CN102985200A - 可转位的刀片、用于该刀片的构造和用于制造该刀片的方法 - Google Patents

Abstract

一种用于制造用于可转位的刀片的构造的方法，该方法包括提供包含陶瓷材料的晶片（20），所述晶片（20）基本上不由硬质合金基底支撑并且具有至多2mm的平均厚度；提供一刀片座（30），所述刀片座具有由周边连接的近端（33）和主远端（34），所述刀片座的所述近端被构造成具有由所述周边（36）的连接部限定的至少两个拐角；所述晶片（20）被构造成具有对应于所述刀片座（30）的所述近端（33）的所述至少两个拐角（35）的至少两个拐角（25），所述方法包括通过粘结材料将所述晶片（20）粘结到所述近端（33），所述晶片（20）的所述拐角（25）布置成邻近所述近端（33）的所述相应拐角（35），以便提供所述构造。

Description

可转位的刀片、用于该刀片的构造和用于制造该刀片的方法

技术领域

本公开大体涉及一种用于机床的可转位刀片的构造，用于该刀片的组件和用于制造该刀片的方法。

背景技术

美国专利号7,857,557公开了一种可转位的刀片，该刀片设置有涂层结构，该涂层结构包括两层：包含连接到包含碳化物的内层的切割材料，例如cBN或金刚石的外层。层结构可以通过钎焊接被施加到刀片座上，在此之前层结构制造为烧结体。

发明内容

需要用于机床的可转位的刀片和用于制造该刀片的有效方法，该刀片能够在使用中具有高的生产率。

第一方面，可以提供一种制造用于可转位的刀片的构造的方法，该方法包括提供晶片，该晶片包括陶瓷材料，该晶片基本上不由基片支撑并且具有至多大约2mm或至多大约1mm的均匀厚度；提供具有由周向侧面（在拐角连接部处相遇）连接的近端和主要远端的刀片座（其也可以在此称为基片），所述刀片座的近端构造成具有至少两个拐角（或顶点或高点），该至少两个拐角由周向侧面之间的连接部限定；晶片被构造成具有对应于刀片座的近端的两个拐角的至少两个拐角（用于提供刃口），该方法包括通过粘合材料（例如钎焊合金材料）将晶片粘合到刀片座的近端，晶片的拐角布置成邻近（即，基本上位于上方）近端的对应拐角。拐角可以被圆整或以其他方式在基本上平行于至少邻近拐角的近端的面积的平面中形成弓形；或者拐角在该平面中可以是基本上尖形或带尖的。近端可以包括用于容纳晶片的凹窝和/或引导件，该凹窝可以包括近端的两个拐角，该引导件例如是用于定位晶片的凸台。在一些示例性布置中，刀片座的近端可以具有由周向侧面的连接部限定的至少三个或至少四个拐角，并且晶片可以被构造成具有对应于刀片座的近端的拐角的至少三个或至少四个拐角。

第二方面，可以提供一种用于制造公开的构造（用于可转位的刀片）的晶片的方法，该方法包括提供前体，该前体包括陶瓷材料并且在一对相对的主端表面之间具有第一厚度；将该前体切割成多个子结构，以提供在一对相对的主子结构表面之间具有第二厚度的至少一个子结构，第二厚度小于第一厚度；和处理该子结构（例如通过研磨、抛光或进一步切割以获得所需的尺寸或公差）来提供晶片。

本公开可预见各种陶瓷材料。例如，陶瓷材料可以是先进的陶瓷材料或超硬材料，例如PCBN材料、PCD材料、热稳定PCD材料或SiC粘合的金刚石材料。陶瓷材料能够由放电装置（材料可以是导电的）切割。例如，陶瓷材料可以包括分散在包括碳氮化钛材料的基体中的cBN晶粒，并且陶瓷材料可以包括至少大约35体积百分比，或至少大约50体积百分比的cBN，和/或至多大约93体积百分比，至多大约80体积百分比或至多大约70体积百分比的cBN。在特定示例中，cBN晶粒的容量可以是超硬材料的至少大约70体积百分比。

