CN102942378B - 一种Y2Si2O7 晶须增韧Y4Si3O12 复合涂层的制备方法 - Google Patents

一种Y2Si2O7 晶须增韧Y4Si3O12 复合涂层的制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN102942378B
CN102942378B CN 201210458300 CN201210458300A CN102942378B CN 102942378 B CN102942378 B CN 102942378B CN 201210458300 CN201210458300 CN 201210458300 CN 201210458300 A CN201210458300 A CN 201210458300A CN 102942378 B CN102942378 B CN 102942378B
Authority
CN
China
Prior art keywords
whisker
powder
deposition
sic
preparation
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN 201210458300
Other languages
English (en)
Other versions
CN102942378A (zh
Inventor
黄剑锋
杨柳青
曹丽云
王雅琴
费杰
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shenzhen Pengbo Information Technology Co ltd
Wu Wenjie
Original Assignee
Shaanxi University of Science and Technology
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shaanxi University of Science and Technology filed Critical Shaanxi University of Science and Technology
Priority to CN 201210458300 priority Critical patent/CN102942378B/zh
Publication of CN102942378A publication Critical patent/CN102942378A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102942378B publication Critical patent/CN102942378B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

一种Y2Si2O7晶须增韧Y4Si3O12复合涂层的制备方法,首先,采用包埋法在C/C复合材料基体表面制备SiC多孔内涂层,然后制备Y2Si2O7晶须并采用复合表面活性剂对Y2Si2O7晶须进行表面改性得到混合液;采用表面制备有SiC多孔内涂层的C/C复合材料和混合液超声电泳选择性组装沉积获得Y2Si2O7晶须钉扎层,最后采用水热电泳沉积法制备Y2Si2O7晶须增韧Y4Si3O12复合涂层。本发明通过在Y4Si3O12外涂层和SiC内涂层间中引入Y2Si2O7晶须,具有更优异的热膨胀系数匹配度,能增强内外涂层、基体与内涂层间的结合力,有效避免了高温下低涂层开裂与剥落,具有更加优异的高温抗氧化性能。

