CN102983311A - 碳纳米管-硅复合负极材料的制备方法 - Google Patents

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李奇峰
王辉
杨克涛
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Abstract

本发明涉及一种碳纳米管-硅复合负极材料的制备方法。该方法包括以下步骤:步骤一,将碳纳米管分散形成碳纳米管悬浮液,将500目铜网浸入碳纳米管悬浮液中再取出,干燥后制得由铜网支撑的碳纳米管薄膜,使其与铜网分离,制得所需的碳纳米管薄膜;步骤二,将碳纳米管薄膜置于管式炉中,充入氩气,在600℃下处理50min,通入硅烷和氩气的混合气体,通过测微天平精确测量碳纳米管薄膜沉积前后的质量,通过控制化学气相沉积的时间、硅烷的分压和流速来控制Si的沉积量。本发明的方法制备碳纳米管-硅复合负极材料,其工艺方法简单、制造成本低,适应于大规模的生产;制备的碳纳米管-硅复合负极材料容量高、安全性好。

Description

碳纳米管-硅复合负极材料的制备方法
技术领域
本发明涉及锂离子电池负极材料的制备,具体是一种碳纳米管-硅复合负极材料的制备方法。
背景技术
现有锂离子电池的各种负极材中,常规石墨材料容量较小,在高容量,大功率场合存在安全隐患;硅复合材料能够改善石墨材料的缺陷,但现有复合方法工艺较杂,成本高,不适用大规模工业生产。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是,提供一种工艺简单、成本低、适合大规模生产的碳纳米管-硅复合负极材料的制备方法。
本发明的碳纳米管-硅复合负极材料的制备方法包括以下步骤:
步骤一,碳纳米管薄膜的制备:将碳纳米管分散在去离子水中,加入表面活性剂SDBS,超声分散形成碳纳米管悬浮液,然后将500目铜网,浸入碳纳米管悬浮液中再取出,60℃下干燥后制得由铜网支撑的碳纳米管薄膜,然后用去离子水洗去表面活性剂,使其与铜网分离,将浮在水面的碳纳米管薄膜取出干燥,即制得所需的碳纳米管薄膜;碳纳米管悬浮液中,碳纳米管的浓度为1.6mg/mL,SDBS的浓度为10mg/mL;
步骤二,将步骤一制备的碳纳米管薄膜置于管式炉中,通过化学气相沉积的方法制备碳纳米管-硅复合负极材料:将管式炉抽真空,再充入氩气,然后将碳纳米管薄膜在600℃下处理50min,再通入硅烷和氩气的混合气体,硅烷的含量为2%体积比,流速为50mL/min;通过测微天平精确测量碳纳米管薄膜沉积前后的质量,通过控制化学气相沉积的时间、硅烷的分压和流速来控制Si的沉积量。
本发明的方法制备碳纳米管-硅复合负极材料,其工艺方法简单、制造成本低,适应于大规模的生产;制备的碳纳米管-硅复合负极材料容量高、安全性好。
具体实施方式
本发明方法实施例经过以下步骤:
一、碳纳米管薄膜的制备
将碳纳米管分散在去离子水中,加入表面活性剂SDBS,超声分散30min,形成碳纳米管悬浮液,然后将500目铜网,浸入碳纳米管悬浮液中,5min后将其取出,60℃下干燥后就制得了由铜网支撑的碳纳米管薄膜,然后用去离子水洗去表面活性剂,使其与铜网分离,将浮在水面的碳纳米管薄膜取出干燥,即制得所需的碳纳米管薄膜;碳纳米管的浓度为1.6mg/mL,SDBS的浓度为10mg/mL。超声分散的功率为200W。
二、碳纳米管-Si复合材料的制备
将步骤一制备的碳纳米管薄膜置于管式炉中,通过化学气相沉积的方法制备碳纳米管-Si复合负极材料。首先将管式炉抽真空,再冲入氩气,然后将碳纳米管薄膜在600℃下处理50min,再通入硅烷和氩气的混合气体,硅烷的含量为2%(体积比),流速为50mL/min(标况下),整个化学气相沉积时间为30min。通过测微天平精确测量碳纳米管薄膜沉积前后的质量,测微天平的精确度为0.1μg。可以通过控制化学气相沉积的时间、硅烷的分压和流速来控制Si的沉积量。

Claims (1)

1.一种碳纳米管-硅复合负极材料的制备方法,其特征是:它包括以下步骤,
步骤一,碳纳米管薄膜的制备:将碳纳米管分散在去离子水中,加入表面活性剂SDBS,超声分散形成碳纳米管悬浮液,然后将500目铜网,浸入碳纳米管悬浮液中再取出,60℃下干燥后制得由铜网支撑的碳纳米管薄膜,然后用去离子水洗去表面活性剂,使其与铜网分离,将浮在水面的碳纳米管薄膜取出干燥,即制得所需的碳纳米管薄膜;碳纳米管悬浮液中,碳纳米管的浓度为1.6mg/mL,SDBS的浓度为10mg/mL;
步骤二,将步骤一制备的碳纳米管薄膜置于管式炉中,通过化学气相沉积的方法制备碳纳米管-硅复合负极材料:将管式炉抽真空,再充入氩气,然后将碳纳米管薄膜在600℃下处理50min,再通入硅烷和氩气的混合气体,硅烷的含量为2%体积比,流速为50 mL/min;通过测微天平精确测量碳纳米管薄膜沉积前后的质量,通过控制化学气相沉积的时间、硅烷的分压和流速来控制Si的沉积量。
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WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

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