CN102859727A - 具有增强散热性的发光二极管和相关联的操作方法 - Google Patents

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Abstract

以下描述固态照明装置和相关联的散热方法。在一个实施例中，发光二极管LED装置包含散热器、热耦合至所述散热器的LED裸片和与所述LED裸片间隔开的磷光体。所述LED装置还包含与所述磷光体和所述散热器两者直接接触的导热路径。所述导热路径经配置以将热自所述磷光体传导至所述散热器。

Description

具有增强散热性的发光二极管和相关联的操作方法
技术领域
本发明涉及固态照明(SSL)装置和相关联的操作方法。详细地说，本发明涉及发光二极管(LED)和相关联的散热方法。
背景技术
移动电话、个人数字助理(PDA)、数码相机、MP3播放器和其它便携式电子装置将SSL装置(例如，白光LED)用于背景照亮。还将SSL装置用于标志和一般照亮。然而，不能得到真正的白光LED，因为LED通常仅以一个特定波长发射。为了使人眼感知到白光，需要波长的混合。
一种用于用LED仿效白光的常规技术包含将转换器材料(例如，磷光体)沉积在发光材料上。举例来说，如图1A所示，常规LED装置10包含承载LED裸片4的支撑体2和沉积在LED裸片4上的转换器材料6。LED裸片4可包含一个或一个以上发光组件。举例来说，如图1B所示，LED裸片4可包含依序堆叠的硅衬底12、N型氮化镓(GaN)材料14、氮化铟镓(InGaN)材料16(和/或GaN多量子井)和P型GaN材料18。LED裸片4还可包含在P型GaN材料18上的第一接点20和在N型GaN材料14上的第二接点22。参考图1A和1B两者，在操作中，LED裸片4的InGaN材料16发射刺激转换器材料6以所要频率发射光(例如，黄光)的蓝光。蓝色发射和黄色发射的组合在适当匹配的情况下对人眼呈现白色。
LED装置10的一个操作困难在于LED裸片4在操作期间产生大量热。所产生的热使转换器材料6的温度上升，且因此降低转换器材料6转换来自LED裸片4的发射光的效率(通常被称为“热淬灭”的现象)。结果，组合发射可呈现灰白色，且可能降低电子装置的色彩保真度。因此，可能需要LED装置的散热结构的若干改善。
发明内容
附图说明
图1A是根据先前技术的LED装置的示意性横截面图；
图1B是根据先前技术的LED裸片的示意性横截面图；
图2A至2D是根据技术的实施例的具有单一层的传导材料的LED装置的示意性横截面图；
图3A和3B是根据技术的实施例的具有多个层的传导材料的LED装置的示意性横截面图；以及
图4A至4C是根据技术的实施例的具有多个LED裸片的LED装置的示意性横截面图。
具体实施方式
以下描述SSL装置和相关联的散热方法的各种实施例。术语“LED”通常指代将电能转换成(例如)可见光谱、紫外线光谱和/或红外线光谱中的电磁辐射的半导体二极管。术语“磷光体”通常指代在暴露于受激粒子(例如，电子和/或光子)之后可继续发光的材料。所属领域的技术人员还将理解，技术可能具有额外实施例，且技术可在没有以下参看图2A至4C所描述的实施例的细节中的若干者的情况下加以实践。
图2A是根据技术的实施例的LED装置100的示意性横截面图。如图2A所示，LED装置100包含彼此依序邻近的衬底102、LED裸片104、绝缘材料106、传导材料108和转换器材料110。尽管图2A中仅展示LED装置100之前述组件，但在其它实施例中，LED装置100还可包含囊封物、透镜、彩色滤光片和/或其它合适外围组件。
