CN102903654A - 快速衬底支撑件温度控制 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及快速衬底支撑件温度控制。本发明提供用于控制衬底支撑件温度的方法和设备。在部分实施例中，用于控制衬底支撑件的温度的设备包括第一热传递回路和第二热传递回路。第一热传递回路具有第一浴槽，且该第一浴槽具有处于第一温度的第一热传递流体。第二热传递回路具有第二浴槽，且该第二浴槽具有处于第二温度的第二热传递流体。第一温度可以与第二温度为相同或不同。可以提供第一和第二流量控制器，以各别将第一和第二热传递流体提供到衬底支撑件。一个或多个回流管路可以将衬底支撑件的一个或多个出口耦接到第一和第二浴槽，用以使得第一和第二热传递流体回流到第一和第二浴槽。
Description
本申请是基于申请日为2009年5月29日、申.请号为200980120803.8、发明名称为“快速衬底支撑件温度控制”的发明专利申请的分案申请
技术领域
本发明的实施例一般涉及半导体的处理，并且更特定地涉及用于控制衬底支撑件的温度的设备。
背景技术
随着半导体组件的关键尺寸(critical dimension)持续缩减，对于能够在窄的制程范围(process window)内均匀处理半导体衬底的半导体制程设备的需求也随之增加。举例来说，在许多例如蚀刻、沉积或其类似者的制程过程中，在制程过程中的衬底温度对于制程控制(例如蚀刻衬底到一适当深度或尺寸)是关键因素。
在半导体制程腔室中，可以通过温度控制设备以控制或维持衬底的温度。该设备可以例如包括有能量交换系统，其中能量交换介质循环通过衬底支撑件。通过使用此系统，衬底支撑件可以被冷却和/或加热到期望温度。
不幸的，由于能量交换系统的温度的缓慢升温和降温的时间，在单个制程步骤过程中改变衬底的温度不是可行的。此外，由于上述的缓慢升温和降温时间，所以在制程步骤之间改变温度也是耗费时间的。
因此，在本领域中需要一种能够将衬底更快速地冷却或加热到期望温度的设备。
发明内容
本发明提供用于控制衬底支撑件的温度的方法和设备。在部分实施例中，用于控制衬底支撑件的温度的设备包括：第一热传递回路和第二热传递回路。第一热传递回路具有第一浴槽，并且第一浴槽具有处于第一温度的第一热传递流体。第二热传递回路具有第二浴槽，并且第二浴槽具有处于第二温度的第二热传递流体。第一温度可以与第二温度相同或不同。可以提供第一和第二流量控制器，以各别将第一和第二热传递流体提供到衬底支撑件。一个或多个回流管路可以将衬底支撑件的一个或多个出口耦接到第一和第二浴槽，来将第一和第二热传递流体回流到第一和第二浴槽。通过将第一和第二热传递流体混合或是通过将第一和第二热传递流体以足够持续时间的流动脉冲而供应到衬底支撑件，以提供衬底温度控制所需的热传递，第一和第二流量控制器可以控制衬底支撑件的温度。
在部分实施例中，第一和第二热传递流体在进入衬底支撑件之前可以先混合。或者，在部分实施例中，第一和第二热传递流体在进入衬底支撑件之前不混合。第一和第二热传递流体可以经由耦接到一个或多个回流管路的一个或多个出口而离开衬底支撑件。在部分实施例中，第一和第二热传递流体可以通过耦接到回流管路的出口而离开衬底支撑件，该回流管路进一步耦接到第一和第二浴槽。或者，在部分实施例中，第一热传递流体可以通过耦接到第一回流管路的第一出口而离开衬底支撑件并且第二热传递流体可以通过耦接到第二回流管路的第二出口而离开衬底支撑件，其中第一回流管路可以耦接到第一浴槽并且第二回流管路可以耦接到第二浴槽。
在本发明的其它实施态样中，提供一种用于控制衬底支撑件的温度的方法。在部分实施例中，用于控制衬底支撑件的温度的方法包括：将具有第一温度的第一热传递流体由第一浴槽流动到该衬底支撑件；以及将具有第二温度的第二热传递流体由第二浴槽流动到该衬底支撑件。第一温度和第二温度可以为相同或不同。第一和第二热传递流体可以接着回流到第一和第二浴槽。
附图说明
为让本发明的上述特征更明显易懂，可以配合参考实施例说明，其部分如附图所示。然而，须注意的是，附图仅示出了本发明的特定实施例，因此并非用以限定本发明的精神与范围，因为本发明可以容去其他等效实施例。
图1描绘了具有根据本发明的部分实施例的热传递设备的制程腔室。