本公开可以预见用于前体和子结构的各种布置和粘合。例如，前体的相对主要表面可以是基本上平坦的，和/或子结构的相对主表面可以是基本上平坦的。前体可以被切割成两个至十个子结构，每个子结构分别具有前体体积的基本上50%以下至10%的体积。在某些示例性布置中，主子结构表面可以被切割成对应于前体的主表面，子结构主表面基本上平行于或者倾斜至多大约45度的角度至前体的主表面的至少之一；或者子结构主表面可以基本上垂直于或倾斜至少大约45度的角度至前体的主表面的至少之一。在一些示例中，第一厚度可以在前体的一对相对的主表面之间测量，第二厚度在子结构的相应表面之间测量。在一个示例性布置中，前体的至少一个主表面可以基本上是平坦的。前体可以具有由侧表面连接的一对基本上平坦的主端表面，该方法包括大体上平行于主端表面的至少之一切割前体，以提供至少两个多边形或圆盘形。示例性方法可以包括大体上平行于其主端部的至少之一切割前体，以提供至少两个、至少四个或至少五个片状的子结构。

可以预见用于前体的各个示例性布置和组合。前体可以为盘状或实心柱体的形状，或者它可以大体上是立方体或菱形的形状，并且前体可以具有至少大约2cm，至少大约3cm或至少大约5cm的直径或边缘长度，以及至少大约0.5cm或至少大约1cm的厚度。前体可以具有至少大约10cm³的体积。前体可以为大体上圆筒形形状并且具有至少大约5cm的直径。前体可以具有由侧表面连接的一对基本上平坦的相对主端部，和/或前体可以是基本上自由直立的，自支撑并且没有硬质合金基片。

可以预见用于子结构的各种示例性布置和粘合。例如，子结构可以具有至多大约4mm、至少大约2mm、至多大约1.6mm、至多大约1mm或至多大约0.5mm的平均厚度。子结构可以为圆形或圆盘形或多边形盘，例如正方形、长方形或三角形盘的大体形式，或者子结构可以为封闭或敞开的环的形式，或者子结构从主表面上方观察可以为大体上U形的、V形的或半圆形的。子结构可以设置有通孔，该通孔可以具有相对大的面积，从而子结构可以在平面视图中类似于多边形环，例如大体上正方形或三角形环。

在一些示例性布置中，刀片座可以具有形成到主端部边缘内的锥体，该锥体的锥角从由主端部表面限定的平面看为大约7度，大约11度或大约15度，或至少大约7度和至多大约15度（换句话说，刀片座的主端部可以具有从端部悬垂的锥形边缘）。

在一些示例性布置中，刀片座的至少一个周向边缘相对于近端以至少20度和至多80度的内角倾斜，周向边缘形成在近端和周向侧面之间的连接部处。

晶片可以具有由周向侧表面连接的一对相对的主表面，刀片座具有主表面；并且方法可以包括使晶片构造成使得晶片的主表面的面积是刀片座的主表面的面积的至少大约50%、至少大约70%、至少大约90%或基本上100%。

可以预见用于方法的各种示例性布置和组合。例如，方法可以包括提供刀片座，该刀片座在近端和远端之间具有通孔，将通孔形成到晶片内，使晶片和刀片座布置成使得各通孔基本上同轴，以及通过粘结材料将晶片粘结到基片。该方法可以包括在处理前体来提供晶片之前将在子结构内形成通孔。晶片可以通过扩散粘结、粘结材料，或者通过利用例如钎焊合金材料的钎焊接粘结到刀片座。

第三方面可以提供一种用于可转位的刀片的构造，该刀片适于安装到机床上，该构造包括至少两个拐角，每个拐角形成在该构造的各周边的连接部处，拐角通过经由包含粘结材料的粘结层连接到刀片座的相同连续陶瓷晶片连接。在一些示例性布置中，陶瓷晶片可以具有至多大约4mm、至多大约2mm、至多大约1.6mm、至多大约1mm或至多大约0.5mm的平均厚度。