衬底102可包含具有大于约1.0W/(m·K)的热导率的散热器以转移来自LED裸片104和/或转换器材料110的热。举例来说，在特定实施例中，衬底102可包含硅(Si)、氮化镓(GaN)、氮化铝(AlN)和/或其它合适半导体材料。在其它实施例中，衬底102可包含铜(Cu)、铝(Al)、钨(W)、不锈钢和/或其它合适金属和/或金属合金。在另外实施例中，衬底102可包含金刚石、玻璃、石英、碳化硅(SiC)、氧化铝(Al2O3)和/或其它合适结晶或陶瓷材料。
LED裸片104可包含单一LED或布置成阵列的多个LED。LED裸片104可经配置以经由发射区105在可见光谱(例如，自约565nm至约660nm)中、在红外线光谱(例如，自约680nm至约970nm)中、在近红外线光谱(例如，自约1050nm至约1550nm)中和/或在其它合适光谱中发射。在一个实施例中，LED裸片104可具有大体上类似于图1B中所展示的LED裸片4的结构和功能的结构和功能。在其它实施例中，LED裸片104可具有其它合适结构和/或功能。
绝缘材料106可至少部分地囊封LED裸片104以使转换器材料110与LED裸片104热绝缘。因此，绝缘材料106可为大体上透明的且具有低热导率。举例来说，在特定实施例中，绝缘材料106可具有小于约0.5W/(m·K)的热导率。在其它实施例中，绝缘材料106可具有小于约0.15W/(m·K)的热导率。在另外实施例中，绝缘材料106可具有其它合适热导率。绝缘材料106可包含聚酰亚胺、溶剂可溶的热塑性聚酰亚胺、其它聚合物、陶瓷、玻璃和/或其它合适的热绝缘材料。
如图2A所示，传导材料108包含横向部分1081和自横向部分1081朝向衬底102延伸且与衬底102直接接触的两个垂直部分108v。传导材料108可至少在LED裸片104的发射光谱中是大体上透明的。传导材料108还可以是导热的。举例来说，传导材料108可具有大于约1.0W/(m·K)、约10.0W/(m·K)、约100.0W/(m·K)或其它合适传导率值的热导率。
在一个实施例中，传导材料108可包含氧化铟锡(ITO)、掺氟氧化锡(FTO)、氧化锌(ZnO)和/或其它合适的无机透明传导氧化物(TCO)的层。在其它实施例中，传导材料108还可包含透明传导聚合物的有机膜。此等透明传导聚合物的实例包含聚(3，4-亚乙二氧基噻吩)、聚(4，4-二辛基环戊二噻吩)和/或其其它掺杂或未掺杂衍生物。在另外实施例中，传导材料108还可包含其它合适的透明且导热的材料。
转换器材料110可具有组合物，其在刺激下以所要波长发射，以使得来自LED裸片104和转换器材料110的发射的组合可仿效白光。举例来说，在一个实施例中，转换器材料110可包含以特定浓度含有掺铈(III)钇铝石榴石(YAG)的磷光体，其用于在光致发光下发射自绿色至黄色和至红色的色彩的范围。在其它实施例中，转换器材料110可包含掺钕YAG、钕-铬双掺YAG、掺铒YAG、掺镱YAG、钕-铈双掺YAG、钬-铬-铥三掺YAG、掺铥YAG、掺铬(IV)YAG、掺镝YAG、掺钐YAG、掺铽YAG和/或其它合适磷光体组合物。在其它实施例中，转换器材料110可包含铕磷光体(例如，CaS:Eu、CaAlSiN3:Eu、Sr2Si5N8:Eu、SrS:Eu、Ba2Si5N8:Eu、Sr2SiO4:Eu、SrSi2N2O2:Eu、SrGa2S4:Eu、SrAl2O4:Eu、Ba2SiO4:Eu、Sr4Al14O25:Eu、SrSiAl2O3N:Eu、BaMgAl10O17:Eu、Sr2P2O7:Eu、BaSO4:Eu和/或SrB4O7:Eu)。
在装配过程的初始阶段期间，LED裸片104可用传导性环氧粘着剂(例如，由3M(St.Paul，MN)提供的型号TC-2707)、金属焊料材料(例如，金/锡焊料)和/或其它合适粘着剂材料(未图示)以物理且热方式耦合至衬底102。接着可经由旋涂、化学气相沉积(CVD)和/或其它合适技术在LED裸片104和衬底102上形成绝缘材料106。接着可经由物理气相沉积(PVD，例如，溅镀)、脉冲式激光沉积(PLD)和/或其它合适技术在绝缘材料106上形成传导材料108。随后，可经由旋涂、网版印刷和/或其它合适技术在传导材料108上形成转换器材料110。
