CN103000743A - 薄膜太阳能电池模块 - Google Patents

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Abstract

一种薄膜太阳能电池模块，该薄膜太阳能电池模块包括：基板；多个第一电池，所述多个第一电池位于中心区域中，其中一个或更多个第一电池包括至少一个光伏单元；以及多个第二电池，所述多个第二电池位于所述基板的边缘区域中，其中一个或更多个第二电池包括至少一个光伏单元。在位于同一层的光伏单元当中，所述一个或更多个第二电池的所述光伏单元具有比所述一个或更多个第一电池的所述光伏单元更高的带隙能量。

Description

薄膜太阳能电池模块
技术领域
本发明涉及薄膜太阳能电池模块。
背景技术
正如所预料的那样，诸如石油和煤炭的传统能源资源终将被耗尽，最近，人们对取代传统能源资源的替代能源的兴趣正在逐渐增加。
虽然现今在商业上使用单晶体硅，该单晶体硅采用硅晶片，但问题是单晶体硅的制造成本昂贵，因此，这种单晶体硅没有得到广泛应用。
为了解决这个问题，正在积极地进行对薄膜太阳能电池的研究。具体地，采用非晶硅(a-Si:H)的薄膜太阳能电池是一种低成本的、用于大面积太阳能电池模块的技术，因此正在受到关注。
发明内容
因此，一个目的是为了解决现有技术的上述以及其它的缺陷。
另一目的是提供一种太阳能电池模块，该太阳能电池模块包括：基板；多个第一电池，所述多个第一电池位于中心区域中，一个或更多个第一电池包括至少一个光伏单元；以及多个第二电池，所述第二电池位于所述基板的边缘区域中，一个或更多个第二电池包括至少一个光伏单元；其中，在位于同一层的光伏单元当中，所述一个或更多个第二电池的所述光伏单元具有比所述一个或更多个第一电池的所述光伏单元更高的带隙能量。所述一个或更多个第一电池和所述一个或更多个第二电池可以包括同样数量的光伏单元。
所述一个或更多个第一电池与所述一个或更多个第二电池的电压相对量{(第二电池的电压)/(第一电池的电压)}和电流相对量{(第一电池的电流)/(第二电池的电流)}为100％到120％，优选的，所述一个或更多个第一电池和所述一个或更多个第二电池的电压相对量{(第二电池的电压)/(第一电池的电压)}和电流相对量{(第一电池的电流)/(第二电池的电流)}为102％到105％。
所述一个或更多个第二电池的电压高于所述一个或更多个第一电池的电压，并且所述一个或更多个第二电池的电流高于所述一个或更多个第一电池的电流。
所述一个或更多个第二电池可以位于距所述基板的边缘4cm以内的范围中。
在同一层中的所述一个或更多个第一电池的所述光伏单元和所述一个或更多个第二电池的所述光伏单元包括一个或更多个本征半导体层，所述一个或更多个本征半导体层包含非晶硅锗(a-SiGe)，并且，所述一个或更多个第一电池的所述一个或更多个本征半导体层包含的锗比所述一个或更多个第二电池的所述一个或更多个本征半导体层包含的锗具有更高的浓度。
所述一个或更多个第一电池越接近所述边缘区域，所述一个或更多个第一电池的所述一个或更多个本征半导体层中包含的锗的浓度越低，并且，所述一个或更多个第一电池越接近所述边缘区域，所述一个或更多个第一电池的一个或更多个本征半导体层的带隙能量越大。
在同一层中的所述一个或更多个第一电池的所述光伏单元和所述一个或更多个第二电池的所述光伏单元包括一个或更多个本征半导体层，所述一个或更多个本征半导体层包含微晶硅(μc-Si)。在这种情形下，所述一个或更多个第一电池的所述一个或更多个本征半导体层包含的锗比所述一个或更多个第二电池的所述一个或更多个本征半导体层包含的锗具有更高的结晶度(crystallinity)，并且，所述一个或更多个第二电池的结晶度比所述一个或更多个第一电池的结晶度低7％到10％。
所述薄膜太阳能电池模块进一步包括：与所述一个或更多个第一电池的所述一个或更多个本征半导体层相接触的一个或更多个种子层；以及与所述一个或更多个第二电池的一个或更多个本征半导体层相接触的一个或更多个种子层，并且，所述一个或更多个第一电池的所述一个或更多个种子层具有比所述一个或更多个第二电池的所述一个或更多个种子层更高的结晶度。
