CN103613090A - 一种碳纳米管的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种碳纳米管的制备方法，包括下述步骤：a、对玻璃基板使用去离子水进行清洗、烘干处理；b、在步骤a处理过的玻璃基板上，溅射铁、钴、镍或铁钴镍合金，形成催化剂薄膜；c、在步骤b得到的催化剂薄膜上，溅射一层稀土金属的氟化物薄膜；d、在步骤c得到的氟化物薄膜上，依据常规技术生长碳纳米管，生长温度为450-600℃。还提供一种采用如前所述碳纳米管的制备方法制得的碳纳米管。与现有技术相比，经本发明制备的碳纳米管材料经过光谱分析，显示纳米结构有序，而且该方法工艺要求简单，制造成本低。
Description
技术领域
本发明涉及一种碳纳米管的制备工艺，具体涉及一种碳纳米管的制备方法。
背景技术
随着科技的发展和进步，显示技术更新换代，场发射显示技术成为新一代显示技术，场发射显示技术的关键在场发射阴极材料，而碳纳米管是一种重要的场发射阴极材料。但是，目前碳纳米管的制备方法工艺繁杂，制备成本较高，不适宜于工业生产。
因此，寻找碳纳米管的一种工艺简单、成本低廉的制备方法成为亟需解决的问题。
发明内容
本发明所要解决的问题是提供一种性能可靠的碳纳米管的制备方法，以克服现有技术所存在的上述缺陷。
为了解决上述技术问题，本发明提供了一种碳纳米管的制备方法，包括下述步骤：
a、对玻璃基板使用去离子水进行清洗、烘干处理；
b、在步骤a处理过的玻璃基板上，溅射铁、钴、镍或铁钴镍合金，形成催化剂薄膜；
c、在步骤b得到的催化剂薄膜上，溅射一层稀土金属的氟化物薄膜；
d、在步骤c得到的氟化物薄膜上，依据常规技术生长碳纳米管，生长温度为450-600℃。
进一步地，步骤b中，所述催化剂薄膜的厚度为20纳米～50纳米。
进一步地，步骤b中，所述催化剂薄膜为铁薄膜，厚度为20纳米。
进一步地，步骤b中，所述催化剂薄膜为钴薄膜，厚度为30纳米。
进一步地，步骤b中，所述催化剂薄膜为镍薄膜，厚度为40纳米。
进一步地，步骤c中，所述氟化物薄膜的厚度为100纳米～300纳米。
进一步地，步骤c中，所述氟化物薄膜为氟化钕薄膜，厚度为100纳米。
进一步地，步骤c中，所述氟化物薄膜为氟化镝薄膜，厚度为200纳米。
进一步地，步骤c中，所述氟化物薄膜为氟化钕薄膜，厚度为300纳米。
与现有技术相比，经本发明制备的碳纳米管材料经过光谱分析，显示纳米结构有序，而且该方法工艺要求简单，制造成本低。
具体实施方式
为了更清楚地说明本发明的核心设计所在，下面五个优选实施例对本发明做出清楚、完整的描述，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例1：
该基板为普通玻璃，对该玻璃基板使用去离子水进行清洗、烘干处理；然后在处理过的玻璃基板上溅射铁薄膜作为催化剂，厚度为20纳米；然后在得到的薄膜上接着溅射一层氟化钕薄膜，厚度为100纳米；最后在催化剂薄膜上常规技术生长碳纳米管，生长温度为450℃。得到质量优良的碳纳米管。
实施例2：
该基板为普通玻璃，对该玻璃基板使用去离子水进行清洗、烘干处理；然后在处理过的玻璃基板上溅射钴薄膜作为催化剂，厚度为30纳米；然后在得到的薄膜上接着溅射一层氟化镝薄膜，厚度为200纳米；最后在催化剂薄膜上常规技术生长碳纳米管，生长温度为500℃。得到质量优良的碳纳米管。
实施例3：
该基板为普通玻璃，对该玻璃基板使用去离子水进行清洗、烘干处理；然后在处理过的玻璃基板上溅射镍薄膜作为催化剂，厚度为40纳米；然后在得到的薄膜上接着溅射一层氟化钕薄膜，厚度为300纳米；最后在催化剂薄膜上常规技术生长碳纳米管，生长温度为550℃。得到质量优良的碳纳米管。
实施例4：
该基板为普通玻璃，对该玻璃基板使用去离子水进行清洗、烘干处理；然后在处理过的玻璃基板上溅射铁钴镍合金薄膜作为催化剂，厚度为25纳米；然后在得到的薄膜上接着溅射一层氟化镝薄膜，厚度为150纳米；最后在催化剂薄膜上常规技术生长碳纳米管，生长温度为600℃。得到质量优良的碳纳米管。
实施例5：
该基板为普通玻璃，对该玻璃基板使用去离子水进行清洗、烘干处理；然后在处理过的玻璃基板上溅射铁钴镍合金薄膜作为催化剂，厚度为25纳米；然后在得到的薄膜上接着溅射一层氟化铈薄膜，厚度为250纳米；最后在催化剂薄膜上常规技术生长碳纳米管，生长温度为600℃。得到质量优良的碳纳米管。
特别说明的是，本文所提及的生长碳纳米管常规技术可以基于现有技术获得，本领域技术人员完全可以实现，故本文不再赘述。
本发明不局限于上述最佳实施方式，任何人应该得知在本发明的启示下作出的结构变化，凡是与本发明具有相同或相近的技术方案，均落入本发明的保护范围之内。
Claims (9)
1.一种碳纳米管的制备方法，其特征在于，包括下述步骤：
a、对玻璃基板使用去离子水进行清洗、烘干处理；
b、在步骤a处理过的玻璃基板上，溅射铁、钴、镍或铁钴镍合金，形成催化剂薄膜；
c、在步骤b得到的催化剂薄膜上，溅射一层稀土金属的氟化物薄膜；
