CN103022050B - 一种显示面板及其制作方法 - Google Patents

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Abstract

本发明实施例提供了一种显示面板及其制作方法，用以在信号线发生断开时，信号线的信号也能够传输到像素单元。该显示面板包括玻璃基板、信号线，以及信号线下方的栅绝缘层，该显示面板还包括：位于信号线下方的栅绝缘层和玻璃基板之间的栅极金属，以及用于将所述栅极金属与栅极高压相连的连接线。本发明避免了因信号线断开导致的显示不良问题，提高了良品率。

Description

一种显示面板及其制作方法
技术领域
本发明涉及微电子工艺领域，尤其涉及一种显示面板及其制作方法。
背景技术
随着液晶显示技术的发展，高清显示产品逐步普及。所谓高清显示，要求单位面积内像素的数量达到一定的要求，即增加单位显示面积的所能显示的信息量。
高清显示技术的发展，伴随着像素设计精细化程度的提升，相应的，连接像素单元的信号线的尺寸便会相应的变窄，在批量生产高清显示产品的过程中，信号线发生断开的频率也会相应增加，降低良品率。信号线发生断开产生的后果通常比较严重，显示屏幕会出现明显的亮线/暗线，我们通常称作DO（信号线断开，Data Open）不良。
现有技术中的信号线区域的结构如图1所示，该图中各个附图标记具体含义如下：
01、玻璃基板；
02、栅绝缘层；
03、半导体层；
04、掺杂半导体；
05、信号线；
06、绝缘层。
由于像素设计精细化要求的限制，我们无法增加信号线05的宽度，在现有工艺条件下，如何从技术上解决DO不良的问题，还没有有效的解决方案。
发明内容
本发明实施例提供了一种显示面板，用于避免信号线断开导致的显示不良问题，提高良品率。
本发明实施例提供的一种显示面板包括：玻璃基板、信号线，以及信号线下方的栅绝缘层，该显示面板还包括：位于信号线下方的栅绝缘层和玻璃基板之间的栅极金属层。
较佳的，该显示面板还包括用于将所述栅极金属层与栅极高压相连的连接线。
本发明实施例提供的一种液晶显示器包括：所述显示面板。
本发明实施例提供的一种掩模板包括：
该掩模板在预设的信号线区域上不透光。
本发明实施例提供的一种显示面板的制作方法包括：
使用物理气相沉积的方法，在玻璃基板上形成栅极金属层；
为该栅极金属层设置用于连接栅极高压的连接线;
在栅极金属层上涂附光刻胶，并使用在预设的信号线区域不透光的掩模板对该光刻胶进行曝光；
显影并刻蚀该栅极金属层；
在栅极金属层上分别形成栅绝缘层、半导体层并掺杂半导体、源漏金属层以及绝缘层。
通过以上技术方案可知，本发明通过保留位于信号线下方的栅绝缘层和玻璃基板之间的栅极金属层，并将该层栅极金属与栅极高压连接；在信号线发生断开时，在断开处形成导电沟道，信号线的信号仍然能够传输到像素单元。避免了因信号线断开导致的显示不良问题，提高了良品率。
附图说明
图1为现有技术中信号线区域的结构示意图；
图2为本发明具体实施例提供的一种显示面板的制作方法的流程示意图；
图3为本发明具体实施例提供的一种显示面板的结构示意图；
图4为本发明具体实施例提供的一种显示面板的另一结构示意图。
具体实施方式
本发明实施例提供了一种显示面板，解决了因信号线断开导致的显示不良问题，提高了良品率。
本发明实施例提供的一种显示面板包括玻璃基板、信号线，以及信号线下方的栅绝缘层，该显示面板还包括：
位于信号线下方的栅绝缘层和玻璃基板之间的栅极金属层。
该显示面板还包括用于将所述栅极金属层与栅极高压相连的连接线。
本发明实施例提供的一种液晶显示器包括所述显示面板。
本发明实施例提供的一种用于生产所述显示面板的掩模板，该掩模板在预设的信号线区域不透光。
通过对该掩模板的改进，在对栅极金属上的光刻胶进行曝光时保留了位于信号线下方的栅绝缘层和玻璃基板之间的栅极金属层。
本发明实施例提供的一种显示面板的制作方法，包括：
使用物理气相沉积的方法，在玻璃基板上形成栅极金属层；
为该栅极金属层设置用于连接栅极高压的连接线;
在栅极金属层上涂附光刻胶，并使用在预设的信号线区域不透光的掩模板对该光刻胶进行曝光；
显影并刻蚀该栅极金属层；
在栅极金属层上分别形成栅绝缘层、半导体层并掺杂半导体、源漏金属层以及绝缘层。
较佳的，在形成源漏金属层后，该方法还包括：
光刻并刻蚀栅极金属上方的源漏金属层，形成源极和漏极。
较佳的，在形成绝缘层后，该方法还包括像素单元的制作：
在预设的铟锡金属氧化物（Indium Tin Oxides,ITO）像素电极区域镀上ITO像素电极，除去漏极上方的部分绝缘层，将漏极与ITO像素电极连接。
较佳的，所述栅极高压，为该显示面板的薄膜场效应晶体管（Thin FilmTransistor,TFT）的开启电压Vgh。
下面给出本发明的具体实施例：
参见图2，本发明实施例提供的一种显示面板的制作方法，具体步骤如下：
S101、使用物理气相沉积的方法，将金属薄膜做到玻璃基板上；
S102、设置连接线，该连接线用于将S101的金属薄膜连接TFT开启电压Vgh；
S103、涂附光刻胶，使用在预设的信号线区域以及在预设的薄膜场效应晶体管TFT栅电极区域不透光的掩模板进行曝光，显影；
S104、采用规定的混合酸液进行刻蚀，清洗酸液，剥离未感光的光刻胶；
S105、在栅极金属层上方依次增加绝缘层、半导体层，掺杂半导体，通常采用离子增强化学气相沉积的方法；
S106、清理基板杂质，制作源漏电极（Source/Drain,SD）层；
S107、再次涂附光刻胶、曝光、显影、刻蚀、剥离光刻胶，保留栅电极及其附近的结构，栅电极上方的不超过栅电极宽度的SD层金属被刻蚀，源极和漏极得以区分开，形成薄膜场效应晶体管TFT；同时保留预设的信号线区域的结构，该区域的SD层金属作为信号线；
S108、在玻璃基板上镀上绝缘层进行保护；
S109、在预设的铟锡金属氧化物ITO像素电极区域镀上ITO像素电极，除去漏极上方的部分绝缘层，将漏极与ITO像素电极连接。
参见图3，为该方法生产出的一种显示面板的信号线区域的具体结构图；该图中各个附图标记具体含义如下：
01、玻璃基板；
02、栅极金属；
03、栅绝缘层；
04、半导体层；
05、掺杂半导体；
06、信号线；
07、绝缘层。
在发生DO后，信号线06断开处下方有本发明设计的栅极金属02，信号线断开处沿线方向前后可以看作是源极和漏极，因此在断开处及其附近可以等效为一个场效应管。为栅极金属02提供电压，即为提供了该等效场效应管的栅极电压，于是在源极和漏极之间下方的半导体材料中形成了载流子的沟道，所述加载在栅极金属02的电压的大小用以调节沟道的形状，当提供的电压足够大时（通常将该电压的阈值定义为Vgh），该等效场效应管导通。如图4所示。
综上所述，本发明实施例提供了一种显示面板，用于解决高清显示面板常见的DO不良问题，提高了良品率。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (7)

