CN103023453A - 电子部件的端子连接构造、封装件、压电振动器、振荡器、电子设备及电波钟 - Google Patents
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Abstract
本发明提供能够防止与贯通电极连接的电极之间的电阻值增大并确保良好的导通性能的电子部件的端子连接构造、具备具有该电子部件的端子连接构造的基板的封装件、压电振动器、振荡器、电子设备及电波钟。该电子部件的端子连接构造,具有贯通基底基板(2)(基板)的贯通电极(32)和与贯通电极(32)电连接的外部电极(38),其特征在于,在贯通电极(32)的外侧端面(32a)(端面),形成覆盖该外侧端面(32a)的导电性氧化物的被覆膜(70)(膜),贯通电极(32)与外部电极(38)经由导电性氧化物的被覆膜(70)电连接。
Description
技术领域
本发明涉及电子部件的端子连接构造、封装件(package)、压电振动器、振荡器、电子设备及电波钟。
背景技术
近年来,在便携电话、便携信息终端上,采用利用水晶(石英)等作为时刻源、控制信号等的定时源、参考信号源等的压电振动器。对于这种压电振动器,已知各式各样的压电振动器,但作为其中之一,已知2层构造型的表面安装型压电振动器。
该2层构造型的压电振动器,通过直接接合第一基板和第二基板而被封装化,在两基板之间形成的空腔内收纳压电振动片。作为这种2层构造型的压电振动器之一,已知具备将第一基板内外导通的贯通电极和形成在第一基板的外侧并与外部电极电连接的外部电极的压电振动器。
作为在这种压电振动器的第一基板形成贯通电极的方法,提出了各式各样的方案。
例如,在专利文献1中,记载了在基底基板形成贯通孔,在将基底基板热软化的状态下向贯通孔内打入金属销后形成贯通电极的方法。
此外,在基底基板形成贯通孔,并在贯通孔内配置金属销,向贯通孔和金属销的间隙填充玻璃料后,使玻璃料硬化从而固定金属销来形成贯通电极的方法等,为人所知。
此外,作为形成外部电极的方法,已知从对应于贯通电极的位置形成有开口的掩模之上涂敷银膏等导电膏的所谓网版印刷。然后,使涂敷到贯通电极的端面上的导电膏干燥并固化,从而以覆盖贯通电极的端面的方式形成外部电极。
可是,在形成外部电极为止的期间,贯通电极的端面处于从基底基板的表面露出的状态。因此,在制造过程中贯通电极的端面容易氧化,存在容易生成绝缘体氧化膜的问题。而且,如果在生成绝缘体氧化膜的状态下以覆盖贯通电极的端面的方式形成贯通电极,由于绝缘体氧化膜介于贯通电极的端面和外部电极之间,所以有电阻值增大的危险。
于是,例如通过对贯通电极的端面实施镀金,防止在贯通电极的端面生成绝缘体氧化膜。然后,隔着金镀层在贯通电极的端面上形成外部电极,从而抑制贯通电极的端面与外部电极之间的电阻值的增大。
专利文献
专利文献1:日本特开2002-124845号公报。
发明内容
但是,一般金镀层与其它金属的密接力弱。因而,在隔着金镀层在贯通电极的端面上形成外部电极的情况下,有可能发生诸如外部电极从贯通电极剥离等而导通不良。特别是,金镀层与银的密接力弱,因此在用银膏形成外部电极的情况下,该问题会显著。
于是,本发明的课题是提供能够防止与贯通电极连接的电极之间的电阻值增大并确保良好的导通性能的电子部件的端子连接构造、具备具有该电子部件的端子连接构造的基板的封装件、压电振动器、振荡器、电子设备及电波钟。
为了解决上述的课题,本发明的电子部件的端子连接构造,具有贯通基板的贯通电极和与所述贯通电极电连接的电极,其特征在于,在所述贯通电极的端面,形成覆盖该端面的导电性氧化物的膜,所述贯通电极和所述电极经由所述导电性氧化物的膜电连接。
根据本发明,通过在贯通电极的端面形成导电性氧化物的膜,能够防止在贯通电极的端面形成绝缘体氧化膜。因而,不会出现绝缘体氧化膜介于贯通电极和电极之间的情况,因此防止贯通电极与电极之间的电阻值的增大,能够将贯通电极与电极电连接。
此外,由于经由导电性氧化物的膜电连接贯通电极与电极,所以能够确保贯通电极和电极的良好的密接性。因而,能够抑制电极从贯通电极的剥离,因此能够确保贯通电极和电极的良好的导通性能。
此外,本发明的电子部件的端子连接构造的特征在于:所述导电性氧化物用ITO、SnO及SnO2的任意材料形成。
根据本发明,适合用ITO、SnO及SnO2在贯通电极的端面形成膜的情况,能够确保贯通电极和电极的良好的密接性。
此外,本发明的电子部件的端子连接构造的特征在于:用银膏形成了所述电极。
根据本发明,适合用银膏形成电极的情况,能够确保贯通电极和电极的良好的密接性。
