CN103021763A - 一种制备场发射阴极材料的方法 - Google Patents

一种制备场发射阴极材料的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN103021763A
CN103021763A CN2012105807268A CN201210580726A CN103021763A CN 103021763 A CN103021763 A CN 103021763A CN 2012105807268 A CN2012105807268 A CN 2012105807268A CN 201210580726 A CN201210580726 A CN 201210580726A CN 103021763 A CN103021763 A CN 103021763A
Authority
CN
China
Prior art keywords
cathode material
carbon nano
emission cathode
catalyst
glass substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN2012105807268A
Other languages
English (en)
Inventor
李岗
国欣鑫
张晓辉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
QINGDAO ADDSUN ENERGY TECHNOLOGY Co Ltd
Original Assignee
QINGDAO ADDSUN ENERGY TECHNOLOGY Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by QINGDAO ADDSUN ENERGY TECHNOLOGY Co Ltd filed Critical QINGDAO ADDSUN ENERGY TECHNOLOGY Co Ltd
Priority to CN2012105807268A priority Critical patent/CN103021763A/zh
Publication of CN103021763A publication Critical patent/CN103021763A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Carbon And Carbon Compounds (AREA)
  • Catalysts (AREA)

Abstract

本发明提供一种制备场发射阴极材料的方法，该场发射阴极材料为碳纳米管，其包括如下步骤：（a）对玻璃基板使用去离子水进行清洗、烘干处理；（b）然后在（a）步骤中处理过的玻璃基板上溅射一层金属钙、镁、锶、钡的氟化物薄膜；（c）然后在（b）步骤中得到的薄膜上接着溅射铁、钴、镍及其合金薄膜作为催化剂；（d）然后在催化剂薄膜上常规技术生长碳纳米管，生长温度为450-600℃。

Description

一种制备场发射阴极材料的方法
技术领域
本发明涉及一种制备场发射阴极材料的方法。
背景技术
随着显示技术的发展和进步，场发射显示技术受到了广泛关注，尤其是场发射阴极材料的研制成为热点，而碳纳米管是一种重要的场发射阴极材料，但是目前制备碳纳米管作为场发射阴极材料的方法工艺复杂，制备成本较高，不适宜于工业生产。
因此，寻找一种制备工艺简单、成本低廉的碳纳米管成为亟需解决的问题。
发明内容
本发明提供一种制备场发射阴极材料的方法，该场发射阴极材料为碳纳米管，其包括如下步骤：
（a）、对玻璃基板使用去离子水进行清洗、烘干处理；
（b）、然后在（a）步骤中处理过的玻璃基板上溅射一层金属钙、镁、锶、钡的氟化物薄膜；
（c）、然后在（b）步骤中得到的薄膜上接着溅射铁、钴、镍及其合金薄膜作为催化剂；
（d）、然后在催化剂薄膜上常规技术生长碳纳米管，生长温度为450-600℃。
有益效果
本发明制备的碳纳米管材料经过光谱分析，显示纳米结构有序，而且该方法工艺要求简单，制造成本低。
具体实施方式
下面结合具体实施例，进一步阐述本发明。应理解，这些实施例仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围。此外应理解，在阅读了本发明讲授的内容之后，本领域技术人员可以对本发明作各种改动或修改，这些等价形式同样落于本申请所附权利要求书所限定的范围。
实施例1
该基板为普通玻璃，对该玻璃基板使用去离子水进行清洗、烘干处理；然后在处理过的玻璃基板上溅射一层氟化钙薄膜，厚度为50纳米；然后在得到的薄膜上接着溅射铁薄膜作为催化剂，厚度为10纳米；最后在催化剂薄膜上常规技术生长碳纳米管，生长温度为450℃。得到质量优良的碳纳米管。
实施例2
该基板为普通玻璃，对该玻璃基板使用去离子水进行清洗、烘干处理；然后在处理过的玻璃基板上溅射一层氟化镁薄膜，厚度为100纳米；然后在得到的薄膜上接着溅射钴薄膜作为催化剂，厚度为20纳米；最后在催化剂薄膜上常规技术生长碳纳米管，生长温度为500℃。得到质量优良的碳纳米管。
实施例3
该基板为普通玻璃，对该玻璃基板使用去离子水进行清洗、烘干处理；然后在处理过的玻璃基板上溅射一层氟化锶薄膜，厚度为200纳米；然后在得到的薄膜上接着溅射镍薄膜作为催化剂，厚度为30纳米；最后在催化剂薄膜上常规技术生长碳纳米管，生长温度为550℃。得到质量优良的碳纳米管。
实施例4
该基板为普通玻璃，对该玻璃基板使用去离子水进行清洗、烘干处理；然后在处理过的玻璃基板上溅射一层氟化钡薄膜，厚度为500纳米；然后在得到的薄膜上接着溅射铁薄膜作为催化剂，厚度为50纳米；最后在催化剂薄膜上常规技术生长碳纳米管，生长温度为500℃。得到质量优良的碳纳米管。

Claims (3)

