CN102856430A - 一种铁酸铋纳米线太阳能电池的制备方法 - Google Patents

一种铁酸铋纳米线太阳能电池的制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN102856430A
CN102856430A CN2012102583886A CN201210258388A CN102856430A CN 102856430 A CN102856430 A CN 102856430A CN 2012102583886 A CN2012102583886 A CN 2012102583886A CN 201210258388 A CN201210258388 A CN 201210258388A CN 102856430 A CN102856430 A CN 102856430A
Authority
CN
China
Prior art keywords
alumina formwork
porous alumina
preparation
temperature
time
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN2012102583886A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102856430B (zh
Inventor
邱建华
丁建宁
袁宁一
陈智慧
王秀琴
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nantong Donghu International Travel Agency Co., Ltd
Original Assignee
Changzhou University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Changzhou University filed Critical Changzhou University
Priority to CN201210258388.6A priority Critical patent/CN102856430B/zh
Publication of CN102856430A publication Critical patent/CN102856430A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102856430B publication Critical patent/CN102856430B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Abstract

本发明属于半导体材料技术领域，具体涉及一种BiFeO3纳米线太阳能电池的制备方法。利用BiFeO3纳米线结构降低其光学带隙，并提高其对太阳光的吸收，利用Ag纳米线和ITO上电极提高载流子的收集能力，从而达到提高BiFeO3纳米线太阳能电池光电转换效率的目的。