此外,本发明的封装件,能够封入电子元件,具备具有上述的电子部件的端子连接构造的所述基板,其特征在于:所述电极是形成在所述基板的外侧的外部电极,在所述贯通电极的外侧端面,形成覆盖该端面的所述导电性氧化物的膜,所述贯通电极和所述外部电极经由所述导电性氧化物的膜电连接。
根据本发明,通过在贯通电极的外侧端面形成导电性氧化物的膜,能够防止在贯通电极的端面形成绝缘体氧化膜。因而,不会出现绝缘体氧化膜介于贯通电极和外部电极之间的情况,防止贯通电极与外部电极之间的电阻值的增大,能够将贯通电极与外部电极电连接。
此外,由于经由导电性氧化物的膜电连接贯通电极与外部电极,所以能够确保贯通电极和外部电极的良好的密接性。因而,能够抑制外部电极从贯通电极的剥离,因此能够确保贯通电极和外部电极的良好的导通性能。
此外,本发明的封装件,其特征在于:设定所述导电性氧化物的膜的面积大于所述贯通电极的外侧端面的面积。
根据本发明,通过将导电性氧化物的膜设定为比贯通电极的外侧端面的面积大,较之仅在贯通电极的外侧端面形成导电性氧化物的膜的情况,能够更大地确保导电性氧化物的膜与外部电极的接触面积。由此,能够将贯通电极与外部电极之间的电阻值抑制在较低水平,因此能够进一步确保贯通电极和外部电极的良好的导通性能。
此外,本发明的压电振动器,其特征在于:在上述的封装件的内部,封入压电振动片作为所述电子元件。
根据本发明,由于在能够防止贯通电极与外部电极之间的电阻值增大并确保贯通电极和外部电极的良好的导通性能的封装件内部封入压电振动片,所以能够提供性能良好且高效率的压电振动器。
本发明的振荡器,其特征在于:上述的压电振动器,作为振子与集成电路电连接。
本发明的电子设备,其特征在于:上述的压电振动器与计时部电连接。
本发明的电波钟,其特征在于:上述的压电振动器与滤波部电连接。
依据本发明的振荡器、电子设备及电波钟,能够提供性能良好且高效率的振荡器、电子设备及电波钟。
根据本发明,通过在贯通电极的端面形成导电性氧化物的膜,能够防止在贯通电极的端面形成绝缘体氧化膜。因而,不会出现绝缘体氧化膜介于贯通电极和电极之间的情况,因此能够防止贯通电极与电极之间的电阻值的增大,能够将贯通电极和电极电连接。
此外,由于经由导电性氧化物的膜电连接贯通电极和电极,所以能够确保贯通电极和电极的良好的密接性。因而,能够抑制电极从贯通电极的剥离,能够确保贯通电极和电极的良好的导通性能。
附图说明
图1是示出压电振动器的外观立体图;
图2是图1所示的压电振动器的内部结构图,是取下盖基板后的状态的平面图;
图3是图2的A-A线上的剖视图;
图4是图1所示的压电振动器的分解立体图;
图5是贯通电极与外部电极的连接构造的说明图;
图6是压电振动器的制造方法的流程图;
图7是圆片(wafer)体的分解立体图;
图8是被覆膜成膜工序的说明图;
图9是示出振荡器的一实施方式的结构图;
图10是示出电子设备的一实施方式的结构图;
图11是示出电波钟的一实施方式的结构图。
具体实施方式
(压电振动器)
以下,参照附图,对本发明的实施方式的压电振动器进行说明。
图1是压电振动器1(相当于权利要求的“电子部件”)的外观立体图;图2是压电振动器1的内部结构图;图3是图2的A-A线上的剖视图。此外,图4是图1所示的压电振动器1的分解立体图。
此外,在以下说明中,以基底基板2的外侧的面为外面L,以基底基板2的内侧的面为内面U进行说明。此外,在图4中,为了方便示图而省略了后述的激振电极15、引出电极19、20、装配电极16、17及重锤金属膜21的图示。
如图1所示,本实施方式的压电振动器1是基底基板2及盖基板3隔着接合膜35阳极接合的封装件9,是表面安装型的压电振动器1。如图3所示,在封装件9内部的空腔C中收纳着压电振动片4(相当于权利要求的“电子元件”)。
(压电振动片)
如图2所示,压电振动片4是由水晶、钽酸锂、铌酸锂等压电材料形成的音叉型振动片,在被施加既定的电压时振动。压电振动片4具备:平行配置的一对振动臂部10、11;将所述一对振动臂部10、11的基端侧固定成一体的基部12;和形成在一对振动臂部10、11的两主面上的槽部18。该槽部18沿着振动臂部10、11的长度方向从振动臂部10、11的基端侧形成至大致中间附近。
激振电极13、14及引出电极19、20用与后述的装配电极16、17的基底层相同材料的铬形成有单层膜。由此,在成膜装配电极16、17的基底层的同时,成膜激振电极13、14及引出电极19、20。
激振电极13、14是使一对振动臂部10、11以既定的谐振频率在彼此接近或分离的方向上振动的电极。第一激振电极13及第二激振电极14以分别电切断的状态构图而形成在一对振动臂部10、11的外表面。
