CN102890907A - 像素元件及其显示面板与控制方法 - Google Patents

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Abstract

一种像素元件及其显示面板与控制方法。控制方法包括多个步骤。储存影像数据于该主动矩阵像素阵列的一影像数据储存电容。执行一取样操作以储存该影像数据于一电容性元件。基于储存在该电容性元件中的影像数据，执行一更新操作以更新该影像数据储存电容中的影像数据。更新后的影像数据的极性与该影像数据储存电容在该取样操作时所储存的影像数据的极性系相同。

Description

像素元件及其显示面板与控制方法
技术领域
本发明是有关于一种像素元件及其显示面板与控制方法，且特别是有关于一种用于减少功耗的像素元件及其显示面板与控制方法。
背景技术
显示装置已广泛地使用在各种应用场合，诸如膝上型电脑、行动电话、或个人数位助理。对这种装置而言，如何减少功率的消耗是一项重要的议题，其原因在于功率的消耗与装置的电力续航有直接的影响。
以显示装置的主动矩阵像素阵列来说，主动矩阵像素阵列通常含有多条栅极线、多条源极线、及排成矩阵式的多个像素元件。各像素元件包含一电容及一薄膜晶体管(thinfilmtransistor,TFT)。当TFT经由其中一条栅极线被触发时，会经由一条对应的源极线将影像数据传送至电容。然而，在影像数据的传送过程中，源极线与栅极线之间所存在杂散电容会被充电及放电许多次，而造成大量的功率损失。
再者，对于液晶显示器来说，当电容中的影像数据被更新时，影像数据的极性通常需要反转以避免液晶材料的劣化。如此一来，电容会被充电及放电许多次，而这种频繁地改变电容的电压极性的动作将会造成功率损失的增加。因此，如何降低显示时的功率耗损，乃业界所致力的方向之一。
发明内容
本发明系有关于一种像素元件及其显示面板与控制方法，能降低功率的损耗。
根据本发明的一方面，提出一种像素元件，用于主动矩阵像素阵列。像素元件包括影像数据储存电容、栅极开关、及更新单元。更新单元包含第一至第三开关、与电容性元件。影像数据储存电容用以储存影像数据。栅极开关具有控制端耦接至对应的栅极线。栅极关开耦接于对应的源极线与影像数据储存电容之间。第一开关具有控制端以接收取样控制信号。电容性元件具有第一端以经由第一开关耦接至影像数据储存电容的像素电极。电容性元件的电容值系随着电容性元件的跨压而改变。第二开关具有控制端以耦接至电容性元件的第一端。第三开关具有控制端以接收更新控制信号。第三开关及第二开关串联耦接。第二开关及第三开关耦接于对应的源极线及影像数据储存电容之间，以接收更新数据信号。
根据本发明的另一方面，提出一种控制方法，用于一主动矩阵像素阵列。控制方法包括多个步骤。储存影像数据于主动矩阵像素阵列的影像数据储存电容。执行取样操作以储存影像数据于电容性元件。基于储存在电容性元件中的影像数据，执行更新操作以更新影像数据储存电容中的影像数据，其中更新后的影像数据的极性与影像数据储存电容在取样操作时所储存的影像数据的极性系相同。
根据本发明的另一方面，提出一种显示面板，包括主动矩阵像素阵列、源极驱动器、及栅极驱动器。主动矩阵像素阵列包括多条栅极线、多条源极线、及多个像素元件。像素元件排列成矩阵。各像素元件耦接至对应的栅极线与源极线。各像素元件的特征如前段内容所述。源极驱动器用以驱动源极线。栅极驱动器用以驱动栅极线。
为了对本发明的上述及其他方面有更佳的了解，下文特举较佳实施例，并配合所附图式，作详细说明如下。
附图说明
图1绘示显示面板的一例的方块图；
图2绘示乃图1的显示面板的像素元件的一部分的方块图；
图3A绘示乃图2中的电容性元件的一例的示意图；
图3B绘示图3A的电容性元件的电容值与其跨压之间的特性关系的座标图；
图4A绘示乃图1中的像素元件的一例的电路图；
图4B及图4C各绘示复数个供显示面板执行控制方法的信号波形的时序图；
图5A绘示当显示面板处在更新模式，并于更新时段中执行第二更新机制时的信号波形时序图；
图5B绘示当显示面板处在更新模式，并依据本发明实施例于更新时段中执行第二更新机制时的信号波形时序图；
图6-图9各绘示图4A的像素元件依据本发明实施例的电路图的一例。