根据一个方面，由于位于所述基板的边缘区域中的多个第二电池的光伏单元的带隙能量高于位于所述基板的中心区域中的多个第一电池的光伏单元的带隙能量，因此，第二电池的电压与第一电池的电压相比相对增加了，第二电池的电流与第一电池的电流相比相对减少了。
因此，当对第一电池的光伏单元的带隙能量和第二电池的光伏单元的带隙能量进行控制，以使电压相对量和电流相对量分别变为100％或以上且120％或以下时，薄膜太阳能电池的效率提高了。
附图说明
所包括的附图用于提供对本发明的进一步理解，并且被并入本申请且构成本申请的一部分，附图例示了本发明的(多个)实施方式，且与说明书一起用于解释本发明的原理。附图中：
图1是根据本发明的一个示例性实施方式的薄膜太阳能电池模块的平面图。
图2是例示电流-电压(I-V)曲线的曲线图。
图3是例示电压相对量与效率之间的关系的曲线图。
图4是例示电流相对量与效率之间的关系的曲线图。
图5是例示在图1的薄膜太阳能电池模块中使用的电池的结构的剖视图，该图示出了具有双结型光伏单元的电池。
图6是例示在图1的薄膜太阳能电池模块中使用的电池的结构的剖视图，该图示出了具有三结型光伏单元的电池。
图7是示出光伏单元中包含的锗(Ge)的浓度与带隙能量之间的关系的曲线图。
图8是示出根据在基板中的位置的光伏单元的锗的浓度的曲线图。
图9是示出根据在基板中的位置的光伏单元的带隙能量的曲线图。
图10是示出在图1的薄膜太阳能电池模块中使用的三结型电池的结构的剖视图，该图示出了具有种子层的电池。
图11是示出根据种子层的结晶度的晶体硅的结晶度的剖视图。
具体实施方式
现在将详细参考本发明的优选实施方式，在附图中例示了本发明的优选实施方式的示例。
本文中使用的术语只是出于描述特定的实施方式的目的，而并非意图限制本发明的范围。
将参照附图对本发明的优选实施方式进行详细描述，以便本领域技术人员能够完全理解本发明的概念。然而，在不脱离本发明的精神和范围的情况下，可以做出形式和细节上的各种变化。贯穿本说明书，可以使用相同的附图标记来指代相同的要素。
下文中，贯穿所有附图，为了清楚地例示出多个层和多个区域，可能会放大厚度。当一个层、膜、区域和板“位于”另一个要素“上”时，不仅包括相应的要素“直接”位于另一个要素上的情形，而且还可以包括相应的要素在中间部分的情形。相反，某一要素“直接”位于另一个要素上的情形表示在中间部分没有要素。
相反，某一要素“直接”位于另一个要素上的情形表示在中间部分没有要素。另外，某一要素完全形成在另一个要素上的情形可以包括该要素不仅形成在另一个要素的全部表面(或整个表面)上，而且还形成在另一个要素的边缘的某些部分处的情形。
下文中，将参照附图来描述根据本发明的实施方式的薄膜太阳能电池模块。
参照图1，根据本发明的实施方式的薄膜太阳能电池模块10包括基板100以及多个薄膜太阳能电池150，所述多个薄膜太阳能电池150设置于基板100上。
基板100包括中心区域A1和边缘区域A2，所述边缘区域A2位于中心区域A1的边缘处，并且多个薄膜太阳能电池200分别位于中心区域A1和边缘区域A2中。
为了简化描述，下文中，将位于中心区域A1中的多个薄膜太阳能电池称为第一电池C1，并且将位于边缘区域A2中的多个薄膜太阳能电池称为第二电池C2。
通常，在市场上经营的是1.1×1.3m2、1.1×1.4m2、2.2×2.6m2的大面积太阳能电池，并且1.1×1.3m2和1.1×1.4m2的薄膜太阳能电池可以包括100个或更多个电池。
本文的意图是控制第一电池C1和第二电池C2的特性，以提高大面积薄膜太阳能电池模块的效率。在本发明中，第二电池C2可以是位于距基板的边缘4cm以内的边缘区域A2中的电池，第一电池C1可以是位于边缘区域A2之间的中心区域A1中的电池。因此，第一电池C1可以是除第二电池C2之外的其余的电池。
上文中，虽然边缘区域A2与基板的边缘间隔4cm，但是当模块的尺寸增大时，可以增大边缘区域A2。
图2是例示第一电池C1与第二电池C2的电流-电压(I-V)曲线的曲线图。在图2中，实线表示第一电池C1的电流-电压曲线，而虚线表示第二电池C2的电流-电压曲线。