第四方面可以提供一种用于构造的组件，该组件包括陶瓷晶片和用于支撑该陶瓷晶片的刀片座，刀片座和陶瓷晶片均具有相应通孔并且构造成使得陶瓷晶片可以放置成抵靠刀片座，并且各自的通孔基本上同轴。

可以预见用于公开构造的各种示例性布置和组合。在某些示例性布置中，至少一个周向边缘可以形成于构造的主表面和侧表面之间的连接部处，主表面和侧表面之间的内角为至多大约80度或至多大约70度。主表面和侧表面之间的内角可以是至少大约20度或至少大约30度。主表面和侧表面之间的内角可以是可操作以利用形成在正刀面角处的周向边缘上的刃口的锐角。该构造可以包括用于接收保持装置，例如夹紧螺钉的通孔，该通孔穿过基片和陶瓷晶片。刀片座和/或陶瓷晶片的通孔的横截面可以基本上是圆形的。陶瓷晶片的通孔的直径可以大于刀片座的通孔的直径。在一个示例性布置中，刀片座可以包括引导件，该引导件在陶瓷晶片抵靠刀片座定位时用于定位陶瓷晶片。引导件可以包括从刀片座的主表面突出的凸起，该凸起可以邻近刀片座的通孔的周边。引导件可以包括从刀片座突出、至少部分地围绕刀片座通孔的大体上圆形或半圆形的凸起。

另一个方面可以提供可转位的刀片，该刀片用于安装到机床上，该刀片包括如公开的构造并且具有至少两个主刃口，每个切割刃邻近相应的拐角，并且两个主刃口均由通过包含粘结材料的粘结层连接到刀片座的相同连续的陶瓷晶片形成。在示例性布置中，可转位的刀片可以包括三个或四个切割刃，每个刃口均邻近相应拐角并且由通过粘结层连接到硬质合金基片的相同连续陶瓷晶片形成。可转位的刀片在一个实施例中可以用于机床，例如用于机加工包括金属的工件的车床。

另一个方面可以提供用于制造可转位的刀片的方法，该方法包括提供一种硬质合金刀片座，该刀片座在两个相对表面之间具有通孔；提供包括PCBN材料的本体且锯开本体的一部分以提供PCBN晶片；在PCBN晶片内形成通孔；布置PCBN晶片和基片使得相应的通孔是基本上同轴的；在基片的表面和PCBN晶片之间布置一层钎焊合金材料；和将PCBN晶片钎焊接到基片。该方法可以包括使用EDM装置来锯开本体的一部分，并且PCBN晶片可以具有至多大约1.6mm或至少1mm的平均厚度。在特殊示例中，刀片座可以设置有形成到主端部的边缘内的锥体，该锥体锥角从由主端部限定的平面看为大约7度、大约11度或大约15度。

再一个方面，可以提供制造用于可转位的刀片的构造的方法，该方法包括提供刀片座，该刀片座在两个相对的主表面之间具有通孔；提供基本上没有背衬或未由支撑本体，例如硬质合金基片支撑（即，基本上自支撑、自立式晶片）的陶瓷晶片；在晶片内形成通孔；将陶瓷晶片和基片布置成使得相应通孔基本上是同轴的；以及通过粘结材料将陶瓷晶片粘结到基片。

被公开的示例方法可以通过减小材料浪费具有增加的制造效率，并且改善陶瓷材料烧结设备的使用。一些示例性方法可以通过提供通孔来减小成本，并且一些被公开的示例性构造可以具有增加防破裂的方面。虽然不希望通过特殊理论来进行限定，但是因为刀片内的残余应力可以通过被选择部件将晶片连接到刀片座，而不是在高温下通过将晶片整体形成到基底上然后冷却它而减小，因而这可以得以增加。一些示例性布置可以具有其他方面，即晶片在被安装到机床上时可以通过夹具螺钉来防止被撞击。结果，一些示例性刀片可以在处理和使用期间具有防止破裂的增强的稳固性。