主要元件符号说明：
100：显示面板
110：主动矩阵像素阵列
120：栅极驱动器
130：源极驱动器
200：更新单元
211-213、T：栅极开关
220：电容性元件
231-233：传输线
C：影像数据储存电容
D：漏极端
D1-Dm：源极线
CE：使能信号
Cg：电容值
Clc：液晶电容
Cs：储存电容
CT：第一端
G：栅极端
G1-Gn：栅极线
IL：反转层
P(x,y)：像素元件
PE：像素电极
REFRESH：更新控制信号
S：源极端
SAMPLE：取样控制信号
SOURCE：更新数据信号
t0-t2、t0’-t3’：时间点
Vcom：共同电压
Vgs：电压
Vlc：影像数据储存电容的跨压
Vpix：像素电压
Vth：临界电压
具体实施方式
以下揭露像素元件及其显示面板与控制方法的实施例。显示面板可操作在两种模式中。其中一种模式例如是主动模式，如显示装置的视频模式。而另一种模式例如是被动或更新模式，如电子装置(包含主动矩阵显示装置)的暂停(standby)模式。当操作在更新模式时，主动矩阵显示装置允许像素元件更新其中的影像数据，即维持像素元件的影像数据，而在一段时间内持续产生相同的输出信号如静态影像。
根据本发明实施例，控制方法可用于主动矩阵像素阵列。控制方法包括多个步骤。储存影像数据于主动矩阵像素阵列的影像数据储存电容。执行取样操作以储存影像数据于电容性元件。基于储存在电容性元件中的影像数据，执行更新操作以更新影像数据储存电容中的影像数据，其中更新后的影像数据的极性与影像数据储存电容在该取样操作时所储存的影像数据的极性系相同。如此，于影像数据储存电容中，其影像数据可在受到更新时仍保持相同的极性。这表示影像数据储存电容可降低充电和放电的次数，从而降低功率耗损。
请参照图1，其绘示显示面板的一例的方块图。显示面板100至少包括主动矩阵像素阵列110、栅极驱动器120、及源极驱动器130。显示面板100例如可应用在显示装置中。主动矩阵像素阵列110包含多条栅极线G1-Gn及多条源极线D1-Dm。栅极驱动器120驱动栅极线G1-Gn。源极驱动器130驱动源极线D1-Dm。主动矩阵像素阵列110更包含排成矩阵的多个像素元件。各像素元件耦接至对应的栅极线及源极线。依据本发明实施例，像素元件P(x,y)包含影像数据储存电容C、栅极开关T、及更新单元200。栅极开关T具有控制端耦接至对应的栅极线Gy，且系耦接于对应的源极线Dx与影像数据储存电容C之间。更新单元200系耦接于对应的源极线Dx及影像数据储存电容C之间。
请参照图2，其绘示乃图1的显示面板的像素元件的一部分的方块图。于此例中，更新单元200包括第一开关211、第二开关212、第三开关213、及电容性元件220。第一开关211具有控制端以接收取样控制信号SAMPLE。第二开关212具有控制端耦接至电容性元件220的第一端(标示为端点CT)。第三开关213具有控制端以接收更新控制信号REFRESH。第三开关213与第二开关212系相互串联连接。第二开关212具有一端耦接至影像数据储存电容C的像素电极(标示为端点PE)。第三开关213具有一端以接收更新数据信号SOURCE。电容性元件220具有第一端CT，其系由第一开关211耦接至影像数据储存电容C的像素电极PE。电容性元件220更具有第二端以接收使能信号CE。
于一些实施例中，取样控制信号SAMPLE与更新数据信号REFRESH系依序被使能。回应于此，更新单元220分别执行取样操作与更新操作。于取样操作中，电容性元件220被用来储存影像数据储存电容C中的影像数据。电容性元件220的电容值例如是小于影像数据储存电容C的电容值，以避免影像数据储存电容C中的影像数据在取样操作中受到显著的影响。电容性元件220可视为存储器以储存影像数据储存电容C中的数据。电容性元件220的储存数据可用来控制第二开关212，从而决定在更新操作中是否使用更新电压如更新数据信号SOURCE来更新影像数据储存电容C。如此，能使像素元件P(x,y)成为一自我更新(self-refreshing)像素存储器(memory in pixel,MIP)。以此MIP，主动矩阵像素阵列的操作概念便相仿于动态随机存取存储器(dynamic random access memory)，而能用于高解析度显示器如高阶智慧型手机(smart phone)或电子书阅读器(e-reader)的应用。