图2描绘了根据本发明的部分实施例的热传递设备。
图3描绘了根据本发明的部分实施例的热传递设备。
图4描绘了根据本发明的部分实施例的用于控制衬底支撑件温度的方法。
图5描绘了根据本发明的部分实施例的热传递设备。
为便于了解，在可能的情况下，相同的附图标记用来表示对于附图共有的相同组件。可以预料到某一实施例采用的组件不需特别详述而可以应用到其它实施例中。
具体实施方式
本发明的实施例提供用于控制衬底支撑件(以及支撑于其上的衬底)的温度的设备和方法。相较于传统的方法和设备，本发明的设备和方法可以有利地促进衬底支撑件的快速温度控制。本发明的设备和方法可以改善衬底的处理。在部分实施例中，本发明的设备和方法可以用于衬底处理系统的制程腔室中，例如蚀刻腔室、反应性离子蚀刻(RIE)腔室、化学气相沉积(CVD)腔室、等离子体辅助CVD(PECVD)腔室、物理气相沉积(PVD)腔室或热处理腔室等。本发明一般可以用于期望快速衬底温度控制的应用中。
举例来说，图1描绘了示范性蚀刻反应器100的概要图，该反应器100具有可以用于实施本发明的部分的衬底支撑件温度控制设备200。反应器100包括制程腔室110，该制程腔室110具有位于传导体(壁)130内的衬底支撑底座116以及控制器140。
腔室110可以提供电介质顶壁120。至少包括一个感应线圈元件112的天线可以设置在顶壁120上方(图中示出两个共轴的元件112)。感应线圈组件112可以通过第一匹配网络119而耦接到等离子体功率源118。
支撑底座(阴极)116可以通过第二匹配网络124而耦接到偏压功率源122。偏压功率可以是连续或脉冲功率。在其它实施例中，偏压功率源122为DC或脉冲DC源。
控制器140包括中央处理单元(CPU)144以及用于CPU144的内存142和支持电路146。控制器140可以促进对于腔室110中的部件的控制，并且因此控制在腔室110中执行的制程，将于下文再进一步详述。
在操作过程中，半导体衬底114可以放置在底座116上，由气体分配盘(gas panel)138所供应的制程气体通过进入口126而在腔室110中形成气体混合物150。通过将分别来自等离子体功率源118和偏压功率源122的功率施加到感应线圈组件112和阴极116，可以将腔室110中的气体混合物150激发成为等离子体155。腔室110内部的压力可以使用节流阀127和真空泵136来控制。一般来说，腔室壁130可以耦接到电性接地134。壁130的温度可以使用含有液体的导管(图中未示)来控制，其中这些导管穿过壁130。
可以通过控制支撑底座116的温度来控制衬底114的温度。在部分实施例中，温度控制设备200可以用于控制支撑底座116的温度。使用这种热控制，可以将衬底114的温度维持在约-20到150℃之间。衬底支撑底座116可以包括任何适合的衬底支撑件，该支撑件具有形成于其中的通道(图中未示)以利于至少一个热传递流体的从其中流过。该些通道可以配置为在衬底支撑底座116与热传递流体之间达到有效热传递的任何适合配置。温度控制设备200可以设置在腔室110的外侧或是部分位于腔室110中。
温度控制设备200一般可以包括耦接到衬底支撑底座116的两个冷却器或浴槽(bath)。上述两个冷却器可以维持在两个不同的温度下。冷却器提供在各自温度下的热传递流体，其中基于两个热传递流体的混合比例，可以按照期望混合热传递流体，以提供介于两个温度之间的任何温度。热传递流体一般可以为任何适合的热传递流体。适合的热传递流体的示例包括水基(water-based)混合物，例如
(购自Solvay S.A.)或是FluorinertTM(购自3M公司)。可以向每个冷却器提供流量控制器，以分别控制提供给衬底支撑底座116的热传递流体的量。因此，可以快速地执行制程温度的任何期望的改变，并仅受限于控制流量的流量控制器中的致动器的速度。
