstract

一种以碳化硅与镁砂为主要原料的碳化硅镁砖的生产方法。其特点是将碳化硅、镁砂、粘合剂混合、搅拌后,经压制成型,高温培烧而得到的一种耐火砖。本发明与现有技术相比较有如下优点:1、无污染:由于本耐火材料中不含铬等污染环境的有害物质,故符合环保要求;2、造价低廉:由于碳化硅、氧化镁等原料都是当地的资源,故节省运费;3、寿命长:由于本发明所得的产品是在还原气氛下制得的,故在炼钢、炼铁炉中本产品的寿命远比铁镁耐火砖长。除此之外,本发明的产品还有导热系数小、保温性能好、节能等优点。

Description

碳化硅镁砖
技术领域:
本发明涉及一种新型材料的耐火砖生产方法,确切地讲是一种以碳化硅与镁砂为主要原料的碳化硅镁砖的生产方法。
背景技术:
目前,国内外生产耐火镁砖的方法很多,如:含铬原料与镁砂为主要原料生产的铬镁砖,其主要缺点是污染环境严重,是目前社会所整治的重点对象;含锆原料与镁砂为主要原料生产的锆镁砖、含铝原料与镁砂为主要原料生产的铝镁砖、其主要缺欠是价格昂贵,生产成本高,用户难以承受;含铁原料与镁砂为主要原料生产的铁镁砖、其主要缺欠是不能在还原的气氛生产,也不符合用户的需要。
发明内容:
本发明的目的,是针对上述问题中存在的缺欠,为人们一供一种既能解决环境污染、价格昂贵,又能解决用户在还原气氛下生产的,以碳化硅与镁砂为主要原料的碳化硅镁砖的生产方法。
本发明的生产方法如下:(份是重量单位)
它是将:碳化硅(SiC)原料:20-40份,镁砂(MeO)原料:60-80份,粘合剂:2-5份;送入配料搅拌罐内,在常温、常压下搅拌15-30分钟;之后,送入制砖机模具内在每平方厘米两顿的压力下压制成型;之后送入隧道窑内,在还原气氛中、在1550-1650摄氏温度下陪烧2.5-3.5小时,之后出窑、入库。
本发明中的粘合剂是造纸厂中生产废液-木质素磺酸钠溶液。也可以是与水配制成百分之十三至三十的木质素磺酸钠溶液。
积极效果:
本发明实现后,与现有技术相比较有如下优点:1、无污染:由于本耐火材料中不含铬等污染环境的有害物质,故符合环保要求;2、造价低廉:由于碳化硅、氧化镁等原料都是当地的资源,故节省运费;3、寿命长:由于本发明所得的产品是在还原气氛下制得的,故在炼钢、炼铁炉中本产品的寿命远比铁镁耐火砖长。除此之外,本发明的产品还有导热系数小、保温性能好、节能等优点。
图1是本发明的生产工艺流程图。
实施例1:
将:碳化硅(SiC)原料:25份,镁砂(MeO)原料:75份,粘合剂:3份;送入配料搅拌罐内,在常温、常压下搅拌20分钟;之后,送入制砖机模具内在每平方厘米两顿的压力下压制成型;之后送入隧道窑内,在还原气氛中、在1550摄氏温度下陪烧2.5小时,之后出窑、入库。
本发明中的粘合剂是造纸厂中生产废液-木质素磺酸钠溶液。也可以是配制成百分之十三的木质素磺酸钠溶液。
实施例2:
将:碳化硅(SiC)原料:30份,镁砂(MeO)原料:70份,粘合剂:4份;送入配料搅拌罐内,在常温、常压下搅拌25分钟;之后,送入制砖机模具内在每平方厘米两顿的压力下压制成型;之后送入隧道窑内,在还原气氛中、在1600摄氏温度下陪烧3小时,之后出窑、入库。
本发明中的粘合剂是造纸厂中生产废液-木质素磺酸钠溶液。也可以是与水配制成百分之二十的木质素磺酸钠溶液。
实施例3:
将:碳化硅(SiC)原料:35份,镁砂(MeO)原料:65份,粘合剂:5份;送入配料搅拌罐内,在常温、常压下搅拌30分钟;之后,送入制砖机模具内在每平方厘米两顿的压力下压制成型;之后送入隧道窑内,在还原气氛中、在1650摄氏温度下陪烧3.5小时,之后出窑、入库。
本发明中的粘合剂是造纸厂中生产废液-木质素磺酸钠溶液。也可以是与水配制成百分之二十五的木质素磺酸钠溶液。

Claims (2)

1.一种碳化硅镁砖的生产方法,其特征在于:它是将碳化硅(SiC)原料20-40份,镁砂(MeO)原料60-80份,粘合剂2-5份送入配料搅拌罐内,在常温、常压下搅拌15-30分钟;之后,送入制砖机模具内,在每平方厘米两顿的压力下压制成型;之后送入隧道窑内,在还原气氛中、在1550-1650摄氏温度下陪烧2.5-3.5小时:之后出窑、入库。
2.一种碳化硅镁砖的生产方法,其特征在于:权利要求1中所述的粘合剂是造纸厂中生产的废液-木质素磺酸钠溶液,也可以是与水配制成百分之十三至三十的木质素磺酸钠溶液。
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PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

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