Description

一种Y2Si2O7 晶须增韧Y4Si3O12 复合涂层的制备方法
技术领域
本发明属于碳/碳复合材料领域,涉及一种高温抗氧化涂层的制备,具体涉及一种Y2Si2O7晶须增韧Y4Si3O12复合涂层及其制备方法。 
背景技术
碳/碳(C/C)复合材料具有热膨胀系数低、密度低、耐高温、耐烧蚀、高强度、高模量等优异性能,特别是在惰性气氛的2200℃以内条件下其强度和模量随温度升高而增加的优异性能,使其在航空航天领域具有广阔的应用前景。然而,C/C复合材料在超过450℃的有氧环境就会被氧化,氧化质量损失导致其强度下降,限制了其实际应用。因此,解决C/C复合材料高温防氧化问题是充分利用其性能的关键。 
提高C/C复合材料抗氧化性能主要有两种途径:一种是基体改性技术;一种是表面涂层技术。研究表明,基体改性技术只适用于低温段对C/C材料的氧化保护。而涂层技术则能够解决C/C材料的高温防氧化问题。 
长期以来,无论采用何种涂层,涂层与C/C基体之间或与SiC内涂层之间的热膨胀系数差异均会导致涂层中出现或多或少的裂纹,从而使涂层在抗氧化过程中快速失效[JF Huang,XR Zeng,HJ Li,et al.Influence of thepreparation temperature on the phase,microstructure and anti-oxidation propertyof a SiC coating for C/C composites[J].Carbon,2004,42:1517-1521.]。 
已有文献[Huang JF,Li HJ,Zeng XR,et al.A new SiC/yttrium silicate/glassmulti-layer oxidation protective coating for carbon/carbon composites[J].Carbon,2004,42(11):2356-2359.]报道,单一和复相硅酸钇涂层均能在一定温度条件下 对C/C进行有效保护,但是由于SiC层与外涂层间热膨胀系数的差异,不可避免地在涂层制备及抗氧化过程中会产生微裂纹和孔洞,这些缺陷会导致在低温段氧气的渗透,从而在一定程度上使基体被氧化。 
发明内容
本发明的目的是提供一种均匀、致密、无显微裂纹、抗氧化性能优异的Y2Si2O7晶须增韧Y4Si3O12复合涂层的制备方法。 
为达到上述目的,本发明采用的技术方案是: 
步骤1:采用包埋法在C/C复合材料基体表面制备SiC多孔内涂层 
1)首先,取市售分析纯的Si粉、C粉和WO3粉,按Si粉:C粉:WO3粉=(3~4):(4~5):(1.0~1.5)的质量比配制包埋粉料,然后将预处理后的碳/碳复合材料放入石墨坩埚,并将其埋入包埋粉料中; 
2)其次,将石墨坩埚放入立式真空炉中,通入氩气作为保护气体,控制立式真空炉的升温速度为20~30℃/min,将炉温从室温升至1600~1700℃后,保温1~2h后随炉自然冷却,用无水乙醇将完成包埋的碳/碳复合材料超声清洗1~1.5h,超声功率为300~400W; 
3)最后,在60~70℃的电热鼓风干燥箱中干燥得到带有SiC多孔内涂层的碳/碳复合材料; 
步骤2:采用复合表面活性剂对Y2Si2O7晶须进行表面改性: 
1)将十二烷基硫酸钠配制成浓度为0.4~0.6mol/L的溶液,将Y2Si2O7晶须(见专利“一种Y2Si2O7晶须的制备方法”(专利申请号:201210139468.X))浸泡在溶液中,超声辐射50~70min,超声功率为300~500W,然后过滤并分离出Y2Si2O7晶须; 
2)将分离所得的Y2Si2O7晶须与异丙醇按Y2Si2O7晶须:异丙醇=(8~12g):(150~300ml)的比例配制成悬浮液,然后向悬浮液中按(0.2~0.4)g/mL加入碘,搅拌得到混合液; 
步骤3:采用超声电泳选择性组装沉积获得Y2Si2O7晶须钉扎层: 
1)将步骤2制得的混合液置于超声电沉积装置中,以步骤1制备的带有多孔SiC内涂层的C/C复合材料为阴极,以石墨为阳极,进行电沉积,超声功率控制为300~400W,沉积电压为40~50V,沉积电流为0.1~0.2A,沉积时间为7~13min; 