举例来说，在部分实施例中并且如图2所示，温度控制设备200可以包括第一热传递回路202以及第二热传递回路210。第一热传递回路202可以包括第一浴槽204以及第一流量控制器206。第一热传递流体可以在第一浴槽204中基本维持在第一温度。第一流量控制器206可以耦接到第一浴槽204，以将第一热传递流体提供到衬底支撑底座116。第二热传递回路210可以包括第二浴槽212以及第二流量控制器214。第二热传递流体可以在第二浴槽212中基本维持在第二温度。第二温度可以与第一温度相同或不同。第二流量控制器214可以耦接到第二浴槽212，以将第二热传递流体提供到衬底支撑底座116。回流管路217可以将衬底支撑底座116的出口216耦接到第一和第二浴槽204、212，用以使第一和第二热传递流体回流到第一和第二浴槽204、212。流量控制器206、214可以是任何适合的流量控制装置，例如分流器、可变分流器或质流控制器等。流量控制器206、214可以设置在腔室110附近，或者在部分实施例中，流量控制器206、214可以设置在腔室110内部。
在部分实施例中，第一和第二热传递流体可以在进入衬底支撑底座116的入口215之前，先在导管213内进行混合。经混合的热传递流体(下文中称之为混合流体)可以具有处于第一和第二浴槽204、212各自的温度处以及这两个温度之间的任何位置处的温度。在部分实施例中，导管213可以耦接到温度传感器226，用以监视混合流体的温度。温度传感器226可以耦接到用以提供反馈来控制混合流体的温度(举例来说，通过控制两个热传递流体的混合比例来控制混合流体的温度)的控制器(例如图1中示出的控制器140)。
混合流体经过出口216而离开衬底支撑底座116，并经由回流管路217而回流到第一和第二浴槽。在部分实施例中，回流管路217可以经由用于控制混合流体如何在第一和第二浴槽204、212之间分配的回流管路流量控制器218而耦接到第一和第二浴槽204、212。回流管路流量控制器218可以包括分流器、可变分流器或质流控制器等。在一个实施例中，回流管路流量控制器218是分流器。
可选择地，第一热传递回路202还可以包括设置在第一浴槽204与第一流量控制器206之间的第一中间分流器220。第一中间分流器220可以用于将第一热传递流体在第一流量控制器206与第一浴槽204之间分流。在部分实施例中，第一热传递流体可以通过第一中间分流器220而分流成约1∶4的质量比，其中约20％的第一热传递流体可以流动到第一流量控制器206，并且80％的第一热传递流体可以回流到第一浴槽204。第一中间分流器220可以促进热传递流体在第一浴槽204中的混合，并由此促进来自衬底支撑底座116的回流的混合流体的更均匀混入。
在部分实施例中，第一流量控制器206可以是用于将第一热传递流体在衬底支撑底座116与第一浴槽204之间分流的分流器。在部分实施例中，第一热传递流体可以在第一流量控制器206处分流为约0到100％的质量比，其中约0到100％的第一热传递流体可以流动到衬底支撑底座116，而剩余的0到100％可以回流到第一浴槽204。
可选择地，第二热传递回路210还可以包括设置在第二浴槽212与第二流量控制器214之间的第二中间分流器222。第二中间分流器222可以用于将第二热传递流体在第二流量控制器214与第二浴槽212之间分流。在部分实施例中，第二热传递流体可以通过第二中间分流器222而分流成约1∶4的质量比，其中约20％的第二热传递流体可以流动到第二流量控制器214，并且80％的第二热传递流体可以回流到第二浴槽212。第二中间分流器222可以促进热传递流体在第二浴槽212中的混合，并由此促进来自衬底支撑底座116的回流的混合流体的更均匀混入。
在部分实施例中，第二流量控制器214可以是用于将第二热传递流体在衬底支撑底座116与第二浴槽212之间分流的分流器。在部分实施例中，第二热传递流体可以在第二流量控制器214处分流为约0到100％的质量比，其中约0到100％的第二热传递流体可以流动到衬底支撑底座116，而剩余的0到100％可以回流到第二浴槽212。
在部分实施例中，温度控制设备200还可以包括用以控制第一和第二浴槽204、212内的液位(1iquid level)的控制器224。控制器224可以耦接到用以控制回流到第一和第二浴槽204、212的混合流体量的回流管路流量控制器218。控制器可以耦接到第二浴槽212，用以监视第二浴槽212中的液位(fluid level)。通过监视第二浴槽中的热传递流体的液位，控制器可以控制回流管路流量控制器218以在第二浴槽212中维持期望液位。因为在系统中的总热传递流体量是固定的，所以将会类似地控制流动到第一浴槽204的剩余混合流体(及其液位)。或者，控制器224可以耦接到回流管路流量控制器218和第一浴槽204，用以执行如上所述的相同功能。
