CN102881801A - 背切式发光二极管封装结构及其制作方法 - Google Patents

背切式发光二极管封装结构及其制作方法 Download PDF

Info

Publication number
CN102881801A
CN102881801A CN2011101992087A CN201110199208A CN102881801A CN 102881801 A CN102881801 A CN 102881801A CN 2011101992087 A CN2011101992087 A CN 2011101992087A CN 201110199208 A CN201110199208 A CN 201110199208A CN 102881801 A CN102881801 A CN 102881801A
Authority
CN
China
Prior art keywords
led
package structure
cut
substrate
emitting diode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN2011101992087A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102881801B (zh
Inventor
汪秉龙
萧松益
陈政吉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Harvatek Corp
Original Assignee
Harvatek Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Harvatek Corp filed Critical Harvatek Corp
Priority to CN201110199208.7A priority Critical patent/CN102881801B/zh
Publication of CN102881801A publication Critical patent/CN102881801A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102881801B publication Critical patent/CN102881801B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

本发明为一种背切式发光二极管封装结构，包括：一基板单元、一发光单元、及一封装单元。基板单元包括一基板本体，基板本体具有一正面、一对应于正面的背面、及一连接于正面与背面之间且环绕基板本体的周围表面，基板本体的周围表面具有多个从所述背面往所述正面方向切割所形成的基板切割纹路；发光单元包括：至少一设置于基板本体的正面上且电性连接于基板本体的发光组件；封装单元包括：一成形于基板本体的正面上且覆盖上述至少一发光组件的封装胶体，其中封装胶体具有一连接于周围表面的围绕表面，且具有多个从背面往正面方向切割所形成的胶体切割纹路。通过背切方式而制成的发光二极管封装结构，可有效改善传统正面切割造成发光二极管封装结构破碎的问题。