装配电极16、17是铬和金的层叠膜,通过将与水晶的密接性良好的铬膜成膜为基底层后,在表面成膜金的薄膜作为精装(仕上げ)层而形成。
在一对振动臂部10、11的前端覆盖着用于进行调整(频率调整)的重锤金属膜21,以使自身的振动状态在既定的频率范围内而振动。该重锤金属膜21被分为粗调频率时使用的粗调膜21a和微调时使用的微调膜21b。利用这些粗调膜21a及微调膜21b进行频率调整,从而能够将一对振动臂部10、11的频率收敛在器件的标称频率的范围内。
(封装件)
如图1所示,基底基板2及盖基板3是用玻璃材料例如碱石灰玻璃构成的能阳极接合的基板,形成为大致板状。此外,如图3所示,在盖基板3的与基底基板2的接合面一侧,形成有收纳压电振动片4的空腔用凹部3a。
在盖基板3的与基底基板2的接合面一侧的全体面,形成有阳极接合用的接合膜35。即接合膜35不仅形成在空腔用凹部3a的全体内表面,而且形成在空腔用凹部3a周围的边缘区域。本实施方式的接合膜35用硅膜形成,但接合膜35也可以用铝、铬等形成。该接合膜35和基底基板2被阳极接合,空腔C被真空密封。
(贯通电极)
压电振动器1具备沿厚度方向贯通基底基板2并使基底基板2的内面U和基底基板2的外面L导通的贯通电极32、33。贯通电极32、33配置在贯通基底基板2的内面U和基底基板2的外面L的贯通孔30、31内,电连接压电振动片4和后述的外部电极38、39。
如图2所示,贯通孔30、31形成为在形成压电振动器1时被收纳到空腔C内。更详细地说,贯通孔30、31中,一个贯通孔30形成在与后述的装配工序中被安装的压电振动片4的基部12侧对应的位置,另一贯通孔31形成在与振动臂部10、11的前端侧对应的位置。
如图3所示,贯通电极32、33沿着贯通孔30、31的中心轴O而配置。
贯通电极32、33是用银、镍合金、铝等的金属材料形成的导电性的棒状部件,通过锻造、压力加工来成型。贯通电极32、33是线膨胀系数接近基底基板2的玻璃材料的金属,例如优选用含有58重量%的铁和42重量%的镍的合金(42合金(alloy))形成。贯通电极32、33的外侧端面32a、33a与后述的外部电极38、39电连接。此外,贯通电极32、33的内侧端面32b、33b与后述的迂回电极36、37电连接。
在贯通孔30、31与贯通电极32、33的间隙中,填充有玻璃体6。
玻璃体6是玻璃料烧成后的部分,对贯通电极32、33的外表面及贯通化30、31的内周面牢固地固接。而且,玻璃体6完全堵塞贯通孔30、31与贯通电极32、33的间隙,维持空腔C内的气密性。
(导电性氧化物的被覆膜)
图5是贯通电极32和外部电极38的连接构造的说明图。此外,贯通电极32和外部电极38的连接构造以及贯通电极33和外部电极39的连接构造为同样的结构。因而,在以下借助图5的说明中,对贯通电极32和外部电极38的连接构造进行说明,而省略对贯通电极33和外部电极39的连接构造的说明。
如图5所示,在贯通电极32的端面中,从基底基板2的外面L露出的外侧端面32a,以覆盖该外侧端面32a的方式形成有被覆膜70。
被覆膜70例如以ITO(氧化铟锡)或SnO、SnO2(均为氧化硅)等导电性氧化物为材料,以膜厚成为例如1000Å程度的方式成膜。
从贯通电极32的中心轴O方向来看,被覆膜70覆盖贯通电极32的外侧端面32a的整个面,进而覆盖玻璃体6的一部分,形成为大于外侧端面32a的外形。即,从中心轴O方向观察的被覆膜70的面积被设定为大于贯通电极32的外侧端面32a的面积。
(外部电极)
如图3所示,在基底基板2的外面L,基底基板2的长度方向的两端部形成有覆盖被覆膜70的一对外部电极38、39。
外部电极38、39通过例如在涂敷银膏等的导电性材料后,干燥并固化而形成。外部电极38、39经由被覆膜70而与贯通电极32、33电连接。在此,ITO、SnO、SnO2等的导电性氧化物,与银的密接性良好。因而,贯通电极32、33和外部电极38、39,通过被覆膜70被牢固地连接。
如图4所示,在基底基板2的内面U侧,构图有一对迂回电极36、37。迂回电极36、37为例如用金等构成的膜,通过例如溅射法、CVD法等来成膜。
一对迂回电极36、37之中,一个迂回电极36以位于一个贯通电极32的内侧端面32b的正上方的方式形成。此外,另一迂回电极37形成为从邻接一个迂回电极36的位置沿着振动臂部10、11迂回到所述振动臂部10、11的前端侧后,位于另一贯通电极33的内侧端面33b的正上方。