在操作中，电力自外部源(未图示)提供至LED裸片104。LED裸片104自发射区105产生第一波长的第一发射。来自LED裸片104的第一发射穿过透明绝缘材料106和传导材料108到达转换器材料110。转换器材料110接着在第一发射的刺激下产生第二波长的第二发射。第二发射接着与第一发射组合以产生至少近似于白光的光。
LED裸片104在产生第一发射时还产生热。经由衬底102至少部分地导走来自LED裸片104所产生的热，而绝缘材料106至少减少自LED裸片104流至转换器材料110的热通量。尽管衬底102与绝缘材料106的组合可部分地保护转换器材料110不受由LED裸片104产生的热的影响，但发明者已认识到，转换器材料110本身在产生第二发射时还产生热。举例来说，转换器材料110(例如，掺铈(III)YAG)通常具有约75％至约80％的转换率(即，每单位输入产生发射的百分比)，且剩余输入能量转换成热。若来自转换器材料110所产生的热未充分耗散，则热淬灭仍可能出现。
发明者还认识到，转换器材料110通常具有低热导率。结果，据信转换器材料110本身不能将足够量的热传导至衬底102，尽管转换器材料110与衬底102直接接触。因此，通过在绝缘材料106与转换器材料110之间插入传导材料108，传导材料108可至少有效地将(1)LED裸片104所产生的热的一部分和(2)转换器材料110所产生的热传导至衬底102。因此，转换器材料110中热淬灭的风险可得以降低或甚至消除。
尽管图2A中所展示的LED装置100具有插入在绝缘材料106与转换器材料110之间的传导材料108，但在特定实施例中，如图2B所示，传导材料108可与绝缘材料106间隔开。结果，转换器材料110插入在传导材料108与绝缘材料106之间。
在其它实施例中，如图2C所示，可消除绝缘材料106。结果，传导材料108直接插入在转换材料110与LED裸片104之间。在此等实施例中，LED裸片104可视情况包含与传导材料108直接接触的电绝缘体107。电绝缘体107可包含二氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiN)和/或其它合适的电绝缘材料。在操作中，传导材料108将(1)LED裸片104所产生的热的一部分和(2)转换器材料110所产生的热两者传导至衬底102。
图2A至2C中的转换器材料110展示为大体上囊封下伏材料(例如，图2A中的传导材料108)。然而，在其它实施例中，如图2D所示，转换器材料110可仅形成于传导材料108的表面109上。传导材料108的表面109背对LED裸片104。转换器材料110可具有大体上对应于LED裸片104的发射区105的宽度W和/或其它合适宽度。在另外实施例中，转换器材料110可具有其它配置，如以下参看图3A至4C所更详细描述。
图3A和3B是根据技术的实施例具有多个层的传导材料的LED装置200的示意性横截面图。LED装置200和本文中所描述的其它LED装置可包含具有大体上类似于上文参看图2A至2D所描述功能的功能的结构。因而，通过相同参考数字来识别共同动作和结构。以下仅描述操作和结构上的显著差异。
如图3A所示，除了LED装置200包含通过转换器材料110彼此分离的第一传导材料108a和第二传导材料108b之外，LED装置200可包含大体上类似于图2A的LED装置100的组件。结果，第一传导材料108a与转换器材料110的第一表面110a直接接触。第二传导材料108b与转换器材料110的第二表面110b直接接触。