图3是例示电压相对量与效率之间的关系的曲线图。图4是例示电流相对量与效率之间的关系的曲线图。电压相对量表示{(第二电池的电压)/(第一电池的电压)}的百分比，电流相对量表示{(第一电池的电流)/(第二电池的电流)}的百分比。
参照图3和图4，当电压相对量和电流相对量分别大于100％并小于120％时，可以提高薄膜太阳能电池模块的效率，并且还可以使模块的功率最大化。
下文中，将对电压相对量和电流相对量满足上述范围的薄膜太阳能电池模块进行描述。
图5是例示在图1的薄膜太阳能电池模块中使用的电池的结构的剖视图，该图示出了具有双结型光伏单元的电池。
在该实施方式中，由于第一电池和第二电池具有相同的结构，因此下文中仅对第一电池的剖面结构进行描述。
如图5所示，第一电池C1可以包括第一电极110、光伏单元PV、以及第二电极120，所述第一电极110、光伏单元PV、以及第二电极120在基板100上顺序形成。
第一电极110可以由透明导电材料(诸如从由二氧化硅SiO2、氧化锌AnO或氧化铟锡ITO组成的组中选出的一个)制成。另外，第一电极110可以由混合物制成，在该混合物中，一种或更多种杂质与透明导电材料相混合。
位于第一电极110上的光伏单元PV将进入基板100的入射面的光转换成电，并且所述光伏单元PV可以是单结型结构、双结型结构和三结型结构中的一种。在该实施方式中，将描述双结型光伏单元。
该实施方式的光伏单元PV进一步包括第一光伏单元PV1和第二光伏单元PV2，第一光伏单元PV1位于第一电极110上，第二光伏单元PV2位于第一光伏单元PV1与第二电极120之间。
第一光伏单元PV1包括非晶硅a-Si，并且通常吸收诸如近紫外线、紫色光线和蓝色光线的短波段的光。
该第一光伏单元PV1包括第一P型半导体层PV1-1、第一本征半导体层PV1-2和第一N型半导体层PV1-3，所述第一P型半导体层PV1-1、第一本征半导体层PV1-2和第一N型半导体层PV1-3在第一电极110上顺序形成。
通过将包含三价元素杂质(诸如硼、镓和铟)的气体与包含硅Si的源气体相混合，可以制成第一P型半导体层PV1-1。在该实施方式中，第一P型半导体层PV1-1可以由a-Si或a-Si:H制成。
本征半导体层PV1-2用于降低载流子的复合，并且用于吸收光，其中，诸如电子和空穴的载流子由该本征半导体层PV1-2产生。第一本征半导体层PV1-2可以由a-Si或a-Si:H制成，并且可以具有约200nm到300nm的厚度。
通过将包含五价元素杂质(诸如磷P、砷As和锑Sb)的气体与包含硅的源气体相混合，可以制成第一N型半导体层PV1-3。
该第一光伏单元PV1可以通过诸如等离子体增强化学汽相沉积(PECVD)的化学汽相沉积(CVD)制成。
诸如第一光伏单元PV1的第一P型半导体层PV1-1和第一N型半导体层PV1-3的半导体层形成P-N结，所述P-N结在第一P型半导体层PV1-1与第一N型半导体层PV1-3之间插入第一本征半导体层PV1-2。由于该P-N结所引起的光伏效应，从第一本征半导体层PV1-2产生电子和空穴，该P-N结通过接触电压差将电子和空穴彼此分离，并且使电子和空穴沿着不同的方向迁移。
例如，空穴通过第一P型半导体层PV1-1向第一电极110迁移，并且电子通过第一N型半导体层PV1-3向第二电极120迁移。
第二光伏单元PV2可以包括微晶硅μc-Si，并且通常可以吸收从红色光线到近红外线的长波段的光。
第二光伏单元PV2可以包括第二P型半导体层PV2-1、第二本征半导体层PV2-2和第二N型半导体层PV2-3，所述第二P型半导体层PV2-1、第二本征半导体层PV2-2和第二N型半导体层PV2-3在第一光伏单元PV1的第一N型半导体层PV1-3上顺序形成。与第一光伏单元PV1的情形相同，该第二光伏单元PV2可以通过诸如PECVD的CVD制成。
通过将包含三价元素杂质(诸如硼、镓和铟)的气体与包含硅的源气体相混合，可以制成第二P型半导体层PV2-1。
第二本征半导体层PV2-2用于减少载流子的复合，并用于吸收光。因此，第二本征半导体层PV2-2通常吸收所施加的长波段的光，并产生电子和空穴。