附图说明

现在将参考随附附图来描述非限定示例性布置，其中：

图1A和图2A示出用于示例性构造在未组装状态下的组件的示意性透视图；

图1B和2B示出在组装状态下的相应示例性构造的对应透视图；

图3和图4示出示例性前体的示意性透视图，并且指出子结构可以在哪里被切割的指示；

图5和图6示出示例性构造的示意性透视图；

图7示出了通过示例性刀片座的示意性横截面图，示出了形成于其中的销孔的示例性轮廓；和

图8示出了如在切割工件的使用中的示例性可转位刀片的示意性平面图。

具体实施方式

参考图1A、图1B、图2A和图2B，制造构造的示例性方法包括提供一晶片20，该晶片包括PCBN材料，该晶片20不通过硬质合金基片支撑并且具有至多2mm的平均厚度。提供一刀片座30，该刀片座具有一对基本上相对的主端部33、34，该主端部通过四个周向侧面36（四个周向侧面中的仅仅两个侧面在附图的每一个中是可见的）连接，刀片座30的至少一个主端部33构造成具有由相应周向侧面36的连接部限定的四个圆整拐角35。对应通孔22、32分别设置在晶片20和刀片座30中。晶片20构造成具有也是圆整的四个拐角25，该四个拐角对应于刀片座30的主端部33的四个拐角35。晶片20通过一层钎焊材料40被粘合到刀片座30的主端部33上，晶片20的拐角25布置成邻近主端部33的对应拐角35，以提供所述构造。在这些示例中，晶片20的主表面33的面积是刀片座30的主端部33的至少大约90%。晶片20和刀片座30布置成使得在将相应通孔22、32一起粘合来提供各个构造10之前基本上是同轴的，从而提供用于容纳将组装的构造刀片10固定到机床（未示出）的销（未示出）的销孔12。

在图2A和2B中示出的特殊示例性布置中，刀片座30在晶片20抵靠刀片座30定位时包括用于定位晶片20的引导件37。引导件37为从刀片座30突出的环形凸起形式，该引导件邻近刀片座30的通孔32并且环绕该通孔。当PCBN晶片20朝向刀片座的表面33时，引导件37可以被插入到PCBN晶片20的通孔22内。

参考图3，示例性方法包括提供圆柱形前体50，该前体包括PCBN材料并且在一对相对的基本上平面的主表面53、54之间具有第一厚度T1；将前体切割成七个子结构盘55，该子结构盘在一对相对的基本上平面的主子结构表面之间具有第二厚度T2（虚线指示这些子结构盘可以通过基本上平行于主平面表面53、54切割前体50而提供）；第二厚度T2小于第一厚度T1。在特殊示例性实施例中，T1可以为大约14mm，T2可以为大约1.6mm至大约2mm。前体50可以通过例如放电装置（EDM）被切割。然后，盘55可以通过进一步切割它们而被处理，以提供晶片（未示出）。例如，盘55可以被切割成具有四个拐角的长方形或正方形晶片（从主表面上方观察时）。

参考图4，前体50为封闭的多边形壁的形式（在该特殊示例中，三角形壁）并且在一对相对的基本上平面的主表面53、54（为壁的上端部和下端部）之间具有厚度T1。换句话说，前体50具有连接主表面53、54的三角形通孔52。在示例性方法中，前体50相对于通孔52被纵向切割（由虚线表示），以提供至少四个三角形的PCBN晶片20，每个PCBN晶片具有小于T1的厚度T2。

前体以及随后从其形成的子结构和晶片可以包括能够通过放电装置（EDM）装置被切割的PCBN材料等级。切割超硬结构的其他方法可以包括使用激光切割装置、金刚石线切割、磨料辅助水射流切割和水射流辅助激光切割。在特殊示例中，方法可以包括通过EDM装置来切割PCBN前体以形成片材，并且通过激光装置来切割片材来形成晶片，用于连接到因此成形的基片。