Description

背切式发光二极管封装结构及其制作方法
技术领域
本发明有关于一种发光二极管封装结构及其制作方法，尤指一种以背切方式制造的发光二极管封装结构及其制作方法。
背景技术
请参照图1所示为以往发光二极管封装结构的切割示意图。由图中可知，以往发光二极管封装结构的切割方法为：提供一电路基板1a、一设置于所述电路基板1a上端的发光二极管芯片2a、及一封装晶体3a所形成的数组式发光二极管封装结构。在切割过程中为避免刀座部D摩擦所述封装晶体3a，须露出一刀刃部E用以深入切割处，所述刀刃部因此产生一段无效区，此无效区将减少刀具使用寿命；另外，切割刀露出刀刃部E太长，易造成崩刀问题，不仅影响刀具寿命，更因力臂较长而导致入刀时稳定度不佳，造成发光二极管封装结构被切割面容易产生破碎的问题，使生产成本增加，影响产品合格率。
发明内容
本发明实施例在于提供一种发光二极管封装结构，可通过背切方式制造。
本发明实施例在于提供一种发光二极管封装结构的制造方法，可通过背切方式制造。
本发明实施例提供一种背切式发光二极管封装结构，包括：一基板单元、一发光单元、一封装单元。基板单元包括一基板本体，基板本体具有一正面、一对应于正面的背面、及一连接于正面与背面之间且环绕基板本体的周围表面，基板本体的周围表面具有多个从所述背面往所述正面方向切割所形成的基板切割纹路；发光单元包括：至少一设置于基板本体的正面上且电性连接于基板本体的发光组件；封装单元包括：一成形于基板本体的正面上且覆盖上述至少一发光组件的封装胶体，其中封装胶体具有一连接于周围表面的围绕表面，且具有多个从背面往正面方向切割所形成的胶体切割纹路。
本发明实施例提供一种背切式发光二极管封装结构的制造方法，包括以下步骤：提供一数组式发光二极管封装结构，包括：一基底、多个设置于基底正面上且电性连接于基底的发光单元、及一成形于基底正面上且覆盖上述多个发光单元的透镜组，其中透镜组包括：多个分别对应上述多个发光单元的透镜；将数组式发光二极管封装结构放置于一填充有液态胶的治具内，其中透镜组面向且接触液态胶，基底具有一外露且对应于正面的背面；将液态胶固化以形成一固态胶体，以使得数组式发光二极管封装结构相对于治具的位置被固态胶体所固定；从基底背面朝固态胶体的方向切割数组式发光二极管封装结构的基底与透镜组，以形成多个背切式发光二极管封装结构；将一胶带同时贴附于每一个背切式发光二极管封装结构的背面；将固态胶体液化以恢复成液态胶；将上述贴附于胶带的每一个背切式发光二极管封装结构从治具中取出，其中每一个背切式发光二极管封装结构的表面上残留些许的残渣；除去每一个背切式发光二极管封装结构的残渣；以及将贴附于胶带上的每一个背切式发光二极管封装结构从胶带上剥离。
换句话说，本发明为一种背切式发光二极管封装结构，其中，包括：
一基板单元，包括：一基板本体，所述基板本体具有一正面、一对应于所述正面的背面、及一连接于所述正面与所述背面之间且环绕所述基板本体的周围表面，所述基板本体的周围表面具有多个从所述背面往所述正面方向切割所形成的基板切割纹路；
一发光单元，包括：至少一设置于所述基板本体的正面上且电性连接于所述基板本体的发光组件；以及
一封装单元，包括：一成形于所述基板本体的正面上且覆盖上述至少一发光组件的封装胶体，其中所述封装胶体具有一连接于所述周围表面的围绕表面，且具有多个从所述背面往所述正面方向切割所形成的胶体切割纹路。
本发明所述的背切式发光二极管封装结构，其中，所述基板本体为陶瓷基板、硅基板、铜基板、导线脚架构、或印刷电路基板。
本发明所述的背切式发光二极管封装结构，其中，还包括一胶带，粘着于所述基板本体的背面上。
本发明所述的背切式发光二极管封装结构，其中，上述至少一发光组件为发光二极管裸晶。
本发明所述的背切式发光二极管封装结构，其中，所述封装胶体为一由硅胶或环氧树脂所形成的透镜。
本发明为一种背切式发光二极管的制造方法，其中，包括以下步骤：
提供一数组式发光二极管封装结构，其包括一基底、多个设置于所述基底正面上且电性连接于所述基底的发光单元、及一成形于所述基底正面上且覆盖上述多个发光单元的透镜组，其中所述透镜组包括多个分别对应上述多个发光单元的透镜；
将所述数组式发光二极管封装结构放置于一填充有液态胶的治具内，其中所述透镜组面向且接触所述液态胶，所述基底具有一外露且对应于所述正面的背面；
将所述液态胶固化以形成一固态胶体，以使得所述数组式发光二极管封装结构相对于所述治具的位置被所述固态胶体所固定；