然后,在这些一对迂回电极36、37上分别形成有凸点(bump)B,利用凸点B安装压电振动片4的一对装配电极16、17。由此,压电振动片4的一个装配电极17经由一个迂回电极36而与一个贯通电极32导通,另一装配电极16经由另一迂回电极37而与另一贯通电极33导通(参照图2)。
在使这样构成的压电振动器1工作的情况下,对形成在基底基板2的外部电极38、39施加既定的驱动电压。由此,电压能够施加到压电振动片4的由第一激振电极13及第二激振电极14构成的激振电极15,因此能够使一对振动臂部10、11在接近/分离的方向上以既定的频率振动。再者,利用该一对振动臂部10、11的振动,能够作为时刻源、控制信号的定时源、参考信号源等而加以利用。
(压电振动器的制造方法)
图6是本实施方式的压电振动器1的制造方法的流程图。
图7是圆片体60的分解立体图。此外,图7所示的虚线示出后面进行的切断工序中切断的切断线M。
接着,参照图6的流程图,说明压电振动器1的制造方法。
如图6所示,本实施方式的压电振动器1的制造方法,主要包括:压电振动片制作工序S10、盖基板用圆片制作工序S20、基底基板用圆片制作工序S30、和组装工序(装配工序S50以后)。在各工序中,压电振动片制作工序S10、盖基板用圆片制作工序S20及基底基板用圆片制作工序S30能够并行实施。
(压电振动片制作工序)
在压电振动片制作工序S10中,制作压电振动片4。具体而言,首先以既定的角度对水晶的朗伯(Lambert)原矿石进行切片,并进行抛光(polish)等的镜面研磨加工,做成既定厚度的圆片。接着,利用光刻技术以压电振动片4的外形形状进行构图,并且进行金属膜的成膜及构图,形成激振电极13、14,引出电极19、20,装配电极16、17,以及重锤金属膜21。其后,进行压电振动片4的谐振频率的粗调。经以上工序,结束压电振动片制作工序S10。
(盖基板用圆片制作工序)
在盖基板用圆片制作工序S20中,制作后续成为盖基板3的盖基板用圆片50。首先,将由碱石灰玻璃构成的圆板状的盖基板用圆片50研磨加工至既定的厚度并清洗后,通过蚀刻等来除去最表面的加工变质层(S21)。接着,在空腔形成工序S22中,在盖基板用圆片50的与基底基板用圆片40的接合面,形成多个空腔用凹部3a。空腔用凹部3a的形成是通过加热压力成型、蚀刻加工等来进行的。接着,在接合面研磨工序S23中,研磨与基底基板用圆片40的接合面。
接着,在接合膜形成工序S24中,在与基底基板用圆片40的接合面形成接合膜35(参照图3)。接合膜35的形成是通过溅射法、CVD法等的成膜方法来进行的。经以上工序,结束盖基板用圆片制作工序S20。
(基底基板用圆片制作工序)
在基底基板用圆片制作工序S30中,制作后续成为基底基板2的基底基板用圆片40。首先,将由碱石灰玻璃构成的圆板状的基底基板用圆片40研磨加工至既定的厚度并清洗后,通过蚀刻等来除去最表面的加工变质层(S31)。
(贯通电极形成工序)
接着,进行在基底基板用圆片40形成一对贯通电极32、33的贯通电极形成工序S32。此外,下面说明贯通电极32的形成工序,但贯通电极33的形成工序也同样。
首先,将贯通孔30从基底基板用圆片40的外面L成型到内面U。接着,向贯通孔30内插入贯通电极32并填充玻璃料。玻璃料主要由粉末状的玻璃颗粒、有机溶剂、粘合剂(固接剂)构成。
接着,烧成玻璃料而形成玻璃体6,使玻璃体6、贯通孔30及贯通电极32一体化(参照图3)。例如,将基底基板用圆片40运送到烧成炉后,烧成玻璃料。这时,玻璃料内部的有机溶剂、粘合剂等蒸发,产生一氧化碳(CO)、二氧化碳(CO2)、水蒸气(H2O)等的逸气,被释放到玻璃料的外部。
最后,研磨基底基板用圆片40的内面U及外面L而做成平坦面,从而使贯通电极32的内侧端面32b从内面U露出,使贯通电极32的外侧端面32a露出到外面L。通过贯通电极32,确保基底基板用圆片40的内面U侧和外面L侧的导电性,同时能够密封基底基板用圆片40的贯通孔30。
(迂回电极形成工序)
接着,进行在基底基板用圆片40的内面U形成多个与贯通电极32、33分别电连接的迂回电极36、37的迂回电极形成工序S33。进而,在迂回电极36、37上形成分别由金等构成的凸点B(参照图4)。此外,在图7中,为了方便示图而省略了凸点B的图示。在该时间点结束基底基板用圆片制作工序S30。
(装配工序)
接着,进行通过凸点B在基底基板用圆片40的迂回电极36、37上接合压电振动片4的装配工序S50。具体而言,将压电振动片4的基部12承载于凸点B上,将凸点B加热到既定温度,同时将压电振动片4按压到凸点B上并施加超声波振动。由此,如图3所示,压电振动片4的振动臂部10、11以从基底基板用圆片40的内面U浮起的状态将基部12机械地固定在凸点B。
