JP2007012976A - 太陽電池モジュール - Google Patents

太陽電池モジュール Download PDF

Info

Publication number
JP2007012976A
JP2007012976A JP2005193584A JP2005193584A JP2007012976A JP 2007012976 A JP2007012976 A JP 2007012976A JP 2005193584 A JP2005193584 A JP 2005193584A JP 2005193584 A JP2005193584 A JP 2005193584A JP 2007012976 A JP2007012976 A JP 2007012976A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
solar cell
solar cells
solar
cell module
cells
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2005193584A
Other languages
English (en)
Inventor
Tadashi Iwakura
正 岩倉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Honda Motor Co Ltd
Original Assignee
Honda Motor Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Honda Motor Co Ltd filed Critical Honda Motor Co Ltd
Priority to JP2005193584A priority Critical patent/JP2007012976A/ja
Priority to US11/922,989 priority patent/US20080216886A1/en
Priority to PCT/JP2006/312969 priority patent/WO2007004501A1/ja
Priority to DE112006001752T priority patent/DE112006001752T5/de
Priority to CNB2006800239711A priority patent/CN100568537C/zh
Publication of JP2007012976A publication Critical patent/JP2007012976A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/0445PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
    • H01L31/046PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/541CuInSe2 material PV cells
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Abstract

【課題】太陽電池モジュールの発電特性、特に、変換効率を向上する。
【解決手段】太陽電池モジュール10は、10個の太陽電池14a〜14jを有する。このうち、端部に配置された太陽電池14a、14j、及び該太陽電池14a、14jにそれぞれ隣接する太陽電池14b、14iの幅方向寸法W1は、残余の太陽電池14c〜14hの幅方向寸法W2に比して10〜25%(1.1〜1.25倍)程度長く設定されており、これにより、太陽電池14a、14b、14i、14jの電池面積が残余の太陽電池14c〜14hに比して大きく設定されている。
【選択図】図1

