CN102899717A - 蓝宝石单晶生长装置 - Google Patents
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- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 83
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 title abstract description 23
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 title abstract description 23
- 230000012010 growth Effects 0.000 claims abstract description 45
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 34
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 26
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 24
- 238000004320 controlled atmosphere Methods 0.000 claims description 14
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 8
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- 241000220317 Rosa Species 0.000 claims description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 abstract description 17
- 238000003780 insertion Methods 0.000 abstract description 5
- 230000037431 insertion Effects 0.000 abstract description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 4
- 239000000155 melt Substances 0.000 abstract description 3
- 238000003303 reheating Methods 0.000 abstract description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 15
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 238000005231 Edge Defined Film Fed Growth Methods 0.000 description 2
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 2
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 2
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 2
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/16—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular crystal structure or orientation, e.g. polycrystalline, amorphous or porous
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B13/00—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
- C30B13/14—Crucibles or vessels
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B13/00—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
- C30B13/16—Heating of the molten zone
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B6/00—Heating by electric, magnetic or electromagnetic fields
- H05B6/02—Induction heating
- H05B6/36—Coil arrangements
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
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Abstract
本发明公开了一种蓝宝石单晶生长装置，其为在氧化铝熔液中接触晶种后将其上升，从而使蓝宝石单晶生长的蓝宝石单晶生长装置，其包括：第一腔室（第一腔室的上面形成有插入口），其容纳氧化铝，氧化铝在其中熔融；第二腔室，其设置在第一腔室的上部，以与第一腔室的插入口接通；晶种杆（晶种杆的终端设置有晶种），其通过第二腔室下降至第一腔室内，或从第一腔室上升；以及腔室阻隔部，其设置在第二腔室的下端，开闭插入口，为了替换晶种，当晶种杆的终端上升并位于第二腔室的内部时，腔室阻隔部关闭插入口。上述蓝宝石单晶生长装置通过显著减少晶种替换的时间，提高生产性能，防止由反复冷却和再加热引起的变形和寿命减少。
Description
技术领域
本发明涉及一种蓝宝石单晶生长装置，尤其涉及一种能够减少晶种替换的工序时间的蓝宝石单晶生长装置。
背景技术
蓝宝石是具有六方晶系结构的氧化铝（Al2O3）的单晶。蓝宝石单晶在发光二极管（LED）制造时用作基板。蓝宝石单晶制造方法有提拉法（czochralski method：以下简称CZ法）、火焰熔融法（verneuilmethod）、泡生法（kyropoulos method）、导模法（EFG法，Edge-DefinedFilm-Fed Growth）、HEM法（heat exchanger method，热交换法）等。其中，CZ法可实现单晶的大型化，容易调节温度梯度，从而能够生产高质量的单晶，并且在制造C面基板时能够防止浪费原料，因此是非常有效的方法。并且，近年来为了提高LED制造时的生产性能并减少制造单价，基板的直径正在变大，而在这种趋势下利用CZ法的蓝宝石晶体生长同样具有很多优点。
图1为示出了利用现有技术的CZ法的蓝宝石单晶生长装置10的图。如图1所示，位于由隔热材料构成的坩埚收容容器11的内部的坩埚12中填充有氧化铝，高频线圈14加热坩埚12。通过坩埚12的热，氧化铝熔融而形成氧化铝熔液13。提升棒15的下端连接晶种16，接触氧化铝熔液13后，一边旋转一边缓缓提升，从而生长蓝宝石单晶17。此时，氧化铝熔液13中需要形成对流现象，而为了观察熔液13的对流现象，使用CCD摄像机（电荷耦合摄像机）（未示出）。
但是，由于CCD摄像机的位置、过滤器、缩放等，有时也不能准确观察到对流现象。由此，会发生高频线圈14的输出持续增加，使得蓝宝石单晶生长装置10的内部温度也随之提高，从而会发生晶种16熔化变短或在提升棒15的下端完全消失的情况。最终，导致无法进行蓝宝石单晶17的生长，因此需要在提升棒15的下端替换并连接新晶种16。为此，需要使高频线圈10的输出值达到0，并使其自然冷却。接着，在提升棒15的下端连接晶种16。当再次增加高频线圈14的输出值时，高频线圈14加热坩埚12。即，为了替换晶种来生长蓝宝石单晶，需要变化高频线圈的输出，这需要相当长的时间。因此，存在以下问题，在晶种替换方面需要相当长的时间。并且，坩埚或坩埚收容容器被反复冷却或再加热而变形，由此还具有寿命减少的问题。
发明内容
要解决的技术问题
本发明的目的在于提供一种容易进行设置在晶种杆上的晶种替换，能够减少替换晶种所需时间的蓝宝石单晶生长装置。
并且，本发明的目的还在于提供一种能够减少因反复冷却和再加热引起的坩埚或坩埚收容容器的变形并能够延长坩埚或坩埚收容容器寿命的蓝宝石单晶生长装置。
技术方案
本发明公开了一种蓝宝石单晶生长装置，其为在氧化铝熔液中接触晶种后使其上升，从而使蓝宝石单晶生长的蓝宝石单晶生长装置，其特征为，所述蓝宝石单晶生长装置包括：第一腔室（所述第一腔室的上面形成有插入口），其容纳氧化铝，所述氧化铝在其中熔融；第二腔室，其设置在所述第一腔室的上部，以与所述第一腔室的插入口接通；晶种杆（所述晶种杆的终端设置有所述晶种），其通过所述第二腔室下降至所述第一腔室内，或从所述第一腔室上升；以及腔室阻隔部，其设置在所述第二腔室的下端，开闭所述插入口，为了替换所述晶种，当所述晶种杆的终端上升并位于所述第二腔室的内部时，所述腔室阻隔部关闭所述插入口。
本发明还公开了一种蓝宝石单晶生长装置，其特征为，所述第一腔室包括：坩埚收容容器，其位于所述第一腔室的内部；坩埚，其位于所述坩埚收容容器的内部并装有所述氧化铝；以及加热部，其被配置为包围所述坩埚收容容器，并使所述氧化铝熔融而形成所述氧化铝熔液。
并且，本发明还公开了一种蓝宝石单晶生长装置，其特征为，所述第二腔室包括气体管线，所述气体管线从所述第二腔室的外周面延长，并向所述第二腔室的内部注入可控气氛（controlled atmosphere）。
并且，本发明还公开了一种蓝宝石单晶生长装置，其特征为，所述坩埚收容容器由隔热材料构成。
并且，本发明还公开了一种蓝宝石单晶生长装置，其特征为，所述加热部为高频线圈。
有益效果
本发明的蓝宝石单晶生长装置包括第一腔室、第二腔室、晶种杆及腔室阻隔部。其中，第二腔室设置在所述第一腔室的上部，以与通过晶种杆的第一腔室的插入口接通，可控气氛被注入到第二腔室的内部。并且，当腔室阻隔部被设置在第二腔室的下端并关闭插入口时，第二腔室和第一腔室达到隔离状态。因此，晶种位于与第一腔室处于隔离状态的第二腔室的内部，通过可控气氛被冷却后可被替换。
现有技术中，为了在单一腔室内替换晶种，需要经过相当长时间对加热部进行冷却和再加热，但是通过本发明能够省略需要相当长时间的对加热部的冷却和再加热。因此，本发明的蓝宝石单晶生长装置具有以下效果，可显著减少用于晶种替换的时间。
并且，本发明的蓝宝石单晶生长装置，在晶种的替换中通过加热部被反复冷却和再加热的坩埚或坩埚收容容器保持在一定温度环境下，从而具有能够防止由反复的冷却和再加热引起的变形和寿命减少的效果。
附图说明
图1为利用了现有技术的CZ法的蓝宝石单晶生长装置的图。
图2为示出了本发明的优选实施例的蓝宝石单晶生长装置的图。
图3为示出了图2所示蓝宝石单晶生长装置的第二腔室的腔室阻隔部的立体图。
附图标记说明：
100：蓝宝石单晶生长装置
101：第一腔室 102：坩埚收容容器
103：坩埚 104：加热部