电容性元件220的电容值可随着电容性元件220的跨压而改变。电容性元件220可视为是一电压相依电容器(或变容器)，其电容值可随着其两端的电压而改变。兹以一个例子配合图3A及图3B来说明电容性元件220。
请参照图3A，其绘示乃图2中的电容性元件的一例的示意图。另请参照图3B，其绘示图3A的电容性元件的电容值与其跨压之间的特性关系的座标图。于此例中，电容性元件220可由薄膜晶体管所实现，其源极端S与漏极端D系相互电性连接。电容性元件220的电容值Cg随着其控制端(或作栅极端)G与源极端S之间的跨压Vgs而改变，如图3B所示。从图3B可知，电容性元件220有一过渡状态，其中电容值Cg会随着电压Vgs的改变而呈现显著的变化。进一步来说，当电压Vgs低于临界电压Vth时，电容性元件220在源极端S与漏极端D之间的通道会无法导电而处于关闭(turn-off)状态，且此时电容性元件220的电容值Cg很小，大多是相关于栅极端G与源极端S或漏极端D之间的边际(fringe)电容。另一方面来说，当电压Vgs高于临界电压Vth时，通道表面将会因电子的聚集而形成反转层IL。由于反转层IL是可导电的，故电容性元件220例如是处于导通(turn-on)状态，且此时电容性元件220的电容值Cg还会因栅极端G与反转层IL之间的耦合电容而变大。
于一些实施例中，电容性元件220之间的跨压可由使能信号CE及影像数据储存电容C中的影像电压来决定。依照高位或低位的二位元影像数据，使能信号CE在被除能时的位准可用来让电容性元件220选择性地操作在导通状态或关闭状态，使其电容值呈现出明显的差异性。这样的电容值差异性能使更新单元200有不同的操作。
基于电容性元件220的电容值与电压(capacitance and voltage,CV)的特性，更新单元200在更新操作中更新影像数据储存电容的影像数据。于一些实施例中，更新后的影像数据的极性与影像数据储存电容C在取样操作时所储存的影像数据的极性系相同。以下将提供进一步的范例性说明。
请参照图4A，其绘示乃图1中的像素元件的一例的电路图。于此例中，更新单元200的第一至第三开关211-213是举例为由N型薄膜晶体管所实现。电容性元件220则是N型薄膜晶体管，其控制端系作为第一端CT。第二开关212耦接于第三开关213与影像数据储存电容C之间。影像数据储存电容C是举例为两个电容器的组合，如液晶电容Clc及储存电容Cs。更新数据信号SOURCE由对应的源极线Dx所传送；栅极控制信号GATE由对应的栅极线Gy所传送；更新控制信号REFRESH、取样控制信号SAMPLE、及使能信号CE，则分别可由额外的传输线231-233所传送。
以下将配合图4B及图4C来说明图4A的像素元件的操作。图4B及图4C各绘示复数个供显示面板执行控制方法的信号波形的时序图。兹以两个更新机制来说明影像数据储存电容C的更新方式。
第一更新机制
第一更新机制的说明请参照图4A及图4B。在第一更新机制中，取样控制信号SAMPLE与更新数据信号SOURCE是依序地被使能，使更新单元200对影像数据储存电容C分别地执行取样操作及更新操作。待更新的影像数据例如是两种电压其中之一，如5V或0V。
在第一更新机制中，5V的影像数据在更新后其极性会维持不变，如“Vpix,Vcom”从“5V,0V”至“5V,0V”。
首先，参照时间点t0，像素电压Vpix初始为5V(以虚线绘示)，共同电压Vcom初始为0V，代表影像数据储存电容C中的影像数据为5V。接着，参照时间点t1，取样操作被执行。此时，取样控制信号SAMPLE被使能在高位准以导通第一开关211。经由导通的第一开关211，电容性元件220的第一端(于此例中为TFT的控制端)被偏压在与目前的像素电压Vpix实质相同的位准。这表示像素电压Vpix被取样，而有一取样电压Vsample储存在电容性元件220，即Vsample=5V。使能信号CE被除能而具有低位准，如0V。于此情况下，电容性元件220的跨压为5V(=Vsample-CE(t1)=5V-0V)。因此，电容性元件220具有高电容值，如10fF。在时间点t1后，取样控制信号SAMPLE会被除能而具有低位准。从第一开关211的穿透效应(feed-through effect)来看，由于电容性元件220有高电容值，故取样电压Vsample会有些许的电压降，如0.5V。此时，取样电压Vsample约为4.5V(5-0.5V)。