1.一种制备场发射阴极材料的方法，该场发射阴极材料为碳纳米管，其包括如下步骤：
（a）、对玻璃基板使用去离子水进行清洗、烘干处理；
（b）、然后在（a）步骤中处理过的玻璃基板上溅射一层金属钙、镁、锶、钡的氟化物薄膜；
（c）、然后在（b）步骤中得到的薄膜上接着溅射铁、钴、镍及其合金薄膜作为催化剂；
（d）、然后在催化剂薄膜上常规技术生长碳纳米管，生长温度为450-600℃。
2.如权利要求1所述的方法，其中，氟化物薄膜厚度为50-500nm。
3.如权利要求1所述的方法，其中，催化剂薄膜厚度为10-50nm。
CN2012105807268A 2012-12-27 2012-12-27 一种制备场发射阴极材料的方法 Pending CN103021763A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2012105807268A CN103021763A (zh) 2012-12-27 2012-12-27 一种制备场发射阴极材料的方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2012105807268A CN103021763A (zh) 2012-12-27 2012-12-27 一种制备场发射阴极材料的方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN103021763A true CN103021763A (zh) 2013-04-03

Family

ID=47970250

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2012105807268A Pending CN103021763A (zh) 2012-12-27 2012-12-27 一种制备场发射阴极材料的方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN103021763A (zh)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2000063115A1 (en) * 1999-04-16 2000-10-26 Commonwealth Scientific And Industrial Research Organisation Multilayer carbon nanotube films
CN1558441A (zh) * 2004-01-16 2004-12-29 清华大学 一种在玻璃衬底上制备碳纳米管的方法
CN1819099A (zh) * 2005-02-07 2006-08-16 诺利塔克股份有限公司 碳纳米管阴极及其制造方法
CN101012106A (zh) * 2007-02-01 2007-08-08 上海交通大学 在玻璃基片表面制备碳纳米管复合薄膜的方法
CN101508421A (zh) * 2009-04-01 2009-08-19 北京师范大学 用于场电子发射器的碳纳米纤维/碳纳米管异质纳米阵列及其制备技术

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2000063115A1 (en) * 1999-04-16 2000-10-26 Commonwealth Scientific And Industrial Research Organisation Multilayer carbon nanotube films
CN1558441A (zh) * 2004-01-16 2004-12-29 清华大学 一种在玻璃衬底上制备碳纳米管的方法
CN1819099A (zh) * 2005-02-07 2006-08-16 诺利塔克股份有限公司 碳纳米管阴极及其制造方法
CN101012106A (zh) * 2007-02-01 2007-08-08 上海交通大学 在玻璃基片表面制备碳纳米管复合薄膜的方法
CN101508421A (zh) * 2009-04-01 2009-08-19 北京师范大学 用于场电子发射器的碳纳米纤维/碳纳米管异质纳米阵列及其制备技术

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Zhang et al. One‐nanometer‐precision control of Al2O3 nanoshells through a solution‐based synthesis route
JP2018088400A5 (ja) 正極活物質の作製方法
WO2008081851A1 (ja) 炭素複合材料及びその製造方法
WO2018120601A1 (zh) 一种制备石墨烯增强三维多孔碳自支撑薄膜的方法
WO2015062221A1 (zh) 一种NiTi形状记忆合金的表面改性方法
CN105651756A (zh) 用于放大拉曼信号的拉曼增强基底及其制备方法和应用
CN106756853B (zh) 具有表面增强拉曼散射功能的氧化钨基底及其制备方法
CN105116030B (zh) 一种Cu2O@CuO半核壳结构纳米复合材料及其制备方法
CN103296283A (zh) 一种表面包覆有Ti4O7膜的钛板及其制成的双极性铅酸电池的基板
CN103043648A (zh) 一种碳纳米管的制备方法
CN104944375B (zh) 一种无裂纹氢化钛电极源片的制备工艺
CN103021763A (zh) 一种制备场发射阴极材料的方法
CN109706409B (zh) 一种纳米多孔非晶合金及其制备方法
TW201631205A (zh) 溼式薄膜沈積法
CN104445355B (zh) 一种用细菌纤维素制备过渡金属氧化物纳米管网络的方法
CN103922422B (zh) 一种水溶性四氧化三铁纳米磁流体的制备方法
JP2011222981A5 (zh)
CN103613090A (zh) 一种碳纳米管的制备方法
Zhang et al. A universal method for the preparation of functional ITO electrodes with ultrahigh stability
CN106145898B (zh) 一种银-镍酸镧复合导电薄膜材料的制备方法
Korusenko et al. Surface Engineering of Multi-Walled Carbon Nanotubes via Ion-Beam Doping: Pyridinic and Pyrrolic Nitrogen Defect Formation
CN109133039A (zh) 一种自组装石墨烯纳米薄膜及其制备方法和应用
CN103811240B (zh) 碳纳米管阴极的制备方法
US20160090646A1 (en) Coated article, method for making the same and electronic device using the same
CN103274683B (zh) Ito溅射靶的生产方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20130403