(叠合工序)
在结束压电振动片4的安装后,进行对基底基板用圆片40叠合盖基板用圆片50的叠合工序S60。通过该工序,安装到基底基板用圆片40的压电振动片4,成为被收容到由盖基板用圆片50的空腔用凹部3a和基底基板用圆片40包围的空腔C内的状态。
(接合工序)
在叠合工序S60之后,进行将叠合后的两圆片40、50放入未图示的阳极接合装置,在既定的温度环境中施加既定的电压而阳极接合的接合工序S70。通过该工序,能够将压电振动片4密封于空腔C内,能得到基底基板用圆片40和盖基板用圆片50接合的图7所示的圆片体60。此外,在图7中,为了方便示图,示出将圆片体60分解后的状态,并从盖基板用圆片50省略了接合膜35的图示。
(被覆膜成膜工序)
图8是被覆膜成膜工序S75的说明图,是基底基板用圆片40的侧面剖视图。
接着,进行在从基底基板用圆片40的外面L露出的贯通电极32、33的外侧端面32a、33a,成膜以ITO、SnO、SnO2等的导电性氧化物为材料的被覆膜70的被覆膜成膜工序S75。
在被覆膜成膜工序S75中,在基底基板用圆片40的外面L抵接地配置具有与贯通电极32、33的形成区域对应的开口80a的掩模材料80。然后,隔着掩模材料80,利用溅射法、CVD法、真空蒸镀法等成膜方法从外面L侧涂敷导电性氧化物,进行被覆膜70的成膜。被覆膜70被成膜到例如1000Å左右的膜厚。
在此,从贯通电极32、33的中心轴O方向来看,掩模材料80的开口80a形成为大于贯通电极32、33的外侧端面32a、33a的外形。由此,被覆膜70覆盖贯通电极32、33的外侧端面32a、33a的整个面,进而覆盖玻璃体6的一部分,形成为面积大于外侧端面32a的面积。
(外部电极形成工序)
接着,进行在基底基板用圆片40的外面L对银膏进行构图而形成多个与一对贯通电极32、33分别电连接的一对外部电极38、39(参照图3)的外部电极形成工序S80。具体而言,在基底基板用圆片40的外面L抵接地配置与外部电极38、39的形成位置对应地形成有开口的未图示的掩模,隔着该掩模,例如用网版印刷涂敷银膏。通过该工序,贯通电极32、33经由被覆膜70而与外部电极38、39电连接地形成。而且,空腔C内的压电振动片4经由贯通电极32、33及被覆膜70而与外部电极38、39导通。
(微调工序)
接着,进行在圆片体60的状态下对密封在空腔C内的各个压电振动器的频率进行微调的微调工序S90。通过该工序,将压电振动器的频率收敛在标称频率的范围内。
(切断工序)
在结束频率的微调后,进行沿着图7所示的切断线M切断已接合的圆片体60的切断工序S100。由此,圆片体60被分离成多个压电振动器1。
(电特性检查)
其后,进行内部的电特性检查S110。即,测定压电振动片4的谐振频率、谐振电阻值、驱动电平特性(谐振频率及谐振电阻值的激振电力依赖性)等并进行检验。此外,将绝缘电阻特性等一并检验。然后,最后进行压电振动器的外观检查,进行尺寸、品质等的最终检验。从而结束压电振动器的制造。
(效果)
依据本实施方式,通过在贯通电极32、33的外侧端面32a、33a形成导电性氧化物的被覆膜70,能够防止在贯通电极32、33的外侧端面32a、33a形成绝缘体氧化膜。因而,不会出现绝缘体氧化膜介于贯通电极32、33和外部电极38、39之间的情况,因此能够防止贯通电极32、33与外部电极38、39之间的电阻值增大,并能够将贯通电极32、33与外部电极38、39电连接。
此外,经由导电性氧化物的被覆膜70电连接贯通电极32、33和外部电极38、39,因此能够确保贯通电极32、33和外部电极38、39的良好的密接性。因而,能够抑制外部电极38、39从贯通电极32、33的剥离,因此能够确保贯通电极32、33和外部电极38、39的良好的导通性能。
此外,依据本实施方式,通过将导电性氧化物的被覆膜70设定为面积大于贯通电极32、33的外侧端面32a、33a的面积,较之仅在贯通电极32、33的外侧端面32a、33a形成导电性氧化物的被覆膜70的情况,能更大地确保导电性氧化物的被覆膜70与外部电极38、39的接触面积。由此,能够将贯通电极32、33与外部电极38、39之间的电阻值抑制在较低水平,因此能进一步确保贯通电极32、33和外部电极38、39的良好的导通性能。
此外,依据本实施方式,将压电振动片4封入能够防止贯通电极32、33与外部电极38、39之间的电阻值增大并能确保贯通电极32、33和外部电极38、39的良好的导通性能的封装件9内部,因此能够提供性能良好且高效率的压电振动器1。