在特定实施例中，第一传导材料108a与第二传导材料108b可包含具有大体上类似厚度的大体上相同的材料(例如，ITO)。在其它实施例中，第一传导材料108a与第二传导材料108b可包含不同材料。举例来说，第一传导材料108a包含ITO，而第二传导材料108b包含FTO。在其它实施例中，第一传导材料108a与第二传导材料108b可包含具有不同厚度和/或其它物理特性的相同材料。
据信，第一传导材料108a和第二传导材料108b可改善转换器材料110在大体上垂直于转换器材料110的第一表面110a和第二表面110b的方向(如Y轴所表示)上的温度均匀性。据信，归因于低热导率，转换器材料110在操作期间可能具有沿着Y轴的内部温度梯度。举例来说，若仅自转换器材料110的一个表面(例如，第一表面110a)导走所产生的热，则转换器材料110的对置表面(例如，第二表面110b)可能处于比导热表面高的温度下。结果，转换器材料110的紧邻第二表面110b的部分仍可能遭受热淬灭。因此，通过沿着由第一传导材料108a和第二传导材料108b形成的两个导热路径自第一表面110a和第二表面110b两者导走热，转换器材料110的沿着Y轴的温度分布可能比自转换器材料110的仅一个表面导热均匀。
图3B是转换器材料110具有经进一步改善的温度均匀性的LED装置200的示意性横截面图。如图3B所示，LED装置200包含在转换器材料110中且个别地容纳第三传导材料108c的多个通孔112。在所说明的实施例中，通孔112个别地包含直接在第一传导材料108a与第二传导材料108b之间延伸的大体上直线状通路。在其它实施例中，通孔112还可包含蛇形通路、阶梯状通路和/或其它合适配置。第一传导材料108a、第二传导材料108b与第三传导材料108c可包含相同材料(例如，ITO)或可包含不同材料和/或物理特性。
据信，第三传导材料108c可通过等化大体上平行于第一表面110a和第二表面110b的另一方向(如X轴所表示)上的温度梯度来进一步改善转换器材料110的温度均匀性。据信，由于转换器材料110的低热导率，转换器材料110在操作期间可能不仅沿着Y轴(如上文所论述)，而且沿着X轴具有内部温度梯度。结果，当正常操作横向上间隔开的另一部分时，转换器材料110的一个部分仍可能经历热淬灭。因此，通过沿着X轴具有多个通孔112，第三传导材料108c可形成大体上垂直于由第一传导材料108a和第二传导材料108b形成的导热路径的另一导热路径。因此，转换器材料110的沿着X轴的温度分布可能比不具有此等传导路径的情况均匀。
即使图3A和3B中仅展示一种转换器材料110，但在特定实施例中，LED装置200还可包含依序堆叠形成的第一传导材料108a、转换器材料110和第二传导材料108b的多个重复图案。在其它实施例中，重复图案还可包含第三传导材料108c(如图3B所示)。在另外实施例中，LED装置200可包含一个以上LED裸片104，如以下参看图4A至4C所更详细描述。
图4A至4C是根据技术的实施例的具有多个LED裸片的LED装置300的示意性横截面图。尽管LED装置300可包含三个、四个或任何其它所要数目个LED裸片以用于某些应用，但出于说明目的，图4A至4C中展示两个LED裸片。
如图4A所示，LED装置300包含由衬底102承载的并行布置的第一LED裸片104a和第二LED裸片104b。第一绝缘材料106a和第一传导材料108a形成于第一LED裸片104a上。第二绝缘材料106b和第二传导材料108b形成于第二LED裸片104b上。在所说明的实施例中，第一LED裸片104a与第二LED裸片104b在结构和功能上可大体上类似。在其它实施例中，第一LED裸片104a与第二LED裸片104b可具有不同结构和/或功能。