Description

一种铁酸铋纳米线太阳能电池的制备方法
技术领域
本发明属于半导体材料技术领域，具体涉及一种BiFeO3纳米线太阳能电池的制备方法。
背景技术
目前，传统的硅基太阳能电池是利用p-n结或肖特基结来实现电子－空穴对的分离，光诱导的电压被界面区域的高能垒限制，导致产生的开路电压较小；其次，为了提高电池的转换效率，通常要专门设计特殊的减反结构以及对表面作钝化处理，来增加对太阳光的吸收；更为重要的是，硅原料的价格决定了硅基太阳能电池的制造费用昂贵；因此，硅基太阳能电池具有开路电压小、结构设计复杂、制造成本昂贵等缺点；然而，人们在铁电体这种非中心对称材料中发现了光伏效应的另一种机制，即铁电光伏效应，利用铁电光伏效应制备的太阳能电池具有开路电压大、结构设计简单、产生的光电流正比于铁电极化强度等特点，因此吸引了越来越多的关注。
2009年，Choi等人发现多铁性材料BiFeO3单晶中存在一个大的光伏效应，其具有较窄的光学带隙（2.2 eV），高的饱和极化强度(90 μC/cm2)，这使得BiFeO3材料在光伏器件方面的应用成为可能，但是其产生的光电流密度较小（7.35 μA/cm2），这直接导致BiFeO3材料的光电转换效率较低 [T. Choi, S. Lee, Y. J. Choi, V. Kiryukhin, and S. W. Cheong, Science,324, 63 (2009).]；另外，BiFeO3薄膜光伏效应的研究表明BiFeO3薄膜具有一个较宽的光学带隙（2.7 eV左右）和一个较高的开路电压（0.3-0.9 V）[W. Ji, K. Yao, and Y. C. Liang, Adv. Mater. 22, 1763 (2010). S. Y. Yang, L. W. Martin, S. J. Byrnes, T. E. Conry, S. R. Basu, D. Paran, L. Reichertz, J. Ihlefeld, C. Adamo, A. Melville, Y. H. Chu, C. H. Yang, J. L. Musfeldt, D. G. Schlom, J. W. Ager III, and R. Ramesh, Appl. Phys. Lett. 95, 062909 (2009).]；但是，可以通过改变薄膜厚度、沉积时的氧压力、薄膜与基底之间产生的应力来调控BiFeO3薄膜的光学带隙[K. Jiang, J. J. Zhu,J. D. Wu, J. Sun, Z. G. Hu, and J. H. Chu, ACS Applied Materials & Interfaces, 3, 4844 (2011). Z. Fu, Z. G. Yin, N. F. Chen, X. W. Zhang, H. Zhang, Y. M. Bai, and J. L. Wu, Phys. Status Solidi RRL, 6, 37 (2012).]；另有研究表明多晶BiFeO3薄膜具有一个较窄的光学带隙（2.2 eV）和一个大的光电流密度（2.8 mA/cm2）[Y. Y. Zang, D. Xie, X. Wu, Y. Chen, Y. X. Lin, M. H. Li, H. Tian, X. Li, Z. Li, H. W. Zhu, T. L. Ren, and D. Plant, Appl. Phys. Lett. 99, 132904 (2011).]；电极材料对多晶BiFeO3薄膜光学性质的影响较大，采用氧化物电极材料的多晶BiFeO3薄膜要比金属材料的具有更大的光伏效应[B. Chen,M. Li, Y. W. Liu, Z. H. Zuo, F. Zhuge, Q. F. Zhan, and R. W. Li, Nanotechnology, 22, 195201 (2011).]；另外，BiFeO3纳米线光学性质的研究也表明其具有较低的光学带隙（2.5 eV）[F. Gao, Y. Yuan, K. F. Wang, X. Y. Chen, F. Chen, J. M. Liu, and Z. F. Ren, Appl. Phys. Lett. 89, 102506 (2006).]；可以看出，BiFeO3材料的光伏效应已有很多报道，但所涉及到的大都是体材料或薄膜材料的BiFeO3，低维结构BiFeO3光学性质的研究还少有报道，虽然目前有几篇文献报道了BiFeO3纳米线的制备和光学性质的研究，但所涉及到的仅是纯BiFeO3纳米线阵列，其开路电压、光电流密度等电学性质的研究还未见报道，更未见其他结构的BiFeO3纳米线太阳能电池的报道。
本发明提出一种BiFeO3纳米线太阳能电池的制备方法，利用纳米线结构提高BiFeO3纳米线太阳能电池的光电转换效率。