前体可以包括如在国际申请号WO2007049140中公开的PCBN材料，并且可以由下述方法制造，该方法包括提供粉末成分，该粉末成分适合于PCBN的制造，该粉末包括至少80体积百分比的cBN颗粒和粉末状粘结剂材料，并且使粉末状成分经受对转圆盘式研磨。该成分可以包括多于一个平均粒径的cBN颗粒。在一个示例中，cBN颗粒的平均粒度可以是至多大约12微米或至多2微米。粘合材料可以包括包含铝、硅树脂、钴、钼、钽、铌、镍、钛、铬、钨、钇、碳和铁的一个或更多个相。粘合材料可以包括具有多于铝、硅树脂、钴、镍、钛、铬、钨、钇、钼、铌、钽、碳和铁之一的均匀的固体溶剂的粉末。然后，研磨的粉末成分可以通过在升高温度和压力下压紧粉末而形成到预烧结本体内，并且预烧结本体可以经受至多大约5GPa的超高压力和至少大约1,200摄氏度的温度，以烧结粉末状合成物并且产生PCBN本体。

参考图5，示例性构造10包括晶片20，该晶片包括通过一层钎焊合金材料40连接到刀片座30的PCBN材料，该晶片20具有至多2mm的平均厚度。刀片座30大体上为正方形的棱面体，相应地，晶片20为正方形。刀片座30具有通过四个周向侧面36连接的一对相对的主端部，主端部之一构造成具有由周向侧面36的各连接部限定的至少四个拐角35。晶片20还构造成具有对应于刀片座30的主端部的四个拐角35的四个拐角25，并且晶片20的拐角25放置成邻近主端部的对应拐角35，以提供构造10。构造10具有用于容纳销（未示出）的销孔12。图6中所示的示例性构造包括两个晶片20，每个晶片粘合到刀片座30的每个主端部。

参考图7，用于可转位的刀片的示例性刀片座30可以在由侧表面36连接的相对的主端表面33、34之间具有中心通孔32。通孔32的开口在一个端部33上的直径大于另一个端部34上的直径，较大的直径为d1，较小的直径为d。在该特殊示例中，通孔32在至少邻近具有较大直径d2的开口处包括大体上锥形壁39，并且在较大开口的嘴部处具有倾斜或带斜面的边缘。通孔32的形状被构造成容纳销（未示出），销用于将刀片紧固到机床，从而销的头部装配到由大体上锥形的内壁39限定的较宽部分内。

示例性刀片座可以包括这样的材料，该材料具有至少大约1,200HV的维式硬度和小于大约6.5X10^-6/C°的热膨胀系数，并且可以包括硬质合金或合金陶瓷。

参考图8，示例性可转位的刀片10包括主斜表面23，由PCBN晶片形成的主刃口24和辅刃口27，以及主和辅刃口24、27的连接部处的圆整形拐角25。在使用中，如附图示意性示出的，刀片10可以引起相对于工件60沿着由因子72指示的方向（即，离开纸面）以及沿着供给方向70运动，以便在刀片10的路径中立即移除工件60的一部分63。

示例性布置参考下面的示例更加详细的描述。

提供包括钴烧结碳化钨的刀片座，基片为具有由周向表面连接的两个相对主端部的正方形盘的一般形式。通孔设置成通过基片，在相应主端部的中心之间延伸。主端部的侧面的长度为大约12mm，刀片座的厚度为大约5mm并且通孔的直径为大约6mm。侧面的长度稍微大于它们在完成成品中的长度，以允许在安装到工具保持架上之前磨削至最终尺寸。

具有对应于刀片座的主表面的尺寸的大体上正方形的主表面的PCBN晶片通过放电加工（EDM）从PCBN前体上切割下来。包括大约50%体积百分比cBN颗粒的PCBN前体（具有大约1.5微米的平均粒度）通过包含碳化钛的粘结材料粘结在一起。如本领域技术人员公知的，PCBN前体在至少大约5GPa的压力和至少大约1,200摄氏度的温度下通过烧结cBN颗粒和用于粘结材料的前体成分的混合物而产生。