LED装置300还可包含囊封第一传导材料108a和第二传导材料108b的转换器材料110。因此，转换器材料110可包含大体上对应于第一LED裸片104a的第一部分110a、大体上对应于第二LED裸片104b的第二部分110b和在第一LED裸片104a与第二LED裸片104b之间的第三部分110c。在装配期间，势垒114(为清楚起见，以假想线展示)可抵靠衬底102而放置，且可旋涂、喷射和/或以其它方式涂覆转换器材料110以填充势垒114与衬底102之间的空间。在其它实施例中，可在具有或不具有势垒114的情况下经由其它合适技术来形成转换器材料110。
视情况，LED装置300还可包含转换器材料110的第三部分110c中的孔隙115。孔隙115可固持与衬底102直接接触的传导材料117。在装配期间，可经由以下操作形成可选孔隙115：经由光刻图案化转换器材料110，以及经由干式蚀刻、湿式蚀刻和/或其它合适的材料移除技术自第三部分110c移除转换器材料110的部分。在另外实施例中，可省略孔隙115。
图4B说明LED装置300的另一实施例，其中传导材料108囊封第一绝缘材料106a和第二绝缘材料106b两者。结果，传导材料108包含大体上对应于第一LED裸片104a的第一部分108a、大体上对应于第二LED裸片104b的第二部分108b和在第一LED裸片104a与第二LED裸片104b之间的第三部分108c。
图4C说明LED装置300的额外实施例，其中绝缘材料106囊封第一LED裸片104a和第二LED裸片104b。结果，绝缘材料106包含大体上对应于第一LED裸片104a的第一部分106a、大体上对应于第二LED裸片104b的第二部分106b和在第一LED裸片104a与第二LED裸片104b之间的第三部分106c。
自前述内容将了解，出于说明目的，本文中已描述了技术的特定实施例，但可在不脱离本发明的情况下进行各种修改。举例来说，尽管在图4A至4C中将LED装置300展示为具有一种传导材料108，但在特定实施例中，LED装置300还可包含两种或两种以上传导材料，例如，如上文参看图3A和3B所描述。另外，除了其它实施例的元件之外或替代其它实施例的元件，还可组合一个实施例的元件中的多者与其它实施例。因此，本发明仅受随附权利要求书的限制。

Claims (29)

1.一种发光二极管LED装置，其包括：
具有大于约1.0W/(m·K)的热导率的衬底；
由所述衬底承载的LED裸片，所述LED裸片热耦合至所述衬底；
所述LED裸片上的绝缘材料，所述绝缘材料是至少部分透明的；
与所述绝缘材料间隔开的转换器材料，所述转换器材料包含磷光体；以及
与所述转换器材料和所述衬底两者直接接触的传导材料，且所述传导材料具有大于约1.0W/(m·K)的热导率。
2.根据权利要求1所述的LED装置，其中：
所述衬底包含下列各者中的至少一者：硅(Si)、氮化镓(GaN)、氮化铝(AlN)、铜(Cu)、铝(Al)、钨(W)、不锈钢(Fe)、金刚石(C)、玻璃(SiO2)、碳化硅(SiC)和氧化铝(Al2O3)；
所述LED裸片包含依序堆叠的N型氮化镓(GaN)材料、氮化铟镓(InGaN)材料和P型GaN材料；
所述绝缘材料包含聚酰亚胺、溶剂可溶的热塑性聚酰亚胺、陶瓷材料和玻璃中的至少一者，所述绝缘材料具有小于约0.15W/(m·K)的热导率；
所述转换器材料包含下列各者中的至少一者：掺铈(III)钇铝石榴石(“YAG”)、掺钕YAG、钕-铬双掺YAG、掺铒YAG、掺镱YAG、钕-铈双掺YAG、钬-铬-铥三掺YAG、掺铥YAG、掺铬(IV)YAG、掺镝YAG、掺钐YAG和掺铽YAG、CaS:Eu、CaAlSiN3:Eu、Sr2Si5N8:Eu、SrS:Eu、Ba2Si5N8:Eu、Sr2SiO4:Eu、SrSi2N2O2:Eu、SrGa2S4:Eu、SrAl2O4:Eu、Ba2SiO4:Eu、Sr4Al14O25:Eu、SrSiAl2O3N:Eu、BaMgAl10O17:Eu、Sr2P2O7:Eu、BaSO4:Eu和SrB4O7:Eu；