发明内容：
本发明提出一种BiFeO3纳米线太阳能电池的制备方法，利用BiFeO3纳米线结构降低其光学带隙，并提高其对太阳光的吸收，利用Ag纳米线和ITO上电极提高载流子的收集能力，从而达到提高BiFeO3纳米线太阳能电池光电转换效率的目的。
实现本发明的技术方案为：
一种铁酸铋纳米线太阳能电池的制备方法，包括制备双通的多孔氧化铝模板的步骤、在多孔氧化铝模板中填充Ag纳米线的步骤和制备ITO上电极的步骤，其特征在于：在多孔氧化铝模板中填充Ag纳米线的步骤和制备ITO上电极的步骤之间进行利用磁控溅射方法在Ag纳米线上包覆一层BiFeO3的步骤，具体的工艺条件为：溅射功率为50-90 W，沉积温度为20－300 0C，Ar：O2的流量比1:15-11:1，腔体压力为0.01-1 Pa，BiFeO3壳层厚度为20-200 nm。
所述的一种铁酸铋纳米线太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述制备双通的多孔氧化铝模板的步骤为：将高纯铝片进行退火，超声清洗，去除自然氧化层，电化学抛光，进行二次阳极氧化，去除Al基底，通孔，制备出双通的多孔氧化铝模板；
所述高纯Al片纯度                                                99.999％，退火温度为450-500℃，退火时间为4-5小时，随炉冷却至室温后取出；
超声清洗依次用丙酮、乙醇、去离子水超声3分钟；
去除自然氧化层时选用2 mol/L的NaOH溶液，温度为60℃，浸入时间为2分钟；
电化学抛光选用5vol%硫酸、95vol%磷酸和20 g/L铬酸的混合溶液，抛光5分钟，水浴温度为85 ℃，抛光电流为0.8 A或选用25vol%高氯酸和75vol%乙醇，抛光1分钟，水浴温度为10℃，抛光电流密度为0.5 mA/cm2；或选用90vol%高氯酸和10vol%乙醇，抛光3分钟，电压为23 V；
二次阳极氧化过程包括：第一次阳极氧化、去除氧化层和第二次阳极氧化的步骤；
第一次阳极氧化的电解液选用0.2-0.4 mol/L的草酸，氧化电压为10-160 V，温度控制在0-10 ℃，氧化时间为3-6小时；或选用0.3-1.2 mol/L的硫酸，氧化电压为10-160 V，温度控制在0-5 ℃，氧化时间为3-6小时；
去除氧化层选用6wt%磷酸和1.5wt%铬酸的混合溶液，60 0C浸泡6小时；第二次阳极氧化条件与第一次阳极氧化相同，通过控制阳极电压可得到不同孔径大小的多孔氧化铝模板；
去除Al基底选用饱和HgCl2溶液、SnCl4溶液或CuCl2溶液；
通孔选用6wt%磷酸，30℃，浸泡1小时，制备出双通的多孔氧化铝模板，将双通的多孔氧化铝模板浸入6wt%磷酸中扩孔5－40分钟，可得不同孔径大小的双通氧化铝模板。
所述的一种铁酸铋纳米线太阳能电池的制备方法，其特征在于：在多孔氧化铝模板中填充Ag纳米线的步骤为：在多孔氧化铝模板的一面溅射Au层作为工作电极，利用电化学沉积方法在多孔氧化铝模板中填充Ag纳米线，去除多孔氧化铝模板；
采用磁控溅射方法制备Au电极，溅射功率50 W，厚度为40-300 nm；
电化学沉积以石墨片为阳极，Au为阴极，电解液为300 g/L的AgNO3和45 g/L的H3BO3的混合溶液，用硝酸调节PH值至2－3，电流密度为2－4 mA/cm2，室温沉积8小时；
去除氧化铝模板选用5wt%的NaOH溶液。
所述的一种铁酸铋纳米线太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述制备ITO上电极的步骤为：采用磁控溅射方法制备ITO电极；靶材选用ITO陶瓷靶，工艺条件为：溅射功率为40－60 W，沉积温度为20－300 0C，腔体压力为0.01-1 Pa，溅射厚度为40-300 nm。
测试BiFeO3纳米线太阳能电池的光学和电学性质，包括测试BiFeO3纳米线太阳能电池的吸收系数，J-V曲线等性质，电压范围为-1到1 V。
本发明的优点是利用BiFeO3纳米线结构降低其光学带隙，并提高其对太阳光的吸收，利用Ag纳米线和ITO上电极提高载流子的收集能力，从而达到提高BiFeO3纳米线太阳能电池光电转换效率的目的。
附图说明
    图1是BiFeO3纳米线太阳能电池的示意图，为了测量电池的光学和电学性质，选择Au作为下电极，ITO作为上电极，厚度为40－300 nm。
具体实施方式
以下结合实例进一步说明本发明的内容：
具体实施例一
1．高纯Al片退火
    退火温度为500 0C，退火时间为4小时，随炉冷却至室温后取出。
2．超声清洗
    依次用丙酮、乙醇、去离子水超声3分钟，去除Al片表面的污渍。
3．去除自然氧化层