从所述基底背面朝所述固态胶体的方向切割所述数组式发光二极管封装结构的基底与透镜组，以形成多个背切式发光二极管封装结构；
将一胶带同时贴附于每一个背切式发光二极管封装结构的背面；
将所述固态胶体液化以恢复成所述液态胶；
将上述贴附于所述胶带的每一个背切式发光二极管封装结构从所述治具中取出，其中每一个背切式发光二极管封装结构的表面上残留些许的残渣；
除去每一个背切式发光二极管封装结构的残渣；以及
将贴附于所述胶带上的每一个背切式发光二极管封装结构从所述胶带上剥离。
本发明所述的应用于背切式发光二极管的制造方法，其中，所述治具有一底板及一设置于所述底板上的中空框体。
本发明所述的应用于背切式发光二极管的制造方法，其中，所述液态胶为蜡油、果冻胶、或水解胶。
本发明所述的应用于背切式发光二极管的制造方法，其中，所述固态胶体的液化步骤为将所述治具加热至80℃～100℃，使所述固态胶体液化以恢复成所述液态胶。
本发明所述的应用于背切式发光二极管的制造方法，其中，除去步骤为以100℃热水清除所述背切式发光二极管封装结构的残渣。
本发明所述的应用于背切式发光二极管的制造方法，其中，除去步骤为以80℃异丙醇清除所述背切式发光二极管封装结构的残渣。
本发明所述的应用于背切式发光二极管的制造方法，其中，除去步骤为以90℃热水与超声波震荡清除所述背切式发光二极管封装结构的残渣。
本发明所述的应用于背切式发光二极管的制造方法，其中，除去步骤为以90℃异丙醇与超声波震荡清除所述背切式发光二极管封装结构的残渣。
本发明所述的应用于背切式发光二极管的制造方法，其中，除去步骤为以90℃纯水与超声波震荡清除所述背切式发光二极管封装结构的残渣。
本发明所述的应用于背切式发光二极管的制造方法，其中，每一个背切式发光二极管封装结构，包括：
一基板单元，包括：一基板本体，所述基板本体具有一正面、一对应于所述正面的背面、及一连接于所述正面与所述背面之间且环绕所述基板本体的周围表面，所述基板本体的周围表面具有多个从所述背面往所述正面方向切割所形成的基板切割纹路；
一发光单元，包括：至少一设置于所述基板本体的正面上且电性连接于所述基板本体的发光组件；以及
一封装单元，包括：一成形于所述基板本体的正面上且覆盖上述至少一发光组件的封装胶体，其中所述封装胶体具有一连接于所述周围表面的围绕表面，且具有多个从所述背面往所述正面方向切割所形成的胶体切割纹路。
综上所述，通过背切方式而制成发光二极管封装结构的制造方法，可以令切割工具行程缩短、有效提升工具使用寿命减少库存；可应用于高胶体的产品；且胶材可重复利用。背切式发光二极管封装结构在切割过程中被固态胶所包覆固定，可有效改善传统正面切割造成基板及封装单元被切割面的破碎问题，以使得本发明具有提升背切式发光二极管封装结构的生产合格率的功效。
为使能更进一步了解本发明的特征及技术内容，请参照以下有关本发明的详细说明与附图，然而所附图式仅提供参考与说明之用，并非用来对本发明加以限制。
附图说明
图1为先前技术的示意图；
图2为本发明背切式发光二极管封装结构的制作方法的流程图；
图2A至图2G分别为本发明背切式发光二极管封装结构的制作方法的制作流程示意图；以及
图3为本发明背切式发光二极管封装结构的侧视示意图。
附图标记的说明
[先前的]
Figure BSA00000539062100051
[本发明]
具体实施方式
请参照图2、图2A至图2G所示，本发明提供一种背切式发光二极管封装结构Z的制作方法，至少包括以下几个步骤：
步骤S100：请参照图2及图2A所示，提供一数组式发光二极管封装结构Z′，包括：一基底10′、多个设置于所述基底的正面101′上且电性连接于所述基底10′的发光单元20′、及一成形于所述基底的正面101′上且覆盖上述多个发光单元20′的透镜组302′，其中所述透镜组包括多个分别对应上述多个发光单元20′的透镜。举例来说，基底的正面101′可具有多个预定的导电线路，而上述多个发光单元20′可通过打线或覆晶的方式而电性连接于基底10′。
步骤S102：请参照图2及图2B所示，将所述数组式发光二极管封装结构Z′放置于一填充有液态胶A的治具B内，其中所述透镜组302′面向且接触所述液态胶A，所述基底10′具有一外露且对应于所述正面101′的背面102′；所述液态胶A为一种液态，且固化后具有固定功能的胶体，举例来说所述液态胶A可为蜡油、果冻胶、或水解胶；所述治具B有一底板B1及一设置于所述底板上的中空框体B2，且所述治具B具有高强度且不易变形的材质特性，举例来说治具B可采用钢材质。