2)沉积结束后,将阴极的复合材料取下,用蒸馏水洗涤3~5次,在80~120℃干燥,即在带有多孔SiC内涂层的碳/碳复合材料上得到Y2Si2O7晶须嵌入SiC孔隙的Y2Si2O7晶须钉扎层; 
步骤4:采用水热电泳沉积法制备Y2Si2O7晶须增韧Y4Si3O12复合涂层: 
1)取10~30g Y4Si3O12粉体悬浮于100~300ml的异丙醇中,磁力搅拌10~30h,随后加入0.06~0.12g的碘,磁力搅拌10~30h,制备成悬浮液; 
2)以步骤3制得的带有Y2Si2O7晶须嵌入SiC孔隙的Y2Si2O7晶须钉扎层的C/C复合材料作为沉积基体,固定沉积基体于阴极,阳极选用石墨板,将悬浮液倒入水热电泳沉积反应釜中,控制填充比为50~60%,加热到120~160℃后保温,调整沉积电压为180~200V进行水热电泳沉积,沉积30~40min后停止通电,待试样冷却后取出,置于80~100℃的烘箱中干燥,得到带有Y2Si2O7晶须增韧Y4Si3O12复合涂层的C/C复合材料试样。 
所述的Si粉、C粉和WO3粉的粒度为30~40μm。 
所述的C/C复合材料预处理包换以下步骤: 
1)取飞机刹车片用的2D-碳/碳复合材料,将其加工成25×25×25~30×30×30mm3的立方体,并对其进行打磨倒角的表面处理,倒角为40~50°; 
2)然后分别用去离子水和无水乙醇各超声清洗3~5次,每次清洗超声时间为30~50min,超声功率为120~160W,最后在60~70℃的电热鼓风干燥箱中干燥。 
所述的Y4Si3O12粉体的粒度为30~40μm。 
本发明借鉴晶须增韧陶瓷的思想[G Duan,HM Wang.High-temperaturewear resistance of a laser-clad γ/Cr3Si metal silicide composite coating[J].ScriptaMaterialia,2002,46:107-111.],通过在Y2SiO5涂层中引入Y2Si2O7晶须,使涂层基体相与晶须间界面有一定的结合强度,在一定程度上降低涂层开裂与剥落的趋势[曾燮榕,李贺军,杨峥,等.表面硅化对C/C复合材料组织结构的影响[J].金属热处理学报,2000,21(2):64-67.]。王雅琴[Wang Ya-qin,HuangJian-feng,Cao Li-Yun et al.Y2Si2O7 whisker reinforced MoSi2 multi-compositioncoating for SiC pre-coated carbon/carbon composites.Adv.Compos.Mater,2011,20,125-132.]制备了一种Y2Si2O7晶须增强MoSi2复合涂层,该复合涂层试样在1773K下氧化100小时,失重仅为0.73%,失重速率为1.48×10-5g/cm-2·h。由于MoSi2的热膨胀系数为(8.3×10-6K-1),相较而言,Y4Si3O12的热膨胀系数(4.3×10-6K-1)与SiC(4.5×10-6K1)更为接近,因而与上述Y2Si2O7晶须增强MoSi2复合涂层相比,本发明提出的Y2Si2O7晶须增韧Y4Si3O12复合涂层通过在Y4Si3O12外涂层和SiC内涂层间中引入Y2Si2O7晶须,具有更优异的热膨胀系数匹配度,能增强内外涂层、基体与内涂层间的结合力,有效避免了高温下低涂层开裂与剥落,具有更加优异的高温抗氧化性能。 
有益效果 
①本发明制得的Y2Si2O7晶须增韧Y4Si3O12复合涂层均匀,致密,无显微裂纹,基体与内涂层以及内外涂层之间的结合力明显提高。 
②本发明制得的Y2Si2O7晶须增韧Y4Si3O12复合涂层在1500℃的静态空气中可对C/C复合材料进行400h的有效防氧化保护,氧化失重率小于0.58%。 
附图说明
图1是实施例1制备的Y2Si2O7晶须增韧Y4Si3O12复合涂层断面的SEM照片。 
具体实施方式
以下结合实施例及附图对本发明进行具体说明。 
实施例1: 
步骤1:C/C复合材料预处理: 
1)取飞机刹车片用的2D-碳/碳复合材料,将其加工成25×25×25mm3的立方体,并对其进行打磨倒角的表面处理,倒角为40°; 
2)然后分别用去离子水和无水乙醇各超声清洗3~5次,每次清洗超声时间为30min,超声功率为120W,最后在60℃的电热鼓风干燥箱中干燥。 