105：第二腔室 106：晶种杆
107：腔室阻隔部 110：晶种
151：气体管线
具体实施方式
下面，参照附图对本发明的优选实施例进行详细的说明。在说明本发明时，当判断为关联的公知功能或结构的具体说明会不必要地使本发明的主旨不清楚时，省略其详细说明。
图2为示出了本发明优选实施例的蓝宝石单晶生长装置100的图，图3为示出了图2所示蓝宝石单晶生长装置100的第二腔室105的腔室阻隔部107的立体图。如图2及图3所示，本发明优选实施例的蓝宝石单晶生长装置100包括第一腔室101、坩埚收容容器102、坩埚103、加热部104、第二腔室105、晶种杆106及腔室阻隔部107，将设置在晶种杆106终端上的晶种110接触到氧化铝熔液后，使其上升，从而使蓝宝石单晶120生长。
第一腔室101收容坩埚收容容器102、坩埚103及加热部104，从而使坩埚收容容器102、坩埚103及加热部104不受外部环境影响，起到保护作用，并且防止坩埚收容容器102、坩埚103及加热部104的热向外部、第一腔室101的外部发散。
并且，第一腔室101的上面配置有上盖101a，上盖101a可从第一腔室101分离，从而还起到如同第一腔室101的盖子的功能。
并且，上盖101a上形成有插入口111。插入口111使第一腔室101的内部和外部连通，晶种杆106可通过插入口111下降至第一腔室101的内部并插入。
坩埚收容容器102位于第一腔室101的内部，并且由隔热材料构成。
坩埚103位于坩埚收容容器102的内部并用于装氧化铝。此时，氧化铝为固态。并且，坩埚103由铱材料制造，坩埚103的大小可根据蓝宝石单晶120的大小选择。
并且，坩埚103的上面为开放的状态，并且与第一腔室101的插入口111对应。
加热部104配置为包围坩埚收容容器102，加热坩埚103使装在坩埚103中的氧化铝熔融，从而形成氧化铝熔液。
并且，加热部104的输出可调整，增加加热部104的输出直至固态氧化铝生成为熔融的氧化铝熔液而在氧化铝熔液中发生对流现象。优选地，加热部104由缠绕坩埚收容容器102的高频线圈构成。
另一方面，为了确认坩埚103中氧化铝熔液的对流现象，第一腔室101的上盖101a上形成第一观察窗口113。通过第一观察窗口113确认氧化铝熔液的当前状态。当发生氧化铝熔液的对流现象时，停止增加加热部104的输出，能够实现利用晶种110的蓝宝石单晶120的生长。此时，第一腔室101的内部过亮，难以用肉眼确认氧化铝熔液的状态。因此，CCD摄像机等拍摄装置（未示出）通过第一观察窗口113拍摄氧化铝熔液并提供氧化铝熔液的状态。
第二腔室105设置在第一腔室101的上部，以与第一腔室101的插入口111接通。
通常，为了确认氧化铝熔液的当前状态，即使使用拍摄装置，根据拍摄装置的位置、滤镜、变焦等，有时也不能准确观察到熔液的状态，尤其是对流现象。因此会发生以下情况，即使发生对流现象加热部104的输出还会持续增加。此时，第一腔室101的内部温度升高，导致晶种110在实现蓝宝石单晶120的生长之前变小或熔化。此时，第二腔室105用于替换设置在晶种杆106的终端的晶种110。
并且，优选地，第二腔室105的内径的形成大小为以晶种110几乎接触第二腔室105内壁的程度。因此，晶种110能够不受第二腔室105的干扰而通过第二腔室105，并且能够限制第一腔室101内部的热通过第二腔室105发散。
并且，第二腔室105的外周面上形成气体管线151。气体管线151将可控气氛注入到第二腔室105的内部。这种可控气氛限制第一腔室104内部的热通过第二腔室105，并且冷却位于第二腔室105内部的晶种杆106。
并且，第二腔室105的外周面上形成第二观察窗口153。可通过第二观察窗口153确认第二腔室105的内部。因此，设置在晶种杆106终端的晶种110位于第二腔室105的内部并被冷却，从而能够确认是否能够替换。
晶种杆106通过第二腔室105下降至第一腔室101内，或从第一腔室101上升。随着在晶种杆106的终端上设置晶种110，晶种杆106下降使晶种110接触氧化铝熔液后上升，从而使晶种110生长为蓝宝石单晶120。此时，晶种杆106也同坩埚103由铱材料构成。
腔室阻隔部107设置在第二腔室105的下端，开闭插入口111。通常，腔室阻隔部107使插入口111保持在开放的状态，并且使晶种110通过晶种杆106的下降和上升而顺利地生长为蓝宝石单晶120。
另一方面，当晶种110在生长为蓝宝石单晶120之前变小或熔化时，需要进行替换。此时，利用第二观察窗口153使晶种杆106的终端位于第二腔室105的内部。接着，腔室阻隔部107关闭插入口111使第一腔室101和第二腔室105达到隔离状态。因此，设置在晶种杆106终端的晶种110在被替换之前不受第一腔室101内部的热的影响，能够被通过气体管线151注入的可控气氛集中冷却。晶种110在第二腔室中被充分冷却到可替换的温度后被替换。腔室阻隔部107再次开放插入口111，晶种110利用晶种杆106下降至第一腔室101内而生长蓝宝石单晶120。
并且，如图3所示，虽然示出了腔室阻隔部107在第二腔室105的下端以一轴为中心，通过左右旋转来开闭插入口111，但不限于此，其可以以相对于第二腔室105直线移动或位于第二腔室105的内壁上，以一轴为中心上下方向旋转等多种方式开闭插入口111。
为了确认本发明的蓝宝石单晶生长装置100的效果，在下述实施例1、实施例2及比较例1中测定了晶种110熔化后被替换，直至再通过蓝宝石单晶生长装置100生长为蓝宝石单晶120的状态所需的时间。