步骤S103：请参照图2及图2B，将所述液态胶A固化以形成一固态胶体A′，以使得所述数组式发光二极管封装结构Z′相对于所述治具B的位置被所述固态胶体A′所固定，举例来说，可选择液态胶A为蜡油，则其固化方式为冷却所述蜡油，凝结为蜡块后便可固定数组式发光二极管封装结构Z′相对于所述治具B的位置。
步骤S104：请参照图2及图2B、2C所示，从所述基底的背面102′朝所述固态胶体A′的方向切割所述数组式发光二极管封装结构Z′的基底10′与透镜组302′，以形成多个背切式发光二极管封装结构Z；切割深度为恰好切断基底10′与透镜组302′，且与中空框体的上表面B1高度一致，使每一个背切示发光二极管封装结构Z具有相同的外形。
步骤S106：请参照图2及图2D所示，将一胶带C同时贴附于每一个背切式发光二极管封装结构Z的背面102。
步骤S108：请参照图2及图2D所示，将所述固态胶体A′液化以恢复成所述液态胶A。此时液态胶A不再提供固定每一个背切示发光二极管封装结构Z相对于治具B的功能，所述胶带C的功能在于链接全部背切示发光二极管封装结构Z。举例说明：其中所述固态胶体的液化步骤可为将所述治具B加热至80℃～100℃，使所述固态胶体A′液化以恢复成所述液态胶A。此时每一个背切示发光二极管封装结构Z通过所述胶带C彼此拘束，但与所述治具B互为自由体。
步骤S110：请参照图2及图2E所示，将上述贴附于所述胶带C的每一个背切式发光二极管封装结构Z从所述治具B中取出，其中每一个背切式发光二极管封装结构Z的表面上残留些许的残渣A1。这是因为每一个背切示发光二极管封装结构Z通过所述胶带C彼此拘束，故可轻易取出全部的背切式发光二极管封装结构Z。
步骤S112：请参照图2、图2E及图2F所示，除去每一个背切式发光二极管封装结构Z的残渣A1，使每一个背切式发光二极管封装结构Z的表面具有更高透光性，其中除去步骤为如下举例：可以100℃热水、80℃异丙醇、90℃热水与超声波震荡、90℃异丙醇与超声波震荡、或以90℃纯水与超声波震荡反复清除所述背切式发光二极管封装结构的残渣A1直到清除干净。
步骤S114：请参照图2、图2F及图2G所示，将贴附于所述胶带C上的每一个背切式发光二极管封装结构Z从所述胶带C上剥离，得到多个背切式发光二极管封装结构Z。
请参照图3所示，本发明提供一种背切式发光二极管封装结构Z，包括：一基板单元1、一发光单元2、一封装单元3。
其中基板单元1包括：一基板本体10，所述基板本体10具有一含导电线路的正面101、一对应于所述正面101的背面102、及一连接于所述正面101与所述背面102之间且环绕所述基板本体10的周围表面103，所述基板本体10的周围表面103具有多个从所述背面102往所述正面101方向切割所形成的基板切割纹路(图中未示出)；举例来说所述基板本体10可为陶瓷基板、硅基板、或铜基板的电路板；还包括一胶带，其粘着贴附于基板本体10的背面102上。
其次，发光单元2包括：至少一设置于所述基板本体10的正面101上且电性连接于所述基板本体10的发光组件20。举例来说：发光组件20可为一发光二极管裸晶。当然，依据不同的设计需求，本发明的发光单元2也可包括多个同时设置于基板本体10上且同时电性连接于基板本体10之发光组件20。
另外，封装单元3包括：一成形于所述基板本体10的正面101上且覆盖上述至少一发光组件20的封装胶体30，其中所述封装胶体30具有一连接于所述周围表面103的围绕表面301，且具有多个从所述背面102往所述正面101方向切割所形成的胶体切割纹路(图中未示出)。依据不同的设计需求，封装胶体30可为一由硅胶或环氧树脂所形成的透镜302。
综上所述，通过背切方式而制成的上述至少一发光二极管封装结构制作方法，可令切割工具行程缩短、有效提升工具使用寿命减少库存；可应用于高胶体的产品；且胶材可重复利用。背切式发光二极管封装结构在切割过程中被固态胶所包覆固定，可有效改善传统正面切割造成基板及封装单元被切割面的破碎问题，以使得本发明具有提升背切式发光二极管封装结构的生产合格率的功效。
虽然本发明公开的实施例如上所述，这些实施例仅为例示说明之用，而不应被解释为对本发明实施的限制。在不脱离本发明的实质范围内，其他的改动或者变化，均属本发明的保护范围。