1.一种显示面板，其特征在于，包括玻璃基板、信号线，以及信号线下方的栅绝缘层，该显示面板还包括：
位于该栅绝缘层和玻璃基板之间的栅极金属层；
用于将所述栅极金属层与栅极高压相连的连接线。
2.一种液晶显示器，其特征在于，包括权利要求1所述的显示面板。
3.一种用于生产权利要求1中的显示面板的掩模板，其特征在于，该掩模板在预设的信号线区域不透光。
4.一种显示面板的制作方法，其特征在于，该方法包括：
使用物理气相沉积的方法，在玻璃基板上形成栅极金属层；
为该栅极金属层设置用于连接栅极高压的连接线；
在栅极金属层上涂附光刻胶，并使用在预设的信号线区域不透光的掩模板对该光刻胶进行曝光；
显影并刻蚀该栅极金属层；
在栅极金属层上分别形成栅绝缘层、半导体层并掺杂半导体、源漏金属层以及绝缘层。
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，在形成源漏金属层后，该方法还包括：
光刻并刻蚀栅极金属上方的源漏金属层，形成源极和漏极。
6.如权利要求4所述的方法，其特征在于，在形成绝缘层后，该方法还包括：
在预设的铟锡金属氧化物ITO像素电极区域镀上ITO像素电极，除去漏极上方的部分绝缘层，将漏极与ITO像素电极连接。
7.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述栅极高压，为该显示面板的薄膜场效应晶体管TFT的开启电压Vgh。
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