步骤2:采用包埋法在C/C复合材料基体表面制备SiC多孔内涂层 
1)首先,取市售分析纯的粒度为30~40μm的Si粉、C粉和WO3粉,按Si粉:C粉:WO3粉=4:4:1.0的质量比配制包埋粉料,然后将预处理后的碳/碳复合材料放入石墨坩埚,并将其埋入包埋粉料中; 
2)其次,将石墨坩埚放入立式真空炉中,通入氩气作为保护气体,控制立式真空炉的升温速度为20℃/min,将炉温从室温升至1600℃后,保温2h 后随炉自然冷却,用无水乙醇将完成包埋的碳/碳复合材料超声清洗1h,超声功率为300W; 
3)最后,在60℃的电热鼓风干燥箱中干燥得到带有SiC多孔内涂层的碳/碳复合材料; 
步骤3:采用复合表面活性剂对Y2Si2O7晶须进行表面改性: 
1)将十二烷基硫酸钠配制成浓度为0.4mol/L的溶液,将Y2Si2O7晶须(见专利“一种Y2Si2O7晶须的制备方法”(专利申请号:201210139468.X))浸泡在溶液中,超声辐射50min,超声功率为500W,然后过滤并分离出Y2Si2O7晶须; 
2)将分离所得的Y2Si2O7晶须与异丙醇按Y2Si2O7晶须:异丙醇=8g:200ml的比例配制成悬浮液,然后向悬浮液中按0.2g/mL加入碘,搅拌得到混合液; 
步骤4:采用超声电泳选择性组装沉积获得Y2Si2O7晶须钉扎层: 
1)将步骤3制得的混合液置于超声电沉积装置中,以步骤2制备的带有多孔SiC内涂层的C/C复合材料为阴极,以石墨为阳极,进行电沉积,超声功率控制为300W,沉积电压为40V,沉积电流为0.1A,沉积时间为13min; 
2)沉积结束后,将阴极的复合材料取下,用蒸馏水洗涤3次,在80℃干燥,即在带有多孔SiC内涂层的碳/碳复合材料上得到Y2Si2O7晶须嵌入SiC孔隙的Y2Si2O7晶须钉扎层; 
步骤5:采用水热电泳沉积法制备Y2Si2O7晶须增韧Y4Si3O12复合涂层: 
1)取10g粒度为30~40μm的Y4Si3O12粉体悬浮于200ml的异丙醇中,磁力搅拌10h,随后加入0.06g的碘,磁力搅拌10h,制备成悬浮液; 
2)以步骤4制得的带有Y2Si2O7晶须嵌入SiC孔隙的Y2Si2O7晶须钉扎层的C/C复合材料作为沉积基体,固定沉积基体于阴极,阳极选用石墨板,将悬浮液倒入水热电泳沉积反应釜中,控制填充比为50%,加热到120℃后保温,调整沉积电压为190V进行水热电泳沉积,沉积35min后停止通电,待试样冷却后取出,置于80℃的烘箱中干燥,得到带有Y2Si2O7晶须增韧Y4Si3O12复合涂层的C/C复合材料试样。 
由图1可以看出Y2Si2O7晶须在多孔SiC内涂层与Y4Si3O12外涂层间定向穿插,复合涂层均匀致密,没有裂纹。 
实施例2: 
步骤1:C/C复合材料预处理: 
1)取飞机刹车片用的2D-碳/碳复合材料,将其加工成30×30×30mm3的立方体,并对其进行打磨倒角的表面处理,倒角为50°; 
2)然后分别用去离子水和无水乙醇各超声清洗3~5次,每次清洗超声时间为40min,超声功率为140W,最后在65℃的电热鼓风干燥箱中干燥。 
步骤2:采用包埋法在C/C复合材料基体表面制备SiC多孔内涂层 
1)首先,取市售分析纯的粒度为30~40μm的Si粉、C粉和WO3粉,按Si粉:C粉:WO3粉=3.5:5:1.5的质量比配制包埋粉料,然后将预处理后的碳/碳复合材料放入石墨坩埚,并将其埋入包埋粉料中; 
2)其次,将石墨坩埚放入立式真空炉中,通入氩气作为保护气体,控制立式真空炉的升温速度为25℃/min,将炉温从室温升至1650℃后,保温1.5h后随炉自然冷却,用无水乙醇将完成包埋的碳/碳复合材料超声清洗1h,超声功率为360W; 
3)最后,在65℃的电热鼓风干燥箱中干燥得到带有SiC多孔内涂层的碳/碳复合材料; 
步骤3:采用复合表面活性剂对Y2Si2O7晶须进行表面改性: 
1)将十二烷基硫酸钠配制成浓度为0.5mol/L的溶液,将Y2Si2O7晶须(见专利“一种Y2Si2O7晶须的制备方法”(专利申请号:201210139468.X))浸泡在溶液中,超声辐射60min,超声功率为400W,然后过滤并分离出Y2Si2O7晶须; 
2)将分离所得的Y2Si2O7晶须与异丙醇按Y2Si2O7晶须:异丙醇=10g:150ml的比例配制成悬浮液,然后向悬浮液中按0.2g/mL加入碘,搅拌得到混合液; 