之后，更新数据信号SOURCE被使能而具有高位准，如5V。使能信号CE则是从低位准被使能为高位准，如从0V至3V。此例中，使能信号CE的高低电位差为3V，高于第二开关212的临界电压，以补偿第二开关212的临界电压。使能信号CE经由电容性元件220拉高取样电压Vsample至约7.5V(=4.5V+3V)。在取样电压Vsample与像素电压Vpix之间，有一2.5V的电压差(Vsampple-Vix=7.5V-5V)，高于第二开关212的临界电压如1V，故第二开关212会被导通。
然后，参考时间点t2，更新操作被执行。更新控制信号REFRESH被使能而具有高位准，以通导第三开关213。第二开关212于时间点t2时仍处于导通状态。经由导通的第二开关212与第三开关213，处于5V的更新数据信号SOURCE会被用来更新可能因TFT泄漏电流而衰减的像素电压Vpix。再者，共同电压Vcom系维持在低位准，如0V。因此，从图4B的时间点t1及t2可知，当第一更新机制的更新操作被执行时，更新后的影像数据(“Vpix,Vcom”=“5V,0V”)如时间点t2所示，其极性与影像数据储存电容C在时间点t1时所储存的影像数据(“Vpix,Vcom”=“5V,0V”)的极性系相同。
在第一更新机制中，0V的影像数据在更新后其极性会维持不变，如“Vpix,Vcom”从“0V,0V”至“0V,0V”。
相仿的操作说明可参照前述有关5V的影像数据，故为简洁起见于此不再重述。首先，参照时间点t0，像素电压Vpix初始为0V(以实线绘示)，共同电压Vcom初始为0V，代表影像数据储存电容C中的影像数据为0V。接着，参照时间点t1。此时，取样控制信号SAMPLE被使能在高位准以导通第一开关211，而电容性元件220的第一端CT被偏压在低位准，即Vsample=0V。使能信号CE被除能而具有低位准，如0V。此时，电容性元件220的跨压为0V，小于第二开关212的临界电压约1V。因此，电容性元件220具有低电容值，如2fF。于此情况下，当取样控制信号SAMPLE被除能时，第一开关211的穿透效应将会造成显著的电压降(如5V-)在取样电压Vsample上。此时，取样电压约为–5V(=0–5V)。
之后，使能信号CE被偏压在使能位准，如3V，从而经由电容性元件220拉高取样电压Vsample至约–2V(=–5V+3V)。此时，由于–2V(Vsample–Vpix=–2V–0V)的电压差小于第二开关的1V的临界电压，故第二开关212会被关闭。
然后，参考时间点t2。更新数据信号SOURCE被使能而具有高位准，以导通第三开关213。此时，由于第二开关212被关闭无法导通，故5V的更新数据信号SOURCE并无法用来更新0V的像素电压Vpix，使得0V的像素电压Vpix可维持在0V附近。因此，从图4B的时间点t1及t2可知，当第一更新机制的更新操作被执行时，更新后的影像数据(“Vpix,Vcom”=“0V,0V”)如时间点t2所示，其极性与影像数据储存电容C在时间点t1时所储存的影像数据(“Vpix,Vcom”=“0V,0V”)的极性系相同。
进一步地，对于0V的影像数据来说，其0V的像素电压的维持方式系说明如下。有关0V的影像数据，0V的像素电压Vpix在第一更新机制中可与源极线Dx相互隔离。由于TFT开关如开关212及213的泄漏电流，0V的像素电压可能会无法避免逐渐偏移其位准。为了改善TFT泄漏电流所导致的此种电压偏移，可藉由将源极线Dx的电压等压在0V。例如，可经由源极线Dx提供0V的电压。在与图4B有关的一些实施例中，更新数据信号SOURCE可维持在0V较长的、主要的时段。例如，维持在0V的时段例如但不受限地是100毫秒，而取样与更新操作的总时间例如是相对较短的时段，如5毫秒。如此，馈入至像素的电荷总量可被减小，甚而可被忽略。如此，便能将0V的像素电压维持在0V。