在该实施方式中，第二本征半导体层PV2-2可以由微晶硅μc-Si或掺杂微晶硅μc-Si:H制成，并且该第二本征半导体层PV2-2可以比第一本征半导体层PV1-2更厚，以便于充分地吸收长波长的太阳光。
通过将包含五价元素杂质(诸如磷P、砷As和锑Sb)的气体与包含硅的源气体相混合，可以制成第二N型半导体层PV2-3。
第二光伏单元PV2的第二P型半导体层PV2-1和第二N型半导体层PV2-3形成P-N结，所述P-N结在第二P型半导体层PV2-1和第二N型半导体层PV2-3之间插入第二本征半导体层PV2-2中，并且由于该P-N结所引起的光伏效应，从第二本征半导体层PV2-2产生电子和空穴。空穴向第一电极110迁移以聚集，电子通过第二N型半导体层PV2-3向第二电极120迁移以聚集。
位于光伏单元PV上的第二电极120可以由从包括有金Au、银Ag和铝Al的组中选出的一种制成，并且该第二电极120可以进一步包括反射层，该反射层用于向光伏单元PV反射未被光伏单元PV吸收的光。
在具有上述电池的薄膜太阳能电池模块中，第一电池与第二电池的电压相对量{(第二电池的电压)/(第一电池的电压)}和电流相对量{(第一电池的电流)/(第二电池的电流)}分别满足100％到120％，优选的，第一电池与第二电池的电压相对量{(第二电池的电压)/(第一电池的电压)}和电流相对量{(第一电池的电流)/(第二电池的电流)}分别满足102％到105％。
为了使电压相对量和电流相对量满足上述范围，在该实施方式中，第一电池C1的第二本征半导体层PV2-2的带隙能量和第二电池C2的第二本征半导体层PV2-2的带隙能量具有不同的量。
详细而言，第二电池C2的第二本征半导体层PV2-2的带隙能量大于第一电池C1的第二本征半导体层PV2-2的带隙能量。因此，第二电池C2的电压高于第一电池C1的电压，第一电池C1的电流高于第二电池C2的电流。
此处，为了使第二电池C2的第二本征半导体层PV2-2的带隙能量大于第一电池C1的第二本征半导体层PV2-2的带隙能量，第一电池C1的第二本征半导体层PV2-2的结晶度要高于第二电池C2的第二本征半导体层PV2-2的结晶度。
采用拉曼(Raman)对第二本征半导体层PV2-2的结晶度进行测量，下面的表1列出了根据第二本征半导体层PV2-2的结晶度的电压相对量、电流相对量和效率。
表1
Figure BDA0000118234910000081
参照表1，当电压相对量和电流相对量分别小于100％或者超过120％时，效率显著下降。当电压相对量和电流相对量分别大于100％并小于120％时，效率极好。
具体地，当电压相对量和电流相对量大于103％并小于105％时，效率是最好的。参照表1，当电压相对量和电流相对量大于103％并小于105％时，第二电池C2的第二本征半导体层PV2-2的结晶度比第一电池C1的第二本征半导体层PV2-2的结晶度低7％到10％。因此，优选的，第二电池C2的第二本征半导体层PV2-2的结晶度比第一电池C1的第二本征半导体层PV2-2的结晶度低7％到10％。
图6是例示在图1的薄膜太阳能电池模块中使用的电池的结构的剖视图，该图示出了具有三结型光电转换单元的电池。
在具有三结型光伏单元的电池中，第一光伏单元可以包括非晶硅，第二光伏单元可以包括非晶硅锗a-SiGe或微晶硅μc-Si，并且第三光伏单元可以包括微晶硅μc-Si或微晶硅锗μa-SiGe。
在该实施方式中，将对第一光伏单元PV1包括非晶硅、第二光伏单元PV2包括非晶硅锗、以及第三光伏单元PV3包括微晶硅的情形进行描述。
由于第一光伏单元PV1和第二光伏单元PV2具有与图5所示的实施方式相同的P-I-N结构，因此下文中仅对第三光伏单元PV3进行描述。
第三光伏单元PV3可以包括第三P型半导体层PV3-1、第三本征半导体层PV3-2和第三N型半导体层PV3-3。