实施例1利用了包括第二腔室105和腔室阻隔部107的蓝宝石单晶生长装置，在第二腔室105中没有注入可控气氛。在第一腔室101的内部，晶种110熔化的状态下，晶种杆106上升，晶种110位于第二腔室105的内部。此时，通过腔室阻隔部107关闭插入口111，晶种110在没有采取特别措施的情况下，使其在第二腔室105内自然冷却。晶种110在达到可替换的温度时被替换，在插入口111通过腔室阻隔部107再次开放的状态下，通过晶种杆106再次下降至第一腔室101内。至此，测定了各步骤所需的时间。
实施例2同实施例1一样利用了包括第二腔室105和腔室阻隔部107的蓝宝石单晶生长装置，但是与实施例1不同，向第二腔室105注入了可控气氛。在第一腔室101的内部，晶种110在熔化的状态下，晶种杆106上升，晶种110位于第二腔室105的内部。此时，通过腔室阻隔部107关闭插入口111，晶种110通过注入到第二腔室105内的可控气氛被冷却。晶种110达到可替换的温度后被替换，在插入口111被腔室阻隔部107再次开放的状态下，通过晶种杆106再次下降至第一腔室101内。至此，测定了各步骤所需的时间。
比较例1利用了不包括第二腔室105和腔室阻隔部107的蓝宝石生长装置。因此，执行的步骤如同现有技术，是加热部104的输出值达到0的冷却（cool down）步骤，在第一腔室101的内部熔化的晶种110位于第一腔室101的外部，在没有采取特别的措施的情况下，使其自然冷却。晶种110达到可替换的温度后，再次执行升温步骤，使加热部104的输出值增加以再次发生氧化铝熔液的对流现象，晶种110再次下降至第一腔室101内。至此，测定了各步骤所需的时间。
实验结果如表1所示。表1显示了为了晶种110的替换而执行的各个步骤所需的时间。
表1
| 实施例1 | 实施例2 | 比较例1 | |
| 冷却 | 0 | 0 | 20 |
| 可控气氛注入 | 0 | 1 | 0 |
| 晶种自然冷却 | 5 | 0 | 24 |
| 晶种替换 | 1 | 1 | 1 |
| 清洗(purge) | 0.5 | 0.5 | 1.5 |
| 升温 | 0 | 0 | 15 |
| 合计 | 6.5 | 2.5 | 60.5 |
查看表1可确认，本实施例的蓝宝石单晶生长装置100包括第二腔室105和腔室阻隔部107，因此省略了冷却和升温步骤，冷却晶种的时间显著减少。并且确认了通过在第二腔室105中注入可控气氛，使得晶种的冷却时间减少更多。因此，本发明的蓝宝石单晶生长装置利用用于替换晶种的第二腔室，省略了调节加热部输出的步骤，向依靠腔室阻隔部与第一腔室隔离的第二腔室注入可控气氛，迅速冷却晶种，使其可替换。因此，晶种110的替换时间显著减少，并且能够防止蓝宝石单晶的生产性能下降。并且，坩埚或坩埚收容容器，由于省略了反复冷却和再加热，从而减少了由冷却和再加热引起的变形，还能防止由此引起的寿命减少。
以上，对具体实施例进行了说明，但是对于本发明所属技术领域的技术人员，在不脱离本发明的范围内可进行各种变形是显而易见的。
Claims (5)
1.一种蓝宝石单晶生长装置，其为在氧化铝熔液中接触晶种后使其上升，从而使蓝宝石单晶生长的蓝宝石单晶生长装置，其特征在于，所述蓝宝石单晶生长装置包括：
第一腔室，其容纳氧化铝，所述氧化铝在其中熔融，所述第一腔室的上面形成有插入口；
第二腔室，其设置在所述第一腔室的上部，以与所述第一腔室的插入口接通；
晶种杆，其通过所述第二腔室下降至所述第一腔室内，或从所述第一腔室上升，所述晶种杆的终端设置有所述晶种；以及
腔室阻隔部，其设置在所述第二腔室的下端，开闭所述插入口；
为了替换所述晶种，当所述晶种杆的终端上升并位于所述第二腔室的内部时，所述腔室阻隔部关闭所述插入口。
2.如权利要求1所述的蓝宝石单晶生长装置，其特征在于，所述第一腔室包括：
坩埚收容容器，其位于所述第一腔室的内部；
坩埚，其位于所述坩埚收容容器的内部并装有所述氧化铝；以及
加热部，其被配置为包围所述坩埚收容容器，并使所述氧化铝熔融而形成所述氧化铝熔液。
3.如权利要求1所述的蓝宝石单晶生长装置，其特征在于，所述第二腔室包括气体管线，所述气体管线从所述第二腔室的外周面延长，并向所述第二腔室的内部注入可控气氛。
4.如权利要求2所述的蓝宝石单晶生长装置，其特征在于，所述坩埚收容容器由隔热材料构成。
5.如权利要求2所述的蓝宝石单晶生长装置，其特征在于，所述加热部为高频线圈。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2011-0074001 | 2011-07-26 | ||
| KR1020110074001A KR101332271B1 (ko) | 2011-07-26 | 2011-07-26 | 사파이어 단결정 성장 장치 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN102899717A true CN102899717A (zh) | 2013-01-30 |
Family
ID=47572196
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2012102626684A Pending CN102899717A (zh) | 2011-07-26 | 2012-07-26 | 蓝宝石单晶生长装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP5497853B2 (zh) |
| KR (1) | KR101332271B1 (zh) |
| CN (1) | CN102899717A (zh) |