d、在步骤c得到的氟化物薄膜上，依据常规技术生长碳纳米管，生长温度为450-600℃。
2.根据权利要求1所述的碳纳米管的制备方法，其特征在于，步骤b中，所述催化剂薄膜的厚度为20纳米～40纳米。
3.根据权利要求2所述的碳纳米管的制备方法，其特征在于，步骤b中，所述催化剂薄膜为铁薄膜，厚度为20纳米。
4.根据权利要求2所述的碳纳米管的制备方法，其特征在于，步骤b中，所述催化剂薄膜为钴薄膜，厚度为30纳米。
5.根据权利要求2所述的碳纳米管的制备方法，其特征在于，步骤b中，所述催化剂薄膜为镍薄膜，厚度为40纳米。
6.根据权利要求1所述的碳纳米管的制备方法，其特征在于，步骤c中，所述氟化物薄膜的厚度为100纳米～300纳米。
7.根据权利要求6所述的碳纳米管的制备方法，其特征在于，步骤c中，所述氟化物薄膜为氟化钕薄膜，厚度为100纳米。
8.根据权利要求6所述的碳纳米管的制备方法，其特征在于，步骤c中，所述氟化物薄膜为氟化镝薄膜，厚度为200纳米。
9.根据权利要求6所述的碳纳米管的制备方法，其特征在于，步骤c中，所述氟化物薄膜为氟化钕薄膜，厚度为300纳米。
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|---|---|
| CN (1) | CN103613090A (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111261473A (zh) * | 2020-03-31 | 2020-06-09 | 中山大学 | 一种单根一维纳米结构场发射冷阴极的制作方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1964812A1 (en) * | 2007-02-15 | 2008-09-03 | Korea Institute of Energy Research | Carbon nano tube electrode formed by directly growing carbon nano tube on surface of carbon paper and supporting platinum-based nano catalyst on carbon nano tube using cvd method and manufacturing method thereof |
| CN101722000A (zh) * | 2008-10-29 | 2010-06-09 | 苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 用于超长碳纳米管生长的高效复合催化剂薄膜的制备方法 |
| CN103043648A (zh) * | 2012-12-27 | 2013-04-17 | 青岛艾德森能源科技有限公司 | 一种碳纳米管的制备方法 |
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2013
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Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1964812A1 (en) * | 2007-02-15 | 2008-09-03 | Korea Institute of Energy Research | Carbon nano tube electrode formed by directly growing carbon nano tube on surface of carbon paper and supporting platinum-based nano catalyst on carbon nano tube using cvd method and manufacturing method thereof |
| CN101722000A (zh) * | 2008-10-29 | 2010-06-09 | 苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 用于超长碳纳米管生长的高效复合催化剂薄膜的制备方法 |
| CN103043648A (zh) * | 2012-12-27 | 2013-04-17 | 青岛艾德森能源科技有限公司 | 一种碳纳米管的制备方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111261473A (zh) * | 2020-03-31 | 2020-06-09 | 中山大学 | 一种单根一维纳米结构场发射冷阴极的制作方法 |
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