所述传导材料包含氧化铟锡ITO、掺氟氧化锡FTO和氧化锌(ZnO)中的至少一者；且
所述传导材料包含大体上对应于所述LED裸片的横向部分和自所述横向部分朝向所述衬底延伸且与所述衬底直接接触的至少一个垂直部分。
3.根据权利要求1所述的LED装置，其中所述传导材料在所述转换器材料与所述绝缘材料之间。
4.根据权利要求1所述的LED装置，其中所述转换器材料在所述传导材料与所述绝缘材料之间。
5.根据权利要求1所述的LED装置，其中所述传导材料包含大体上对应于所述LED裸片的横向部分和自所述横向部分朝向所述衬底延伸且与所述衬底直接接触的两个对置垂直部分。
6.根据权利要求1所述的LED装置，其中：
所述传导材料包含大体上对应于所述LED裸片的横向部分和自所述横向部分朝向所述衬底延伸且与所述衬底直接接触的两个对置垂直部分；且
所述转换器材料大体上囊封所述传导材料。
7.根据权利要求1所述的LED装置，其中：
所述传导材料包含大体上对应于所述LED裸片的横向部分和自所述横向部分朝向所述衬底延伸且与所述衬底直接接触的两个对置垂直部分；
所述传导材料的所述横向部分包含背对所述LED裸片的表面；且
所述转换器材料在所述传导材料的所述表面上且具有大体上对应于所述LED裸片的发射区的宽度。
8.根据权利要求1所述的LED装置，其中：
所述传导材料是所述转换器材料与所述绝缘材料之间的第一传导材料；且
所述LED装置进一步包含与所述第一传导材料间隔开且与所述转换器材料直接接触的第二传导材料。
9.根据权利要求1所述的LED装置，其中：
所述传导材料是所述转换器材料与所述绝缘材料之间的第一传导材料；
所述LED装置进一步包含与所述第一传导材料间隔开且与所述转换器材料直接接触的第二传导材料；
所述转换器材料包含自所述第一传导材料延伸至所述第二传导材料的多个通孔；且
所述多个通孔个别地含有第三传导材料。
10.根据权利要求1所述的LED装置，其中：
所述LED裸片是第一LED裸片；
所述LED装置进一步包含由所述衬底承载的与所述第一LED裸片并行布置的第二LED裸片；且
所述绝缘材料、所述转换器材料和所述传导材料中的至少一者囊封所述第一LED裸片和所述第二LED裸片。
11.一种发光二极管LED装置，其包括：
散热器；
热耦合至所述散热器的LED裸片；
与所述LED裸片间隔开的磷光体；以及
与所述磷光体和所述散热器两者直接接触的导热路径，所述导热路径经配置以将热自所述磷光体传导至所述散热器。
12.根据权利要求11所述的LED装置，其中所述导热路径的至少一部分直接在所述磷光体与所述LED裸片之间。
13.根据权利要求11所述的LED装置，其中：
所述导热路径的至少一部分直接在所述磷光体与所述LED裸片之间；且
所述LED裸片包含紧邻所述导热路径的电绝缘体。
14.根据权利要求11所述的LED装置，其中：
所述导热路径是第一导热路径；且
所述LED装置进一步包含与所述磷光体直接接触的第二导热路径，所述第二导热路径经配置以将热自所述磷光体传导至所述散热器。
15.根据权利要求11所述的LED装置，其中：
所述导热路径是第一导热路径；
所述LED装置进一步包含与所述磷光体直接接触的第二导热路径，所述第二导热路径经配置以将热自所述磷光体传导至所述散热器；且
所述第一导热路径与所述第二导热路径大体上彼此平行。
16.根据权利要求11所述的LED装置，其中：
所述导热路径是第一导热路径；且
所述LED装置进一步包含均与所述磷光体直接接触的第二导热路径和第三导热路径，所述第二导热路径经配置以将热自所述磷光体传导至所述散热器，且所述第三导热路径经配置以将热自所述磷光体传导至所述第一导热路径和/或所述第二导热路径。
17.根据权利要求11所述的LED装置，其中：
所述导热路径是第一导热路径；