依据第一更新机制，对5V和0V的影像数据而言，当更新操作被执行时，更新后的影像数据的极性与影像数据储存电容C在取样操作时所储存的影像数据的极性系相同，如“Vpix,Vcom”从“5V,0V”至5V,0V”，以及“Vpix,Vcom”从“0V,0V”至“0V,0V”。如此，功耗用来回复泄漏的电荷。这样的功耗通常很小，其原因是回复影像数据的泄漏电荷所需的功耗会低于反转影像数据的极性所需的功耗。
再者，有关第一更新机制中0V的像素电压Vpix，第二开关212可一直维持在关闭状态来隔绝影像数据储存电容C与源极线Dx，故无论影像数据储存电容C中的数据为何，源极线Dx在更新操作中可传送相同的电压。如此，第一更新机制可使用相同的一组信号来更新5V与0V的影像数据，而使驱动显示面板的复杂性得以降低。
第二更新机制
第二更新机制的说明请参照图4A及图4C。在第二更新机制中，取样控制信号SAMPLE、栅极控制信号GATE、及更新数据信号SOURCE是依序地被使能。回应于此，更新单元200与栅极开关T依序执行取样操作、预充电操作、及更新操作在影像数据储存电容C上。第二更新机制与第一更新机制不同在于共同电压Vcom是受到反转(flip)的，例如是从0V转换至5V，藉以在更新影像数据储存电容C时反转其极性。再者，使能信号CE是除能在第一位准如–8V，且使能在第二位准如–5V。此些位准系规划在低于5V或0V的像素电压，以使电容性元件220在依照图3B所示的CV曲线下，成为具有固定、高电容值的电容器。
在第二更新机制中，5V的影像数据在更新后其极性会受到反转，如“Vpix,Vcom”从“5V,0V”至“0V,5V”。
首先，参照时间点t0’，像素电压Vpix初始为5V(以虚线绘示)，共同电压Vcom初始为0V。接着，参照时间点t1’，取样操作被执行，其系相仿于图4B所示者。此时，由于电容性元件220具有大电容值，故取样电压Vsample约为4.5V(=5V–0.5V)。在取样操作后，由于使能信号CE在其第一及第二位准之间有3V的电压差，故此时的使能信号CE将会被使能以拉高取样电压Vsample至约7.5V(=4.5V+3V)。
接着，参考时间点t2’，预充电操作被执行。此时，栅极控制信号GATE被使能于高位准以导通栅极开关T。更新数据信号SOURCE被使能在高位准如5V。经由导通的栅极开关T，5V的更新数据信号SOURCE可用来维持5V的像素电压Vpix于5V，而共同电压Vcom于此时系受到反转。因此，影像数据储存电容C会被电性中和，即其跨压为0V。
之后，参照时间点t3’，更新操作被执行。更新控制信号REFRESH被使能而具有高位准，以通导第三开关213。此时，使能信号CE受到除能，而取样电压Vsample会被拉低至约4.5V(=7.5V–3V)。此取样电压Vsample仍足以导通第二开关212，因更新数据信号SOURCE此时是处于0V。更详细地说，第二开关212会被导通，因4.5V(Vsample–SOURCE(t3’)=4.5V–0V)的电压差高于其1V的临界电压。经由导通的第二开关212及第三开关213，0V的更新数据信号SOURCE会被提供以更新5V的像素电压Vpix。如此，从图4C的时间点t1’及t3’可知，当更新操作在第二更新机制中执行时，更新后的影像数据(“Vpix,Vcom”=“5V,0V”)如时间点t3’所示，其极性与时间点t1’的影像数据(“Vpix,Vcom”=“0V,5V”)的极性相反。
在第二更新机制中，0V的影像数据在更新后其极性会受到反转，如“Vpix,Vcom”从“0V,0V”至“5V,5V”。
相仿的操作说明可参照前述有关5V的影像数据，故为简洁起见于此不再重述。首先，参照时间点t0’，像素电压Vpix初始为0V(以实线绘示)，共同电压Vcom初始为0V。接着，参照时间点t1’。此时，由于电容性元件220具有较大的电容值，故取样电压Vsample约为–0.5V(=0V–0.5V)。在取样操作后，由于使能信号CE在其第一及第二位准之间有3V的电压差，故此时的使能信号CE将会被使能以拉高取样电压Vsample至约2.5V(=–0.5V+3V)。然后，参照时间点t2’，栅极开关T因使能的栅极控制信号GATE而被导通。经由导通的T，5V的更新数据信号SOURCE可用来更新0V的像素电压Vpix为5V，而共同电压Vcom于此时系受到反转。因此，影像数据储存电容C会被电性中和，即其跨压为0V。