Description

本発明は、複数個の太陽電池が1枚の基板上に形成されたセルを備える太陽電池モジュールに関する。
カルコパイライト型太陽電池は、Cu(InGa)Seと表記されるカルコパイライト化合物(以下、CIGSともいう)を光吸収層として備える太陽電池であり、エネルギ変換効率が高い、経年変化による光劣化がほとんど起こらない、耐放射線特性に優れる、光吸収波長領域が広い、光吸収係数が大きい等、種々の利点を有することから特に着目されている。
図5に示すように、この種のカルコパイライト型太陽電池1は、複数個が1枚のガラス基板2上にモノリシックに形成されており、これによりセル3が構成されている。なお、各太陽電池1は、例えば、Moからなる第1電極層4、CIGSからなる光吸収層5、CdS、ZnO、InSのいずれかからなるバッファ層6、ZnO/Alからなる透明な第2電極層7がガラス基板2上にこの順序で設けられることによって形成される。
太陽電池1は、上記した各層を設ける際に、3回のスクライブによる分割が適宜行われることによって作製される。すなわち、1回目のスクライブはMoからなる第1電極層4が形成された後に行われ、2回目のスクライブはバッファ層6の形成後に行われる。さらに、透明な第2電極層7が形成された後に3回目のスクライブが実施される。太陽電池1の幅方向寸法は、スクライブを行う間隔を設定することによって決定される。
そして、図6に示すように、このように構成されたセル3を図示しない樹脂材によってケーシング8内に封止することで、太陽電池モジュール9が形成される。なお、ケーシング8に複数個のセル3を収容するようにしてもよい。
太陽電池モジュール9としての電圧は、セル3をスクライブする間隔を調整し、個々の太陽電池1の直列段数を変更することで、数十〜数百Vの高電圧を発生することが可能である(例えば、特許文献1参照)。また、分割は、特許文献2に記載されているように、スクライバー装置にプログラミングされたデータに基づき、等間隔となるように行われる。この結果、図6に示すように、太陽電池1の幅方向寸法が同一となる。
特開平11−312815号公報 特開2004−115356号公報
ところで、太陽電池モジュールを大型化した場合、該太陽電池モジュールの発電性能が、太陽電池の面積から推測される発電性能よりも小さくなることが多々認められる。
本発明は上記した問題を解決するためになされたもので、大型であっても優れた発電性能を示す太陽電池モジュールを提供することを目的とする。
本発明者は、太陽電池モジュールを大型化した場合に発電性能が推測よりも小さくなる理由につき調査を行い、図6に示すような太陽電池モジュール9では、端部に位置する太陽電池の起電流量がその他の太陽電池に比して小さいという知見を得た。すなわち、太陽電池モジュールの発電性能は、端部に位置する太陽電池の起電流量に著しく依存し、これら太陽電池の起電流量が小さければ、その他の太陽電池の起電流量が大きくても、太陽電池モジュール全体としては十分な発電性能が得られなくなる。
従って、太陽電池モジュールの発電性能を向上させるべく、端部に位置する太陽電池の起電流量を上昇させることが想起される。そして、これを実現するためには、太陽電池を作製する際、光吸収層となるプリカーサや透明な第2電極層の膜厚・組成のバラツキを抑制することが考えられる。これらの層の膜厚及び組成が相違すると、起電流量に影響が及ぶからである。
又は、光吸収層を設ける際に前記プリカーサをセレン化する工程でセレン化炉の温度分布のバラツキを抑制したり、バッファ層を形成する工程でケミカルバスデポジション(CBD)法に使用する溶液のガラス基板中央部と端部での流速差を小さくすることも考えられる。
しかしながら、太陽電池モジュールを大型化した場合には、ガラス基板も大型になるため、プリカーサや第2電極層をスパッタリングで設ける際に膜厚や組成のバラツキを抑制したり、セレン化炉の温度分布のバラツキを抑制したり、CBD法に使用する溶液のガラス基板中央部と端部での流速差を小さくしたりすることは困難である。
本発明者は、以上の知見に基づいて種々の鋭意検討を重ね、本発明をするに至った。
すなわち、本発明に係る太陽電池モジュールは、1枚の基板上部に、第1電極層、p型の光吸収層、n型のバッファ層、透明な第2電極層が基板に近接する側からこの順序で配置された太陽電池を該1枚の基板に複数個有するとともに、前記太陽電池同士が互いに電気的に直列接続されたセルを1個以上備え、
前記太陽電池は、複数の電池面積を有することを特徴とする。
すなわち、本発明においては、電池面積が相違する太陽電池が存在する。このように電池面積を相違させることにより、各太陽電池の起電流量を略一定に揃えることができる。
そして、本発明では、起電流量が略一定であるため、結果として太陽電池モジュール全体としての変換効率が向上する。これにより、太陽電池モジュール全体の発電性能が向上する。
太陽電池の電池面積がすべて同一である場合、一般的に、起電流量が小さいのは端部の太陽電池である。従って、電池面積が大きい太陽電池を端部に配置し、これにより該端部の太陽電池の起電流量を上昇させることが好ましい。換言すれば、太陽電池モジュールの端部に配置された太陽電池は、中央部に配置された前記太陽電池に比して電池面積が大きいことが好ましい。
ここで、太陽電池の総個数が偶数個の場合、中央部は2個で構成される。すなわち、例えば、10個の太陽電池でセルを構成する場合、中央部は、左端から数えて5個目、6個目の2個の太陽電池である。
電池面積は、例えば、太陽電池の長さ方向寸法を互いに同一とし、且つ幅方向寸法を相違させることによって相違させればよい。ここで、長さ方向とは、太陽電池を上方から見た場合に寸法が長い方向を指称し、幅方向とは、長さ方向に直交する方向を指称する。
本発明によれば、同一面積の太陽電池で構成された太陽電池モジュールを発電させた際に起電流量が小さい太陽電池を、電池面積が大きな太陽電池として起電流量が大きくなるようにしている。これにより各太陽電池の起電流量が略一定となり、その結果、太陽電池モジュール全体としての変換効率が向上する。すなわち、発電特性に優れる太陽電池モジュールが得られる。