(振荡器)
接着,参照图9,对本发明的振荡器的一实施方式进行说明。
本实施方式的振荡器110如图9所示,将压电振动器1构成为电连接至集成电路111的振子。该振荡器110具备安装了电容器等的电子元器件112的基板113。在基板113安装有振荡器用的上述集成电路111,在该集成电路111的附近安装有压电振动器1的压电振动片。这些电子元器件112、集成电路111及压电振动器1通过未图示的布线图案分别电连接。此外,各构成部件通过未图示的树脂来模制(mould)。
在这样构成的振荡器110中,对压电振动器1施加电压时,压电振动器1内的压电振动片4振动。通过压电振动片4所具有的压电特性,将该振动转换为电信号,以电信号方式输入至集成电路111。通过集成电路111对输入的电信号进行各种处理,以频率信号的方式输出。从而,压电振动器1作为振子起作用。
此外,根据需求有选择地设定集成电路111的结构,例如RTC(实时时钟)模块等,除了钟表用单功能振荡器等之外,还能够附加控制该设备或外部设备的工作日期、时刻,或者提供时刻、日历等的功能。
依据本实施方式的振荡器110,由于具备性能良好且高效率的压电振动器1,所以能够提供性能良好且高效率的振荡器110。
(电子设备)
接着,参照图10,就本发明的电子设备的一实施方式进行说明。此外作为电子设备,举例说明了具有上述压电振动器1的便携信息设备120。最初本实施方式的便携信息设备120例如以便携电话为代表,发展并改良现有技术中的手表。外观类似于手表,在相当于文字盘的部分配有液晶显示器,能够在该画面上显示当前的时刻等。此外,在作为通信机而利用的情况下,从手腕取下,通过内置于表带的内侧部分的扬声器和麦克风而能够进行与现有技术的便携电话相同的通信。然而,与现有的便携电话相比较,明显小型化且轻型化。
下面,对本实施方式的便携信息设备120的结构进行说明。如图10所示,该便携信息设备120具备压电振动器1和供电用的电源部121。电源部121例如由锂二次电池构成。进行各种控制的控制部122、进行时刻等的计数的计时部123、与外部进行通信的通信部124、显示各种信息的显示部125、和检测各功能部的电压的电压检测部126,与该电源部121并联连接。而且,通过电源部121来对各功能部供电。
控制部122控制各功能部,进行声音数据的发送及接收、当前时刻的测量、显示等的整个系统的动作控制。此外,控制部122具备预先写入程序的ROM、读取写入到该ROM的程序并执行的CPU、和作为该CPU的工作区使用的RAM等。
计时部123具备内置了振荡电路、寄存器电路、计数器电路及接口电路等的集成电路和压电振动器1。对压电振动器1施加电压时压电振动片振动,通过水晶所具有的压电特性,该振动被转换为电信号,以电信号的方式输入到振荡电路。振荡电路的输出被二值化,通过寄存器电路和计数器电路来计数。然后,通过接口电路,与控制部122进行信号的发送与接收,在显示部125显示当前时刻、当前日期或者日历信息等。
通信部124具有与现有的便携电话相同的功能,具备无线电部127、声音处理部128、切换部129、放大部130、声音输入输出部131、电话号码输入部132、来电音发生部133及呼叫控制存储器部134。
通过天线135,无线电部127与基站进行收发声音数据等各种数据的交换。声音处理部128对从无线电部127或放大部130输入的声音信号进行编码及解码。放大部130将从声音处理部128或声音输入输出部131输入的信号放大到既定电平。声音输入输出部131由扬声器或麦克风等构成,扩大来电音、受话声音,或者将声音拢音。
此外,来电音发生部133响应来自基站的呼叫而生成来电音。切换部129仅在来电时,通过将连接在声音处理部128的放大部130切换到来电音发生部133,在来电音发生部133中生成的来电音经由放大部130输出至声音输入输出部131。
此外,呼叫控制存储器部134存放与通信的呼叫及来电控制相关的程序。此外,电话号码输入部132具备例如0至9的号码键及其它键,通过按压这些号码键等,输入通话目的地的电话号码等。
电压检测部126在通过电源部121对控制部122等的各功能部施加的电压小于既定值时,检测其电压降后通知控制部122。这时的既定电压值是作为使通信部124稳定动作所需的最低限的电压而预先设定的值,例如,3V左右。从电压检测部126收到电压降的通知的控制部122禁止无线电部127、声音处理部128、切换部129及来电音发生部133的动作。特别是,停止耗电较大的无线电部127的动作是必需的。而且,显示部125显示通信部124由于电池余量的不足而不能使用的提示。