步骤4:采用超声电泳选择性组装沉积获得Y2Si2O7晶须钉扎层: 
1)将步骤3制得的混合液置于超声电沉积装置中,以步骤2制备的带有多孔SiC内涂层的C/C复合材料为阴极,以石墨为阳极,进行电沉积,超声功率控制为360W,沉积电压为45V,沉积电流为0.15A,沉积时间为10min; 
2)沉积结束后,将阴极的复合材料取下,用蒸馏水洗涤4次,在100℃干燥,即在带有多孔SiC内涂层的碳/碳复合材料上得到Y2Si2O7晶须嵌入SiC孔隙的Y2Si2O7晶须钉扎层; 
步骤5:采用水热电泳沉积法制备Y2Si2O7晶须增韧Y4Si3O12复合涂层: 
1)取20g粒度为30~40μm的Y4Si3O12粉体悬浮于100ml的异丙醇中,磁力搅拌20h,随后加入0.09g的碘,磁力搅拌20h,制备成悬浮液; 
2)以步骤4制得的带有Y2Si2O7晶须嵌入SiC孔隙的Y2Si2O7晶须钉扎层的C/C复合材料作为沉积基体,固定沉积基体于阴极,阳极选用石墨板,将 悬浮液倒入水热电泳沉积反应釜中,控制填充比为55%,加热到140℃后保温,调整沉积电压为200V进行水热电泳沉积,沉积30min后停止通电,待试样冷却后取出,置于90℃的烘箱中干燥,得到带有Y2Si2O7晶须增韧Y4Si3O12复合涂层的C/C复合材料试样。 
实施例3: 
步骤1:C/C复合材料预处理: 
1)取飞机刹车片用的2D-碳/碳复合材料,将其加工成28×28×28mm3的立方体,并对其进行打磨倒角的表面处理,倒角为45°; 
2)然后分别用去离子水和无水乙醇各超声清洗3~5次,每次清洗超声时间为50min,超声功率为160W,最后在70℃的电热鼓风干燥箱中干燥。 
步骤2:采用包埋法在C/C复合材料基体表面制备SiC多孔内涂层 
1)首先,取市售分析纯的粒度为30~40μm的Si粉、C粉和WO3粉,按Si粉:C粉:WO3粉=3:4.5:1.3的质量比配制包埋粉料,然后将预处理后的碳/碳复合材料放入石墨坩埚,并将其埋入包埋粉料中; 
2)其次,将石墨坩埚放入立式真空炉中,通入氩气作为保护气体,控制立式真空炉的升温速度为30℃/min,将炉温从室温升至1700℃后,保温1h后随炉自然冷却,用无水乙醇将完成包埋的碳/碳复合材料超声清洗1.5h,超声功率为400W; 
3)最后,在70℃的电热鼓风干燥箱中干燥得到带有SiC多孔内涂层的碳/碳复合材料; 
步骤3:采用复合表面活性剂对Y2Si2O7晶须进行表面改性: 
1)将十二烷基硫酸钠配制成浓度为0.6mol/L的溶液,将Y2Si2O7晶须(见 专利“一种Y2Si2O7晶须的制备方法”(专利申请号:201210139468.X))浸泡在溶液中,超声辐射70min,超声功率为300W,然后过滤并分离出Y2Si2O7晶须; 
2)将分离所得的Y2Si2O7晶须与异丙醇按Y2Si2O7晶须:异丙醇=12g:300ml的比例配制成悬浮液,然后向悬浮液中按0.4g/mL加入碘,搅拌得到混合液; 
步骤4:采用超声电泳选择性组装沉积获得Y2Si2O7晶须钉扎层: 
1)将步骤3制得的混合液置于超声电沉积装置中,以步骤2制备的带有多孔SiC内涂层的C/C复合材料为阴极,以石墨为阳极,进行电沉积,超声功率控制为400W,沉积电压为50V,沉积电流为0.2A,沉积时间为7min; 
2)沉积结束后,将阴极的复合材料取下,用蒸馏水洗涤5次,在120℃干燥,即在带有多孔SiC内涂层的碳/碳复合材料上得到Y2Si2O7晶须嵌入SiC孔隙的Y2Si2O7晶须钉扎层; 
步骤5:采用水热电泳沉积法制备Y2Si2O7晶须增韧Y4Si3O12复合涂层: 
1)取30g粒度为30~40μm的Y4Si3O12粉体悬浮于300ml的异丙醇中,磁力搅拌30h,随后加入0.12g的碘,磁力搅拌30h,制备成悬浮液; 
2)以步骤4制得的带有Y2Si2O7晶须嵌入SiC孔隙的Y2Si2O7晶须钉扎层的C/C复合材料作为沉积基体,固定沉积基体于阴极,阳极选用石墨板,将悬浮液倒入水热电泳沉积反应釜中,控制填充比为60%,加热到160℃后保温,调整沉积电压为180V进行水热电泳沉积,沉积40min后停止通电,待试样冷却后取出,置于100℃的烘箱中干燥,得到带有Y2Si2O7晶须增韧Y4Si3O12复合涂层的C/C复合材料试样。 