| TW (1) | TW201311950A (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105132718A (zh) * | 2015-09-24 | 2015-12-09 | 东北大学 | 一种结晶法制备高纯镓的晶种添加与气氛保护装置 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101333668B1 (ko) * | 2013-06-26 | 2013-11-27 | 주식회사 에이에스이 | 단결정 성장로의 자동 씨딩시스템 |
| KR101734906B1 (ko) | 2016-10-05 | 2017-05-12 | 송철현 | 사파이어 성장 장치용 풀러 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN201778147U (zh) * | 2010-08-11 | 2011-03-30 | 上海昀丰光电技术有限公司 | 蓝宝石生长设备及其籽晶快速更换装置 |
| CN201850328U (zh) * | 2010-11-08 | 2011-06-01 | 鸿福晶体科技(安徽)有限公司 | 一种宝石单晶片的生长设备 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61247683A (ja) * | 1985-04-23 | 1986-11-04 | Seiko Epson Corp | 単結晶サフアイヤ引上装置 |
| JP2940439B2 (ja) | 1995-06-10 | 1999-08-25 | 信越半導体株式会社 | 単結晶引上げ装置 |
| JP3041670B2 (ja) * | 1995-07-04 | 2000-05-15 | 信越半導体株式会社 | 単結晶引上げ装置 |
| JP3770287B2 (ja) * | 1997-05-23 | 2006-04-26 | 信越半導体株式会社 | シリコン単結晶の製造方法 |
| JP3624633B2 (ja) * | 1997-06-11 | 2005-03-02 | 信越半導体株式会社 | 単結晶引上げ装置 |
| US7348076B2 (en) * | 2004-04-08 | 2008-03-25 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Single crystals and methods for fabricating same |
| JP4930166B2 (ja) * | 2007-04-10 | 2012-05-16 | 住友金属鉱山株式会社 | 酸化アルミニウム単結晶の製造方法 |
| JP5092940B2 (ja) * | 2008-07-01 | 2012-12-05 | 信越半導体株式会社 | 単結晶製造装置及び単結晶の製造方法 |
| JP2010143781A (ja) * | 2008-12-17 | 2010-07-01 | Showa Denko Kk | サファイア単結晶の製造方法 |
-
2011
- 2011-07-26 KR KR1020110074001A patent/KR101332271B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2012
- 2012-07-18 TW TW101125750A patent/TW201311950A/zh unknown
- 2012-07-25 JP JP2012164554A patent/JP5497853B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2012-07-26 CN CN2012102626684A patent/CN102899717A/zh active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN201778147U (zh) * | 2010-08-11 | 2011-03-30 | 上海昀丰光电技术有限公司 | 蓝宝石生长设备及其籽晶快速更换装置 |
| CN201850328U (zh) * | 2010-11-08 | 2011-06-01 | 鸿福晶体科技(安徽)有限公司 | 一种宝石单晶片的生长设备 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105132718A (zh) * | 2015-09-24 | 2015-12-09 | 东北大学 | 一种结晶法制备高纯镓的晶种添加与气氛保护装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP5497853B2 (ja) | 2014-05-21 |
| KR101332271B1 (ko) | 2013-11-22 |
| KR20130012695A (ko) | 2013-02-05 |
| JP2013028528A (ja) | 2013-02-07 |
| TW201311950A (zh) | 2013-03-16 |
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|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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