在操作过程中，(分别在第一和第二温度下的)第一和第二热传递流体可以从第一和第二浴槽204、212经由导管213而流动到衬底支撑底座116的入口215。第一和第二热传递流体在进入衬底支撑底座116的入口之前，先在导管213内混合。混合流体可以经过出口216而离开衬底支撑底座116，并可以经由回流管路217而回流到第一和第二浴槽204、212。
如果热传递流体在进入衬底支撑底座116之前不进行混合，取而代之的，可以提供维持热传递流体彼此分离的温度控制设备。举例来说，图3示出了可以用于取代上述的温度控制设备200的温度控制设备300。在部分实施例中，温度控制设备300可以包括第一热传递回路302和第二热传递回路310。第一热传递回路302可以包括用于将第一热传递流体基本维持在第一温度的第一浴槽304。第一流量控制器306可以耦接到第一浴槽304，来将第一热传递流体以受控的速率提供给衬底支撑底座116。第二热传递回路310可以包括用于将第二热传递流体基本维持在第二温度的第二浴槽312。第二流量控制器314可以耦接到第二浴槽312，以将第二热传递流体以受控的速率提供给衬底支撑底座116。可以提供用于将衬底支撑底座116耦接到第一浴槽304的第一回流管路316。可以提供将衬底支撑底座116耦接到第二浴槽312的第二回流管路318。流量控制器306、314可以为如上文中参照图2所讨论的任何适合的流量控制。流量控制器306、314可以设置在腔室110附近，或者在部分实施例中，流量控制器306、314可以设置在腔室110内部。
第一热传递流体可以经由第一入口307而进入衬底支撑底座116，第二热传递流体可以经由第二入口311而进入衬底支撑底座116。第一和第二热传递流体在流经衬底支撑底座116的过程中不会发生混合。第一热传递流体可以经由第一出口309而离开衬底支撑底座116。出口309可以经由第一回流管路316而耦接到第一浴槽304。第二热传递流体可以经由第二出口313而离开衬底支撑底座116。第二出口313可以经由第二回流管路318而耦接到第二浴槽312。在操作过程中，第一和第二热传递流体的流量可以分别受到控制(例如通过图1所示的控制器140)，以提供衬底支撑底座116的期望温度。
在部分实施例中，第一热传递回路302的第一流量控制器306可以是用于将第一热传递流体在衬底支撑底座116与第一浴槽304之间分流的分流器。在部分实施例中，第一热传递流体可以通过第一流量控制器306而分流为约0到100％的质量比，其中约0到100％的第一热传递流体可以流动到衬底支撑底座116，而剩余的0到100％可以回流到第一浴槽304。
在部分实施例中，第二热传递回路310的第二流量控制器314可以是用于将第二热传递流体在衬底支撑底座116与第二浴槽312之间分流的分流器。在部分实施例中，第二热传递流体可以在第二流量控制器314处分流为约0到100％的质量比，其中约0到100％的第二热传递流体可以流动到衬底支撑底座116，而剩余的0到100％可以回流到第二浴槽312。
在操作过程中，(分别在第一和第二温度下的)第一和第二热传递流体可以从第一和第二浴槽304、312经由入口307、311而流动到衬底支撑底座116。第一和第二热传递流体在进入衬底支撑底座116之前不会混合。第一和第二热传递流体可以经过各自的出口309、313而离开衬底支撑底座116，并可以经由各自的回流管路316、318而回流到第一和第二浴槽304、312。
本发明的上述实施例仅作为说明之用，并且可以在保持在本发明的范畴内的同时以多种方式变化。举例来说，图5示出了根据本发明的部分实施例的热传递设备。图5中的与在先讨论过的元件相同的元件被标有与在先的附图中相同的附图标记。
如图5所示，在部分实施例中，可以提供具有第一热传递回路502和第二热传递回路510的温度控制设备500。第一热传递回路502可以包括第一浴槽204和第一流量控制器506。第一热传递流体可以在第一浴槽204中基本维持于第一温度。第一流量控制器506可以耦接到第一浴槽204，以在0到100％的流速下选择性地将第一热传递流体提供到衬底支撑底座116。