之后，参照时间点t3’，取样电压Vsample会被拉低至约–0.5V(=2.5V–3V)。此时，第二开关212会被断开，使0V的更新数据信号SOURCE无法用来更新5V的像素电压Vpix。如此，从图4C的时间点t1’及t3’可知，当更新操作在第二更新机制中执行时，更新后的影像数据(“Vpix,Vcom”=“0V,0V”)如时间点t3’所示，其极性与时间点t1’的影像数据(“Vpix,Vcom”=“5V,5V”)的极性相反。
根据第二更新机制，对5V和0V的影像数据而言，当更新操作被执行时，更新后的影像数据的极性与影像数据储存电容C在取样操作时所储存的影像数据的极性系相反，如“Vpix,Vcom”从“5V,0V”至0V,5V”，以及“Vpix,Vcom”从“0V,0V”至“5V,5V”。如此，可降低影像残留(image sticking)的效应。也就是说，由于影像残留通常是直流电压施加在影像数据储存电容两端过久所造成的，因此，第二更新机制可用来反转影像数据储存电容的影像数据的极性，从而降低影像残留。
于本发明实施例中，系藉由选择性地使用上述的第一及第二更新机制，以实现整合的更新机制。如此，不仅能减少功耗，还能改善影像残留。兹配合图5A及图5B及进一步说明如下。
图5A绘示当显示面板处在更新模式，并于更新时段中执行第二更新机制时的信号波形时序图。图5B绘示当显示面板处在更新模式，并依据本发明实施例于更新时段中执行第二更新机制时的信号波形时序图。于图5A中，第二更新机制系被执行三次以用来更新影像数据储存电容，故知影像数据储存电容的跨压Vlc亦被反转三次，如虚线绘示。相对地，在图5B所示的例中，第一更新机制系被执行二次并伴随一次的第二更新机制，故知影像数据储存电容的跨压Vlc被反转一次，如虚线绘示。从图5A及图5B可知，由于图5B使用整合的更新机制，故影像数据的极性的反转次数会被减少。如此，相较于图5A所示的第二更新机制所需的功耗，图5B所示的整合更新机制所需的功耗较少。
于图5B的例中，是以两次的第一更新机制配合一次的第二更新机制为例做说明。于另些实施例中，也可以十次的第一更新机制配合一次的第二更新机制，以进一步减少功耗。相对第二更新机制来增加第一更新机制的执行次数，代表着影像数据的反转次数可减少，从而节省功耗。于实作中，第一与第二更新机制的次数可有不同的设计而用来满足不同的需求，并不在此限。
另外，有关本发明实施例，图4A的像素元件可有更多种不同的电路实施态样。其中，兹以四个像素元件的实施例为例，并配合图6-图9作详细说明。
图6绘示图4A的像素元件依据本发明实施例的电路图的一例。图6的像素元件与图4A的像素元件不同在于，电容性元件220的第二端系耦接至对应的源极线Dx。如此，便可省略使能信号CE及额外的传输线。
图7绘示图4A的像素元件依据本发明实施例的电路图的另一例。图7的像素元件与图2的像素元件不同在于，栅极开关T的两数据端系电性连接至第二开关212的两数据端。
图8绘示图4A的像素元件依据本发明实施例的电路图的另一例。图8的像素元件与图7的像素元件不同在于，第三开关213系耦接于第二开关212与影像数据储存电容C之间。
图9绘示图4A的像素元件依据本发明实施例的电路图的另一例。图9的像素元件与图4A的像素元件不同在于，电容性元件220是P型TFT，其源极端与漏极端系电性连接至影像数据储存电容C并作为第一端CT。
藉由适当的控制信号让开关212-213及栅极开关T使用，如图4B、图4C所示的取样控制信号SAMPLE、栅极控制信号GATE、更新控制信号REFRESH、更新数据信号SOURCE、及使能信号CE，则图6-图9的像素元件便能与图4A的像素元件有相仿的性能与功效。至于图6-图9的像素元件，其操作可参照上述有关图4A的电路叙述而知悉，故为简洁起见不于此重述。