Claims (15)

1.一种背切式发光二极管封装结构，其特征在于，包括：
一基板单元，包括：一基板本体，所述基板本体具有一正面、一对应于所述正面的背面、及一连接于所述正面与所述背面之间且环绕所述基板本体的周围表面，所述基板本体的周围表面具有多个从所述背面往所述正面方向切割所形成的基板切割纹路；
一发光单元，包括：至少一设置于所述基板本体的正面上且电性连接于所述基板本体的发光组件；以及
一封装单元，包括：一成形于所述基板本体的正面上且覆盖上述至少一发光组件的封装胶体，其中所述封装胶体具有一连接于所述周围表面的围绕表面，且具有多个从所述背面往所述正面方向切割所形成的胶体切割纹路。
2.根据权利要求1所述的背切式发光二极管封装结构，其特征在于，所述基板本体为陶瓷基板、硅基板、铜基板、导线脚架构、或印刷电路基板。
3.根据权利要求1所述的背切式发光二极管封装结构，其特征在于，还包括一胶带，粘着于所述基板本体的背面上。
4.根据权利要求1所述的背切式发光二极管封装结构，其特征在于，上述至少一发光组件为发光二极管裸晶。
5.根据权利要求1所述的背切式发光二极管封装结构，其特征在于，所述封装胶体为一由硅胶或环氧树脂所形成的透镜。
6.一种背切式发光二极管的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供一数组式发光二极管封装结构，其包括一基底、多个设置于所述基底正面上且电性连接于所述基底的发光单元、及一成形于所述基底正面上且覆盖上述多个发光单元的透镜组，其中所述透镜组包括多个分别对应上述多个发光单元的透镜；
将所述数组式发光二极管封装结构放置于一填充有液态胶的治具内，其中所述透镜组面向且接触所述液态胶，所述基底具有一外露且对应于所述正面的背面；
将所述液态胶固化以形成一固态胶体，以使得所述数组式发光二极管封装结构相对于所述治具的位置被所述固态胶体所固定；
从所述基底背面朝所述固态胶体的方向切割所述数组式发光二极管封装结构的基底与透镜组，以形成多个背切式发光二极管封装结构；
将一胶带同时贴附于每一个背切式发光二极管封装结构的背面；
将所述固态胶体液化以恢复成所述液态胶；
将上述贴附于所述胶带的每一个背切式发光二极管封装结构从所述治具中取出，其中每一个背切式发光二极管封装结构的表面上残留些许的残渣；
除去每一个背切式发光二极管封装结构的残渣；以及
将贴附于所述胶带上的每一个背切式发光二极管封装结构从所述胶带上剥离。
7.根据权利要求6所述的应用于背切式发光二极管的制造方法，其特征在于，所述治具有一底板及一设置于所述底板上的中空框体。
8.根据权利要求6所述的应用于背切式发光二极管的制造方法，其特征在于，所述液态胶为蜡油、果冻胶、或水解胶。
9.根据权利要求6所述的应用于背切式发光二极管的制造方法，其特征在于，所述固态胶体的液化步骤为将所述治具加热至80℃～100℃，使所述固态胶体液化以恢复成所述液态胶。
10.根据权利要求6所述的应用于背切式发光二极管的制造方法，其特征在于，除去步骤为以100℃热水清除所述背切式发光二极管封装结构的残渣。
11.根据权利要求6所述的应用于背切式发光二极管的制造方法，其特征在于，除去步骤为以80℃异丙醇清除所述背切式发光二极管封装结构的残渣。
12.根据权利要求6所述的应用于背切式发光二极管的制造方法，其特征在于，除去步骤为以90℃热水与超声波震荡清除所述背切式发光二极管封装结构的残渣。
13.根据权利要求6所述的应用于背切式发光二极管的制造方法，其特征在于，除去步骤为以90℃异丙醇与超声波震荡清除所述背切式发光二极管封装结构的残渣。
14.根据权利要求6所述的应用于背切式发光二极管的制造方法，其特征在于，除去步骤为以90℃纯水与超声波震荡清除所述背切式发光二极管封装结构的残渣。
15.根据权利要求6所述的应用于背切式发光二极管的制造方法，其特征在于，每一个背切式发光二极管封装结构，包括：
一基板单元，包括：一基板本体，所述基板本体具有一正面、一对应于所述正面的背面、及一连接于所述正面与所述背面之间且环绕所述基板本体的周围表面，所述基板本体的周围表面具有多个从所述背面往所述正面方向切割所形成的基板切割纹路；
一发光单元，包括：至少一设置于所述基板本体的正面上且电性连接于所述基板本体的发光组件；以及
一封装单元，包括：一成形于所述基板本体的正面上且覆盖上述至少一发光组件的封装胶体，其中所述封装胶体具有一连接于所述周围表面的围绕表面，且具有多个从所述背面往所述正面方向切割所形成的胶体切割纹路。
CN201110199208.7A 2011-07-12 2011-07-12 背切式发光二极管封装结构及其制作方法 Active CN102881801B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201110199208.7A CN102881801B (zh) 2011-07-12 2011-07-12 背切式发光二极管封装结构及其制作方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201110199208.7A CN102881801B (zh) 2011-07-12 2011-07-12 背切式发光二极管封装结构及其制作方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102881801A true CN102881801A (zh) 2013-01-16
CN102881801B CN102881801B (zh) 2015-10-21