由于未被第一光伏单元PV1和第二光伏单元PV2所吸收的光进入三结型光伏单元PV3，所以少量的光进入第三本征半导体层PV3-2。因此，当第三本征半导体层PV3-2比第二本征半导体层PV2-2更厚时，实现了充分的光吸收。因此，在该实施方式中，可以将第三本征半导体层PV3-2制成为具有2μm到3μm的厚度。出于参考的目的，在图5所示的实施方式中，第二本征半导体层PV2-2可以具有1.5μm的厚度。
尽管没有示出，但是可以在第二光伏单元PV2和第三光伏单元PV3之间设置中间反射层。
在具有这种结构的电池中，为了通过控制第一电池C1和第二电池C2的电压和电流对电压相对量和电流相对量进行调节，可以按照与图5所示的实施方式类似的方法，对第一电池C1的第三本征半导体层PV3-2的结晶度和第二电池C2的第三本征半导体层PV3-2的结晶度进行调节。在下面的表2中列出了根据第三本征半导体层PV3-2的结晶度的电压相对量、电流相对量和效率。
参照表2，表2与表示图5所示的实施方式的结果的表1类似。
也就是说，当电压相对量和电流相对量小于100％或者超过120％时，效率显著下降，而当电压相对量和电流相对量大于100％并小于120％时，效率极好。
另外，当电压相对量和电流相对量大于102％并小于105％时，效率是最好的。因此，优选的，第二电池C2的第二本征半导体层PV2-2的结晶度比第一电池C1的第二本征半导体层PV2-2的结晶度低7％到10％。
表2
尽管上文中已经描述了第一电池C1的第三光伏单元PV3的第三本征半导体层PV3-2与第二电池C2的第三光伏单元PV3的第三本征半导体层PV3-2的结晶度有所不同，但是，通过调节第二本征半导体层PV2-2中包含的锗Ge的浓度，可以对第一电池C1的第二本征半导体层PV2-2的带隙能量与第二电池C2的第二本征半导体层PV2-2的带隙能量进行控制，从而对电压相对量和电流相对量进行调节。
图7是示出光伏单元中包含的锗Ge的浓度与带隙能量之间的关系的曲线图。参照图7，应理解，根据第二本征半导体层PV2-2包含的锗的浓度，可以对带隙能量进行控制。
因此，当利用PECVD来沉积第二本征半导体层PV2-2时，根据如图8所示的在基板中的位置，通过改变处理因素(诸如电极之间的间隙、包含H2、SiH4和GeH4的处理气体的流速和气体比GeH4/SiH4)，可以使第二本征半导体层PV2-2的锗的浓度不同。
当将第二本征半导体层PV2-2的锗的浓度设为图8的曲线图时，如图9所示，第二本征半导体层PV2-2根据在基板中的位置具有不同的带隙能量值。
图9是示出由椭偏仪(ellipsometer)根据在基板中的位置测量出的第二本征半导体层PV2-2的带隙能量的曲线图。如图9所示，第二电池C2的带隙大于第一电池C1的带隙。
如图9所示，可以根据在基板中的位置对第二本征半导体层PV2-2包含的锗的浓度进行调节，以使第一电池C1的相应的第二本征半导体层PV2-2的带隙能量越接近位于边缘区域中的第二电池C2越大。
因此，当第一电池C1的第二本征半导体层PV2-2具有比第二电池C2的第二本征半导体层PV2-2更高的锗的浓度时，第二电池C2具有比第一电池C1更高的带隙能量。
下面的表3列出了根据第二本征半导体层PV2-2的带隙能量的电压相对量、电流相对量和效率。参照表3，当第一电池C1具有比第二电池C2更低的带隙能量时，可以实现高于100％的电压相对量和电流相对量，因此，也可以获得相对高的效率。
表3
因此，当对第二本征半导体层PV2-2的锗的浓度进行调节时，第一电池C1与第二电池C2的电压相对量和电流相对量可以大于100％并小于120％。
尽管上文中已经描述了对包含非晶硅锗的第二本征半导体层PV2-2的锗的浓度进行的调节，然而也可以对第二光伏单元PV2的带隙能量和第三光伏单元PV3的带隙能量一起进行调节。
在这种情况下，在对包含非晶硅锗的第二光伏单元PV2的锗的浓度进行调节的同时，也可以对包含微晶硅的第三光伏单元PV3的结晶度进行调节。
图10是例示在图1的薄膜太阳能电池模块中使用的三结型电池的结构的剖视图，该图示出了具有种子层的电池。
该实施方式与三结型电池的区别在于，由微晶制成的种子层PV3-4形成在包含微晶硅的第三P型半导体层PV3-1与第三本征半导体层PV3-2之间。其它要素可以与先前的实施方式相同。