所述LED装置进一步包含均与所述磷光体直接接触的第二导热路径和第三导热路径，所述第二导热路径经配置以将热自所述磷光体传导至所述散热器，且所述第三导热路径经配置以将热自所述磷光体传导至所述第一导热路径和/或所述第二导热路径；
所述第一导热路径与所述第二导热路径大体上彼此平行；且
所述第三导热路径大体上垂直于所述第一导热路径和/或所述第二导热路径。
18.根据权利要求11所述的LED装置，其中：
所述LED装置进一步包含在所述导热路径与所述LED裸片之间的绝缘材料；且
所述绝缘材料经配置以抵抗自所述LED裸片至所述磷光体的热流。
19.根据权利要求11所述的LED装置，其中：
所述LED装置进一步包含在所述传导材料与所述LED裸片之间的绝缘材料；
所述绝缘材料经配置以经由所述绝缘材料抵抗自所述LED裸片至所述磷光体的热流；且
所述导热路径还经配置以将所述热流的至少一部分传导至所述散热器。
20.一种制造发光二极管LED装置的方法，其包括：
将LED裸片附接至散热器，所述LED裸片热耦合至所述散热器；
用至少部分透明的绝缘材料囊封所述LED裸片；
在所述绝缘材料和所述散热器上沉积传导材料，所述传导材料具有大于约1.0W/(m·K)的热导率；以及
在所述传导材料上沉积磷光体，所述磷光体大体上对应于所述LED裸片的发射区。
21.根据权利要求20所述的方法，其中沉积传导材料包含经由物理气相沉积PVD在所述绝缘材料上沉积氧化铟锡ITO、掺氟氧化锡FTO和氧化锌(ZnO)中的至少一者。
22.根据权利要求20所述的方法，其中：
囊封所述LED裸片包含经由旋涂或化学气相沉积CVD用聚酰亚胺、溶剂可溶的热塑性聚酰亚胺、陶瓷材料和玻璃中的至少一者囊封所述LED裸片；且
沉积传导材料包含经由物理气相沉积PVD在所述绝缘材料上沉积氧化铟锡ITO、掺氟氧化锡FTO和氧化锌(ZnO)中的至少一者。
23.根据权利要求20所述的方法，其中沉积传导材料包含：
在所述绝缘材料上沉积第一传导材料；以及
在沉积所述磷光体之后，在所述磷光体上沉积第二传导材料。
24.根据权利要求20所述的方法，其中沉积传导材料包含：
在所述绝缘材料上沉积第一传导材料；以及
在沉积所述磷光体之后，在所述磷光体上沉积第二传导材料，所述第二传导材料与所述第一传导材料大体上相同。
25.根据权利要求20所述的方法，其中沉积传导材料包含：
在所述绝缘材料上沉积第一传导材料；
在沉积所述磷光体之后，在所述磷光体上沉积第二传导材料；
在所述磷光体中形成多个通孔，所述通孔个别地直接在所述第一传导材料与所述第二传导材料之间延伸；以及
用第三传导材料填充所述多个通孔。
26.一种发光二极管LED装置，其包括：
散热器；
热耦合至所述散热器的LED裸片，所述LED裸片具有发射区；
与所述LED裸片间隔开的磷光体，所述磷光体至少部分地对应于所述LED裸片的所述发射区；以及
用于将热自所述磷光体传导至所述散热器的构件。
27.根据权利要求26所述的LED装置，其进一步包括用于抵抗自所述LED裸片至所述磷光体的热流的构件。
28.根据权利要求26所述的LED装置，其中：
所述磷光体包含第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；且
用于自所述磷光体导走热的所述构件包含用于自所述磷光体的所述第一表面和所述第二表面两者导走热的构件。
29.根据权利要求26所述的LED装置，其中：
所述磷光体包含第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；且
用于自所述磷光体导走热的所述构件包含用于沿着大体上平行于所述第一表面和所述第二表面的第一方向和沿着大体上垂直于所述第一方向的第二方向自所述磷光体导走热的构件。
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