本发明上述实施例的像素元件及其显示面板与控制方法，使用具有可变电容值的电容性元件来储存影像数据储存电容中的数据。当影像数据储存电容的数据被存储在电容性元件后，便可更新影像数据储存电容并保持其极性。影像数据储存电容可以两种更新操作的整合更新机制而受到更新。基于整合更新机制，影像数据储存电容的更新后的影像数据便可选择性地与影像数据储存电容在取样操作时所储存的影像数据的极性相同，从而减少功耗。
综上所述，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明。本发明所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作各种的更动与润饰。因此，本发明的保护范围当视后附的申请专利范围所界定者为准。

Claims (10)

1.一种像素元件，用于一主动矩阵像素阵列，其特征在于，所述的像素元件包括：
一影像数据储存电容，用以储存影像数据；
一栅极开关，具有一控制端耦接至一对应的栅极线，所述的栅极关开系耦接于一对应的源极线与所述的影像数据储存电容之间；以及
一更新单元，连接于所述的源极线与所述的影像数据储存电容之间，用以对所述的影像数据储存电容执行一取样操作与一更新操作；
其中，当所述的更新单元执行所述的更新操作时，所述的更新单元更新所述的影像数据储存电容所中的影像数据，更新后的影像数据的极性与所述的影像数据储存电容在所述的取样操作时所储存的影像数据的极性系相同。
2.如权利要求1所述的像素元件，其特征在于，所述的更新单元包括：
一第一开关，具有一控制端以接收一取样控制信号；
一电容性元件，具有一第一端，所述的电容性元件的所述的第一端系经由所述的第一开关耦接至所述的影像数据储存电容的一像素电极，所述的电容性元件的电容值系随着所述的电容性元件的跨压而改变；以及
一第二开关，具有一控制端耦接至所述的电容性元件的所述的第一端；
一第三开关，具有一控制端以接收一更新控制信号，所述的第二开关与所述的第三开关系串联连接，所述的第二开关与所述的第三开关系耦接于所述的影像数据储存电容与所述的像素元件的所述的源极线之间，以接收一更新数据信号。
3.如权利要求1所述的像素元件，其特征在于，所述的电容性元件系一薄膜晶体管，具有一源极端与一漏极性相互电性连接。
4.如权利要求3所述的像素元件，其特征在于，所述的薄膜晶体管系一N型薄膜晶体管，具有一控制端作为所述的第一端。
5.如权利要求3所述的像素元件，其特征在于，所述的薄膜晶体管系一P型薄膜晶体管，所述的源极端与所述的漏极端系电性连接至所述的影像数据储存电容且作为所述的第一端。
6.如权利要求1所述的像素元件，其特征在于，所述的电容性元件更具有一第二端以接收一使能信号。
7.如权利要求1所述的像素元件，其特征在于，所述的第二开关系耦接于所述的第三开关与所述的影像数据储存电容之间，或所述的第三开关系耦接于所述的第二开关与所述的影像数据储存电容之间。
8.一种控制方法，用于一主动矩阵像素阵列，其特征在于，所述的控制方法包括：
储存影像数据于所述的主动矩阵像素阵列的一影像数据储存电容；
执行一取样操作以储存所述的影像数据于一电容性元件；以及
基于储存在所述的电容性元件中的影像数据，执行一更新操作以更新所述的影像数据储存电容中的影像数据，其中更新后的影像数据的极性与所述的影像数据储存电容在所述的取样操作时所储存的影像数据的极性系相同。
9.如权利要求8所述的控制方法，在执行所述的更新操作的步骤后，其特征在于，所述的控制方法更包括：
执行另一取样操作以储存所述的影像数据于所述的电容性元件；以及
执行另一更新操作以更新所述的影像数据储存电容中的影像数据，其中更新后的影像数据的极性与所述的影像数据储存电容在所述的另一取样操作时所储存的影像数据的极性系相反。
10.一种显示面板，其特征在于，所述的显示面板包括：
一主动矩阵像素阵列，包括：
复数条栅极线；
复数条源极线；
复数个像素元件，排列成一矩阵，各像素元件耦接至对应的栅极线与源极线，各像素元件的特征如权利要求1所述；
一源极驱动器，用以驱动所述的源极线；以及
一栅极驱动器，用以驱动所述的栅极线。
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