即,能够由电压检测部126和控制部122禁止通信部124的动作并在显示部125显示该提示。该显示可以是文字消息,但作为更直观的显示,也可以在显示于显示部125的显示面的上部的电话图标打“×(叉)”标记。
此外,通过具备能够有选择地截断与通信部124的功能相关的部分的电源的电源截断部136,能够更加可靠地停止通信部124的功能。
依据本实施方式的便携信息设备120,由于具备性能良好且高效率的压电振动器1,所以能够提供性能良好且高效率的便携信息设备120。
(电波钟)
接着,参照图11,对本发明的电波钟的一实施方式进行说明。
如图11所示,本实施方式的电波钟140具备电连接到滤波部141的压电振动器1,是接收包含时钟信息的标准电波,并具有自动修正为正确的时刻并加以显示的功能的钟表。
在日本国内,在福岛县(40kHz)和佐贺县(60kHz)有发送标准电波的发送站(发送局),分别发送标准电波。40kHz或60kHz这样的长波兼有沿地表传播的性质和在电离层和地表边反射边传播的性质,因此其传播范围宽,且由上述的两个发送站覆盖整个日本国内。
以下,对电波钟140的功能性结构进行详细说明。
天线142接收40kHz或60kHz长波的标准电波。长波的标准电波是将被称为定时码的时刻信息AM调制为40kHz或60kHz的载波。所接收的长波的标准电波由放大器143放大,由具有多个压电振动器1的滤波部141滤波并调谐。
本实施方式中的压电振动器1分别具备与上述载波频率相同的40kHz及60kHz的谐振频率的水晶振动器部148、149。
而且,滤波后的既定频率的信号通过检波、整流电路144来检波并解调。
接着,经由波形整形电路145而抽出定时码,由CPU146计数。在CPU146中,读取当前的年、累积日、星期、时刻等的信息。被读取的信息反映于RTC147,显示出正确的时刻信息。
由于载波为40kHz或60kHz,所以水晶振动器部148、149优选具有上述的音叉型结构的振动器。
此外,虽然上述的说明由日本国内的示例表示,但长波的标准电波的频率在海外是不同的。例如,在德国使用77.5KHz的标准电波。所以,在将即使在海外也能够对应的电波钟140装入便携设备的情况下,还需要与日本的情况不同的频率的压电振动器1。
依据本实施方式的电波钟140,由于具备性能良好且高效率的压电振动器1,所以能够提供性能良好且高效率的电波钟140。
此外,本发明的技术范围并不限于上述实施方式,在不超出本发明的宗旨的范围内可做各种变更。
在实施方式中,以采用音叉型的压电振动片4的压电振动器1为例,说明了本发明的封装件9及封装件9的制造方法。但是,例如在用AT切割型的压电振动片(间隙滑移型振动片)的压电振动器,采用上述本发明的封装件9及封装件的制造方法也可。
在实施方式中,在本发明的封装件9内部封入压电振动片4而制造了压电振动器1。但是,在封装件9内部封入压电振动片4以外的电子元件,还能制造压电振动器1以外的器件。
在实施方式中,将导电性氧化物的被覆膜70设定为其面积大于贯通电极32、33的外侧端面32a、33a的面积,但是,仅覆盖贯通电极32、33的外侧端面32a、33a,使被覆膜70的面积与贯通电极32、33的外侧端面32a、33a的面积相同也可。但是,在能更大地确保导电性氧化物的被覆膜70与外部电极38、39的接触面积,并能较低地抑制导电性氧化物的被覆膜70与外部电极38、39之间的电阻值这一点上,本实施方式有优越性。
标号说明
1…压电振动器(电子部件);2…基底基板(基板);4…压电振动片(电子元件);9…封装件;30、31…贯通孔;32、33…贯通电极;38、39…外部电极;70…被覆膜(导电性氧化物的膜);110…振荡器;120…便携信息设备(电子设备);123…计时部;140…电波钟;141…滤波部。
Claims (9)
1. 一种电子部件的端子连接构造,具有贯通基板的贯通电极和与所述贯通电极电连接的电极,其特征在于,
在所述贯通电极的端面,形成覆盖该端面的导电性氧化物的膜,所述贯通电极和所述电极经由所述导电性氧化物的膜电连接。
2. 根据权利要求1所述的电子部件的端子连接构造,其特征在于,所述导电性氧化物用ITO、SnO及SnO2的任意材料形成。
3. 根据权利要求1所述的电子部件的端子连接构造,其特征在于,用银膏形成了所述电极。
4. 一种封装件,能够封入电子元件,具备具有权利要求1至3的任一项所述的电子部件的端子连接构造的所述基板,其特征在于,
所述电极是形成在所述基板的外侧的外部电极,