    用2 mol/L的NaOH溶液，温度为60 0C，浸泡时间为2分钟，然后取出用去离子水冲洗，去除自然氧化层。
4．电化学抛光
把Al片放入5vol%硫酸、95vol%磷酸和20 g/L铬酸的混合溶液中，利用搅拌设备对混合溶液进行循环搅拌，电化学抛光5分钟，水浴温度为85 0C，抛光电流为0.8 A，然后取出用去离子水清洗干净。
5．进行二次阳极氧化
    第一次阳极氧化的电解液选用0.3 mol的草酸，氧化电压为40 V，温度控制在3 0C，氧化时间为4小时，氧化后的Al片用去离子水清洗干净；去除氧化层时选用6wt%磷酸和1.5wt%铬酸的混合溶液，60 0C浸泡6小时，去除后用去离子水清洗干净；第二次阳极氧化条件与第一次阳极氧化相同，氧化后的Al片用去离子水清洗干净，得到多孔氧化铝模板的孔径为50 nm。
6．去除Al基底
    将饱和HgCl2溶液滴到二次氧化后的Al片背后，使没氧化的Al片与HgCl2溶液反应而溶去，再用去离子水清洗干净。
7．通孔
    选用6wt%的磷酸，加热至30 0C，浸泡1小时，去除阻挡层，制备出双通的多孔氧化铝模板。
8．溅射Au电极
    采用磁控溅射方法制备Au电极，本底真空抽至4×10-4 Pa，溅射工艺参数为：溅射气氛为纯Ar，气压为8 Pa，基底温度为200 0C，溅射功率为50 W，溅射时间为30分钟，厚度为100 nm。
9．电化学方法沉积Ag纳米线
    以石墨片为阳极，Au电极为阴极，把多孔氧化铝模板放入溶液可循环的电解槽装置中，电解液为300 g/L的AgNO3和45 g/L的H3BO3的混合溶液，并用硝酸调节溶液的PH值至2.5，电流密度为2.5 mA/cm2，室温沉积8小时，使得多孔氧化铝模板中充满Ag，并用去离子水清洗干净。
10．去除氧化铝模板
    将充满Ag的多孔氧化铝模板放入5wt%的NaOH溶液，室温条件下直至多孔氧化铝模板完全溶解，用去离子水清洗干净，在室温下吹干。
11．在Ag纳米线上包覆一层BiFeO3
    采用磁控溅射方法在Ag纳米线上包覆一层BiFeO3，靶材选择Bi1.1FeO3陶瓷靶，工艺条件为：溅射功率为50 W，沉积温度为200 0C，Ar：O2的流量比1:15，腔体压力为0.1 Pa，溅射时间为15分钟，得到BiFeO3壳层的厚度为50 nm。
12．溅射ITO上电极
    采用磁控溅射方法制备ITO电极，靶材选用ITO陶瓷靶，工艺条件为：溅射功率为40 W，沉积温度为200 0C，腔体压力为0.1 Pa，溅射时间为30分钟，得到ITO层的厚度为100 nm。
13．电池性能测试
测试BiFeO3纳米线太阳能电池的吸收系数，J-V曲线等性质，实施效果：得到BiFeO3纳米线的光学带隙为2.4 eV。在AM 1.5，100 mW/cm2标准光强的照射下，短路电流密度为6 mA/cm2，开路电压为0.9 V，效率为1%。
具体实施例二
本实施方式与具体实施例一的不同是步骤5中将阳极氧化的电压分别改为10 V、25 V、60 V、100 V，则得到孔径大小分别为20 nm、35 nm、80 nm、120 nm的多孔氧化铝模板，其他步骤及参数与具体实施方式一相同。
实施效果：得到BiFeO3纳米线的光学带隙为2.4 eV，在AM 1.5，100 mW/cm2标准光强的照射下，短路电流密度为6－8 mA/cm2，开路电压为0.8－1 V，效率为0.8－1.2%。
具体实施例三
本实施方式与具体实施例一的不同是步骤7中将双通的多孔氧化铝模板浸入6wt%磷酸中扩孔5－40分钟，可得孔径大小为60－200 nm的双通氧化铝模板，其他步骤及参数与具体实施方式一相同。
实施效果：得到BiFeO3纳米线的光学带隙为2.4 eV，在AM 1.5，100 mW/cm2标准光强的照射下，短路电流密度为6－7 mA/cm2，开路电压为0.8－0.9 V，效率为0.8－1%。
具体实施例四
本实施方式与具体实施例一的不同是步骤8中利用磁控溅射的方法制备Ag下电极，溅射时间为1分钟，得到Ag电极厚度为200 nm，其他步骤及参数与具体实施方式一相同。
实施效果：得到BiFeO3纳米线的光学带隙为2.4 eV，在AM 1.5，100 mW/cm2标准光强的照射下，短路电流密度为8 mA/cm2，开路电压为1 V，效率为1%。
具体实施例五
本实施方式与具体实施例一的不同是步骤11中将溅射的时间变为30分钟、45分钟、1小时，可得到BiFeO3壳层厚度为100 nm、150 nm、200 nm的纳米线太阳能电池，其他步骤及参数与具体实施方式一相同。
实施效果：得到BiFeO3纳米线的光学带隙为2.3－2.5 eV，在AM 1.5，100 mW/cm2标准光强的照射下，短路电流密度为6－8 mA/cm2，开路电压为0.8－1 V，效率为0.8－1.2%。 