Claims (4)

1.一种Y2Si2O7晶须增韧Y4Si3O12复合涂层的制备方法,其特征在于:
步骤1:采用包埋法在C/C复合材料基体表面制备SiC多孔内涂层
1)首先,取市售分析纯的Si粉、C粉和WO3粉,按Si粉:C粉:WO3粉=(3~4):(4~5):(1.0~1.5)的质量比配制包埋粉料,然后将预处理后的C/C复合材料放入石墨坩埚,并将其埋入包埋粉料中;
2)其次,将石墨坩埚放入立式真空炉中,通入氩气作为保护气体,控制立式真空炉的升温速度为20~30℃/min,将炉温从室温升至1600~1700℃后,保温1~2h后随炉自然冷却,用无水乙醇将完成包埋的C/C复合材料超声清洗1~1.5h,超声功率为300~400W;
3)最后,在60~70℃的电热鼓风干燥箱中干燥得到带有SiC多孔内涂层的C/C复合材料;
步骤2:采用复合表面活性剂对Y2Si2O7晶须进行表面改性:
1)将十二烷基硫酸钠配制成浓度为0.4~0.6mol/L的溶液,将Y2Si2O7晶须浸泡在溶液中,超声辐射50~70min,超声功率为300~500W,然后过滤并分离出Y2Si2O7晶须;
2)将分离所得的Y2Si2O7晶须与异丙醇按Y2Si2O7晶须:异丙醇=(8~12g):(150~300mL)的比例配制成悬浮液,然后向悬浮液中按(0.2~0.4)g/mL加入碘,搅拌得到混合液;
步骤3:采用超声电泳选择性组装沉积获得Y2Si2O7晶须钉扎层:
1)将步骤2制得的混合液置于超声电沉积装置中,以步骤1制备的带有多孔SiC内涂层的C/C复合材料为阴极,以石墨为阳极,进行电沉积,超声功率控制为300~400W,沉积电压为40~50V,沉积电流为0.1~0.2A,沉积时间为7~13min;
2)沉积结束后,将阴极的复合材料取下,用蒸馏水洗涤3~5次,在80~120℃干燥,即在带有多孔SiC内涂层的C/C复合材料上得到Y2Si2O7晶须嵌入SiC孔隙的Y2Si2O7晶须钉扎层;
步骤4:采用水热电泳沉积法制备Y2Si2O7晶须增韧Y4Si3O12复合涂层:
1)取10~30g Y4Si3O12粉体悬浮于100~300mL的异丙醇中,磁力搅拌10~30h,随后加入0.06~0.12g的碘,磁力搅拌10~30h,制备成悬浮液;
2)以步骤3制得的带有Y2Si2O7晶须嵌入SiC孔隙的Y2Si2O7晶须钉扎层的C/C复合材料作为沉积基体,固定沉积基体于阴极,阳极选用石墨板,将悬浮液倒入水热电泳沉积反应釜中,控制填充比为50~60%,加热到120~160℃后保温,调整沉积电压为180~200V进行水热电泳沉积,沉积30~40min后停止通电,待试样冷却后取出,置于80~100℃的烘箱中干燥,得到带有Y2Si2O7晶须增韧Y4Si3O12复合涂层的C/C复合材料试样。
2.根据权利要求1所述的Y2Si2O7晶须增韧Y4Si3O12复合涂层的制备方法,其特征在于:所述的Si粉、C粉和WO3粉的粒度为30~40μm。
3.根据权利要求1所述的Y2Si2O7晶须增韧Y4Si3O12复合涂层的制备方法,其特征在于:所述的C/C复合材料预处理包括以下步骤:
1)取飞机刹车片用的2D-C/C复合材料,将其加工成25×25×25~30×30×30mm3的立方体,并对其进行打磨倒角的表面处理,倒角为40~50°;
2)然后分别用去离子水和无水乙醇各超声清洗3~5次,每次清洗超声时间为30~50min,超声功率为120~160W,最后在60~70℃的电热鼓风干燥箱中干燥。
4.根据权利要求1所述的Y2Si2O7晶须增韧Y4Si3O12复合涂层的制备方法,其特征在于:所述的Y4Si3O12粉体的粒度为30~40μm。
CN 201210458300 2012-11-14 2012-11-14 一种Y2Si2O7 晶须增韧Y4Si3O12 复合涂层的制备方法 Active CN102942378B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN 201210458300 CN102942378B (zh) 2012-11-14 2012-11-14 一种Y2Si2O7 晶须增韧Y4Si3O12 复合涂层的制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN 201210458300 CN102942378B (zh) 2012-11-14 2012-11-14 一种Y2Si2O7 晶须增韧Y4Si3O12 复合涂层的制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102942378A CN102942378A (zh) 2013-02-27
CN102942378B true CN102942378B (zh) 2013-12-25