Family

ID=47483059

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201110199208.7A Active CN102881801B (zh) 2011-07-12 2011-07-12 背切式发光二极管封装结构及其制作方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN102881801B (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105070750A (zh) * 2015-06-30 2015-11-18 南通康比电子有限公司 一种二极管腐蚀清洗工艺
CN112133693A (zh) * 2020-10-13 2020-12-25 业成科技（成都）有限公司 封装结构及制造方法与背光源组件、电子设备、封装设备
CN113524473A (zh) * 2021-07-09 2021-10-22 苏州晶方半导体科技股份有限公司 光学基板的切割方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000208820A (ja) * 1999-01-14 2000-07-28 Stanley Electric Co Ltd 発光ダイオ―ド及びその製造方法
CN1956159A (zh) * 2005-10-24 2007-05-02 南茂科技股份有限公司 发光二极管的晶圆级测试方法及构造
US20080193749A1 (en) * 2007-02-13 2008-08-14 Thompson D Scott Molded optical articles and methods of making same
US20100176407A1 (en) * 2009-01-15 2010-07-15 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Method for manufacturing light emitting diode package and package structure thereof
CN101859852A (zh) * 2010-05-13 2010-10-13 厦门市三安光电科技有限公司 提高铝镓铟磷系发光二极管产能的制作工艺
US20100321941A1 (en) * 2009-06-22 2010-12-23 Takaaki Sakai Method for manufacturing light emitting apparatus, light emitting apparatus, and mounting base thereof

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000208820A (ja) * 1999-01-14 2000-07-28 Stanley Electric Co Ltd 発光ダイオ―ド及びその製造方法
CN1956159A (zh) * 2005-10-24 2007-05-02 南茂科技股份有限公司 发光二极管的晶圆级测试方法及构造
US20080193749A1 (en) * 2007-02-13 2008-08-14 Thompson D Scott Molded optical articles and methods of making same
US20100176407A1 (en) * 2009-01-15 2010-07-15 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Method for manufacturing light emitting diode package and package structure thereof
US20100321941A1 (en) * 2009-06-22 2010-12-23 Takaaki Sakai Method for manufacturing light emitting apparatus, light emitting apparatus, and mounting base thereof
CN101859852A (zh) * 2010-05-13 2010-10-13 厦门市三安光电科技有限公司 提高铝镓铟磷系发光二极管产能的制作工艺

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105070750A (zh) * 2015-06-30 2015-11-18 南通康比电子有限公司 一种二极管腐蚀清洗工艺
CN112133693A (zh) * 2020-10-13 2020-12-25 业成科技（成都）有限公司 封装结构及制造方法与背光源组件、电子设备、封装设备
CN113524473A (zh) * 2021-07-09 2021-10-22 苏州晶方半导体科技股份有限公司 光学基板的切割方法
CN113524473B (zh) * 2021-07-09 2023-10-20 苏州晶方半导体科技股份有限公司 光学基板的切割方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN102881801B (zh) 2015-10-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2617880C2 (ru) Прессованная линза, формирующая led-модуль масштаба интегральной схемы, и способ ее изготовления
JP5871967B2 (ja) サブマウント、これを備えた光モジュール、及びサブマウントの製造方法
US8492790B2 (en) LED package with bounding dam surrounding LED chip and thermoset encapsulation enclosing LED chip and method for manufacturing the same
TWI233701B (en) Light-source module and its production method
CN104798215B (zh) 带有蓝宝石倒装芯片的光电半导体组件
US9780271B2 (en) Method for producing optoelectronic semiconductor components, arrangement and optoelectronic semiconductor component
CN106663731B (zh) 半导体装置及其制造方法
CN103928478B (zh) 影像感测晶片封装体及其制作方法
US7701050B2 (en) Side-view optical diode package and fabricating process thereof
CN105990507B (zh) 侧照式发光二极管结构及其制造方法
CN100565828C (zh) 传感器芯片的封胶方法
CN103199187B (zh) 一种发光二极管封装基板与封装结构及其制作方法
JP6131664B2 (ja) 発光装置の製造方法および発光装置
CN102160197A (zh) 光电元件封装基座
WO2006095676A1 (ja) 光通信モジュールおよびその製造方法
CN103066192B (zh) 半导体发光光源及制造该光源和半导体发光芯片的方法
JP2013140894A (ja) Ｌｅｄ装置及びその製造方法
CN102694102A (zh) 发光二极管封装结构及其制造方法、以及光源装置
CN105393374B (zh) 具有光学元件并且没有衬底载体的pc led
CN102856464A (zh) 发光二极管封装结构及封装方法
CN102881801A (zh) 背切式发光二极管封装结构及其制作方法
CN101562138B (zh) 半导体封装件制法
CN103165794B (zh) 光学半导体装置用基台、其制造方法以及光学半导体装置
JP2017037917A (ja) リードフレーム、パッケージ及び発光装置、並びにこれらの製造方法
CN102456802A (zh) 发光二极管封装结构的制造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant