CN102834793A - 带触摸面板功能的显示装置 - Google Patents

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CN102834793A CN2011800174277A CN201180017427A CN102834793A CN 102834793 A CN102834793 A CN 102834793A CN 2011800174277 A CN2011800174277 A CN 2011800174277A CN 201180017427 A CN201180017427 A CN 201180017427A CN 102834793 A CN102834793 A CN 102834793A
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木村知洋
福山惠一
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Abstract

本发明的带触摸面板功能的显示装置是具有包括使第一颜色透射的第一颜色透射部和使第二颜色透射的第二颜色透射部的显示区域的显示装置，其中，在上述显示区域的内部，设置有用于检测向上述显示区域的按压的压力传感器（118），压力传感器（118）的一部分或全部为作为不透射光的非透射部的突起部（70），上述第一颜色透射部和上述第二颜色透射部由作为非透射部的突起部（70）隔开。

Description

带触摸面板功能的显示装置
技术领域
本发明涉及带触摸面板功能的显示装置。
背景技术
在液晶显示装置中为了能够进行利用写入用输入笔或手指的位置输入，正在研究具有加压点的坐标的检测功能的结构。作为其一个例子，在日本特开平11－271712号公报（专利文献1）中记载有设置有压力检测元件的结构。
作为外设触摸面板使用静电电容型压力传感器的结构记载于技术论文《触摸模式电容型压力传感器》（山本敏等，Fujikura TechnicalReview，第101号，2001年10月，第71～74页）（非专利文献1）中。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开平11－271712号公报
非专利文献
非专利文献1：《触摸模式电容型压力传感器》，Fujikura TechnicalReview，第101号（2001年10月）第71～74页。
发明内容
发明要解决的课题
在显示区域兼用作触摸面板的情况下，考虑在触摸面板内设置压力传感器。压力传感器包括多个部件和配线，在它们之中存在不透光的部件。在显示装置的显示区域是包括开口部和非开口部的种类的显示方式，即例如液晶显示方式等的情况下，通常当在显示区域内设置某些压力传感器时，存在由于压力传感器导致显示区域的开口率下降的问题。
于是，本发明的目的在于提供能够抑制显示区域的开口率的下降，并且能够进行作为触摸面板的压力检测的带触摸面板功能的显示装置。
解决课题的方法
为了达成上述目的，基于本发明的带触摸面板功能的显示装置是具有包括使第一颜色透射的第一颜色透射部和使第二颜色透射的第二颜色透射部的显示区域的显示装置，在上述显示区域的内部，设置有用于检测向上述显示区域的按压的压力传感器，上述压力传感器的一部分或全部为不透射光的非透射部，上述第一颜色透射部与上述第二颜色透射部由上述非透射部隔开。
发明效果
根据本发明，能够避免由于设置压力传感器导致开口率下降，结果，能够成为抑制显示区域的开口率的下降并且能够进行作为触摸面板的压力检测的带触摸面板功能的显示装置。
附图说明
图1是示意性地表示实施方式1的液晶显示装置的电路图的电路图。
图2是从对置基板一侧平视液晶显示装置的一部分的平面图。
图3是位于对置基板下的TFT阵列基板的平面图。
图4是示意性地表示图2的IV-IV截面的截面图。
图5是图2的V-V截面图。
图6是对置基板被按压时的液晶显示装置的截面图。
图7是示意性地表示上部电极与上层绝缘层136接触的区域的平面图。
图8是对实施方式1的压力传感器的特性和作为比较例的压力传感器的特性进行比较的图表。
图9是表示具有作为比较例的压力传感器的显示装置的截面图。
图10是表示TFT阵列基板的制造工序的第一工序的截面图。
图11是表示TFT阵列基板的制造工序的第二工序的截面图。
图12是表示TFT阵列基板的制造工序的第三工序的截面图。
图13是表示TFT阵列基板的制造工序的第四工序的截面图。
图14是表示TFT阵列基板的制造工序的第五工序的截面图。
图15是表示TFT阵列基板的制造工序的第六工序的截面图。
图16是表示TFT阵列基板的制造工序的第七工序的截面图。
图17是表示对置基板的制造工序的第一工序的截面图。
图18是表示对置基板的制造工序的第二工序的截面图。
图19是表示对置基板的制造工序的第三工序的截面图。
图20是表示对置基板的制造工序的第四工序的截面图。
图21是表示对置基板的制造工序的第五工序的截面图。
图22是实施方式2的液晶显示装置的截面图，是表示TFT元件的截面图。
图23是实施方式2的液晶显示装置的截面图，是输出用元件的截面图。
图24是表示实施方式2的液晶显示装置的TFT阵列基板的制造工序中图15所示的制造工序后的制造工序的截面图。
图25是表示图24所示的TFT阵列基板的制造工序后的制造工序的截面图。
图26是表示图25所示的制造工序后的TFT阵列基板的制造工序的截面图。
图27是实施方式3的液晶显示装置的截面图，是表示TFT元件的截面图。
图28是实施方式3的液晶显示装置的截面图，是表示压力传感器的截面图。
图29是示意性地表示对置基板被按压时的液晶显示装置的状态的截面图。
图30是表示上部电极和栅极绝缘层由于来自按压部件的按压力而变形之前的状态下的上部电极和栅极绝缘层的截面图。
图31是上部电极的平面图。
图32是表示由于来自按压部件的按压力，上部电极和栅极绝缘层变形后的状态的截面图。
图33是如图32所示上部电极变形时的上部电极的平面图。
图34是表示TFT阵列基板的制造工序的第一工序的截面图。
图35是表示TFT阵列基板的制造工序的第二工序的截面图。
图36是表示TFT阵列基板的制造工序的第三工序的截面图。
图37是表示图28所示的TFT阵列基板的变形例的截面图。
图38是示意性地表示实施方式4的液晶显示装置的电路图的电路图。
图39是实施方式4的液晶显示装置的截面图，是表示TFT元件的截面图。
图40是实施方式4的液晶显示装置的截面图，是表示选择用TFT元件和压力传感器的截面图。
图41是示意性地表示对置基板被按压时的状态的截面图。
图42是表示TFT阵列基板的制造工序的第一工序的截面图。
图43是表示TFT阵列基板的制造工序的第二工序的截面图。
图44是表示TFT阵列基板的制造工序的第三工序的截面图。
图45是表示对置基板的制造工序的第一工序的截面图。
图46是表示对置基板的制造工序的第二工序的截面图。
图47是表示对置基板的制造工序的第三工序的截面图。
图48是表示对置基板的制造工序的第四工序的截面图。
图49是表示对置基板的制造工序的第五工序的截面图。
图50是实施方式5的液晶显示装置的截面图，是表示TFT元件的截面图。
图51是液晶显示装置的截面图，是表示选择用TFT元件和压力传感器的截面图。
图52是表示TFT阵列基板的制造工序中形成有TFT元件和选择用TFT元件时的工序的截面图。
图53是表示图52所示的制造工序后的TFT阵列基板的制造工序的截面图。
图54是表示图53所示的制造工序后的制造工序的截面图。
图55是表示对置基板的制造工序中形成有彩色滤光片基板时的截面图。
图56是表示图55所示的制造工序后的工序的截面图。
图57是表示图56所示的制造工序后的工序的截面图。
图58是表示实施方式6的液晶显示装置的电路的电路图。
图59是实施方式6的液晶显示装置的截面图，是表示TFT元件的截面图。
图60是实施方式6的液晶显示装置的截面图，是表示压力传感器的截面图。
图61是表示对置基板没有被按压的状态下（初始状态）的上部电极和半导体层的截面图。
图62是上部电极的平面图。
图63是表示对置基板被按压的状态下的上部电极和半导体层的截面图。
图64是表示TFT阵列基板的制造工序的第一工序的截面图。
图65是表示TFT阵列基板的制造工序的第二工序的截面图。
图66是表示TFT阵列基板的制造工序的第三工序的截面图。
图67是表示TFT阵列基板的制造工序的第四工序的截面图。
图68是表示TFT阵列基板的制造工序的第五工序的截面图。
图69是表示TFT阵列基板的制造工序的第六工序的截面图。
图70是表示TFT阵列基板的制造工序的第七工序的截面图。
图71是表示TFT阵列基板的制造工序的第八工序的截面图。
图72是表示TFT阵列基板的制造工序的第九工序的截面图。
图73是表示TFT阵列基板的制造工序的第十工序的截面图。
图74是表示TFT阵列基板的制造工序的第十一工序的截面图。
图75是实施方式7的液晶显示装置的截面图，是表示TFT元件的截面图。
图76是实施方式7的液晶显示装置的截面图，是表示压力传感器的截面图。
图77是表示TFT阵列基板的制造工序的第一工序的截面图。
图78是表示TFT阵列基板的制造工序的第二工序的截面图。
图79是表示TFT阵列基板的制造工序的第三工序的截面图。
图80是表示TFT阵列基板的制造工序的第四工序的截面图。
图81是表示实施方式7的液晶显示装置的变形例的截面图。
图82是将压力传感器与已有的黑矩阵重叠配置的结构的截面图。
图83是基于本发明的实施方式8的带触摸面板功能的显示装置的截面图。
图84是基于本发明的实施方式8的带触摸面板功能的显示装置的截面图。
图85是基于本发明的实施方式8的带触摸面板功能的显示装置的结构的一个例子的平面图。
图86是图85的LXXXVI-LXXXVI向视截面图。
图87是以与图86不同的截面线将图85所示的结构截面而得的截面图。
图88是基于本发明的实施方式9的带触摸面板功能的显示装置的截面图。
图89是压力传感器的哪个部分能够成为非透射部的变形的第一例的截面图。
图90是压力传感器的哪个部分能够成为非透射部的变形的第二例的截面图。
图91是压力传感器的哪个部分能够成为非透射部的变形的第三例的截面图。
图92是压力传感器的哪个部分能够成为非透射部的变形的第四例的截面图。
图93是在具有反射部的带触摸面板功能的显示装置中，压力传感器的哪个部分能够成为非透射部的变形的第一例的截面图。
图94是在具有反射部的带触摸面板功能的显示装置中，压力传感器的哪个部分能够成为非透射部的变形的第二例的截面图。
图95是作为包含于带触摸面板功能的显示装置的压力传感器的一部分形成包状的突起部的第一例的对置基板的下侧表面附近的截面图。
图96是作为包含于带触摸面板功能的显示装置的压力传感器的一部分形成包状的突起部的第二例的对置基板的下侧表面附近的截面图。
图97是基于本发明的实施方式10中的带触摸面板功能的显示装置中所包含的压力传感器的按压前的状态的截面图。
图98是基于本发明的实施方式10中的带触摸面板功能的显示装置中所包含的压力传感器的按压后的状态的截面图。
图99是基于本发明的实施方式10中的带触摸面板功能的显示装置所包含的压力传感器的第一变形的截面图。
图100是基于本发明的实施方式10中的带触摸面板功能的显示装置所包含的压力传感器的第二变形的截面图。
图101是基于本发明的实施方式10中的带触摸面板功能的显示装置所包含的压力传感器的第三变形的截面图。
图102是基于本发明的实施方式10中的带触摸面板功能的显示装置所包含的压力传感器的第四变形的截面图。
具体实施方式
在以下进行说明的实施方式中，在言及个数、量等时，除了有特殊记载的情况之外，本发明的范围并不限定于该个数、量等。此外，在以下的实施方式中，各个构成要素除了有特殊记载的情况之外，并非是本发明必需的结构。此外，当以下存在多个实施方式时，除了有特殊记载的情况之外，适当组合各个实施方式的特征部分的内容是一开始就预定会进行的。
（压力传感器）
为了明确压力检测装置的基本构思方式，首先，参照图1～图81，作为实施方式1～7，说明压力传感器的详细构造、相对于显示装置的应用例和制造方法。在实施方式8以后，进一步深入说明本发明。
在各实施方式中主要说明带触摸面板功能的显示装置是液晶显示装置，但带触摸面板功能的显示装置所具备的显示装置的种类并不限于液晶显示装置。
（实施方式1）
图1是示意性地表示本实施方式1的液晶显示装置100的电路图的电路图。如该图1所示，液晶显示装置100包括控制部105和阵列状配置的多个像素110，像素110包括多个TFT（Thin Film Transistor：薄膜晶体管）元件115和与该TFT元件115连接的像素电极114。
液晶显示装置100包括：沿第一方向延伸并且在第二方向上隔开间隔地配置有多个的栅极配线112和传感器用栅极配线113；沿第二方向延伸，并且在第一方向上隔开间隔地配置的多个源极配线111。
各栅极配线112与栅极驱动器102连接，各源极配线111与源极驱动器101连接。传感器用栅极配线113配置于相邻的栅极配线112之间，沿第一方向延伸并在第二方向上隔开间隔地形成有多个。各传感器用栅极配线113与传感器驱动器103连接。
源极驱动器101、栅极驱动器102、传感器驱动器103与控制部105连接。而且，利用相邻的两个栅极配线112和相邻的两个源极配线111规定像素110。
在像素110内配置有TFT元件115、选择用TFT元件116和压力检测元件120。TFT元件115的源极电极与源极配线111连接，TFT元件115的栅极电极与栅极配线112连接。TFT元件115的漏极电极与像素电极114连接。
选择用TFT元件116的源极电极与源极配线111连接，选择用TFT元件116的栅极电极与传感器用栅极配线113连接。选择用TFT元件116的漏极电极与压力检测元件120连接。
压力检测元件120包括：与选择用TFT元件116的漏极电极连接的输出用元件117；和与该输出用元件117的栅极电极连接的压力传感器（压力检测装置）118。输出用元件117包括：与选择用TFT元件116的漏极电极连接的源极电极；与源极配线111连接的漏极电极；和与压力传感器118的下部电极连接的栅极电极。另外，选择用TFT元件116的源极电极所连接的源极配线111是与输出用元件117的漏极电极所连接的源极配线111相邻的其他的源极配线111。
此处，选择用TFT元件116的导通/断开以分时的方式被适当地切换，控制部105对来自与被选择的选择用TFT元件116连接的压力检测元件120的输出进行检测。具体地说，检测来自压力检测元件120的作为电特性的电流量。
输出用元件117的输出根据施加于输出用元件117的栅极电极的电压而变动。施加于该栅极电极的电压由与栅极电极连接的压力传感器118的下部电极的电位决定。压力传感器118的下部电极的电位由与另一方的上部电极之间的电容决定。上部电极与下部电极之间的电容根据对设置有上部电极的基板施加的按压力而变动。即，控制部105能够根据来自输出用元件117的电流量检测施加于基板的按压力。
图2是从对置基板150一侧平视液晶显示装置100的一部分的平面图。如该图2所示，对置基板150包括：彩色滤光片基板151；和配置于该彩色滤光片基板151的下表面的对置电极152。
彩色滤光片基板151包括：形成为栅格状的黑矩阵155；和形成于该黑矩阵155的框内，且具有红色、绿色、蓝色各种颜色的着色感应材料的着色层153。另外，在一个像素110的上方配置有一个着色层153。
对置电极152例如是由ITO（Indium Tin Oxide：氧化铟锡）形成的透明电极。
图3是位于对置基板150下的TFT阵列基板130的平面图，在该图3和上述图2中，源极配线111和栅极配线112位于黑矩阵155之下。而且，选择用TFT元件116和压力检测元件120相对于像素电极114配置于与TFT元件115相反的一侧。
如该图3所示，选择用TFT元件116包括：半导体层123；与半导体层123和源极配线111连接的源极电极121；与传感器用栅极配线113连接的栅极电极122；和漏极电极125。
输出用元件117的源极电极183与选择用TFT元件116的漏极电极125通过连接配线124连接。另外，本实施方式中，将选择用TFT元件116的半导体层123与输出用元件117的半导体层180分离，通过连接配线124将选择用TFT元件116的漏极电极125与输出用元件117的源极电极183连接，但也可以以连接漏极电极125与源极电极183的方式使半导体层123和半导体层180一体化。
图4是示意性地表示图2的IV-IV截面的截面图。另外，图4和后述的图5、图6等所示的截面图是为了方便说明而简化后的截面图，各图中的纵横比等并不正确。
如图4所示，液晶显示装置100包括：TFT阵列基板130；以与TFT阵列基板130相对的方式隔开间隔地配置的对置基板150；和填充在对置基板150与TFT阵列基板130之间的液晶层（显示介质层）160。另外，在TFT阵列基板130与对置基板150之间形成有将TFT阵列基板130与对置基板150的间隔维持为规定的间隔的间隔物161。
液晶显示装置100还包括：配置于对置基板150的上表面的偏光板；和配置于TFT阵列基板130的下表面的偏光板和背光源单元。
以配置在对置基板150的上表面的偏光板的偏光方向与配置在TFT阵列基板130下的偏光板的偏光方向正交的方式，配置各偏光板。背光源单元向TFT阵列基板130照射光。另外，该背光源单元和上述两个偏光板未图示。
对置基板150包括：具有主表面的玻璃基板156；在玻璃基板156的主表面形成的彩色滤光片基板151；和在该彩色滤光片基板151下形成的对置电极152。
TFT阵列基板130包括：具有主表面（第一主表面）的玻璃基板（第一基板）140；和位于玻璃基板140的上方的像素电极114，在该玻璃基板140的主表面上形成有TFT元件（开关元件）115。
在玻璃基板140的主表面上，形成有由氧化硅层（SiO2层）、氮化硅层（SiN）和氮氧化硅层（SiNO层）等绝缘层形成的基底层131。该基底层131的膜厚例如为0nm以上500nm以下，优选为0nm以上400nm以下。
TFT元件115包括：在基底层131的上表面上形成的半导体层132；以覆盖该半导体层132的方式形成的栅极绝缘层133；在栅极绝缘层133的上表面上形成的栅极电极134；和与半导体层132连接的漏极电极137和源极电极138。
栅极电极134在栅极绝缘层133的上表面上，位于半导体层132的上方。漏极电极137与栅极电极134隔开间隔地配置。源极电极138相对于栅极电极134配置在与漏极电极137相反的一侧。源极电极138与源极配线111连接，漏极电极137与像素电极114连接。
通过对栅极电极134施加规定的电压，TFT元件115成为导通，通过对源极配线111和源极电极138施加规定的电压，而对漏极电极137和像素电极114施加规定的电压。
通过由TFT元件115切换对像素电极114施加的电压，控制位于像素电极114与对置电极152之间的液晶层160内的液晶的朝向。通过切换液晶的朝向，切换来自背光源单元的光通过在对置基板150的上表面配置的偏光板的状态和由配置在对置基板150的上表面的偏光板遮光的状态。
半导体层132例如采用连续晶界结晶硅膜等，半导体层132的膜厚例如为20nm以上200nm以下。另外，半导体层132的膜厚优选为30nm以上70nm以下程度。
栅极绝缘层133例如由SiO2、SiN、SiNO等的绝缘层形成。栅极绝缘层133的膜厚例如为20nm以上200nm以下，优选为50nm以上120nm以下。
栅极电极134是一种导电层，该导电层例如包括：钨（W）、钽（Ta）、钛（Ti）、钼（Mo）等金属层；包含它们的合金；或包含钨（W）、钽（Ta）、钛（Ti）、钼（Mo）等元素的化合物等。栅极电极134的膜厚例如为50nm以上600nm以下，栅极电极134的膜厚优选为100nm以上500nm以下。
以覆盖栅极电极134的方式，在栅极绝缘层133的上表面上形成有层间绝缘层135。层间绝缘层135例如由SiO2、SiN和SiNO等的绝缘层形成。层间绝缘层135的膜厚例如为100nm以上1000nm以下，层间绝缘层135的膜厚优选为100nm以上700nm以下。
源极配线111位于层间绝缘层135的上表面上，源极电极138与源极配线111连接。漏极电极137也以到达层间绝缘层135的上表面的方式形成。
源极配线111、源极电极138和漏极电极137例如可以是铝（Al）、铜（Cu）、金（Au）、钛（Ti）等金属层、或依次叠层这些金属层而形成的叠层金属层。这些源极配线111等的膜厚例如为300nm以上1000nm以下，源极配线111等的膜厚优选是400nm以上800nm以下。
在层间绝缘层135的上表面上，以覆盖源极配线111的方式形成有上层绝缘层136。上层绝缘层136例如由SiO2、SiN和SiNO等的绝缘层形成。上层绝缘层136的膜厚例如为50nm以上500nm以下，上层绝缘层136的膜厚优选为50nm以上200nm以下。
像素电极114形成在上层绝缘层136的上表面上。像素电极114由ITO等透明导电层形成。
图5是图2的V-V截面图。如该图5所示，在玻璃基板140的主表面上形成有基底层131，在该基底层131的上表面上形成有输出用元件117。
输出用元件117包括：在基底层131上形成的半导体层180；以覆盖半导体层180的方式形成的栅极绝缘层133；在栅极绝缘层133的上表面中位于半导体层180的上方的部分形成的栅极电极181；和与半导体层180连接的源极电极183和漏极电极182。
源极电极183与栅极电极181隔开间隔地配置，漏极电极182相对于栅极电极181配置在与源极电极183相反的一侧。
层间绝缘层135以覆盖栅极电极181的方式形成在栅极绝缘层133的上表面上。
漏极电极182贯通栅极绝缘层133、层间绝缘层135，与在层间绝缘层135的上表面形成的源极配线111连接。源极电极183也贯通栅极绝缘层133和层间绝缘层135，以到达层间绝缘层135的上表面的方式形成。
在层间绝缘层135的上表面形成有下部电极172和连接配线124。连接配线124与图3所示的选择用TFT元件116的漏极电极125连接。下部电极172利用接触件184与栅极电极181连接。因此，施加于栅极电极181的电压由下部电极172的电位决定。
在下部电极172上形成有上层绝缘层136。下部电极172形成为平坦面状。上层绝缘层136中的至少位于下部电极172上的部分沿下部电极172的上表面形成为平坦面状。
压力传感器（压力检测装置）118包括：上述下部电极172；和位于该下部电极172的上方的上部电极171。
在本实施方式中，上部电极171形成于对置基板150，上部电极171包括：在彩色滤光片基板151的下侧形成的突起部170；和以覆盖该突起部170的方式形成的对置电极152。
突起部170例如包括丙烯酸树脂、可塑性树脂等能够弹性变形的材料。也可以使突起部170包括能够弹性变形的导电性树脂。
突起部170的高度例如为1μm以上10μm以下。突起部170的高度优选为1.5μm以上5μm以下。
在该图5所示的例子中，对置电极152中的位于突起部170的顶点部的部分与上层绝缘层136接触。
在本实施方式中，突起部170的与突出方向垂直的截面以成为圆形形状的方式形成，突起部170的表面为圆滑的弯曲面状。而且，如图2所示，突起部170隔开间隔地形成有多个。
突起部170的形状并不限定于上述形状。例如，也可以以跨多个压力传感器118的下部电极172延伸的方式形成突起部170。此外，突起部170的形状并不限于截面形状为圆形形状，而且外表面也并不限于圆滑的弯曲面。
图6是对置基板150被按压时的液晶显示装置100的截面图。如该图6所示，当被笔或人的手指按压时，对置基板150中被按压的部分和其附近挠曲。
由于玻璃基板156挠曲，上部电极171接近下部电极172。由于上部电极171接近下部电极172，上部电极171被上层绝缘层136按压，突起部170弹性变形，上部电极171沿着下部电极172变形。
图7是示意性地表示上部电极171与上层绝缘层136接触的区域的平面图。在该图7中，区域R1是被图7中的虚线包围的区域，区域R2是被实线包围的区域。区域R1表示对置基板150未被按压的状态（初始状态）下的上部电极171与上层绝缘层136的接触区域。
区域R2表示图6所示的状态下的上部电极171与上层绝缘层136的接触区域。如该图7所示，通过上部电极171稍微发生变位，上部电极171与上层绝缘层136的接触面积变得非常大。
在上部电极171与上层绝缘层136接触的部分，上部电极171和下部电极172均与上层绝缘层136接触，上部电极171与下部电极172之间的间隔成为上层绝缘层136的厚度的量。
具体地说，位于上部电极171的表面上的对置电极152与下部电极172之间的距离是上层绝缘层136的厚度的量。
由此，图7所示的状态下的上部电极171和下部电极172所规定的电容远大于图6所示的初始状态下的上部电极171和下部电极172所规定的电容。
图8是对本实施方式的压力传感器118的特性与作为比较例的压力传感器的特性进行比较的图表。
另外，在该图8所示的图表中，横轴表示上部电极的行程量，纵轴表示上部电极与下部电极间的电容变化率。图表的实线L1表示本实施方式的压力传感器的特性，虚线L2表示比较例的压力传感器的特性。
图9是表示具有作为比较例的压力传感器的显示装置的截面图。该图9所示的比较例的压力传感器与本实施方式的压力传感器118不同，不包含突起部170。因此，比较例的压力传感器包括：在彩色滤光片基板151的下表面形成为平坦面状的对置电极152；和下部电极172。
另外，比较例的对置基板150与TFT阵列基板130之间的距离和本实施方式的对置基板150与TFT阵列基板130之间的距离均为3.3μm。
在该比较例中，当对置基板150被按压时，对置电极152向下部电极172接近。而且，由于对置电极152与下部电极172之间的距离变小，因此对置电极152与下部电极172之间的电容变大。
而且，如上述图8所示，当上部电极的变位量（行程量）较小时，比较例的压力传感器的电容变化率小于本实施方式的压力传感器118的电容变化率。
在比较例的压力传感器中，当施加于对置基板150的按压力较小时，难以正确地检测电容的变化，难以正确地检测施加的压力。
另一方面，如图8所示，可知在本实施方式的压力传感器118中，在上部电极的行程量较小时，电容变化率也较大。因此，在本实施方式的压力传感器118中，在上部电极的行程量较小时，也能够使施加于图5所示的栅极电极181的电压大幅变化。由此，控制部能够正确地检测被施加的按压力。
当行程量超过规定值时，比较例的压力传感器的电容变化率急剧变大。在电容急剧变化的范围中，即使在上部电极与下部电极之间仅稍稍变窄时，电容也会急剧地变化。因此，在电容急剧变化的范围中，施加于输出用元件的栅极电极的电压也急剧变化，来自输出用元件117的电流量也大幅变化。因此，控制部难以正确地计算出按压力。
另一方面，本实施方式的压力传感器118，即使行程量较大，电容变化率也大致一定。这样，在本实施方式的压力传感器118中，电容的变化率大致一定，因此能够容易地根据上部电极与下部电极间的电容计算出施加的压力，能够正确地计算出压力。
这样，本实施方式的压力传感器118包括：下部电极172；与该下部电极172隔开间隔地配置，并且与下部电极相对地配置的上部电极171；和在上部电极171与下部电极172之间形成的上层绝缘层（绝缘层）136，上部电极171形成于能够弹性变形的突起部170的表面上。突起部170与上层绝缘层136抵接，而且被上层绝缘层136按压，由此突起部170上的对置电极152以沿着下部电极172的方式变形。而且，下部电极172与上部电极171之间的电容以规定的大小保持一定的变化率而进行变化。因此，通过检测来自输出用元件117的电流量，能够检测上部电极171与下部电极172之间的电容，能够正确地计算出施加的压力。
这样，在本实施方式1的液晶显示装置100中，搭载有能够正确输出电容变化的压力传感器118，因此，即使对置基板150没有大幅挠曲，也能够正确地计算出施加于对置基板150的按压力。由此，即使将对置基板150的玻璃基板156的厚度形成得比玻璃基板140厚，也能够计算出施加的压力。因此能够提高对置基板150的刚性。
另外，玻璃基板140由背光源单元等支承，因此即使使玻璃基板140的厚度比玻璃基板156薄，也能够抑制TFT阵列基板130的变形。另外，图8的实线所示的压力传感器118的特性是一个例子。因此，当上部电极的行程量变大时，电容变化率并非必须像图8所示那样以一次函数的形式增大。也可以是电容变化率的增加率局部地不同，电容变化率以曲线状变化。
在图5中，半导体层180与图4所示的半导体层132同样地在栅极绝缘层133的上表面上形成，半导体层180包括与半导体层132相同材质（相同）的材料，实质上为相同的膜厚。具体地说，例如，采用连续晶界结晶硅膜等，半导体层132的膜厚例如为20nm以上200nm以下。另外，半导体层132的膜厚优选为30nm以上70nm以下程度。
栅极电极181也与图4所示的栅极电极134同样地在栅极绝缘层133上形成。而且，栅极电极181包括与栅极电极134相同材质（相同）的材料，栅极电极181的膜厚也与栅极电极134的膜厚实质上一致。
漏极电极182、源极电极183、下部电极172和接触件184采用与图4所示的漏极电极137和源极电极138相同的叠层金属膜。
这样，输出用元件117的结构与TFT元件115大致相同，因此，输出用元件117的各部件能够在形成TFT元件115的各部件时同时形成。而且，压力传感器118的下部电极也能够在形成TFT元件115的漏极电极137和源极电极138时同时形成。
因此，能够不增加TFT阵列基板130的制造工序数，抑制制造成本的增加。
使用图10～图21，说明本实施方式的液晶显示装置100的制造方法。
在制造液晶显示装置100时，首先，各自单独地形成TFT阵列基板130和对置基板150。之后，在TFT阵列基板130的上表面涂敷液晶层，之后将对置基板150配置在TFT阵列基板130的上方，形成TFT阵列基板130。
于是，首先说明TFT阵列基板130的制造方法。
图10是表示TFT阵列基板130的制造工序的第一工序的截面图。如图10所示，准备玻璃基板140。之后，在玻璃基板140的主表面上，堆积SiO2、SiN、SiNO等的绝缘层，形成基底层131。
图11是表示TFT阵列基板130的制造工序的第二工序的截面图。在该图11中，首先形成非晶质半导体层。作为非晶质半导体膜的材质，只要导电性是半导体则没有特别限定，能够举出硅（Si）、锗（Ge）、砷化镓（GaAs）等，但在其中，从廉价性和量产性的观点出发，优选硅。作为非晶质半导体膜的形成方法没有特别限定，例如能够举出通过CVD法等形成非晶硅（a-Si）膜的方法。
之后，在上述非晶质半导体层中添加催化剂元素。催化剂元素能够助长非晶质半导体膜的结晶化，由此，能够实现半导体层的CG-Si化，以达到TFT的高性能化。作为催化剂元素能够举出铁、钴、镍、锗、钌、铑、钯、锇、铱、铂、铜、金等，优选包含从上述组中选出的至少一种元素，其中Ni优选使用。作为催化剂元素的添加方法没有特别限定，能够举出电阻加热法、涂敷法等。
之后，使非晶质半导体层结晶化，形成连续晶界结晶硅层（CG硅层）。作为结晶化的方法，优选将利用退火处理而进行结晶化的固相结晶生长（Solid Phase Crystallizati；SPC）法、SPC法和利用受激准分子激光等的照射而进行熔融再结晶化的激光退火法组合而得的方法。
这样，在形成连续晶界结晶硅层之后，将该连续晶界结晶硅层通过光刻法等进行图案化，形成半导体层132和半导体层180。另外，在该第二工序中，也形成图3所示的半导体层123。另外，说明了半导体层180和半导体层123由连续晶界结晶硅层形成的例子，但作为半导体层180和半导体层123并不限于连续晶界结晶硅层，也可以适当地选择其它材料。
图12是表示TFT阵列基板130的制造工序的第三工序的截面图。如该图12所示，通过CVD法等将SiO2、SiN和SiNO等的绝缘层以覆盖半导体层180和半导体层132的方式形成在基底层131上。由此形成栅极绝缘层133。
图13是表示TFT阵列基板130的制造工序的第四工序的截面图。如该图13所示，使用溅射法、CVD法等，在使叠层金属层堆积之后，通过光刻法等进行图案化，由此形成栅极电极134和栅极电极181。
栅极电极134形成于栅极绝缘层133的上表面中的位于半导体层132的上方的部分。栅极电极181形成于栅极绝缘层133的上表面中位于半导体层180的上方的部分。
另外，在该第四工序中，也形成图2所示的栅极配线112、传感器用栅极配线113和栅极电极122。
图14是表示TFT阵列基板130的制造工序的第五工序的截面图。如该图14所示，以覆盖栅极电极134和栅极电极181的方式，在栅极绝缘层133的上表面形成层间绝缘层135。
图15是表示TFT阵列基板130的制造工序的第六工序的截面图。如该图15所示，通过干蚀刻等对层间绝缘层135和栅极绝缘层133进行图案化，形成接触孔162～166。
接触孔162和接触孔163以到达半导体层132的方式形成，接触孔164和接触孔166以到达半导体层180的方式形成。接触孔165以到达栅极电极181的上表面的方式形成。
图16是表示TFT阵列基板130的制造工序的第七工序的截面图。在该图16中，通过溅射形成金属层。此时，金属层也进入图15所示的接触孔162～接触孔166内。
另外，在漏极电极137、182、源极电极138、183、下部电极172、接触件184和连接配线124由叠层金属层形成的情况下，通过溅射，依次叠层多个金属层。
而且，将形成的金属层或叠层金属层图案化，形成漏极电极137、182、源极电极138、183、下部电极172、接触件184和连接配线124。
另外，在该第七工序中，也形成图2所示的源极配线111、选择用TFT元件116的源极电极121和漏极电极125。
之后，如上述图4和图5所示，形成上层绝缘层136。具体地说，将氮化硅层（SiN层）例如通过等离子体化学气相生长法形成为200nm左右。之后，将上层绝缘层136图案化，形成使漏极电极137的一部分露出的接触孔。然后，形成ITO膜，将该ITO膜图案化，形成像素电极114。
另外，在将间隔物161形成于TFT阵列基板130时，将丙烯酸树脂等树脂层形成在上层绝缘层136的上表面上，使该树脂层图案化，形成间隔物161。另外，间隔物161的高度为4μm左右。由此能够形成TFT阵列基板130。
这样，根据本实施方式的TFT阵列基板130的制造方法，能够形成TFT元件115的半导体层、栅极电极、源极电极和漏极电极，并且形成选择用TFT元件116、输出用元件117的半导体层等，而且也能够形成压力传感器的下部电极。因此能够抑制制造工序数的增大。
使用图17～图21说明对置基板150的制造方法。图17是表示对置基板150的制造工序的第一工序的截面图。
如该图17所示，准备具有主表面的玻璃基板156。而且，在玻璃基板156的主表面上，例如利用旋转涂胶等形成具有1～10μm左右的厚度的高遮光性树脂层。优选为2～5μm左右。之后，进行曝光、显影、清洗、后烘焙。由此，在玻璃基板156的主表面形成图2所示的黑矩阵155。另外，作为树脂的材料，只要是一般作为黑色感光性树脂使用的丙烯酸树脂等的感光性树脂，则即可以是负型也可以是正型。另外，在使黑矩阵155具有导电性时，由导电性的树脂材料、钛（Ti）等金属材料形成黑矩阵155。
图18是表示玻璃基板156的制造工序的第二工序的截面图。在该图18中，黑矩阵155是例如具有60μm×100μm左右的开口部的宽度20μm左右的栅格状的图案。以喷墨方式在黑矩阵155的开口部涂敷着色层153的墨。这样，彩色滤光片基板151在玻璃基板156的主表面上形成。另外，着色层153的膜厚例如为1～10μm左右，优选为2～5μm左右。
图19是表示对置基板150的制造工序的第三工序的截面图。如该图19所示，例如将丙烯酸等可塑性树脂层157例如形成为1～10μm左右。另外，优选为1.5～5μm左右。例如使可塑性树脂层157的膜厚为3.5μm。
图20是表示对置基板150的制造工序的第四工序的截面图。如该图20所示，通过光刻将可塑性树脂层157图案化，形成树脂图案158。图21是表示对置基板150的制造工序的第五工序的截面图，在该图21中，对树脂图案158施以退火处理（树脂退火），形成突起部170。
具体地说，将形成有树脂图案158的玻璃基板156插入炉中，例如在100℃以上300℃以下的温度实施退火处理。另外，退火处理温度优选为100℃以上200℃以下。例如在炉中以220℃烘焙60分钟左右。
通过对树脂图案158施以退火处理，表面的树脂流动，形成表面光滑的突起部170。
另外，将可塑性树脂层157的膜厚设为3.5μm，当对图案化后的树脂图案158在220℃中施以60分钟的退火处理时，突起部170的高度为3.4μm左右。
之后，以覆盖突起部170的方式涂敷ITO层等透明导电层，形成对置电极152。另外，对置电极152的膜厚例如为50nm以上400nm以下程度。对置电极152的膜厚优选为50nm以上200nm以下程度。例如对置电极152的膜厚为200nm。
这样，在突起部170上形成对置电极152，由此形成上部电极171。另外，在对置基板150形成间隔物161的情况下，将丙烯酸树脂等树脂层形成在对置电极152的上表面上，使该树脂层图案化，形成间隔物161。另外，间隔物161的高度为4μm左右。这样形成对置基板150。
然后，在TFT阵列基板130的上表面涂敷液晶层，进而在TFT阵列基板130的上方配置对置基板150。
此时，以上部电极171位于对置电极152的上方的方式叠层TFT阵列基板130和对置基板150。之后经由各种工序，由此能够形成图4和图5所示的液晶显示装置100。
在这样得到的液晶显示装置100中，当从TFT阵列基板130一侧施加有1N左右的力时，能够检测到没有施加按压力的状态的6倍的静电电容。而且，从开始按压起到按压至1N的期间，相对于按压力，静电电容以一次函数的方式增加。
（实施方式2）
使用图22～图26说明本发明的实施方式2的压力传感器118和液晶显示装置100。
在图22到图26所示的结构中，存在对与上述图1到图21所示的结构相同或相当的结构标注相同的附图标记并省略其说明的情况。
图22是本实施方式2的液晶显示装置100的截面图，是表示TFT元件115的截面图。图23是本实施方式2的液晶显示装置100的截面图，是输出用元件117的截面图。
如该图22和图23所示，液晶显示装置100具备TFT元件115和输出用元件117，以覆盖TFT元件115和输出用元件117的方式形成有层间绝缘层135。
TFT元件115的漏极电极137和源极电极138的上端部、输出用元件117的漏极电极182和源极电极183的上端部、接触件184的上端部、源极配线111、连接配线124位于层间绝缘层135的上表面。
在接触件184的上端部形成有垫部185，液晶显示装置100包括层间绝缘层139，该层间绝缘层139形成为覆盖：垫部185；TFT元件115的漏极电极137和源极电极138的上端部；输出用元件117的漏极电极182和源极电极183的上端部；接触件184的上端部；源极配线111；和连接配线124。
在该层间绝缘层139的上表面形成有：反射电极187；和与该反射电极187连接的下部电极189。反射电极187与下部电极189一体连接。
下部电极189和反射电极187与垫部185通过连接部186连接。垫部185通过接触件184与栅极电极181连接。这样，下部电极189与栅极电极181连接。
在下部电极189和反射电极187上形成有上层绝缘层136。下部电极189形成为平坦面状。上层绝缘层136中的位于下部电极189的上表面上的部分沿下部电极189的上表面形成为平坦面状。
图22所示的像素电极114形成在上层绝缘层136上，贯通上层绝缘层136和层间绝缘层139，与漏极电极137连接。
在位于下部电极189的上方的对置基板150的下表面形成有上部电极171。另外，在本实施方式2中，上部电极171也包括：在彩色滤光片基板151的下表面形成的突起部170；和在该突起部170的表面上形成的对置电极152。
在本实施方式2的液晶显示装置100中，通过按压对置基板150，上部电极171与上层绝缘层136接触，突起部170变形。具体地说，上部电极171以沿下部电极189的方式变形。而且，在突起部170上形成的对置电极152与下部电极189夹着上层绝缘层136相对的面积急剧增大，下部电极189的电位大幅变化。而且，能够使施加于栅极电极181的电压大幅变化。
使用图24～图26说明本实施方式2的液晶显示装置100的制造方法。
另外，本实施方式2的液晶显示装置100的TFT阵列基板130与上述实施方式1的液晶显示装置100的TFT阵列基板130的制造工序一部分重复。具体地说，从图10所示的制造工序到图14所示的制造工序与本实施方式的TFT阵列基板130的制造工序是共通的。
图24是表示作为本实施方式2的液晶显示装置100的TFT阵列基板130的制造工序的、图14所示的制造工序后的制造工序的截面图。
如该图24所示，将层间绝缘层135和栅极绝缘层133图案化，形成多个接触孔。之后将金属层或叠层金属层形成在层间绝缘层135上。
将金属层或叠层金属层图案化，形成漏极电极137、源极电极138、漏极电极182、接触件184、源极电极183、垫部185和连接配线124。另外，源极配线111、垫部185形成在层间绝缘层135的上表面上。
图25是表示图24所示的TFT阵列基板130的制造工序后的制造工序的截面图。如该图25所示，以覆盖源极配线111和垫部185的方式形成层间绝缘层139。
然后，将层间绝缘层139图案化。此时，在形成连接部186的部分形成接触孔，并且在层间绝缘层139的上表面中的设置反射电极187的预定部分形成凹凸部。
这样，将层间绝缘层139图案化后，在层间绝缘层139的上表面上形成以下任意一层，即：铝（Al）、银（Ag）、钼（Mo）等金属层；包含铝（Al）、银（Ag）、钼（Mo）等金属元素的金属化合物层；或叠层铝（Al）层、银（Ag）层、钼（Mo）层而形成的叠层金属层。
通过在层间绝缘层139的上表面形成金属层或叠层金属层，在形成于层间绝缘层139的接触孔内形成连接部186。
然后，通过将金属层或叠层金属层图案化，形成下部电极189和反射电极187。
另外，在层间绝缘层139的上表面中的形成反射电极187的部分预先形成有凹凸部，因此反射电极187沿该凹凸部的表面形成凹凸状。
图26是表示图25所示的制造工序后的TFT阵列基板130的制造工序的截面图。
如该图26所示，以覆盖下部电极189和反射电极187的方式在层间绝缘层139上形成上层绝缘层136。
之后，将上层绝缘层136和层间绝缘层139图案化，形成从上层绝缘层136的上表面到漏极电极137的上端部的接触孔。在形成接触孔后，在上层绝缘层136的上表面形成ITO膜，将该ITO膜图案化，形成像素电极114。这样形成图22和图23所示的TFT阵列基板130。
这样，下部电极189和与该下部电极189连接的连接部186，能够在形成反射电极187的工序中与反射电极187一同形成。因此，在本实施方式中，也能够不导致制造工序增加地将压力传感器118的下部电极形成在TFT阵列基板130内。
（实施方式3）
使用图27～图37说明本发明的实施方式3的压力传感器118、液晶显示装置100和液晶显示装置100的制造方法。另外，对于图27到图37所示的结构中的与上述图1到图26所示的结构相同或相当的结构，存在标注相同的附图标记并省略其说明的情况。
图27是本实施方式3的液晶显示装置100的截面图，是表示TFT元件115的截面图。图28是本实施方式3的液晶显示装置100的截面图，是表示压力传感器118的截面图。
如该图27所示，液晶显示装置100包括：在玻璃基板140的主表面上形成的基底层141；在该基底层141的上表面上形成的基底层131；和在该基底层131上形成的TFT元件115。
基底层141由SiO2、SiN、SiNO等的绝缘层形成。基底层141的膜厚例如大于0nm且为500nm以下。基底层141的膜厚优选为400nm以下。
TFT元件115包括：在基底层131上形成的半导体层132；隔着栅极绝缘层133在半导体层132的上方形成的栅极电极134；和与半导体层132连接的漏极电极137和源极电极138。栅极电极134被在栅极绝缘层133上形成的层间绝缘层135覆盖。漏极电极137和源极电极138以到达层间绝缘层135的上表面的方式形成。在层间绝缘层135上形成有上层绝缘层136，在该上层绝缘层136的上表面上形成有像素电极114。像素电极114与漏极电极137的上端部连接。
如图28所示，压力传感器118包括：在基底层141的上表面上形成的下部电极172；和位于下部电极172的上方，以与下部电极172相对的方式配置的上部电极171，在上部电极171下形成有允许上部电极171以挠曲的方式变形的凹部147。另外，下部电极172被基底层131覆盖。下部电极172形成为平板状。
基底层131中的位于下部电极172上的部分沿着下部电极172的上表面延伸，形成为平坦面状。
接触件146与下部电极172连接，该接触件146以到达层间绝缘层135的上表面的方式形成。接触件146的上端部与在层间绝缘层135的上表面形成的源极配线111连接。
上部电极171在栅极绝缘层133的上表面上形成，凹部147形成于作为上部电极171与下部电极172之间的、栅极绝缘层133与基底层131之间。
上部电极171形成为平板状。栅极绝缘层133中的位于上部电极171下的部分沿上部电极171的下表面延伸，形成为平坦面状。
连接配线124与上部电极171连接，该连接配线124与图1所示的选择用TFT元件116的漏极电极连接。
上层绝缘层136以覆盖与下部电极172连接的源极配线111和连接配线124的方式形成。
本实施方式3的液晶显示装置100的对置基板150包括：玻璃基板156；在该玻璃基板156的下表面形成的彩色滤光片基板151；在该彩色滤光片基板151的下表面形成的对置电极152；和在该对置电极152的下表面形成的按压部件145。按压部件145包括丙烯酸树脂等树脂。
控制部105读出与接触件146连接的源极配线111和与选择用TFT元件116连接的源极配线111的输出。
由此，控制部105能够检测上部电极171与下部电极172之间的电容。控制部105根据上部电极171与下部电极172之间的电容的变化，计算施加于对置基板150的按压力。
此处，当使用者用笔或手指按压对置基板150时，对置基板150中被按压的部分稍稍挠曲。
图29是示意性地表示对置基板150被按压时的液晶显示装置100的状态的截面图。
如该图29所示，当按压部件145按压TFT阵列基板130的上表面时，上部电极171和位于该上部电极171下的栅极绝缘层133挠曲。
而且，位于上部电极171下的栅极绝缘层133与位于下部电极172上的基底层131抵接，上部电极171变形。
图30是表示上部电极171和栅极绝缘层133在由于来自按压部件145的按压力而变形之前的状态下的上部电极171和栅极绝缘层133的截面图。
如该图30所示，在上部电极171和栅极绝缘层133形成有多个孔部173、174。另外，孔部173和孔部174以相互连通的方式形成。
图31是上部电极171的平面图。如该图31所示，上部电极171形成为大致正方形形状，在上部电极171形成的孔部173也形成为正方形形状。孔部173以在上部电极171均匀分布的方式形成。上部电极171的一边例如为30μm左右，孔部173的一边例如为2μm左右。另外，上部电极171以其宽度比栅极电极134的宽度更宽的方式形成。因此，上部电极171容易由于来自外部的按压力而变形。
上部电极171的膜厚例如为50nm以上600nm以下，优选为100nm以上500nm以下。
这样，上部电极171的边的长度以远大于上部电极171的厚度的方式形成。因此，当上部电极171的上表面的中央部被按压时，上部电极171能够容易地以挠曲的方式变形。
另外，上部电极171包括与栅极电极相同的金属材料，例如包括：钨（W）、钽（Ta）、钛（Ti）、钼（Mo）等金属层；包含钨（W）、钽（Ta）、钛（Ti）、钼（Mo）等元素的合金；或包含钨（W）、钽（Ta）、钛（Ti）、钼（Mo）的化合物。
优选上部电极171和栅极电极包括：370nm左右的钨（W）层；和在该钨（W）层上形成的50nm左右的TaN（氮化钽）层。
另外，作为上部电极171的形状并不限于正方形形状，也可以是长方形，能够采用五边形形状以上的多边形形状、圆形形状、椭圆形状等各种形状。
图32是表示由于来自按压部件145的按压力，上部电极171和栅极绝缘层133变形后的状态的截面图。
如该图32所示，栅极绝缘层133和上部电极171以进入凹部147内的方式挠曲。
此处，凹部147的开口缘部比上部电极171的外周边部稍小，上部电极171的大部分以进入凹部147的方式挠曲。
凹部147由在半导体层180形成的孔部和基底层131的上表面形成。因此，凹部147的高度与半导体层180的厚度相同。半导体层180的厚度例如为20nm以上200nm以下，优选为30nm以上70nm以下。上部电极171的一边的长度远大于凹部147的高度。
因此，通过上部电极171和栅极绝缘层133稍微变形，栅极绝缘层133与基底层131的上表面抵接。
进一步，当由按压部件145按压上部电极171和栅极绝缘层133时，如图32所示，栅极绝缘层133中位于凹部147内的部分的大部分与基底层131抵接。
此时，栅极绝缘层133以沿基底层131的上表面的方式变形，位于栅极绝缘层133上的上部电极171也以沿基底层131的方式变形。
基底层131沿下部电极172的上表面形成为平坦面状，因此上部电极171沿下部电极172的形状形成为平坦面状。
因此，上部电极171的大部分与下部电极172夹着栅极绝缘层133和基底层131，上部电极171的大部分和下部电极172隔着栅极绝缘层133和基底层131相互对置。
图33是如图32所示上部电极171发生变形时的上部电极171的平面图。在该图33中，被虚线包围的区域表示沿下部电极172的上表面变形的区域，该被虚线包围的区域是隔着基底层131和基底层131与基底层141相对的区域。
如该图33所示，通过上部电极171稍微变形，上部电极171的大部分沿下部电极172变形。
该被虚线包围的区域的面积由于按压部件145向下方稍微变位而急剧上升。因此，上部电极171与下部电极172之间的电容也急剧变大。
这样，在本实施方式3的压力传感器118中，上部电极也以沿下部电极的形状的方式变形，压力传感器118的特性显示图8的实线所示的特性。
因此，本实施方式3的液晶显示装置100能够正确地计算出施加于对置基板150的压力。
使用图34～图36说明本实施方式3的液晶显示装置100的制造方法。在本实施方式3的液晶显示装置100中也分别单独地形成TFT阵列基板130和对置基板150。之后使TFT阵列基板130与对置基板150相对配置。
图34是表示TFT阵列基板130的制造工序的第一工序的截面图。如该图34所示，准备具有主表面的玻璃基板140。在该玻璃基板140的主表面上形成基底层141。基底层141例如由SiO2、SiN、SiNO等的绝缘层形成，例如为50nm左右的氮氧化硅层（SiNO层）和在该氮氧化硅层（SiNO层）上形成的110nm左右的氧化硅层（SiO2层）。
例如，基底层141形成为厚度大于0nm且为500nm以下。另外，优选基底层141的膜厚为400nm以下。
之后，通过溅射等将钼（Mo）、钨（W）等金属层形成在基底层141的上表面上。然后，将该金属层图案化，形成下部电极172。下部电极172的膜厚例如为50nm以上600nm以下。另外，下部电极172的膜厚为50nm以上300nm以下。
以覆盖下部电极172的方式形成SiO2、SiN、SiNO等的绝缘层，形成基底层131。基底层131的膜厚为50nm以上400nm以下程度，优选为50nm以上200nm以下。
在基底层141上堆积非晶质半导体层。非晶质半导体层的膜厚例如为20nm以上200nm以下。另外，非晶质半导体层的膜厚优选为30nm以上70nm左右。之后，使该非晶质半导体层结晶化，形成连续晶界结晶硅层（CG硅层）。将连续晶界结晶硅层图案化，形成半导体层132和半导体层180。另外，半导体层180在基底层131的上表面中的位于下部电极172的上方的部分形成。
图35是表示TFT阵列基板130的制造工序的第二工序的截面图。如该图35所示，形成SiO2、SiN、SiNO等的绝缘层，形成栅极绝缘层133。另外，栅极绝缘层133的膜厚例如为20nm以上200nm以下，优选为50nm以上120nm以下。具体地说，栅极绝缘层133为80nm左右的SiO2层。
在形成栅极绝缘层133之后，将P＋在45KV、5E15cm-2的条件下向半导体层132和半导体层180注入。
然后，在栅极绝缘层133的上表面上形成金属层。该金属层例如为：钨（W）、钽（Ta）、钛（Ti）、钼（Mo）等金属膜；包含钨（W）、钽（Ta）、钛（Ti）、钼（Mo）等的合金膜；或包含钨（W）、钽（Ta）、钛（Ti）、钼（Mo）元素的化合物。
该金属层的膜厚例如为50nm以上600nm以下，优选为100nm以上500nm以下。
之后，将该金属层图案化，形成栅极电极134和上部电极171。此时，在上部电极171同时形成孔部173。
即，根据本实施方式3的液晶显示装置100的制造方法，能够同时形成栅极电极134和上部电极171，抑制制造工序的增大化。
在形成上部电极171和栅极电极134之后，形成覆盖上部电极171以外的部分的抗蚀剂掩膜，使用上部电极171和该掩膜，蚀刻栅极绝缘层133。另外，栅极绝缘层133使用HF（氟化氢）水溶液等酸性溶液进行蚀刻。由此在栅极绝缘层133形成孔部174。
图36是表示TFT阵列基板130的制造工序的第三工序的截面图。如该图36所示，首先，以覆盖上部电极171和栅极电极134的方式在栅极绝缘层133的上表面上形成抗蚀剂，对该抗蚀剂实施图案化。由此形成抗蚀剂图案223。在该抗蚀剂图案223形成孔部，孔部173和孔部174露出于外部。然后，将基板浸渍于氢氧化钾（KOH）等碱性溶液中。溶液从孔部173和孔部174进入，半导体层180被蚀刻。由此在半导体层180形成凹部147。
之后，如图28所示，首先除去抗蚀剂图案223，以覆盖栅极电极134和上部电极171的方式形成层间绝缘层135。对层间绝缘层135实施图案化，在形成多个接触孔之后，利用溅射将金属层形成在层间绝缘层135的上表面上。将该金属层图案化，形成漏极电极137、源极电极138、源极配线111、接触件146和连接配线124。
然后，堆积上层绝缘层136，对该上层绝缘层136实施图案化，形成接触孔。之后，堆积ITO膜，将该ITO膜图案化，形成像素电极114。这样，形成本实施方式3的液晶显示装置100的TFT阵列基板130。
另一方面，在形成对置基板150时，首先准备玻璃基板156。在该玻璃基板156的主表面上形成彩色滤光片基板151之后形成对置电极152。然后，在该对置电极152堆积丙烯酸树脂等树脂。将该丙烯酸树脂图案化，形成按压部件145。这样，形成本实施方式3的液晶显示装置100的对置基板150。之后，在形成的TFT阵列基板130的上表面上涂敷液晶层160，在TFT阵列基板130的上表面侧配置对置基板150。这样形成本实施方式的液晶显示装置100。
图37是表示图28所示的TFT阵列基板130的变形例的截面图。在该图37所示的例子中，在基底层141的上表面中位于半导体层132下的部分形成有遮光层148。该遮光层148包括与下部电极172相同（同材质）的材料，遮光层148的膜厚和下部电极172的膜厚实质上一致。具体地说，遮光层148例如为：钨（W）、钽（Ta）、钛（Ti）、钼（Mo）等金属膜；包含钨（W）、钽（Ta）、钛（Ti）、钼（Mo）等的合金膜；或包含钨（W）、钽（Ta）、钛（Ti）、钼（Mo）元素的化合物。遮光层148的膜厚例如为50nm以上600nm以下，优选为100nm以上500nm以下。
遮光层148抑制光向半导体层132照射，抑制由光电效应引起的TFT元件115的特性的变化。
在制造TFT阵列基板130的工序中，遮光层148与下部电极172通过将堆积在基底层141上的金属层图案化而形成。这样，能够在同一工序中形成下部电极172和遮光层148，因此能够抑制液晶显示装置100的制造工序的增大，并且能够形成下部电极172和遮光层148。
（实施方式4）
使用图38～图49说明本发明的实施方式4的压力传感器118、液晶显示装置100和液晶显示装置100的制造方法。另外，对于图38到图49所示的结构中与上述图1到图37所示的结构相同或相当的结构，存在标注相同的附图标记并省略其说明的情况。
图38是示意性地表示本实施方式4的液晶显示装置100的电路图的电路图。
如该图38所示，本实施方式4的压力传感器190的一个电极（下部电极）与选择用TFT元件116的漏极电极连接，压力传感器190的另一个电极（上部电极）与对置电极152连接。
控制部105通过切换选择用TFT元件116的导通/断开，选择进行传感的压力传感器190。
在被选择的选择用TFT元件116为导通时，对被选择的选择用TFT元件116所连接的传感器用栅极配线113施加规定的电压。而且，对该被选择的选择用TFT元件116的源极电极所连接的源极配线111施加规定电压。
压力传感器190形成为根据从外部施加的压力使电流量变化。
因此，控制部105读出在选择用TFT元件116所连接的源极配线111与对置电极152之间流动的电流量，由此能够计算出施加于被选择的压力传感器190的压力。
图39是本实施方式4的液晶显示装置100的截面图，是表示TFT元件115的截面图。
如该图39所示，液晶显示装置100包括：TFT阵列基板130；配置在TFT阵列基板130的上方的对置基板150；和填充在TFT阵列基板130与对置基板150之间的液晶层160。
TFT阵列基板130包括：玻璃基板140；在玻璃基板140的主表面上形成的基底层131；和在该基底层131上形成的TFT元件115。
TFT元件115包括：在基底层131上形成的半导体层132；以覆盖半导体层132的方式形成的栅极绝缘层133；在该栅极绝缘层133上形成的栅极电极134；和与半导体层132连接的漏极电极137和源极电极138。
在栅极绝缘层133上以覆盖栅极电极134的方式形成层间绝缘层135，漏极电极137和源极电极138以到达该层间绝缘层135的上表面的方式形成。而且，在漏极电极137的上端部形成漏极垫210，像素电极114与漏极垫210连接。
在源极电极138的上端部形成有配线211，在该配线211的上表面形成有透明导电层212。由配线211和透明导电层212形成TFT元件115所连接的源极配线111。
在对置基板150与TFT阵列基板130之间配置有间隔物161。
图40是本实施方式4的液晶显示装置100的截面图，是表示选择用TFT元件116和压力传感器190的截面图。
如该图40所示，在TFT阵列基板130形成有选择用TFT元件116，在对置基板150与TFT阵列基板130之间形成有压力传感器190。
选择用TFT元件116包括：在基底层131上形成的半导体层200；以覆盖该半导体层200的方式形成的栅极绝缘层133；在栅极绝缘层133的上表面上形成的栅极电极201；和与半导体层200连接的漏极电极202和源极电极203。
在栅极绝缘层133上以覆盖栅极电极201的方式形成有层间绝缘层135。漏极电极202的上端部以到达层间绝缘层135的上表面的方式形成，在漏极电极202的上端部连接有电极部213。电极部213位于层间绝缘层135的上表面上，形成为平坦面状。
源极电极203的上端部以到达层间绝缘层135的上表面的方式形成，配线214与该源极电极203的上端部连接。配线214位于层间绝缘层135的上表面，形成为平坦面状。在配线214的上表面形成有透明导电层215，透明导电层215由ITO层等形成。由配线214和透明导电层215形成选择用TFT元件116所连接的源极配线111。
压力传感器190包括：在对置基板150形成的上部电极171；和在TFT阵列基板130形成的下部电极191。
上部电极171包括：在彩色滤光片基板151的下表面形成的突起部170；和位于该突起部170上的对置电极152。突起部170包括丙烯酸树脂等可塑性树脂，能够弹性变形。
下部电极191在电极部213的上表面形成。下部电极191例如包括ITO膜等透明导电层、Si等电阻层等。下部电极191的膜厚例如为50nm以上400nm以下。优选为50nm以上200nm以下。
在该图40所示的例子中，在外力没有施加于对置基板150的状态下，在上部电极171与下部电极191之间稍稍形成有间隙。
在外力没有施加于对置基板150的状态下，上部电极171与下部电极191不接触，在上部电极171与下部电极191之间不流动电流，能够减少电力消耗。
图41是示意性地表示按压对置基板150时的状态的截面图。如该图41所示，通过按压对置基板150，对置基板150变形，上部电极171与下部电极191接触。
通过上部电极171与下部电极191的接触，在上部电极171与下部电极191之间流过电流。控制部105对选择用TFT元件116所连接的源极配线111和对置电极152进行传感，由此，控制部105能够检测在下部电极191与上部电极171之间流动的电流量。
而且，当按压对置基板150的压力变大时，突起部170变形。通过突起部170的变形，对置电极152中的位于突起部170上的部分也沿下部电极191的形状变形。
由此，下部电极191与对置电极152的接触面积急剧增大，在下部电极191与上部电极171之间流动的电流量也增大。因此，控制部105能够容易地检测电流量的变化，容易计算出施加于对置基板150的按压力。
因此，在本实施方式4的压力传感器190和液晶显示装置100中，也能够正确地检测施加于对置基板150的按压力。另外，上部电极171和下部电极191在初始状态下也可以稍有接触。在该情况下，通过向对置基板150稍微施加按压力，就能够使在上部电极171与下部电极191之间流动的电流量变化。
使用图42～图49说明本实施方式4的液晶显示装置100的制造方法。
另外，在本实施方式4的液晶显示装置100中，也分别形成对置基板150和TFT阵列基板130，之后，通地以夹着液晶层的方式贴合对置基板150和TFT阵列基板130，形成液晶显示装置100。
图42是表示TFT阵列基板130的制造工序的第一工序的截面图。如该图42所示，准备具有主表面的玻璃基板140。在玻璃基板140的主表面上形成基底层131。另外，基底层131由SiO2、SiN、SiNO等的绝缘层形成。基底层131例如形成为500nm以下，优选形成为400nm以下。
之后，在基底层131的上表面上堆积非晶质半导体层。非晶质半导体层的膜厚例如为20nm以上200nm以下。另外，非晶质半导体层的膜厚优选为30nm以上70nm左右。之后，使该非晶质半导体层结晶化，形成连续晶界结晶硅层（CG硅层）。将连续晶界结晶硅层图案化，形成半导体层132和半导体层200。
这样，能够在同一图案化工序中形成TFT元件115的半导体层132和选择用TFT元件116的半导体层200。
图43是表示TFT阵列基板130的制造工序的第二工序的截面图。如该图43所示，以覆盖半导体层132和半导体层200的方式，在基底层131上形成栅极绝缘层133。栅极绝缘层133由SiO2、SiN、SiNO等的绝缘层形成，栅极绝缘层133的膜厚例如为20nm以上200nm以下，优选为50nm以上120nm以下。
在栅极绝缘层133的上表面上通过溅射等形成金属层。该金属层例如为：钨（W）、钽（Ta）、钛（Ti）、钼（Mo）等金属膜；包含钨（W）、钽（Ta）、钛（Ti）、钼（Mo）等的合金膜；或包含钨（W）、钽（Ta）、钛（Ti）、钼（Mo）元素的化合物。该金属层的膜厚例如为50nm以上600nm以下，优选为100nm以上500nm以下。
然后，将该金属层图案化，形成栅极电极134和栅极电极201。这样，能够在同一图案化工序中形成TFT元件115的栅极电极134和选择用TFT元件116的栅极电极201。
图44是表示TFT阵列基板130的制造工序的第三工序的截面图。如该图44所示，以覆盖栅极电极201和栅极电极134的方式形成层间绝缘层135。层间绝缘层135例如由SiO2、SiN和SiNO等的绝缘层形成。层间绝缘层135的膜厚例如为100nm以上1000nm以下，层间绝缘层135的膜厚优选为100nm以上700nm以下。
将层间绝缘层135图案化，形成多个接触孔。在形成接触孔之后，在层间绝缘层135上通过溅射形成导电层。该金属层例如包括：钨（W）、钽（Ta）、钛（Ti）、钼（Mo）等金属层；包含钨（W）、钽（Ta）、钛（Ti）、钼（Mo）等元素的合金；或包含钨（W）、钽（Ta）、钛（Ti）、钼（Mo）的化合物。
将该金属层图案化，形成漏极电极137、漏极垫210、源极电极138、配线211、漏极电极202、电极部213、源极电极203和配线214。
之后，以覆盖漏极垫210、配线211、电极部213和配线214的方式形成ITO等透明导电层。将该透明导电层图案化，形成图39和图40所示的像素电极114、透明导电层212、下部电极191和透明导电层215。
由此，能够形成图39和图40所示的TFT阵列基板130。这样，根据本实施方式4的液晶显示装置100的制造方法，能够在形成TFT元件115的工序中形成选择用TFT元件116和压力传感器190的下部电极191，能够抑制制造工序数的增大。
图45是表示对置基板150的制造工序的第一工序的截面图。如该图45所示，准备具有主表面的玻璃基板156。然后，在该玻璃基板156的主表面上形成彩色滤光片基板151。
图46是表示对置基板150的制造工序的第二工序的截面图。如该图46所示，在彩色滤光片基板151的主表面上形成可塑性树脂层157。
可塑性树脂层157的膜厚例如形成为1～10μm左右。另外，优选为2～5μm左右。
图47是表示对置基板150的制造工序的第三工序的截面图。如该图47所示，将可塑性树脂层157图案化，形成树脂图案158。图48是表示对置基板150的制造工序的第四工序的截面图。在该图48中，对树脂图案158施以退火处理，形成表面光滑的突起部170。
图49是表示对置基板150的制造工序的第五工序的截面图，如该图49所示，以覆盖突起部170的方式，在彩色滤光片基板151的表面形成对置电极152。由此形成上部电极。
在形成对置电极152之后，形成丙烯酸树脂等树脂层。将该树脂层图案化，形成多个间隔物161。贴合这样形成的对置电极152和TFT阵列基板130，形成液晶显示装置100。
（实施方式5）
使用图50～图57和图38，说明本发明的实施方式5的压力传感器118、液晶显示装置100和液晶显示装置100的制造方法。另外，在图50到图57所示的结构中，对于与上述图1到图49所示的结构相同或相当的结构，存在标注相同的附图标记并省略其说明的情况。此外，本实施方式5的液晶显示装置100的电路是上述图38所示的电路。
图50是本实施方式5的液晶显示装置100的截面图，是表示TFT元件115的截面图。
如该图50所示，液晶显示装置100包括：玻璃基板140；在该玻璃基板140的主表面上形成的基底层131；和在基底层131的上表面上形成的TFT元件115。
TFT元件115包括：在基底层131上形成的半导体层132；以覆盖半导体层132的方式在基底层131上形成的栅极绝缘层133；在该栅极绝缘层133上形成的栅极电极134；与半导体层132连接的漏极电极137和源极电极138。
在栅极绝缘层133上以覆盖栅极电极134的方式形成有层间绝缘层135。在该层间绝缘层135的上表面上形成有漏极垫210和源极配线111。漏极电极137与漏极垫210连接，源极电极138与源极配线111连接。
进一步，在层间绝缘层135的上表面上形成有树脂层149。树脂层149由丙烯酸树脂等可塑性树脂形成。树脂层149的膜厚例如为1μm以上10μm以下。树脂层149的膜厚优选为1.5μm以上5μm以下。在树脂层149的上表面上形成有像素电极114，像素电极114与漏极垫210连接。
图51是液晶显示装置100的截面图，是表示选择用TFT元件116的截面图。
如该图51所示，液晶显示装置100具有在基底层131上形成的选择用TFT元件116。
选择用TFT元件116包括：在基底层131上形成的半导体层180；以覆盖半导体层180的方式在基底层131上形成的栅极绝缘层133；在该栅极绝缘层133上形成的栅极电极181；和与半导体层180连接的漏极电极182和源极电极183。
在层间绝缘层135的上表面形成有垫部219、源极配线111、下部电极218。漏极电极182的上端部与垫部219连接，源极配线183的上端部与源极配线111连接。
因此，通过控制施加于栅极电极181的电压，能够切换选择用TFT元件116的导通/断开。
下部电极218与垫部219连接。下部电极218包括：以从层间绝缘层135的上表面向上方突出的方式形成的突起部216；和在该突起部216的表面形成的导电层217。突起部216包括与树脂层149相同的材料，例如突起部216包括丙烯酸树脂等能够弹性变形的树脂材料。突起部216的外表面为弯曲面状。导电层217与垫部219连接。
在对置基板150的下表面中的位于下部电极218的上方的部分形成有上部电极171。
上部电极171包括在彩色滤光片基板151的下表面形成的间隔物161；和以覆盖该间隔物161的方式在彩色滤光片基板151的下表面形成的对置电极152。间隔物161例如包括丙烯酸树脂，以从彩色滤光片基板151的下表面向下部电极218突出的方式形成。
在控制部105进行传感时，规定电压被施加于栅极电极181，选择用TFT元件116为导通状态。
而且，当对置基板150被按压时，上部电极171向下部电极218变位，上部电极171按压下部电极218。通过按压导电层217，导电层217变形，下部电极218以沿上部电极171的表面形状的方式变形。由此，上部电极171的对置电极152与下部电极218的导电层217的接触面积急剧扩大。结果在对置电极152与导电层217之间流动的电流量增大。
图38所示的控制部105通过对对置电极152与选择用TFT元件116所连接的源极配线111之间的电流量进行传感，计算出施加于对置基板150的压力。
这样，在本实施方式5的液晶显示装置100中，通过按压对置基板150，在上部电极171与下部电极218之间流动的电流量大幅变化，因此能够正确地计算出施加于对置基板150的压力。
使用图52～图57说明本实施方式5的液晶显示装置100的制造方法。另外，在本实施方式5的液晶显示装置100中，也分别单独形成TFT阵列基板130和对置基板150，之后通过相互贴合而形成液晶显示装置100。
图52是表示TFT阵列基板130的制造工序中的形成有TFT元件115和选择用TFT元件116时的工序的截面图。
在该图52中，在从非晶质半导体层形成连续晶界结晶硅层之后，将该连续晶界结晶硅层通过光刻法等进行图案化，形成半导体层132和半导体层180。
栅极绝缘层133在形成半导体层132和半导体层180之后形成在基底层131上。栅极电极134和栅极电极181通过将在栅极绝缘层133上形成的同一金属层图案化而形成。
在形成栅极电极134和栅极电极181之后，形成层间绝缘层135。漏极垫210、漏极电极137、源极电极138、垫部219、漏极电极182、源极电极183和源极配线111通过将形成在层间绝缘层135上的同一金属层图案化而形成。
图53是表示图52所示的制造工序后的TFT阵列基板130的制造工序的截面图。如该图53所示，将丙烯酸树脂形成在层间绝缘层135上。之后，将该丙烯酸树脂图案化，形成突起部221和树脂层149。突起部221位于层间绝缘层135上，并且突起部221位于在树脂层149形成的凹部220内。
图54是表示图53所示的制造工序后的制造工序的截面图。如该图54所示，将形成有突起部221的玻璃基板140在炉内进行退火处理。另外，作为退火温度，例如为100℃以上300℃以下，优选为100℃以上200℃以下。
由此，突起部221的表面的树脂流动，形成表面为弯曲面状的突起部216。
在这样形成突起部216后，以覆盖树脂层149和突起部216的方式形成ITO等透明导电层。将该透明导电层图案化，形成图50和图51所示的像素电极114、导电层217。由此能够形成下部电极218并且形成TFT阵列基板130。
图55是表示对置基板150的制造工序中的形成彩色滤光片基板151后的截面图。如该图55所示，在玻璃基板156形成有彩色滤光片基板151。
图56是表示上述图55所示的制造工序后的工序的截面图。如该图56所示，在彩色滤光片基板151的上表面上形成丙烯酸树脂等树脂层。然后，将该树脂层图案化，形成多个间隔物161。
图57是表示上述图56所示的制造工序后的工序的截面图。如该图57所示，形成ITO等透明导电层。由此，形成具有上部电极171和对置电极152的对置基板150。
然后，将对置基板150与TFT阵列基板130相互贴合，形成液晶显示装置100。
（实施方式6）
使用图58～图74说明本发明的实施方式6。另外，对于图58到图74所示的结构中的与上述图1到图57所示的结构相同或相当的结构，存在标注相同的附图标记并省略其说明的情况。
图58是表示本实施方式6的液晶显示装置100的电路的电路图。如该图58所示，压力传感器190与选择用TFT元件116的漏极电极和源极配线111连接。
图59是本实施方式6的液晶显示装置100的截面图，是表示TFT元件115的截面图。
图60是本实施方式6的液晶显示装置100的截面图，是表示压力传感器190的截面图。
在该图59和图60中，压力检测元件120包括：在玻璃基板140的主表面上形成的基底层131；在基底层131上形成的TFT元件115和压力传感器190。
TFT元件115包括半导体层132、栅极电极134、漏极电极137、源极电极138。
压力传感器190包括：在基底层131上形成的半导体层180；和与该半导体层180隔开间隔地配置，并与半导体层180相对地形成的上部电极171。半导体层180作为压力传感器190的下部电极起作用。
半导体层132和半导体层180在基底层131的上表面上形成。
在基底层131上以覆盖半导体层132和半导体层180的方式形成有栅极绝缘层133。
在栅极绝缘层133的上表面中位于半导体层132的上方的部分形成有栅极电极134，在栅极绝缘层133的上表面中的位于半导体层180的上方的部分形成有上部电极171。
在栅极绝缘层133的上表面以覆盖栅极电极134和上部电极171的方式形成有层间绝缘层135。
漏极电极137、源极电极138、接触件146和连接配线124以到达层间绝缘层135的上表面的方式形成。连接配线124与图58所示的选择用TFT元件116连接，另一端与上部电极171连接。接触件146的上端部与源极配线111连接，接触件146的下端部与半导体层180连接。
漏极电极137和源极电极138与半导体层132连接，在漏极电极137的上端部与漏极垫210连接。源极电极138的上端部与有源极配线111连接。漏极垫210和源极配线111形成在层间绝缘层135上。
而且，以覆盖漏极垫210、源极配线111和连接配线124的方式形成有上层绝缘层136。
像素电极114形成在上层绝缘层136上，与漏极垫210连接。
在对置基板150的下表面中的位于上部电极171的上方的部分形成有按压部件145。按压部件145以从对置基板150的下表面向TFT阵列基板130突出的方式形成。
在上部电极171的正下方形成有凹部147。该凹部147由在栅极绝缘层133形成的孔部和半导体层180的上表面形成。
在该图60所示的例子中，在对置基板150没有被按压的状态下，按压部件145的下端部与上层绝缘层136的上表面抵接。
图61是表示对置基板150没有被按压的状态（初始状态）下的上部电极171和半导体层180的截面图。
如该图61所示，在初始状态下，上部电极171和半导体层180相互隔开间隔地配置，上部电极171与半导体层180不接触。图62是上部电极171的平面图，在上部电极171形成有多个孔部173。
图63是表示对置基板150被按压的状态下的上部电极171和半导体层180的截面图。如该图63所示，通过按压对置基板150，上部电极171与半导体层180接触。此处，在按压对置基板150的按压力小时，上部电极171与半导体层180的接触面积小，在半导体层180与上部电极171之间流动的电流量较小。
然后，按压对置基板150的按压力变大，上部电极171大幅挠曲，上部电极171以沿着半导体层180的方式变形，上部电极171与半导体层180的接触面积变大。
图62的被虚线包围的区域表示上部电极171和半导体层180相互接触的面积。
如该图62和图63所示，当上部电极171与半导体层180的接触面积变大时，在上部电极171与半导体层180之间流动的电流量增大。即，当按压对置基板150的按压力变大时，在上部电极171与半导体层180之间流动的电流量也急剧变大。
因此，图58所示的控制部105容易对选择用TFT元件116所连接的源极配线111与压力传感器190所连接的源极配线111之间的电流量的变化进行传感，能够正确地计算出施加于对置基板150的压力。
使用图64～图74说明本实施方式6的液晶显示装置100的制造方法。
另外，本实施方式6的液晶显示装置100中，TFT阵列基板130和对置基板150也各自单独形成，将形成的TFT阵列基板130和对置基板150以相互相对的方式配置，形成液晶显示装置100。
图64是表示TFT阵列基板130的制造工序的第一工序的截面图。在该图64中，准备具有主表面的玻璃基板140。然后，通过等离子体化学气相生长法（Plasma Enhanced CVD（PECVD））形成例如50nm左右的SiNO层。然后，在SiNO层上例如形成110nm左右的SiO2层。由此，基底层131在玻璃基板140的主表面上形成。
图65是表示TFT阵列基板130的制造工序的第二工序的截面图。如该图65所示，在基底层131的上表面上通过等离子体化学气相生长法形成例如50nm左右的Si（硅）层。
之后，照射XeCl受激准分子激光，形成连续晶界结晶硅层，之后将该连续晶界结晶硅层通过光刻法等图案化，形成半导体层132和半导体层180。
图66是表示TFT阵列基板130的制造工序的第三工序的截面图。在该图66中，以覆盖半导体层132和半导体层180的方式通过等离子体化学气相生长法形成例如80nm左右的SiO2层。
图67是表示TFT阵列基板130的制造工序的第四工序的截面图。在该图67中，将P＋（磷离子）在45KV、5E15cm-2的条件下注入半导体层132和半导体层180。
图68是表示TFT阵列基板130的制造工序的第五工序的截面图。在该图68中，通过溅射等在栅极绝缘层133的上表面上形成叠层金属层222。具体地说，通过溅射形成例如370nm左右的钨（W）层。在形成钨层之后，形成例如50nm左右的氮化钽（TaN）层。
图69是表示TFT阵列基板130的制造工序的第六工序的截面图。如该图69所示，将图68所示的叠层金属层222图案化，形成栅极电极134和上部电极171。另外，在上部电极171形成至少一个以上的孔部173。
具体地说，如上述图62所示，形成多个孔部173。另外，上部电极171形成为正方形形状，一边的长度为30μm。孔部173也为正方形形状，一边的长度为2μm。孔部173彼此的间隔为2μm。
图70是表示TFT阵列基板130的制造工序的第七工序的截面图。在该图70中，首先形成抗蚀剂，对该抗蚀剂实施图案化。由此形成抗蚀剂图案223。在该抗蚀剂图案223形成有孔部，孔部173露出于外部。
然后，将形成有抗蚀剂图案223的基板浸渍于缓冲氢氟酸（BHF）中。另外，作为缓冲氢氟酸（BHF）采用将氢氟酸（HF）和氟化铵（NH4F）以1：10的比例混合而得的液体，例如浸渍13分钟左右。
由此，从孔部173进入的缓冲氢氟酸蚀刻栅极绝缘层133的一部分。结果，在上部电极171下形成凹部147。
图71是表示TFT阵列基板130的制造工序的第八工序的截面图。在该图71中，在除去抗蚀剂图案223之后，将层间绝缘层135形成在栅极绝缘层133上。
具体地说，通过等离子体化学气相生长法形成700nm左右的氧化硅层（SiO2层），在该氧化硅层上例如形成250nm左右的氮化硅层（SiN层）。由此形成层间绝缘层135。
图72是表示TFT阵列基板130的制造工序的第九工序的截面图。如该图72所示，对层间绝缘层135施以图案化，形成多个接触孔。
图73是表示TFT阵列基板130的制造工序的第十工序的截面图。在该图73中，首先形成例如100nm左右的钛（Ti）层。在该钛层上形成例如600nm左右的Al-Si层。在该Al-Si层上例如形成200nm左右的（Ti）层。
这样，在形成叠层金属层之后，将该叠层金属层图案化，形成漏极垫210、漏极电极137、源极配线111、源极电极138、接触件146和连接配线124。
图74是表示TFT阵列基板130的制造工序的第十一工序的截面图。如该图74所示，以覆盖漏极垫210、漏极电极137、源极配线111、源极电极138、接触件146和连接配线124等的方式形成上层绝缘层136。具体地说，通过等离子体化学气相生长法形成例如200nm左右的氮化硅层（SiN层）。
之后，将上层绝缘层136图案化，在图案化后的上层绝缘层136的上表面上形成ITO层。将该ITO层图案化，形成图59所示的像素电极114。这样形成TFT阵列基板130。
在形成对置基板150时，首先准备玻璃基板156。在该玻璃基板156的主表面形成彩色滤光片基板151。在该彩色滤光片基板151的上表面形成ITO层，形成对置电极152。
之后在该对置电极152的上表面上形成丙烯酸树脂层，通过将该丙烯酸树脂层图案化，形成按压部件145。这样形成图59所示的对置基板150。
在这样形成TFT阵列基板130和对置基板150之后，在TFT阵列基板130的主表面上涂敷液晶层。
之后在TFT阵列基板130的上方配置对置基板150，贴合TFT阵列基板130和对置基板150。这样形成图59和图60所示的液晶显示装置100。
在这样构成的液晶显示装置100中，例如从TFT阵列基板130一侧施加按压力。
结果，在0.2N时，控制部105能够检测在选择用TFT元件116所连接的源极配线111与压力传感器190所连接的源极配线111之间的电流的流通。而且，当对TFT阵列基板130施加1N左右的按压力时，电阻值变为1/8。
（实施方式7）
使用图75～图81和图58说明本发明的实施方式7的压力传感器、液晶显示装置100和液晶显示装置100的制造方法。另外，对于图75到图81所示的结构中与上述图1到图74所示的结构相同或相当的结构，存在标注相同的附图标记并省略其说明的情况。
另外，本实施方式7的液晶显示装置100的电路是图58所示的电路。
图75是本实施方式7的液晶显示装置100的截面图，是表示TFT元件115的截面图。图76是本实施方式7的液晶显示装置100的截面图，是表示压力传感器190的截面图。
如这些图75和图76所示，TFT阵列基板130包括：玻璃基板140；在该玻璃基板140的主表面上形成的基底层141；和在该基底层141上形成的TFT元件115和压力传感器190。
TFT元件115在形成在基底层141上的基底层131的上表面上形成。TFT元件115包括：在基底层131上形成的半导体层132；以覆盖半导体层132的方式在基底层131的上表面形成的栅极电极134；和与半导体层132连接的漏极电极137和源极电极138。
在栅极绝缘层133上以覆盖栅极电极134的方式形成有层间绝缘层135。在该层间绝缘层135的上表面形成有漏极垫210和源极配线111。漏极电极137与漏极垫210连接，源极电极138与源极配线111连接。
在图76中，压力传感器190包括：在基底层141上形成的下部电极172；相对于该下部电极172位于对置基板150一侧，并与下部电极172相对地配置的下部电极172。
在下部电极172的上表面上形成有基底层131和栅极绝缘层133。在下部电极172与上部电极171之间形成有凹部147。凹部147由在基底层131形成的孔部和在栅极绝缘层133形成的孔部规定，下部电极172的上表面位于该凹部147的底部。
因此，在本实施方式7的液晶显示装置100中，上部电极171也能够以进入凹部147内的方式挠曲而变形。
因此，在本实施方式7的液晶显示装置100中，通过按压对置基板150，上部电极171与下部电极172接触，在上部电极171与下部电极172之间流动电流。
而且，当按压对置基板150的按压力变大时，上部电极171与下部电极172的接触面积变大，在上部电极171与下部电极172之间流动的电流变多。由此，图58所示的控制部105能够检测施加于对置基板150的按压力。
使用图77～图80说明本实施方式7的液晶显示装置100的制造方法。
另外，在本实施方式7的液晶显示装置100中，也分别形成TFT阵列基板130和对置基板150，通过贴合形成的对置基板150与TFT阵列基板130而形成。
图77是表示TFT阵列基板130的制造工序的第一工序的截面图。如该图77所示，准备具有主表面的玻璃基板140。在该玻璃基板140的主表面形成基底层141。基底层141例如包括SiO2、SiN和SiNO等。基底层141的膜厚例如为500nm以下，优选为400nm以下。
在该基底层141的上表面上通过溅射形成钼（Mo）、钨（W）等金属层。然后，将该金属层图案化，形成下部电极172。下部电极172的膜厚例如形成为50nm以上600nm以下。另外，优选下部电极172的膜厚形成为50nm以上300nm以下。
以覆盖下部电极172的方式形成SiO2层、SiN层、SiNO层等绝缘层，形成基底层131。
图78是表示TFT阵列基板130的制造工序的第二工序的截面图。如该图78所示，在基底层131上堆积非晶质半导体层。非晶质半导体层的膜厚例如为20nm以上200nm以下。另外，非晶质半导体层的膜厚优选为30nm以上70nm左右。之后，使该非晶质半导体层结晶化，形成连续晶界结晶硅层（CG硅层）。将连续晶界结晶硅层图案化，形成半导体层132。
形成SiO2、SiN、SiNO等的绝缘层，形成栅极绝缘层133。另外，栅极绝缘层133的膜厚例如为20nm以上200nm以下，优选为50nm以上120nm以下。
然后，在栅极绝缘层133的上表面上形成金属层。该金属层例如为：钨（W）、钽（Ta）、钛（Ti）、钼（Mo）等金属膜；包含钨（W）、钽（Ta）、钛（Ti）、钼（Mo）等的合金膜；或包含钨（W）、钽（Ta）、钛（Ti）、钼（Mo）元素的化合物。
该金属层的膜厚例如为50nm以上600nm以下，优选为100nm以上500nm以下。
之后，将该金属层图案化，形成栅极电极134和上部电极171。此时，在上部电极171同时形成孔部173。这样，在本实施方式7中也能够以同一工序形成上部电极171和栅极电极134。
图79是表示TFT阵列基板130的制造工序的第三工序的截面图。如该图79所示，首先，形成抗蚀剂，对该抗蚀剂实施图案化。由此形成抗蚀剂图案223。在该抗蚀剂图案223形成有孔部，孔部173露出于外部。
然后，将基板浸渍于HF（氟化氢）水溶液等酸性溶液中。溶液从孔部173进入，蚀刻栅极绝缘层133和基底层131。由此形成凹部147。
图80是表示TFT阵列基板130的制造工序的第四工序的截面图。如该图80所示，除去图79所示的抗蚀剂图案223。形成层间绝缘层135。将该层间绝缘层135图案化，形成多个接触孔。之后将金属层形成在层间绝缘层135的上表面上，将该金属层图案化，形成漏极垫210、漏极电极137、源极电极138、源极配线111、接触件146和连接配线124。
之后，形成上层绝缘层136，对该上层绝缘层136实施图案化，形成接触孔。
在形成有该接触孔的上层绝缘层136的上表面形成ITO层，将该ITO层图案化，形成像素电极114。这样形成TFT阵列基板130。
另外，对置基板150与上述实施方式3的液晶显示装置100的对置基板150同样地形成。
贴合这样形成的对置基板150和TFT阵列基板130，形成本实施方式7的液晶显示装置100。
另外，图81是表示本实施方式7的液晶显示装置100的变形例的截面图。如该图81所示，可以在位于半导体层132的下方的基底层141上形成遮光层148。
另外，遮光层148包括与下部电极172同材质的金属材料，实际上为相同膜厚。
另外，遮光层148和下部电极172通过将一个金属层图案化而形成，能够由同一图案化工序形成。
另外，在上述实施方式1到实施方式7中说明了将本发明应用于液晶显示装置的例子，但是也能够应用于有机电致发光（EL：electroluminescence）显示器、等离子体显示器中。此外，各基板也可以是柔性基板。在假设应用于有机电致发光显示器中的情况下，显示介质层是有机EL层。
该有机电致发光显示器包括：在第一主表面形成的第一基板；与第一基板隔开间隔地配置，且在与第一主表面相对的主表面形成有第二电极的第二基板；和在第一电极与第二电极之间形成的有机EL层。
而且，有机电致发光显示器包括：形成在第一基板的下部电极；与该下部电极相比配置在第二基板一侧的上部电极；和能够检测下部电极与上部电极间的电容或在下部电极与上部电极之间流动的电流量的检测部。而且，上部电极和下部电极中的至少一方能够沿另一方变形。
在假设将本发明应用于等离子体显示器的情况下，显示介质层是荧光体层。在该等离子体显示器中包括前面板和背面板。前面板包括：前面玻璃基板；在该前面玻璃基板的下表面形成的显示电极；遮光层；和以覆盖该显示电极和遮光层的方式在前面玻璃基板的下表面形成的电介质层。在该电介质层的下表面形成有保护层。
背面板包括：背面玻璃基板；在该背面玻璃基板的上表面形成的寻址电极；以覆盖该寻址电极的方式在背面玻璃基板的上表面上形成的基底介电层；在该基底介电层上形成、划分放电空间的多个分隔壁；和在分隔壁间的槽形成的荧光体层。前面板和背面板相对配置，外周被密封剂气密密封，放电气体被封入放电空间内。
进一步，该等离子体显示器包括：配置在背面板一侧的下部电极；配置在背面板一侧的上部电极；和能够检测由上部电极和下部电极规定的电容、电流量的检测部。而且，上部电极和下部电极中的至少一个能够沿另一方变形。
（将压力传感器与已有的黑矩阵重叠配置的结构）
发明者们研究了与已有的黑矩阵重叠地添加压力传感器的结构。图82中，在TFT阵列基板130与对置基板150之间以与黑矩阵155重叠的方式配置有压力传感器15。在该情况下，在制造时，考虑到已有的黑矩阵与压力传感器的重合误差，需要将黑矩阵155的宽度形成得比压力传感器15大。黑矩阵155的宽度变大，相应地开口部16变小。即存在开口率下降的问题。本发明提供避免这样的问题的新结构。
（彩色滤光片的表达方法）
另外，图82以后的各图中彩色滤光片三种颜色并排描绘是符号性的表达，实际上该三种颜色的彩色滤光片并非以该尺寸存在，并以这样直接相互相邻的方式排列配置。意味着：在各图中彩色滤光片三种颜色并排描绘的区域表示一个像素区域，在该像素区域配置有该三种颜色中的任意一色的彩色滤光片。通常从某个像素区域看，在被黑矩阵隔开的相邻的像素区域中配置有不同颜色的彩色滤光片。
（实施方式8）
参照图83～图86说明基于本发明的实施方式8的带触摸面板功能的显示装置。本实施方式的带触摸面板功能的显示装置是具有包括使第一颜色透射的第一颜色透射部和使第二颜色透射的第二颜色透射部的显示区域的显示装置，在上述显示区域的内部，设置有用于检测向上述显示区域的按压的压力传感器，上述压力传感器的一部分或全部为不透射光的非透射部，上述第一颜色透射部与上述第二颜色透射部由上述非透射部隔开。此处的第一颜色透射部、第二颜色透射部相当于彩色滤光片的各色的部分。
图83简化表示本实施方式的带触摸面板功能的显示装置的基本结构。在TFT阵列基板130与对置基板150之间配置有压力传感器15i。构成压力传感器15i的部件兼用作黑矩阵155的材料。在该情况下，压力传感器15i的全部为非透射部。进一步在图84表示具体结构的一个例子。构成压力传感器15j的突起部70的弹性材料本身是具有遮光性的材料，该弹性材料的存在本身成为黑矩阵的一部分。在该情况下，压力传感器15j的一部分即突起部70成为非透射部。
在图83中，位于彩色滤光片层21中的附有附图标记16的区域的滤光部件，依据上述表达方法表示为三种颜色并排，但实际上是R、G、B中的任意一个单一色，因此当将其作为第一颜色透射部时，第二颜色透射部位于伸出至图83的左右的任一个外侧的位置。由此，第二颜色透射部虽然在图83中没有图示，但与第一颜色透射部为同样的构造且配置有透射的颜色不同的滤光部件。第一颜色透射部和第二颜色透射部由黑矩阵155隔开。
图85表示本实施方式的结构的一个例子的平面图。图85更具体地表示图1中的选择用TFT元件116和压力检测元件120的周边。在图86中表示图85的LXXXVI-LXXXVI向视截面图。在该结构中，在玻璃基板156形成的黑矩阵155的一部分向栅极电极140包状突出。黑矩阵155的下表面遍及整体地被对置电极152覆盖。在玻璃基板140的上表面形成有栅极电极122，在其上侧形成有层间绝缘层135，在其上侧形成有源极金属的配线214。以与配线214的上侧重叠的方式形成有下部电极191，以覆盖下部电极191的上侧的方式形成有上部绝缘层136。在黑矩阵155的包状突出的部分的前端，对置电极152与上部绝缘层136抵接。对置电极152与下部电极191在一定的区域从上下夹入上部绝缘层136。由此实现压力传感器15i。黑矩阵155的一部分为了实现压力传感器15i而包状突出，该部分为非透射部。换言之，压力传感器15i的一部分是非透射部，该非透射部兼作为黑矩阵155的一部分。在对置基板被向下按压时，黑矩阵155的包状突出的部分进一步深深地按压上部绝缘膜136，因此对置电极152与下部电极191从上下夹入上部绝缘层136的区域的面积增大。
在本实施方式中，存在作为压力传感器的一部分或全部的不透射光的非透射部，压力传感器的非透射部具有将第一颜色透射部与第二颜色透射部隔开的功能，因此能够避免由于设置压力传感器而导致开口率下降。通过利用这样的压力传感器的结构，本实施方式中，能够提供抑制显示区域的开口率下降并且能够进行作为触摸面板的压力检测的带触摸面板功能的显示装置。
如此处所说明的例子这样，优选在俯视时，非透射部构成黑矩阵的一部分。不是与已有的黑矩阵重叠地配置压力传感器，而是压力传感器的非透射部即压力传感器本身的一部分用于构成黑矩阵的一部分，因此黑矩阵的面积几乎不会增加就能够实现压力传感器。
图86中表示沿与黑矩阵的长度方向平行的截面线进行切割而得的截面，在图87中表示沿与图86不同的截面线进行切割而得的截面。在图87中黑矩阵在与纸面垂直的方向延伸。突起部70的材料兼用于黑矩阵155。在突起部70，对置电极152直接覆盖黑矩阵155的突出部分。
（实施方式9）
参照图88说明基于本发明的实施方式9的带触摸面板功能的显示装置。本实施方式的带触摸面板功能的显示装置中，存在作为压力传感器的一部分或全部的不透射光的非透射部，俯视时，非透射部构成反射膜的一部分。在图88所示的例子中，在掺杂杂质从而具有导电性的半导体层180与栅极金属层81之间形成的空隙由于按压而变化，由此能够实现检测压力的结构的压力传感器。栅极金属层81相当于上部电极，半导体层180相当于下部电极。该压力传感器包括由源极金属层形成的导电层82、83。该压力传感器包括：在导电层83的上侧形成的配线214；和在其上侧形成的反射电极187。反射电极187在与间隔物161重叠的位置形成。反射电极187相当于压力传感器的一部分，相当于压力传感器的非透射部。反射电极187配置在与栅极金属层81在上下方向上重叠的位置。
在本实施方式中，反射电极为压力传感器的一部分，压力传感器的主要部分配置在与反射电极重叠的位置，因此能够不使开口率下降地实现压力传感器。由此，在本实施方式中，能够实现抑制显示区域的开口率的下降并且能够进行作为触摸面板的压力检测的带触摸面板功能的显示装置。
另外，作为本发明，压力传感器优选根据构造物的电容、电阻或电磁感应的变化来检测压力。如果为这些方式，则能够利用简单的结构电气性地检测压力，因此很适合。特别是，如果为这些方式，不仅能够二值性地检测压力的有无，而且也能够定量地检测出大小为多大程度的压力。另外，根据电容的变化检测压力意味着例如在实施方式1中参照图5～图7所说明的方式。实施方式8中图84、图86、图87所示的构造也相当于利用电容的变化检测压力的方式。利用电阻的变化检测压力意味着例如实施方式4中参照图40、图41所说明的方式。该方式是对由于电阻的变化而在电流量中产生的变化进行读取的方式。在实施方式5中参照图51说明的构造也相当于该方式。
此处所说的构造物的电容、电阻或电磁感应的变化优选是由于两个部件相互接触的面积的增减而产生的变化。通过如以上所说明的那样读出由于两个部件相互接触的面积的增减而产生的变化，能够检测压力。如果为该方式，则能够以简单的结构实现压力传感器。此外压力传感器也能够多次使用，能够再现性优良地检测压力。
上述压力传感器优选通过介电常数伴随加压而变化来检测压力。
上述压力传感器优选通过电阻率伴随加压而变化来检测压力。
上述压力传感器优选根据由于相互分离的两个部件伴随加压而相互接触所引起的电阻变化来检测压力。
上述压力传感器优选包括具有遮光性能的电极。通过采用该结构，压力传感器的结构中的具有遮光性能的电极的部分能够照原样作为黑矩阵使用，能够防止开口率的进一步下降。
上述压力传感器优选包括具有反射性能的电极。通过采用该结构，压力传感器的结构中的具有反射性能的电极的部分能够照原样作为反射电极使用，能够防止开口率的进一步下降。
（关于压力传感器的变形的说明）
在基于本发明的带触摸面板功能的显示装置中，如实施方式8所说明的那样，压力传感器的一部分或全部为不透射光的非透射部。例如在利用设置于对置基板一侧的包状的突起部与设置于TFT阵列基板一侧的平坦面抵接的结构构成压力传感器的情况下，如果考察该压力传感器的哪个部分能够成为非透射部，则例如能够想到图89～图92所示的变化。
图89所示的例子中，作为压力传感器的一部分设置于对置基板一侧的包状的突起部70具有遮光性。突起部70相当于压力传感器的非透射部。突起部70被对置电极152覆盖。对置电极152也可以不是非透射部。在该例中，突起部70可以构成黑矩阵155的一部分。
在图90所示的例子中，作为压力传感器的一部分设置于TFT阵列基板一侧的作为下部电极的导电膜91具有遮光性。导电膜91相当于压力传感器的非透射部。在该例中，导电膜91可以构成黑矩阵155的一部分。
在图91所示的例子中，覆盖作为压力传感器的一部分设置于对置基板一侧的包状的突起部170的对置电极52具有遮光性。对置电极52相当于压力传感器的非透射部。在该例中，对置电极52可以构成黑矩阵155的一部分。
在图92所示的例子中，作为压力传感器的一部分设置于TFT阵列基板一侧的作为配线的导电膜91具有遮光性。导电膜91相当于压力传感器的非透射部。在该例中，导电膜91可以构成黑矩阵155的一部分。
（具有反射部的情况）
进一步，在具有反射部的带触摸面板功能的显示装置中，作为压力传感器的变形，例如能够想到图93、图94所示的结构。
在图93所示的例子中，作为压力传感器的下部电极的设置于TFT阵列基板一侧的导电反射膜87具有反射性能。导电反射膜87成为遍及包括突起部170的正下方的上层绝缘层136所配置的区域的宽广区域具有凹凸的形状。由此，图93所示的区域中包括配置有突起部170的区域的整体成为反射部。
在图94所示的例子中，作为压力传感器的下部电极的设置于TFT阵列基板一侧的导电反射膜87具有反射性能。在突起部170的正下方，导电反射膜87平坦，上部绝缘层136以在该平坦的导电反射膜87之上与其重叠的方式配置。导电反射膜87中的从上部绝缘层136的端部进一步延伸的部分成为具有凹凸的形状，该具有凹凸的部分成为反射部。
在图89～图94所示的例子中，在设置于TFT阵列基板一侧的下部电极的表面配置有上部绝缘层136，从对置基板一侧突出的包状的突起部与该上部绝缘层136抵接。由此，成为对置电极与下部电极不直接接触的结构，在对置电极与下部电极之间形成有电容器。作为压力传感器，成为根据伴随包状的突起部上下变位而产生的抵接面积的变化的电容变化检测压力的结构。与此相对，使用从图89～图94所示的结构中去除上部绝缘层136的结构，使对置电极与下部电极直接接触，根据伴随抵接面积的变化的电阻变化检测压力的结构，也能够实现压力传感器，在该情况下，关于将哪个部分作为非透射部，也能够想到与图89～图94分别对应的变化。
（关于形成方法的一部分）
在形成作为包含于带触摸面板功能的显示装置的压力传感器的一部分的包状的突起部时，能够想到以下的方法。图95、图96表示对置基板的下侧表面附近。
在图95所示的结构中，突起部的内部为树脂部1，树脂部1的表面被遮光层2覆盖，进而其表面被导电膜3覆盖。图95所示的结构的树脂部1能够通过以1～10μm的膜厚涂敷丙烯酸树脂、可塑性树脂、导电性树脂等，由光刻形成图案，在炉中以100～300℃进行退火而形成。遮光层2能够通过形成高遮光性树脂层和Ti层而得到。遮光层2以膜厚为1～10μm的方式形成即可。导电膜3可以是由ITO形成的透明导电膜，能够由公知技术形成。导电膜3以50～400nm的膜厚形成即可。图95所示的结构能够这样制成。
在图96所示的结构中，内部为遮光层4，其下表面成为凹凸形状，导电膜3覆盖凹凸的表面。遮光层4能够通过以1～10μm的膜厚涂敷高遮光性树脂，由光刻形成图案，在炉中以100～300℃进行退火而形成。导电膜3可以是由ITO形成的透明导电膜，能够由公知技术形成。导电膜3以50～400nm的膜厚形成即可。图96所示的结构能够这样制成。
（实施方式10）
参照图97说明基于本发明的实施方式10的带触摸面板功能的显示装置。本实施方式的带触摸面板功能的显示装置所包括的压力传感器，如图97所示，具有在树脂501中分散有导电性填料502的柱状部件500的结构。柱状部件500包括树脂501和导电性填料502。柱状部件500以与对置基板和TFT阵列基板这两者抵接的方式配置。在对置基板和TFT阵列基板中，至少在与柱状部件500相接的面分别形成有导电膜503、504。
在图97的结构中在厚度方向上施加有压力时，柱状部件500的树脂501压缩变化，成为图98所示的状态。即，上下的基板间的距离从a减少至b。由此，在柱状部件500内部分散配置的导电性填料502彼此在一部分相互抵接，一直以来不能够确保的电通路505被确保。结果，在没有施加压力时没有电连接的导电膜503、504间重新流过电流。或者，在没有施加压力时也通过多个导电性填料502确保了某些电通路的情况下，通过压缩变形，更多的导电性填料502相互抵接，电阻下降。利用这样的变化，通过检测电流的有无或电阻值的变化，能够检测压力。
或者，导电性填料502的配置稀疏，在施加压力的前后的任意一个中都不能够确保电通路505的情况下，压缩变形的前后导电膜503、504间的电容也发生变化，因此能够通过检测该电容的变化来检测压力。
如在本实施方式中所说明的那样，在采用具有包含导电性填料的柱状部件的结构时，例如能够想到图99～图102所示的变化。
在图99所示的例子中，在导电膜503、504间配置的柱状部件500b包括树脂501b和导电性填料502。树脂501b具有遮光性。即树脂501b是非透射部。
在图100所示的例子中，在导电膜503、504b间配置的柱状部件500包括树脂501和导电性填料502。设置于TFT阵列基板一侧的树脂504b具有遮光性。即树脂504b是非透射部。
在图101所示的例子中，在导电膜503b、504间配置的柱状部件500包括树脂501和导电性填料502。设置于对置基板一侧的树脂503b具有遮光性。即树脂503b是非透射部。
在图102所示的例子中，在导电膜503、504间配置的柱状部件500包含树脂501和导电性填料502。在对置基板一侧以与导电膜504电连接的方式设置有配线506。该配线506具有遮光性。即配线506是非透射部。
这些结构各自是具有能够成为黑矩阵的遮光性的部分的结构，并且能够作为压力传感器起作用。在图99～图102所示的各例的结构中，在分别在厚度方向施加有压力时，柱状部件的树脂压缩变形，能够得到与上述内容同样的效果。
另外，此次公开的上述实施方式的所有内容都是例示而不是限制。本发明的范围不是由上述说明表示而是由权利要求的范围表示，也包括与权利要求的范围均等的意思和范围内的全部变更。
工业上的可利用性
本发明能够利用于带触摸面板功能的显示装置。
附图标记说明
1树脂部；2、4遮光层；3导电膜；15、15i、15j压力传感器；16开口部；21彩色滤光片层；52（遮光性的）对置电极；70（遮光性的）突起部；81栅极金属层；87导电反射膜；91（遮光性的）导电膜；100液晶显示装置；101源极驱动器；102栅极驱动器；103传感器驱动器；105控制部；110像素；111源极配线；112栅极配线；113传感器用栅极配线；114像素电极；115TFT元件；116选择用TFT元件；117输出用元件；118、190压力传感器；120压力检测元件；121、138、183、203源极电极；122栅极电极；123半导体层；124连接配线；125、137、182、202漏极电极；130TFT阵列基板；131基底层；132、180、200半导体层；133栅极绝缘层；134、181、201栅极电极；135、139层间绝缘层；136上层绝缘层；140玻璃基板；141基底层；145按压部件；146接触件；147凹部；148遮光层；149树脂层；150对置基板；151彩色滤光片基板；152对置电极；153着色层；155黑矩阵；156玻璃基板；157可塑性树脂层；158树脂图案；160液晶层；161间隔物；170突起部；171上部电极；172、189、191、218下部电极；173、174孔部；184接触件；185垫部；186连接部；187反射电极；210漏极垫；211配线；212透明导电层；213电极部；214配线；215透明导电层；216突起部；217导电层；219垫部；220凹部；221突起部；222叠层金属层；223抗蚀剂图案；500柱状部件；501树脂；502导电性填料；503、504导电膜；506（遮光性的）配线。

Claims (10)

1.一种带触摸面板功能的显示装置，其特征在于：
其是具有包括使第一颜色透射的第一颜色透射部和使第二颜色透射的第二颜色透射部的显示区域的显示装置，
在所述显示区域的内部，设置有用于检测向所述显示区域的按压的压力传感器（15、15i、15j、118、190），
所述压力传感器的一部分或全部为不透射光的非透射部，所述第一颜色透射部与所述第二颜色透射部由所述非透射部隔开。
2.如权利要求1所述的带触摸面板功能的显示装置，其特征在于：
俯视时，所述非透射部构成黑矩阵（155）的一部分。
3.如权利要求1所述的带触摸面板功能的显示装置，其特征在于：
俯视时，所述非透射部构成反射膜的一部分。
4.如权利要求1～3中任一项所述的带触摸面板功能的显示装置，其特征在于：
所述压力传感器根据构造物的电容、电阻或电磁感应的变化检测压力。
5.如权利要求4所述的带触摸面板功能的显示装置，其特征在于：
所述构造物的电容、电阻或电磁感应的变化是由于两个部件相互接触的面积的增减而产生的变化。
6.如权利要求1～3中任一项所述的带触摸面板功能的显示装置，其特征在于：
所述压力传感器通过介电常数伴随加压而变化来检测压力。
7.如权利要求1～3中任一项所述的带触摸面板功能的显示装置，其特征在于：
所述压力传感器通过电阻率伴随加压而变化来检测压力。
8.如权利要求1～3中任一项所述的带触摸面板功能的显示装置，其特征在于：
所述压力传感器根据由于相互分离的两个部件伴随加压而相互接触所引起的电阻变化来检测压力。
9.如权利要求1～8中任一项所述的带触摸面板功能的显示装置，其特征在于：
所述压力传感器包括具有遮光性能的电极。
10.如权利要求1～8中任一项所述的带触摸面板功能的显示装置，其特征在于：
所述压力传感器包括具有反射性能的电极。
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Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104007876A (zh) * 2013-02-27 2014-08-27 三星显示有限公司 显示装置及其驱动方法