第二热传递回路510可以包括第二浴槽212和第二流量控制器514。第二热传递流体可以在第二浴槽212中基本维持于第二温度。第二温度可以与第一温度相同或不同。第二流量控制器514可以耦接到第二浴槽212，以在0到100％的流速下选择性地将第二热传递流体提供到衬底支撑底座116。
流量控制器506、514可以是任何适合的流量控制装置，例如分流器、可变分流器、质流控制器或阀等或者它们的组合。在部分实施例中，流量控制器506、514可以都包括质流控制器和两个阀，其中一个阀设置在质流控制器与浴槽之间并且另一个阀设置在质流控制器与导管213之间。
提供用于将第一和第二浴槽204、212经由入口215而耦接到衬底支撑底座116的导管213。回流管路217可以将衬底支撑底座116的出口216耦接到第一和第二浴槽204、212，用以使得第一和第二热传递流体回流到第一和第二浴槽204、212。第一回流管路流量控制器503和第二回流管路流量控制器504可以设置在回流管路217中。第一回流管路流量控制器503可以将衬底支撑底座116耦接到第一浴槽204。第二回流管路流量控制器504可以将衬底支撑底座116耦接到第二浴槽212。第一和第二回流管路流量控制器503、504可以是任何适合的流量控制装置，例如质流控制器或阀等或者它们的组合。在部分实施例中，第一和第二回流管路流量控制器503、504是阀。
返回参照图1，在部分实施例中，如上所述，为了促进制程腔室110和/或温度控制设备200或温度控制设备300的控制，控制器140是可以用于控制各种腔室和子处理器的工业装置中的任何形式的通用计算机处理器中的一种。控制器140可以包括存储器142(或计算机可读介质)、CPU144和支持电路146。存储器142可以是易于买到的存储器中的一种或多种，例如本地或远程的随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、软盘、硬盘或其它任何形式的数字储存器。支持电路146可以耦接到CPU144，以采用传统的方式来支持处理器。这些电路包括高速缓冲存储器(cache)、电源、时钟电路、输入/输出电路和子系统等。用于控制如这里所述的设备的本发明的方法通常可以作为软件程序而储存在存储器142中，并在被执行时，可以控制蚀刻反应器100来执行本发明的方法。软件程序也可以通过第二CPU(图中未示出)而储存和/或执行，而该第二CPU与由CPU144所控制的硬件远程地设置。
图4示出了根据本发明的部分实施例的用于控制衬底支撑件的温度的方法400。参照图2到图3来描述方法400。方法400可以在具有如上述的衬底支撑件和温度控制设备的任何适合的半导体制程腔室中执行。在部分实施例中，衬底支撑件可以配置为具有一个入口和一个出口，其中一个通道设置为从该入口和出口穿过，并且至少两个热传递流体可以流经该通道(如上文中参照图2描述的)。在部分实施例中，衬底支撑件可以具有至少两个或更多个入口以及至少两个或更多个出口。在部分实施例中，衬底支撑件还可以包括至少两个通道，至少两个热传递流体在从其中流动经过时，仍可以保持分离(如上文中参照图3描述的)。
方法400开始于步骤402，其中至少一个热传递流体可以流动到衬底支撑件(例如衬底支撑底座116)。在部分实施例中，如步骤404所示，具有第一温度的第一热传递流体可以从第一浴槽流动到衬底支撑件，并且如步骤406所示，具有第二温度的第二热传递流体可以从第二浴槽流动到衬底支撑件116。在部分实施例中，第一和第二热传递流体可以在进入衬底支撑件之前先进行混合。或者，在部分实施例中，第一和第二热传递流体在进入衬底支撑件之前不会混合，并在衬底支撑件内保持彼此分离。
在部分实施例中，第一和第二热传递流体的流速可以随着时间而改变。第一和第二热传递流体中的任何一者或两者的流速可以在这里所描述的热传递设备的最大流速的0到100％之间改变。举例来说，在部分实施例中，第一和第二温度可以是相同的，并且第一和第二热传递流体的流速可以是不同的。可以应用此实例，来例如对于衬底支撑件的不同区域(例如衬底支撑件的边缘或中央)中的加热/冷却速度进行独立控制。