在所述贯通电极的外侧端面,形成覆盖该端面的所述导电性氧化物的膜,所述贯通电极和所述外部电极经由所述导电性氧化物的膜电连接。
5. 根据权利要求4所述的封装件,其特征在于,设定所述导电性氧化物的膜的面积大于所述贯通电极的外侧端面的面积。
6. 一种压电振动器,其特征在于,在权利要求4所述的封装件的内部,封入压电振动片作为所述电子元件。
7. 一种振荡器,其特征在于,权利要求6所述的压电振动器作为振子与集成电路电连接。
8. 一种电子设备,其特征在于,权利要求6所述的压电振动器与计时部电连接。
9. 一种电波钟,其特征在于,权利要求6所述的压电振动器与滤波部电连接。
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Families Citing this family (3)
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KR101282397B1 (ko) * | 2004-12-07 | 2013-07-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치용 배선, 상기 배선을 포함하는 박막 트랜지스터표시판 및 그 제조 방법 |
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WO2009104314A1 (ja) * | 2008-02-18 | 2009-08-27 | セイコーインスツル株式会社 | 圧電振動子の製造方法、圧電振動子、発振器、電子機器及び電波時計 |
WO2009104310A1 (ja) * | 2008-02-18 | 2009-08-27 | セイコーインスツル株式会社 | 圧電振動子の製造方法、圧電振動子、発振器、電子機器および電波時計 |
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JP2010186956A (ja) * | 2009-02-13 | 2010-08-26 | Seiko Instruments Inc | ガラス封止型パッケージの製造方法、ガラス封止型パッケージの製造装置および発振器 |
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JP2010199678A (ja) * | 2009-02-23 | 2010-09-09 | Seiko Instruments Inc | 電子部品、電子装置、及び電子部品製造方法 |
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JP2011155506A (ja) * | 2010-01-27 | 2011-08-11 | Seiko Instruments Inc | 電子デバイス、電子機器、及び電子デバイスの製造方法 |
JP2011172109A (ja) * | 2010-02-19 | 2011-09-01 | Seiko Instruments Inc | パッケージの製造方法、パッケージ、圧電振動子、発振器、電子機器及び電波時計 |
JP2011199672A (ja) * | 2010-03-19 | 2011-10-06 | Seiko Instruments Inc | ガラス基板の接合方法、ガラス接合体、パッケージの製造方法、パッケージ、圧電振動子、発振器、電子機器及び電波時計 |
KR20130143671A (ko) * | 2011-05-24 | 2013-12-31 | 가부시키가이샤 고베 세이코쇼 | 유기 el 디스플레이용의 반사 애노드 전극을 포함하는 배선 구조 |
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111492578A (zh) * | 2017-12-22 | 2020-08-04 | 株式会社村田制作所 | 弹性波装置、高频前端电路及通信装置 |
CN111492578B (zh) * | 2017-12-22 | 2023-09-29 | 株式会社村田制作所 | 弹性波装置、高频前端电路及通信装置 |
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C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20130403 |