通过经由激光切割的PCBN晶片形成通孔。通孔定位在晶片的中心以对应于刀片座的通孔，晶片通孔的直径为6mm，稍微大于刀片座通孔的直径。

包含钛、铜和银的合金的钎焊合金材料层被放置在刀片座的主端部之一上，覆盖整个端部（远离通孔），并且晶片被放置在钎焊合金材料上，定位成使得晶片通孔和刀片座通孔基本上同轴并且晶片的侧面与刀片座的侧面对准。该组件被加热成通过管式炉以每分钟2度的进程使钎焊合金材料熔化至大约450摄氏度的温度，随后以每分钟4度的进程被加热到大约950摄氏度的温度。然后，刀片座被留在炉内冷却，籍此使PCBN晶片固定地连接到刀片座，以形成用于刀片的构造。

该构造被处理至最终尺寸和最终规格来生产最终的PCBN刀片。

下面简要介绍在此使用的某些术语和概念。

如在此使用的，“可转位的刀片”是这样的刀片，其包括多于一个的刃口并且被构成为能够沿适合于使用相应刃口的每一个来切割工件的多于一个的不连续取向安装到工具本体上。一旦刃口被过度损坏，刃口可以以不同取向（即，“被转位”）被安装到工具本体上，从而可以使用另一刃口来进行进一步切割。

尽管陶瓷材料可以包括尤其为合成物形式的金属元件，但是陶瓷材料是无机固体材料，其在性质上为非金属的。陶瓷材料的非排他性示例是聚晶立方氮化硼（PCBN）、铝、碳化硅、氮化硅、碳化钛、碳化钽。如在此使用的，PCBN（聚晶立方氮化硼）材料指的是包含立方氮化硼（cBN）的超硬材料类型，该立方氮化硼分散在包含金属或陶瓷的基体内。先进的陶瓷材料是具有比烧结碳化钨更硬的硬度。PCBN和聚晶金刚石（PCD）材料是超硬材料的示例，该超硬材料是具有至少大约28GPa的维式硬度的陶瓷材料。聚晶金刚石（PCD）材料包括大量金刚石颗粒，该金刚石颗粒的主要部分彼此直接内粘合并且金刚石的含量为材料的至少大约80体积百分比。在PCD材料的一个实施例中，在金刚石颗粒之间的间隙可以至少部分地填充有包含用于金刚石催化剂的粘结材料。如在此使用的，“间隙”或“间隙区域”是在PCD材料的金刚石颗粒之间的区域。在PCD材料的实施例中，间隙或间隙区域可以大部分或部分地填充有不同于金刚石的材料，或者它们可以是大部分空的。PCD材料的实施例可以包括至少催化剂材料已经从间隙中移除的区域，从而在金刚石颗粒之间的间隙空隙，这可能增加PCD材料的热稳定性。热稳定的PCD包括在暴露到大约400摄氏度以上的温度之后，表现没有硬度或耐磨的主要结构退化或恶化的体积的至少一部分。

机床是产生动力的机械装置，该机械装置可以用于通过机加工制造包括例如金属、合成材料、木头或聚合体的材料的部件，该机械装置是选择性地从称为工件的本体上移除材料。刀片的前刀面是在工具用于从本体上移除材料时碎屑在其上流动的表面或多个表面，前刀面引导新形成的碎屑的流动。碎屑是在使用中通过机床从本体的工作表面上移除的本体片。刀片的斜面是机床在通过机床在本体上产生的机加工表面上经过的表面或多个表面。斜面可以提供形成于本体的间隙并且可以包括多于一个的齿根面。刃口是齿根的适合于进行本体切割的边，并且可以是由前刀面和间隙面的交叉限定的边。切割件或用于切割件的构造的周向边是切割件或用于切割件的构造的表面的外边，该外边可以是刃口或可以形成到刃口内。切割工具的鼻部或拐角是工具的刃口的尖端，是工具的包括至少辅刃口的区域和主刃口的某些部分。拐角可以是直的、圆整的或主刃口和辅刃口的实际交叉。

Claims (23)