以下、本発明に係る太陽電池モジュールにつき好適な実施の形態を挙げ、添付の図面を参照して詳細に説明する。
本実施の形態に係る太陽電池モジュールの概略全体平面説明図を図1に示す。この場合、太陽電池モジュール10は、10個の太陽電池14a〜14jが互いに隣接して配列されたセル15がケーシング16に収容されて構成されている。なお、ケーシング16内には図示しない樹脂がモールドされており、これにより太陽電池14a〜14jが保護されている。
この中の太陽電池14h、14i近傍の幅方向に沿う縦断面を図2に示す。セル15の幅方向の構成は、図5に示すセル3と略同様である。すなわち、このセル15は、1枚のガラス基板2上に太陽電池14a〜14jがモノリシックに形成されることにより構成され、太陽電池14a〜14jは、例えば、Moからなる第1電極層4、CIGSからなる光吸収層5、CdS、ZnO、InSのいずれかからなるバッファ層6、ZnO/Alからなる透明な第2電極層7がガラス基板2上にこの順序で設けられることによって形成される。
ここで、図1及び図2に示すように、太陽電池モジュール10においては、両端に位置する太陽電池14a、14j、及び該太陽電池14a、14jに隣接する太陽電池14b、14iの幅寸法W1が、残余の太陽電池14c〜14hの幅寸法W2に比して大きく設定されている。具体的には、W1は、W2に対しておよそ10%〜25%程度長く、換言すれば、幅広となるように設定される。
このように構成された太陽電池モジュール10に太陽光等の光が照射された場合、各太陽電池14a〜14jの光吸収層5に電子と正孔の対が生じる。そして、p型半導体であるCIGS製の光吸収層5と、n型半導体である第2電極層7との接合界面において、電子が第2電極層7(n型側)の界面に集合するとともに、正孔が光吸収層5(p型側)の界面に集合する。この現象が起こることにより、光吸収層5と第2電極層7との間に起電力が生じる。この起電力による電気エネルギが、セル15を構成する太陽電池14aの第1電極層4に電気的に接続された図示しない第1電極と、太陽電池14jの第2電極層7に電気的に接続された図示しない第2電極から電流として取り出される。
この際、太陽電池14aから太陽電池14jに至るまでが直列接続されているので、電流は、例えば、太陽電池14aから太陽電池14jへと流れ、その際の起電力は、各太陽電池14a〜14jの起電力の総和となる。
ここで、幅方向寸法W2に対する幅方向寸法W1の倍率を変化させ、その際に測定された端部及びそれに隣接する4個の太陽電池14a、14b、14i、14jの変換効率、中間部の6個の太陽電池14c〜14hの変換効率、太陽電池モジュール10全体としての変換効率を図3に示す。
この図3から諒解されるように、各端部及びその隣の太陽電池14a、14b、14i、14jの幅方向寸法W1を、その他の太陽電池14c〜14hの幅方向寸法W2に比して大きく設定することにより、換言すれば、各端部及びその隣の太陽電池14a、14b、14i、14jの面積を中間部の太陽電池14c〜14hの面積よりも大きくすることにより、端部及びその近傍の太陽電池14a、14b、14i、14jの起電流量を、中間部の太陽電池14c〜14hの起電流量と略同程度にすることができる。換言すれば、端部及びその近傍の太陽電池14a、14b、14i、14jの起電流量が低下し、このために太陽電池モジュール10全体としての変換効率が低下することを回避することができる。その結果、全太陽電池が同一幅である従来技術に係る太陽電池モジュール9(図6参照)に比して、変換効率が大きくなる。
この理由は、太陽電池14a、14b、14i、14jでは、幅方向寸法W1が残余の太陽電池14c〜14hの幅方向寸法W2に比して大きく、このために電池面積が大きいので、起電流量が大きくなるからである。これにより、太陽電池14a、14b、14i、14jの起電流量と太陽電池14c〜14hの起電流量とが略等しくなる。すなわち、太陽電池14aから太陽電池4jに至る全太陽電池14a〜14jにおいて起電流量が略一定となるので、太陽電池モジュール10としての変換効率が向上する。
太陽電池14a、14b、14i、14jの幅方向寸法を相違させるには、スクライブを行う際の分割間隔を相違させればよい。すなわち、例えば、スクライバー装置にプログラミングするデータを変更すればよい。
このように、幅方向寸法が相違する太陽電池14a、14b、14i、14jを容易に作製することができるので、太陽電池14a、14b、14i、14jの幅方向寸法を相違させることに伴って製作コストが高騰することもない。
なお、上記した実施の形態においては、幅方向寸法を相違させることによって面積を相違させるようにしているが、図4に示すように、長手方向寸法を相違させることによって面積を相違させるようにしてもよい。
いずれの場合においても、太陽電池の個数は3個以上であればよく、10個に特に限定されるものではない。また、複数個のセル15をケーシング16に収容して太陽電池モジュールを構成するようにしてもよい。この場合、ケーシング16内で複数個のセル15を直列又は並列に内部接続することにより、所望の電圧に調整することが可能となる。
本実施の形態に係る太陽電池モジュールの概略全体平面説明図である。 図1の太陽電池モジュールを構成するセルの幅方向要部拡大縦断面図である。 太陽電池の幅方向寸法W1のW2に対する倍率と、変換効率との関係を示す図表である。 別の実施の形態に係る太陽電池モジュールの概略全体平面説明図である。 複数個の太陽電池が1枚のガラス基板上にモノリシックに形成されて構成されたセルの幅方向要部拡大縦断面図である。 従来技術に係る太陽電池モジュールの概略全体平面説明図である。
符号の説明
1、14a〜14j…太陽電池 2…ガラス基板
3、15…セル 4…第1電極層
5…光吸収層 6…バッファ層
7…第2電極層 8、16…ケーシング
9、10…太陽電池モジュール