Claims (4)

1.一种铁酸铋纳米线太阳能电池的制备方法，包括制备双通的多孔氧化铝模板的步骤、在多孔氧化铝模板中填充Ag纳米线的步骤和制备ITO上电极的步骤，其特征在于：在多孔氧化铝模板中填充Ag纳米线的步骤和制备ITO上电极的步骤之间进行利用磁控溅射方法在Ag纳米线上包覆一层BiFeO3的步骤，具体的工艺条件为：溅射功率为50-90 W，沉积温度为20－300 0C，Ar：O2的流量比1:15-11:1，腔体压力为0.01-1 Pa，BiFeO3壳层厚度为20-200 nm。
2.如权利要求1所述的一种铁酸铋纳米线太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述制备双通的多孔氧化铝模板的步骤为：将高纯铝片进行退火，超声清洗，去除自然氧化层，电化学抛光，进行二次阳极氧化，去除Al基底，通孔，制备出双通的多孔氧化铝模板；
所述高纯Al片纯度                                               
Figure 2012102583886100001DEST_PATH_IMAGE002
99.999％，退火温度为450-500℃，退火时间为4-5小时，随炉冷却至室温后取出；
超声清洗依次用丙酮、乙醇、去离子水超声3分钟；
去除自然氧化层时选用2 mol/L的NaOH溶液，温度为60℃，浸入时间为2分钟；
电化学抛光选用5vol%硫酸、95vol%磷酸和20 g/L铬酸的混合溶液，抛光5分钟，水浴温度为85 ℃，抛光电流为0.8 A或选用25vol%高氯酸和75vol%乙醇，抛光1分钟，水浴温度为10℃，抛光电流密度为0.5 mA/cm2；或选用90vol%高氯酸和10vol%乙醇，抛光3分钟，电压为23 V；
二次阳极氧化过程包括：第一次阳极氧化、去除氧化层和第二次阳极氧化的步骤；
第一次阳极氧化的电解液选用0.2-0.4 mol/L的草酸，氧化电压为10-160 V，温度控制在0-10 ℃，氧化时间为3-6小时；或选用0.3-1.2 mol/L的硫酸，氧化电压为10-160 V，温度控制在0-5 ℃，氧化时间为3-6小时；
去除氧化层选用6wt%磷酸和1.5wt%铬酸的混合溶液，60 0C浸泡6小时；第二次阳极氧化条件与第一次阳极氧化相同，通过控制阳极电压可得到不同孔径大小的多孔氧化铝模板；
去除Al基底选用饱和HgCl2溶液、SnCl4溶液或CuCl2溶液；
通孔选用6wt%磷酸，30℃，浸泡1小时，制备出双通的多孔氧化铝模板，将双通的多孔氧化铝模板浸入6wt%磷酸中扩孔5－40分钟，可得不同孔径大小的双通氧化铝模板。
3.如权利要求1所述的一种铁酸铋纳米线太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述的一种铁酸铋纳米线太阳能电池的制备方法，其特征在于：在多孔氧化铝模板中填充Ag纳米线的步骤为：在多孔氧化铝模板的一面溅射Au层作为工作电极，利用电化学沉积方法在多孔氧化铝模板中填充Ag纳米线，去除多孔氧化铝模板；
采用磁控溅射方法制备Au电极，溅射功率50 W，厚度为40-300 nm；
电化学沉积以石墨片为阳极，Au为阴极，电解液为300 g/L的AgNO3和45 g/L的H3BO3的混合溶液，用硝酸调节PH值至2－3，电流密度为2－4 mA/cm2，室温沉积8小时；
去除氧化铝模板选用5wt%的NaOH溶液。
4.如权利要求1所述的一种铁酸铋纳米线太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述的一种铁酸铋纳米线太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述制备ITO上电极的步骤为：采用磁控溅射方法制备ITO电极；靶材选用ITO陶瓷靶，工艺条件为：溅射功率为40－60 W，沉积温度为20－300 0C，腔体压力为0.01-1 Pa，溅射厚度为40-300 nm。
CN201210258388.6A 2012-07-25 2012-07-25 一种铁酸铋纳米线太阳能电池的制备方法 Active CN102856430B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201210258388.6A CN102856430B (zh) 2012-07-25 2012-07-25 一种铁酸铋纳米线太阳能电池的制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201210258388.6A CN102856430B (zh) 2012-07-25 2012-07-25 一种铁酸铋纳米线太阳能电池的制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102856430A true CN102856430A (zh) 2013-01-02
CN102856430B CN102856430B (zh) 2015-04-22