1.一种用于制造用于可转位的刀片的构造的方法，该方法包括提供包含陶瓷材料的晶片，所述晶片基本上不由硬质合金基片支撑并且具有至多2mm的平均厚度；提供一刀片座，所述刀片座具有由周向侧面连接的主近端和主远端，所述刀片座的所述近端被构造成具有由所述周向侧面的连接部限定的至少两个拐角；所述晶片被构造成具有对应于所述刀片座的所述近端的所述至少两个拐角的至少两个拐角，所述方法包括通过粘结材料将所述晶片粘结到所述近端，所述晶片的所述至少两个拐角布置成邻近所述近端的对应拐角，以便提供所述构造。

2.如权利要求1所述的方法，其中，所述主近端包括用于容纳所述晶片的凹窝。

3.如权利要求1或2所述的方法，其中，所述刀片座的所述近端具有由所述周向侧面的连接部限定的至少三个拐角，并且所述晶片被构造成具有对应于所述刀片座的所述近端的所述至少三个拐角的至少三个拐角。

4.如前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述晶片的主表面的面积是所述刀片座的所述近端的面积的至少50%。

5.如前述权利要求中任一项所述的方法，包括在将所述晶片粘结到所述刀片座之前在所述晶片内形成通孔。

6.如权利要求5所述的方法，包括提供一刀片座，该刀片座在所述近端和所述主远端之间具有通孔；将所述晶片和所述刀片座布置成使得各自的通孔基本上同轴，并且通过粘结材料将所述晶片粘结到所述刀片座。

7.如前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述陶瓷材料是PCBN材料。

8.如前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述陶瓷材料是热稳定的PCD材料。

9.如前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述晶片具有至多1.6mm的平均厚度。

10.如前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述刀片座的至少一个周向侧面相对于所述近端以至少20度和至多80度的内角倾斜，周向边形成在所述近端和周向侧面之间的连接部处。

11.如前述权利要求中任一项所述的方法，包括提供一前体，该前体包括陶瓷材料并且在一对相对的主端部表面之间具有第一厚度；将所述前体切割成多个子结构，以提供在一对相对的子结构主表面之间具有第二厚度的至少一个子结构；所述第二厚度小于所述第一厚度；和处理所述子结构以提供所述晶片。

12.如权利要求11所述的方法，其中，所述前体的所述一对相对的主端部表面基本上是平面的。

13.如权利要求11或12所述的方法，其中，所述子结构的所述一对相对的子结构主表面基本上是平面的。

14.如前述权利要求11－13中任一项所述的方法，包括切割所述前体，从而所述子结构主表面以至多45度的角度倾斜至所述前体的所述主端部表面的至少之一。

15.如前述权利要求11－14中任一项所述的方法，其中，所述前体是大体上圆柱形的，具有至少2cm的直径。

16.如前述权利要求11－15中任一项所述的方法，其中，所述前体具有至少0.5cm的平均厚度。

17.如前述权利要求11－16中任一项所述的方法，其中，所述前体包括能够通过放电装置切割的PCBN材料。

18.如前述权利要求11－17中任一项所述的方法，其中，所述前体具有至少10cm³的体积。

19.如前述权利要求11－18中任一项所述的方法，包括大体上平行于所述主端部表面的至少之一切割所述前体，以提供至少两个盘。

20.如前述权利要求11－19中任一项所述的方法，其中，所述子结构具有至多2mm的平均厚度。

21.如前述权利要求中任一项所述的方法，包括提供硬质合金刀片座，该硬质合金刀片座在两个相对的表面之间具有通孔；提供包括PCBN材料的本体，并且锯开所述本体的一部分以提供PCBN晶片；在所述PCBN晶片内形成通孔；布置所述PCBN晶片和基片，使得各自的通孔基本上同轴；在所述基片的表面和所述PCBN晶片之间布置一层钎焊合金材料；以及将所述PCBN晶片钎焊接到所述基片。

22.如权利要求21所述的方法，包括使用EDM装置来锯开所述本体的一部分。

23.如权利要求21或22所述的方法，其中，所述PCBN晶片具有小于1mm的平均厚度。

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