Claims (3)

  1. 1枚の基板上部に、第1電極層、p型の光吸収層、n型のバッファ層、透明な第2電極層が基板に近接する側からこの順序で配置された太陽電池を該1枚の基板に複数個有するとともに、前記太陽電池同士が互いに電気的に直列接続されたセルを1個以上備え、
    前記太陽電池は、複数の電池面積を有することを特徴とする太陽電池モジュール。
  2. 請求項1記載のモジュールにおいて、当該モジュールの端部に配置された前記太陽電池は、中央部に配置された前記太陽電池に比して電池面積が大きいことを特徴とする太陽電池モジュール。
  3. 請求項1又は2記載のモジュールにおいて、複数個の前記太陽電池は長さ方向寸法が互いに同一であり、幅方向寸法が異なることによって電池面積が相違することを特徴とする太陽電池モジュール。
JP2005193584A 2005-07-01 2005-07-01 太陽電池モジュール Pending JP2007012976A (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005193584A JP2007012976A (ja) 2005-07-01 2005-07-01 太陽電池モジュール
US11/922,989 US20080216886A1 (en) 2005-07-01 2006-06-29 Solar Cell Module
PCT/JP2006/312969 WO2007004501A1 (ja) 2005-07-01 2006-06-29 太陽電池モジュール
DE112006001752T DE112006001752T5 (de) 2005-07-01 2006-06-29 Solarzellenmodul
CNB2006800239711A CN100568537C (zh) 2005-07-01 2006-06-29 太阳能电池模块

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005193584A JP2007012976A (ja) 2005-07-01 2005-07-01 太陽電池モジュール

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2007012976A true JP2007012976A (ja) 2007-01-18

Family

ID=37604369

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005193584A Pending JP2007012976A (ja) 2005-07-01 2005-07-01 太陽電池モジュール

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20080216886A1 (ja)
JP (1) JP2007012976A (ja)
CN (1) CN100568537C (ja)
DE (1) DE112006001752T5 (ja)
WO (1) WO2007004501A1 (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011040786A3 (ko) * 2009-10-01 2011-09-15 엘지이노텍주식회사 태양광 발전장치 및 이의 제조방법
KR101081085B1 (ko) 2009-10-01 2011-11-07 엘지이노텍 주식회사 태양전지 및 이의 제조방법
KR101189415B1 (ko) 2011-01-25 2012-10-10 엘지이노텍 주식회사 태양전지 및 이의 제조방법
JP2013168661A (ja) * 2007-02-16 2013-08-29 Nanogram Corp 太陽電池構造体、光起電モジュール及びこれらに対応する方法
JP5362833B2 (ja) * 2009-09-08 2013-12-11 株式会社アルバック 太陽電池モジュール