在下面的实施方式中，将示出三结型电池，然而，种子层PV3-4可以形成在如图5所示的双结型电池中的第二P型半导体层PV2-1与第二本征半导体层PV2-2之间。
种子层PV3-4在早期的沉积中具有足够的结晶度，并且，促进随后沉积的第三本征半导体层PV3-2的晶体的生长。
因此，如图11所示，种子层PV3-4的较高结晶度高于随后沉积的第三本征半导体层PV3-2的较高结晶度。种子层PV3-4的较低结晶度低于随后沉积的第三本征半导体层PV3-2的较低结晶度。
种子层PV3-4的结晶度与第三本征半导体层PV3-2的结晶度成线性比例关系。
利用这一点，在该实施方式中，根据在基板中的位置对种子层PV3-4的结晶度进行调节。
表4
Figure BDA0000118234910000111
表4列出了根据在基板中的位置对种子层PV3-4的结晶度进行调节，以对第三本征半导体层PV3-2的结晶度进行调节的结果。
通过控制诸如电极之间的间隙、压力、气体流速和气体比的处理因素，根据在基板中的位置，可以对种子层PV3-4的结晶度进行调节。
因此，通过调节种子层PV3-4的结晶度对第三本征半导体层PV3-2的结晶度进行调节，以使第一电池与第二电池的电压相对量和电流相对量可以分别为100％到120％。
尽管已经参照本发明的示例性实施方式具体示出并描述了本发明，但本领域普通技术人员要理解的是，在不脱离如随后的权利要求所限定的本发明的精神和范围的情况下，可以对本发明做出形式和细节上的各种变化。
本申请要求在2011年9月15日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2011-0093029的优先权，该韩国专利申请的全部内容通过引用并入本文中。

Claims (20)

1.一种薄膜太阳能电池模块，该薄膜太阳能电池模块包括：
基板；
多个第一电池，所述多个第一电池位于中心区域中，一个或更多个第一电池包括至少一个光伏单元；以及
多个第二电池，所述多个第二电池位于所述基板的边缘区域中，一个或更多个第二电池包括至少一个光伏单元；
其中，在位于同一层的光伏单元当中，所述一个或更多个第二电池的所述光伏单元具有比所述一个或更多个第一电池的所述光伏单元更高的带隙能量。
2.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池模块，其中，所述一个或更多个第一电池和所述一个或更多个第二电池包括同样数量的光伏单元。
3.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池模块，其中，所述一个或更多个第一电池与所述一个或更多个第二电池的电压相对量{(第二电池的电压)/(第一电池的电压)}和电流相对量{(第一电池的电流)/(第二电池的电流)}为100％到120％。
4.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池模块，其中，所述一个或更多个第一电池与所述一个或更多个第二电池的电压相对量{(第二电池的电压)/(第一电池的电压)}和电流相对量{(第一电池的电流)/(第二电池的电流)}为102％到105％。
5.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池模块，其中，在位于同一层的光伏单元中，所述一个或更多个第二电池的电压高于所述一个或更多个第一电池的电压。
6.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池模块，其中，在位于同一层的光伏单元中，所述一个或更多个第一电池的电流高于所述一个或更多个第二电池的电流。
7.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池模块，其中，所述一个或更多个第二电池位于距所述基板的边缘4cm以内的范围中。