Family

ID=47402825

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201210258388.6A Active CN102856430B (zh) 2012-07-25 2012-07-25 一种铁酸铋纳米线太阳能电池的制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN102856430B (zh)

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103681907A (zh) * 2013-12-13 2014-03-26 重庆科技学院 光伏纳米发电机及其制造方法
CN104361995A (zh) * 2014-09-23 2015-02-18 武汉大学 一种基于纳米结构的透明电容器及其制备方法
CN105118677A (zh) * 2015-08-21 2015-12-02 重庆科技学院 液体太阳能电池及其制备方法
CN105185867A (zh) * 2015-08-21 2015-12-23 重庆科技学院 纳米链太阳能电池的制备方法
CN105200481A (zh) * 2015-10-15 2015-12-30 湖北工业大学 一种金属/氧化铝太阳能选择性吸收涂层材料的制备方法
CN105206706A (zh) * 2015-08-21 2015-12-30 重庆科技学院 纳米链太阳能电池的制备方法
CN105206710A (zh) * 2015-10-22 2015-12-30 重庆科技学院 具有织构的铁电薄膜的制备方法
CN106498221A (zh) * 2016-12-14 2017-03-15 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 纳米多孔金及其制备方法
CN108493344A (zh) * 2018-04-16 2018-09-04 重庆科技学院 壳芯结构钙钛矿纳米线阵列太阳能电池
CN109694036A (zh) * 2017-10-20 2019-04-30 东方学校财团法人东方设计大学 纳米线材的量产制造方法及其制造装置

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1995468A (zh) * 2006-12-18 2007-07-11 天津理工大学 一种直径可控的金属纳米线阵列的制备方法
US20080135089A1 (en) * 2006-11-15 2008-06-12 General Electric Company Graded hybrid amorphous silicon nanowire solar cells
CN102176472A (zh) * 2011-02-21 2011-09-07 华东师范大学 一种体效应太阳能电池材料及其制备方法
CN102251232A (zh) * 2011-07-18 2011-11-23 同济大学 一种在有序多孔氧化铝模板中制备银纳米线阵列的方法
US20120017976A1 (en) * 2010-06-18 2012-01-26 Institut National De La Recherche Scientifique (Inrs) Combined pn junction and bulk photovoltaic device
CN102544216A (zh) * 2012-01-12 2012-07-04 上海交通大学 在玻璃基板上制备BiFeO3铁电薄膜光伏电池的方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080135089A1 (en) * 2006-11-15 2008-06-12 General Electric Company Graded hybrid amorphous silicon nanowire solar cells
CN1995468A (zh) * 2006-12-18 2007-07-11 天津理工大学 一种直径可控的金属纳米线阵列的制备方法
US20120017976A1 (en) * 2010-06-18 2012-01-26 Institut National De La Recherche Scientifique (Inrs) Combined pn junction and bulk photovoltaic device
CN102176472A (zh) * 2011-02-21 2011-09-07 华东师范大学 一种体效应太阳能电池材料及其制备方法
CN102251232A (zh) * 2011-07-18 2011-11-23 同济大学 一种在有序多孔氧化铝模板中制备银纳米线阵列的方法
CN102544216A (zh) * 2012-01-12 2012-07-04 上海交通大学 在玻璃基板上制备BiFeO3铁电薄膜光伏电池的方法