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8071179B2 (en) 2007-06-29 2011-12-06 Stion Corporation Methods for infusing one or more materials into nano-voids if nanoporous or nanostructured materials
EP2058869A1 (de) * 2007-11-06 2009-05-13 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Solarzellenmodul mit angepasster Solarzellenbreite
US7947524B2 (en) 2008-09-30 2011-05-24 Stion Corporation Humidity control and method for thin film photovoltaic materials
US20110018103A1 (en) * 2008-10-02 2011-01-27 Stion Corporation System and method for transferring substrates in large scale processing of cigs and/or cis devices
US8082672B2 (en) * 2008-10-17 2011-12-27 Stion Corporation Mechanical patterning of thin film photovoltaic materials and structure
US8241943B1 (en) 2009-05-08 2012-08-14 Stion Corporation Sodium doping method and system for shaped CIGS/CIS based thin film solar cells
US8372684B1 (en) 2009-05-14 2013-02-12 Stion Corporation Method and system for selenization in fabricating CIGS/CIS solar cells
US20100294349A1 (en) * 2009-05-20 2010-11-25 Uma Srinivasan Back contact solar cells with effective and efficient designs and corresponding patterning processes
US8507786B1 (en) 2009-06-27 2013-08-13 Stion Corporation Manufacturing method for patterning CIGS/CIS solar cells
KR101072073B1 (ko) * 2009-06-30 2011-10-10 엘지이노텍 주식회사 태양광 발전장치
US8398772B1 (en) 2009-08-18 2013-03-19 Stion Corporation Method and structure for processing thin film PV cells with improved temperature uniformity
EP2309540A1 (de) * 2009-10-12 2011-04-13 Inventux Technologies AG Photovoltaik-Modul
DE102009044610A1 (de) * 2009-11-20 2011-05-26 Azur Space Solar Power Gmbh Solarzellenmodul
US8859880B2 (en) * 2010-01-22 2014-10-14 Stion Corporation Method and structure for tiling industrial thin-film solar devices
JP2011181543A (ja) * 2010-02-26 2011-09-15 Sanyo Electric Co Ltd 光電変換装置
US9096930B2 (en) 2010-03-29 2015-08-04 Stion Corporation Apparatus for manufacturing thin film photovoltaic devices
US8142521B2 (en) * 2010-03-29 2012-03-27 Stion Corporation Large scale MOCVD system for thin film photovoltaic devices
US20110259395A1 (en) * 2010-04-21 2011-10-27 Stion Corporation Single Junction CIGS/CIS Solar Module
US8461061B2 (en) 2010-07-23 2013-06-11 Stion Corporation Quartz boat method and apparatus for thin film thermal treatment
US20130319518A1 (en) * 2010-10-25 2013-12-05 Matthias Doech Solar module with a connecting element
US20120192912A1 (en) * 2011-01-28 2012-08-02 Du Pont Apollo Limited Solar cell module with extended area active subcell
US8912083B2 (en) 2011-01-31 2014-12-16 Nanogram Corporation Silicon substrates with doped surface contacts formed from doped silicon inks and corresponding processes
US9076900B2 (en) 2011-05-05 2015-07-07 Industrial Technology Research Institute Solar cell module and solar cell
US20130025646A1 (en) * 2011-07-28 2013-01-31 Primestar Solar, Inc. Photovoltaic module with improved dead cell contact
KR101770266B1 (ko) * 2011-09-15 2017-08-22 엘지전자 주식회사 박막 태양전지 모듈
KR101770267B1 (ko) * 2011-10-04 2017-08-22 엘지전자 주식회사 박막 태양전지 모듈
KR20150057853A (ko) * 2013-11-20 2015-05-28 삼성에스디아이 주식회사 태양 전지
US9947807B2 (en) * 2014-02-06 2018-04-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Solar module with wireless power transfer
IL241909A (en) * 2015-10-06 2016-10-31 Solarwat Ltd An electrical power generation system that includes an array of solar modules