Family

ID=47725399

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN 201210458300 Active CN102942378B (zh) 2012-11-14 2012-11-14 一种Y2Si2O7 晶须增韧Y4Si3O12 复合涂层的制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN102942378B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114988902B (zh) * 2022-06-28 2023-06-13 中国航发北京航空材料研究院 一种纳米线原位增韧高熵稀土硅酸盐陶瓷粉体材料及其制备方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100577892C (zh) * 2006-07-13 2010-01-06 陕西科技大学 一种梯度硅酸钇涂层的水热电泳沉积方法
CN102660766B (zh) * 2012-05-08 2015-02-25 陕西科技大学 一种Y2Si2O7 晶须的制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN102942378A (zh) 2013-02-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101514473B (zh) 一种阴极旋转水热电泳沉积制备硅酸钇涂层的方法
CN102674903B (zh) 一种碳/碳复合材料SiC/C-AlPO4-莫来石抗氧化涂层的制备方法
CN103724042B (zh) 一种叠层混杂防热复合结构材料的制备方法
CN110357635A (zh) 一种提高碳基或陶瓷基复合材料表面抗氧化涂层结合强度的方法
CN103265331B (zh) 一种适用于石墨材料的C/SiC/Na2SiO3抗氧化复合涂层及其制备方法
CN101885623A (zh) 脉冲水热电泳沉积法制备碳/碳复合材料莫来石外涂层的方法
CN102924108B (zh) 一种Y2Si2O7 晶须增韧莫来石复合涂层的制备方法
CN102936146B (zh) 一种Y2Si2O7 晶须增韧Y2SiO5 复合涂层的制备方法
CN106083120A (zh) 一种制备梯度结构C/C‑MoSi2‑SiC复合材料的方法
CN102942387B (zh) 一种Y2Si2O7 晶须增韧Y2Si2O7 复合涂层的制备方法
CN105177541A (zh) MOD法制备Al2O3阻氚涂层的方法
CN102936145B (zh) 一种Y2SiO5 晶须增韧莫来石复合涂层的制备方法
CN102942378B (zh) 一种Y2Si2O7 晶须增韧Y4Si3O12 复合涂层的制备方法
CN105296918A (zh) 一种金属钨表面Al2O3-SiO2高温绝缘涂层及其制备方法
CN102924107B (zh) 一种Y2SiO5 晶须增韧Y4Si3O12 复合涂层的制备方法
CN102674902B (zh) 一种C-AlPO4-莫来石/玻璃层梯度复合抗氧化涂层的制备方法
CN102942386B (zh) 一种Y2SiO5 晶须增韧Y2Si2O7 复合涂层的制备方法
CN102964147B (zh) 一种Y2SiO5 晶须增韧Y2SiO5 复合涂层的制备方法
CN102951921B (zh) 一种Y4Si3O12晶须增韧Y2SiO5复合涂层的制备方法
CN105198500A (zh) 一种薄片状C/C-MoSi2复合材料的制备方法
CN102951920B (zh) 一种Y4Si3O12晶须增韧莫来石复合涂层的制备方法
CN102936144B (zh) 一种Y4Si3O12 晶须增韧Y2Si2O7 复合涂层的制备方法
CN102942379B (zh) 一种Y4Si3O12 晶须增韧Y4Si3O12 复合涂层的制备方法
CN103866373B (zh) 一种钛合金表面制备双层结构热障涂层的方法
CN104130021B (zh) 一种碳/碳复合材料莫来石晶须增韧莫来石复合涂层的制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20210524

Address after: 518000 no.2b, building 1, wanpan garden, Shahe, Nanshan District, Shenzhen City, Guangdong Province

Patentee after: Wu Wenjie

Address before: 518000 No.6 Qinglong Road, Qinglong Road, Qinghua community, Longhua street, Longhua District, Shenzhen City, Guangdong Province

Patentee before: Shenzhen Pengbo Information Technology Co.,Ltd.

Effective date of registration: 20210524

Address after: 518000 No.6 Qinglong Road, Qinglong Road, Qinghua community, Longhua street, Longhua District, Shenzhen City, Guangdong Province

Patentee after: Shenzhen Pengbo Information Technology Co.,Ltd.

Address before: No. 1, Weiyang District university garden, Xi'an, Shaanxi Province, Shaanxi

Patentee before: SHAANXI University OF SCIENCE & TECHNOLOGY

TR01 Transfer of patent right