8.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池模块，其中，在同一层中的所述一个或更多个第一电池的所述光伏单元和所述一个或更多个第二电池的所述光伏单元包括一个或更多个本征半导体层，所述一个或更多个本征半导体层包含非晶硅锗，并且，所述一个或更多个第一电池的所述一个或更多个本征半导体层包含的锗比所述一个或更多个第二电池的所述一个或更多个本征半导体层包含的锗具有更高的浓度。
9.根据权利要求8所述的薄膜太阳能电池模块，其中，所述一个或更多个第一电池越接近所述边缘区域，所述一个或更多个第一电池的所述一个或更多个本征半导体层中包含的锗的浓度越低。
10.根据权利要求8所述的薄膜太阳能电池模块，其中，所述一个或更多个第一电池越接近所述边缘区域，所述一个或更多个第一电池的所述一个或更多个本征半导体层的带隙能量越大。
11.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池模块，其中，在同一层中的所述一个或更多个第一电池的所述光伏单元和所述一个或更多个第二电池的所述光伏单元包括一个或更多个本征半导体层，所述一个或更多个本征半导体层包含微晶硅，
所述一个或更多个第一电池的所述一个或更多个本征半导体层包含的锗比所述一个或更多个第二电池的所述一个或更多个本征半导体层包含的锗具有更高的结晶度。
12.根据权利要求11所述的薄膜太阳能电池模块，其中，所述一个或更多个第二电池的结晶度比所述一个或更多个第一电池的结晶度低7％到10％。
13.根据权利要求11所述的薄膜太阳能电池模块，该薄膜太阳能电池模块还进一步包括：
与所述一个或更多个第一电池的所述一个或更多个本征半导体层相接触的一个或更多个种子层；以及
与所述一个或更多个第二电池的所述一个或更多个本征半导体层相接触的一个或更多个种子层。
14.根据权利要求13所述的薄膜太阳能电池模块，其中，所述一个或更多个第一电池的所述一个或更多个种子层具有比所述一个或更多个第二电池的所述一个或更多个种子层更高的结晶度。
15.一种薄膜太阳能电池模块，该薄膜太阳能电池模块包括：
基板；
多个第一电池，所述多个第一电池位于中心区域中，一个或更多个第一电池包括至少一个光伏单元；以及
多个第二电池，所述多个第二电池位于所述基板的边缘区域中，一个或更多个第二电池包括至少一个光伏单元；
其中，所述一个或更多个第一电池与所述一个或更多个第二电池的电压相对量{(第二电池的电压)/(第一电池的电压)}和电流相对量{(第一电池的电流)/(第二电池的电流)}为100％到120％。
16.根据权利要求15所述的薄膜太阳能电池模块，其中，所述一个或更多个第一电池与所述一个或更多个第二电池的所述电压相对量{(第二电池的电压)/(第一电池的电压)}和所述电流相对量{(第一电池的电流)/(第二电池的电流)}为102％到105％。
17.一种薄膜太阳能电池模块，该薄膜太阳能电池模块包括：
基板；
多个第一电池，所述多个第一电池位于中心区域中，一个或更多个第一电池包括至少一个光伏单元；以及
多个第二电池，所述多个第二电池位于所述基板的边缘区域中，一个或更多个第二电池包括至少一个光伏单元；
其中，
所述一个或更多个第一电池的所述光伏单元和所述一个或更多个第二电池的光伏单元在同一层中，
所述一个或更多个第一电池的所述一个或更多个本征半导体层包含的锗比所述一个或更多个第二电池的所述一个或更多个本征半导体层包含的锗具有更高的结晶度。
18.根据权利要求17所述的薄膜太阳能电池模块，其中，所述一个或更多个第二电池的结晶度比所述一个或更多个第一电池的结晶度低7％到10％。
19.根据权利要求17所述的薄膜太阳能电池模块，该薄膜太阳能电池模块进一步包括：
与所述一个或更多个第一电池的所述一个或更多个本征半导体层相接触的一个或更多个种子层；以及
与所述一个或更多个第二电池的所述一个或更多个本征半导体层相接触的一个或更多个种子层。
20.根据权利要求19所述的薄膜太阳能电池模块，其中，所述一个或更多个第一电池的所述一个或更多个种子层具有比所述一个或更多个第二电池的所述一个或更多个种子层更高的结晶度。
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