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4663495A (en) * 1985-06-04 1987-05-05 Atlantic Richfield Company Transparent photovoltaic module
JPS6266684A (ja) * 1985-09-19 1987-03-26 Sanyo Electric Co Ltd 光起電力装置の製造方法
JPH0195570A (ja) * 1987-10-07 1989-04-13 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd 半導体装置及びその製造方法
JPH036848U (ja) * 1989-06-05 1991-01-23
JPH09116177A (ja) * 1995-10-19 1997-05-02 Yazaki Corp 化合物半導体膜の形成方法及び薄膜太陽電池の製造方法
JP3867230B2 (ja) * 2002-09-26 2007-01-10 本田技研工業株式会社 メカニカルスクライブ装置
JP2004119953A (ja) * 2002-09-26 2004-04-15 Honda Motor Co Ltd 薄膜太陽電池およびその製造方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013168661A (ja) * 2007-02-16 2013-08-29 Nanogram Corp 太陽電池構造体、光起電モジュール及びこれらに対応する方法
JP5362833B2 (ja) * 2009-09-08 2013-12-11 株式会社アルバック 太陽電池モジュール
WO2011040786A3 (ko) * 2009-10-01 2011-09-15 엘지이노텍주식회사 태양광 발전장치 및 이의 제조방법
KR101081085B1 (ko) 2009-10-01 2011-11-07 엘지이노텍 주식회사 태양전지 및 이의 제조방법
KR101189415B1 (ko) 2011-01-25 2012-10-10 엘지이노텍 주식회사 태양전지 및 이의 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
WO2007004501A1 (ja) 2007-01-11
DE112006001752T5 (de) 2008-05-29
CN100568537C (zh) 2009-12-09
US20080216886A1 (en) 2008-09-11
CN101213673A (zh) 2008-07-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2007012976A (ja) 太陽電池モジュール
US20080023065A1 (en) Thin film photovoltaic module wiring for improved efficiency
KR101031246B1 (ko) 박막형 태양전지 및 그 제조방법, 및 그를 이용한 박막형 태양전지 모듈 및 태양광 발전 시스템
JP2006216608A (ja) 太陽電池モジュール
US20100300514A1 (en) Solar cell and method for manufacturing solar cell
JP2006332273A (ja) 裏面電極型太陽電池
JPWO2004090995A1 (ja) 太陽電池
KR101262455B1 (ko) 태양광 발전장치 및 이의 제조방법
US20130152999A1 (en) Photovoltaic component for use under concentrated solar flux
JP7175993B2 (ja) 改善したシャント抵抗を有する薄膜ソーラーモジュール
US8658883B2 (en) Solar cell module and method for manufacturing the same
JP2006222384A (ja) 集積型薄膜太陽電池及びその製造方法
KR101626929B1 (ko) 화합물 박막을 이용한 다중접합 태양전지 제조 방법 및 다중접합 태양전지
CN108281503B (zh) 具有通过电池级互连耦接的多个子电池的太阳能电池
KR20120119807A (ko) 태양 전지
JP5916605B2 (ja) 太陽光発電装置
KR101338615B1 (ko) 태양광 발전장치 및 이의 제조방법
US8963270B2 (en) Fabrication of interconnected thin-film concentrator cells using shadow masks
EP2876691A1 (en) Solar cell array
US9142701B2 (en) Tandem type integrated photovoltaic module and manufacturing method thereof
KR20140080897A (ko) 태양전지 모듈 및 이의 제조방법
NL2012554B1 (en) Back side contact layer for PV module with by-pass configuration.
TWM542250U (zh) 太陽能電池模組及其佈局結構
CN102479855B (zh) 具电流控制的太阳能电池模块及其制造方法
US20120318329A1 (en) Integrated thin film photovoltaic module and manufacturing method thereof

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20081021

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20081222

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20091222