CN105718118A (zh) * 2016-04-25 2016-06-29 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、触控显示面板及触控压力检测方法、显示装置
WO2017071514A1 (zh) * 2015-10-30 2017-05-04 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其驱动方法以及显示装置
CN107561763A (zh) * 2017-09-29 2018-01-09 厦门天马微电子有限公司 一种阵列基板、显示面板和显示装置
CN107710124A (zh) * 2015-08-31 2018-02-16 阿尔卑斯电气株式会社 输入装置
CN108958527A (zh) * 2017-05-22 2018-12-07 希迪普公司 包括遮光层的触摸输入装置及其制造方法
US10191580B2 (en) 2012-09-14 2019-01-29 Samsung Display Co., Ltd. Display device and method of driving the same in two modes
CN110557963A (zh) * 2016-11-24 2019-12-10 希迪普公司 可检测适用显示噪声补偿的压力的触摸输入装置
US11314368B2 (en) 2012-09-14 2022-04-26 Samsung Display Co., Ltd. Display device and method of driving the same in two modes

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20120092294A1 (en) 2010-10-18 2012-04-19 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Combination touch, handwriting and fingerprint sensor
US9405330B2 (en) * 2011-07-29 2016-08-02 Sharp Kabushiki Kaisha Touch panel substrate and display panel
US9417754B2 (en) 2011-08-05 2016-08-16 P4tents1, LLC User interface system, method, and computer program product
US9024910B2 (en) * 2012-04-23 2015-05-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Touchscreen with bridged force-sensitive resistors
EP2901255B1 (en) * 2012-07-05 2017-10-25 Cambridge Touch Technologies, Ltd. Pressure sensing display device
CN105230119B (zh) * 2013-05-21 2019-06-04 高知有限公司 Rf处理系统的校准
EP3108345B1 (en) 2014-02-18 2019-12-25 Cambridge Touch Technologies Limited Dynamic switching of power modes for touch screens using force touch
WO2016046710A1 (en) 2014-09-24 2016-03-31 Koninklijke Philips N.V. Endoluminal filter having enhanced echogenic properties
WO2016089149A1 (ko) * 2014-12-05 2016-06-09 주식회사 하이딥 디스플레이 패널, 터치입력장치, 디스플레이 패널로부터 터치위치와 터치압력을 검출하는 검출장치, 및 검출방법
US10318038B2 (en) 2014-12-23 2019-06-11 Cambridge Touch Technologies Ltd. Pressure-sensitive touch panel
GB2533667B (en) 2014-12-23 2017-07-19 Cambridge Touch Tech Ltd Pressure-sensitive touch panel
JP6259789B2 (ja) 2015-05-28 2018-01-10 双葉電子工業株式会社 有機ｅｌ表示モジュール
JP6562720B2 (ja) * 2015-06-04 2019-08-21 三菱電機株式会社 タッチスクリーン、タッチパネル、表示装置及び電子機器
GB2544307B (en) 2015-11-12 2018-02-07 Cambridge Touch Tech Ltd Processing signals from a touchscreen panel
GB2544353B (en) 2015-12-23 2018-02-21 Cambridge Touch Tech Ltd Pressure-sensitive touch panel
US10282046B2 (en) 2015-12-23 2019-05-07 Cambridge Touch Technologies Ltd. Pressure-sensitive touch panel
GB2547031B (en) 2016-02-05 2019-09-25 Cambridge Touch Tech Ltd Touchscreen panel signal processing
KR102465377B1 (ko) * 2016-02-12 2022-11-10 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
TWI581169B (zh) * 2016-04-28 2017-05-01 友達光電股份有限公司 雙模式電容觸控顯示面板
JP2018036514A (ja) * 2016-08-31 2018-03-08 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
CN107015409B (zh) * 2017-05-18 2020-08-14 上海天马微电子有限公司 空间光调制器及显示装置
GB2565305A (en) 2017-08-08 2019-02-13 Cambridge Touch Tech Ltd Device for processing signals from a pressure-sensing touch panel
US11093088B2 (en) 2017-08-08 2021-08-17 Cambridge Touch Technologies Ltd. Device for processing signals from a pressure-sensing touch panel
WO2020129323A1 (ja) * 2018-12-21 2020-06-25 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
CN115128873B (zh) * 2021-03-29 2023-12-05 株式会社日本显示器 显示装置及显示装置的阵列基板

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11271712A (ja) * 1998-03-20 1999-10-08 Toshiba Corp 液晶表示装置および位置検出装置
US20020078756A1 (en) * 2000-12-27 2002-06-27 Morito Akiyama Pressure sensors
US20030063241A1 (en) * 2001-09-28 2003-04-03 Hoya Corporation Opposite substrate for liquid crystal display panel, liquid crystal display panel, and method of fabricating them
CN101078659A (zh) * 2006-05-25 2007-11-28 汉王科技股份有限公司 利用电容变化进行矢量压力测量的方法及装置
US20080129898A1 (en) * 2006-11-09 2008-06-05 Samsung Electronics Co., Ltd. LCDS with integrated touch panels
JP2010055596A (ja) * 2008-08-26 2010-03-11 Acer Inc 一体型ピクセル構造、一体型タッチパネル液晶表示デバイス及び同デバイスの制御方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101451938B1 (ko) * 2008-03-17 2014-10-17 삼성디스플레이 주식회사 터치스크린 내장형 표시 패널

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11271712A (ja) * 1998-03-20 1999-10-08 Toshiba Corp 液晶表示装置および位置検出装置
US20020078756A1 (en) * 2000-12-27 2002-06-27 Morito Akiyama Pressure sensors
US20030063241A1 (en) * 2001-09-28 2003-04-03 Hoya Corporation Opposite substrate for liquid crystal display panel, liquid crystal display panel, and method of fabricating them
CN101078659A (zh) * 2006-05-25 2007-11-28 汉王科技股份有限公司 利用电容变化进行矢量压力测量的方法及装置
US20080129898A1 (en) * 2006-11-09 2008-06-05 Samsung Electronics Co., Ltd. LCDS with integrated touch panels
JP2010055596A (ja) * 2008-08-26 2010-03-11 Acer Inc 一体型ピクセル構造、一体型タッチパネル液晶表示デバイス及び同デバイスの制御方法

Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10191580B2 (en) 2012-09-14 2019-01-29 Samsung Display Co., Ltd. Display device and method of driving the same in two modes
US11775124B2 (en) 2012-09-14 2023-10-03 Samsung Display Co., Ltd. Display device and method of driving the same in two modes
US11314368B2 (en) 2012-09-14 2022-04-26 Samsung Display Co., Ltd. Display device and method of driving the same in two modes
US10921924B2 (en) 2012-09-14 2021-02-16 Samsung Display Co., Ltd. Display device and method of driving the same in two modes
CN104007876A (zh) * 2013-02-27 2014-08-27 三星显示有限公司 显示装置及其驱动方法
CN104007876B (zh) * 2013-02-27 2019-08-30 三星显示有限公司 显示装置及其驱动方法
CN107710124B (zh) * 2015-08-31 2020-06-30 阿尔卑斯阿尔派株式会社 输入装置
CN107710124A (zh) * 2015-08-31 2018-02-16 阿尔卑斯电气株式会社 输入装置
US9880652B2 (en) 2015-10-30 2018-01-30 Boe Technology Group Co., Ltd. Display substrate and driving method thereof, and display device
CN107705748A (zh) * 2015-10-30 2018-02-16 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其驱动方法以及显示装置
WO2017071514A1 (zh) * 2015-10-30 2017-05-04 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其驱动方法以及显示装置
CN107705748B (zh) * 2015-10-30 2023-10-27 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其驱动方法以及显示装置
CN105718118B (zh) * 2016-04-25 2019-01-22 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、触控显示面板及触控压力检测方法、显示装置
CN105718118A (zh) * 2016-04-25 2016-06-29 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、触控显示面板及触控压力检测方法、显示装置
CN110557963A (zh) * 2016-11-24 2019-12-10 希迪普公司 可检测适用显示噪声补偿的压力的触摸输入装置
CN110557963B (zh) * 2016-11-24 2023-04-07 希迪普公司 可检测适用显示噪声补偿的压力的触摸输入装置
CN108958527A (zh) * 2017-05-22 2018-12-07 希迪普公司 包括遮光层的触摸输入装置及其制造方法
CN107561763A (zh) * 2017-09-29 2018-01-09 厦门天马微电子有限公司 一种阵列基板、显示面板和显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
WO2011122347A1 (ja) 2011-10-06
EP2555089A1 (en) 2013-02-06
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