在部分实施例中，(具有相同或不同温度的)第一和第二热传递流体的流动可以是脉冲的，以控制衬底支撑件的温度。这种脉冲可以通过占空比(duty-cycle)来限定，该占空比至少包括其中可以以介于0到100％之间的第一流速提供第一和第二热传递流体中的一者或两者的流动的第一时间段以及其中可以以介于0到100％之间的第二流速提供第一和第二热传递流体中的一者或两者的流动的第二时间段，并且第一流速与第二流速不同。如上所述，脉冲可以包括对第一和第二热传递流体同时进行脉冲的脉冲期、分别对第一和第二热传递流体中的任一者进行脉冲的脉冲期或是在每个脉冲期内在第一与第二热传递流体之间选择性地脉冲的脉冲期。每个脉冲可以持续相同或不同的时间。脉冲的数目可以针对适合于在期望的时间段内(例如：期望的制程时间)的温度控制而做适当改变。这种脉冲可以有利于将热量传递到衬底支撑件或者将热量从衬底支撑件传递出来，以将衬底支撑件的温度控制到期望的温度设定点。
举例来说，在部分实施例中，期望将衬底支撑件快速冷却到期望的温度设定点。将温度低于温度设定点的热传递流体以第一流速提供第一时间段。在部分实施例中，随着衬底支撑件的温度接近温度设定点，可以停止热传递流体的流速或使其降低到第二流速并持续第二时间段，并且在第二时间段之后，将热传递流体的流速增加以回到第一流速。
或者，随着衬底支撑件的温度接近温度设定点，占空比可以改变热传递流体(或多个热传递流体)的流速。举例来说，在部分实施例中，流速可以持续地保持开启，并且随着衬底支撑件的温度接近温度设定点而不断地降低。在部分实施例中，可以增加或降低流速以将衬底支撑件的温度维持在温度设定点。可预期的是，这些方法的组合也可以用于将衬底支撑件的温度有利地控制到期望的温度设定点。
接着，在步骤408，第一和第二热传递流体通过一个或多个出口而离开衬底支撑件，并且经由一个或多个回流管路而回流到第一和第二浴槽。在部分实施例中，第一和第二热传递流体可以通过出口而离开衬底支撑件，并且经由回流管路而回流到第一和第二浴槽。或者，在部分实施例中，第一和第二热传递流体可以通过至少两个出口而离开衬底支撑件，并可以通过至少两个回流管路而回流到第一和第二浴槽。
因此，在此提供用于控制衬底支撑件温度的方法和设备。本发明的方法和设备可以有助于在制程过程中快速改变衬底支撑底座(以及设置在其上的衬底)的温度。本发明的方法和设备因此可以有助于更快地在具有变化的温度需求的制程步骤之间改变。此外，由于改变衬底支撑件温度所需的响应时间降低，所以本发明的方法可以使得独立的制程步骤涉及温度的改变。
虽然上述内容涉及本发明的实施例，但是可以在不脱离本发明的精神和范围的情况下设计出本发明的其他和另外的实施例，本发明的范围由权利要求所确定。
Claims (3)
1.一种用于控制衬底支撑件的温度的设备，包括：
第一热传递回路，其具有第一浴槽，所述第一浴槽具有处于第一温度的第一热传递流体，并利用第一流量控制器来将所述第一热传递流体提供到所述衬底支撑件；
第二热传递回路，其具有第二浴槽，所述第二浴槽具有处于第二温度的第二热传递流体，并利用第二流量控制器来将所述第二热传递流体提供到所述衬底支撑件；以及
一个或多个回流管路，其将所述衬底支撑件的一个或多个出口耦接到所述第一浴槽和所述第二浴槽，来使得所述第一热传递流体和所述第二热传递流体回流到所述第一浴槽和所述第二浴槽，
其中，所述第一热传递流体和所述第二热传递流体在进入所述衬底支撑件之前不混合，并且其中，所述一个或多个回流管路包括将所述衬底支撑件耦接到所述第一浴槽的第一回流管路以及将所述衬底支撑件耦接到所述第二浴槽的第二回流管路。
2.根据权利要求1所述的设备，其中，所述第一热传递回路的所述第一流量控制器包括用来将所述第一热传递流体的流动在所述衬底支撑件与所述第一浴槽之间分流的分流器，并且其中，所述第二热传递回路的所述第二流量控制器包括用来将所述第二热传递流体的流动在所述衬底支撑件与所述第二浴槽之间分流的分流器。
3.一种用于控制衬底支撑件的温度的方法，包括：
使得具有第一温度的第一热传递流体从第一浴槽流动到所述衬底支撑件；
使得具有第二温度的第二热传递流体从第二浴槽流动到所述衬底支撑件；
使得所述第一热传递流体和所述第二热传递流体回流到所述第一浴槽和所述第二浴槽；以及
使得所述第一热传递流体和所述第二热传递流体流动，其中，所述第一热传递流体和所述第二热传递流体不混合。
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