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103681907A (zh) * 2013-12-13 2014-03-26 重庆科技学院 光伏纳米发电机及其制造方法
CN103681907B (zh) * 2013-12-13 2016-04-20 重庆科技学院 光伏纳米发电机及其制造方法
CN104361995A (zh) * 2014-09-23 2015-02-18 武汉大学 一种基于纳米结构的透明电容器及其制备方法
CN105118677B (zh) * 2015-08-21 2017-10-31 重庆科技学院 液体太阳能电池及其制备方法
CN105118677A (zh) * 2015-08-21 2015-12-02 重庆科技学院 液体太阳能电池及其制备方法
CN105185867A (zh) * 2015-08-21 2015-12-23 重庆科技学院 纳米链太阳能电池的制备方法
CN105206706A (zh) * 2015-08-21 2015-12-30 重庆科技学院 纳米链太阳能电池的制备方法
CN105200481A (zh) * 2015-10-15 2015-12-30 湖北工业大学 一种金属/氧化铝太阳能选择性吸收涂层材料的制备方法
CN105206710A (zh) * 2015-10-22 2015-12-30 重庆科技学院 具有织构的铁电薄膜的制备方法
CN105206710B (zh) * 2015-10-22 2017-04-05 重庆科技学院 具有织构的铁电薄膜的制备方法
CN106498221A (zh) * 2016-12-14 2017-03-15 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 纳米多孔金及其制备方法
CN106498221B (zh) * 2016-12-14 2019-03-26 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 纳米多孔金及其制备方法
CN109694036A (zh) * 2017-10-20 2019-04-30 东方学校财团法人东方设计大学 纳米线材的量产制造方法及其制造装置
CN108493344A (zh) * 2018-04-16 2018-09-04 重庆科技学院 壳芯结构钙钛矿纳米线阵列太阳能电池

Also Published As

Publication number Publication date
CN102856430B (zh) 2015-04-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102856430B (zh) 一种铁酸铋纳米线太阳能电池的制备方法
US20120017989A1 (en) Metal and metal oxide surface texturing
CN102651428B (zh) 一种梯度铁电薄膜太阳能电池的制备方法
Zhou et al. Copper selenide (Cu 3 Se 2 and Cu 2− x Se) thin films: electrochemical deposition and electrocatalytic application in quantum dot-sensitized solar cells
CN102157608A (zh) 一种降低硅片表面光反射率的方法
CN102157577B (zh) 纳米硅/单晶硅异质结径向纳米线太阳电池及制备方法
CN103219426A (zh) 一种超小绒面太阳电池及其制备方法
CN103060861A (zh) 一种铜锌锡硫薄膜的共电沉积制备方法
CN101150151A (zh) 一种太阳能电池用铜铟硒薄膜的制备方法
CN103606683B (zh) 一种线团状的锗纳米材料及其制备方法
CN107093668A (zh) 原位制备基底、致密层、多孔层一体化式钙钛矿太阳能电池及其方法
CN110137297B (zh) 一种基于柔性衬底的p-i-n结太阳能电池及制备方法
CN104319298B (zh) 柔性衬底CdTe薄膜太阳能电池及其制备方法
CN102637777A (zh) 一种太阳电池光吸收层Cu2O纳米薄膜的化学制备工艺
CN102222574A (zh) 一种太阳能电池的Ag改性TiO2薄膜电极及制备方法
Zheng et al. Enhancing the performance and stability of carbon-based CsPbI2Br perovskite solar cells via tetrabutylammonium iodide surface passivation
CN108281550A (zh) 基于镁掺杂二氧化钛的钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN102732921B (zh) 一种制备三维有序大孔锗硅、锗铝异质薄膜材料的离子液体电沉积方法
CN104233433A (zh) 一种制备氧化亚铜薄膜的方法
CN104716209A (zh) 基于硅基纳米线的太阳能电池及其制备方法
CN113921649A (zh) 一种硅基异质结太阳能电池制备方法
CN102024858B (zh) 油墨、薄膜太阳能电池及其制造方法
CN103236451A (zh) 结合氧化锌纳米线的硅超小绒面太阳电池及其制备方法
CN114038945A (zh) 一种单面ald方式制备新型perc电池的方法
CN104465814B (zh) 一种结合氧化锌纳米结构超小绒面太阳电池及其制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20201112

Address after: No.8, wisdom Avenue, Donghu scenic area, Dayu Town, Rudong County, Nantong City, Jiangsu Province, 226400

Patentee after: Nantong Donghu International Travel Agency Co., Ltd

Address before: Gehu Lake Road Wujin District 213164 Jiangsu city of Changzhou province No. 1 Changzhou University

Patentee before: CHANGZHOU University

TR01 Transfer of patent right