CN100510803C - 彩色滤光片及其制造方法和液晶显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种彩色滤光片及其制造方法和液晶显示装置。该彩色滤光片包括：基板；第一引线；与第一引线相间隔的光敏电阻片；设置在光敏电阻片上的第一接触块和第二接触块；黑矩阵及其上的第一、第二和第三过孔；形成在黑矩阵上、与第一引线垂直并与第二接触块连接的第二引线；以及连接第一接触块和第一引线的跨接线；彩色树脂。该方法包括：在基板上形成第一引线；沉积光敏材料形成光敏电阻片；沉积掺杂型非晶硅材料形成第一和第二接触块；形成黑矩阵，并形成第一、第二和第三过孔；形成第二引线和跨接线；形成彩色树脂。该液晶显示装置采用本发明的彩色滤光片。本发明实现了触摸屏功能，且结构轻薄，光利用率高，光电信号传输性能好。

Description

彩色滤光片及其制造方法和液晶显示装置

技术领域

本发明涉及一种彩色滤光片及其制造方法和液晶显示装置，尤其涉及一种具有触摸屏结构的彩色滤光片及其制造方法，以及采用该彩色滤光片的、具有触摸屏功能的液晶显示装置。

背景技术

显示器的触摸屏功能是一种简单的人机交互方式，人们可以通过触摸传感器或触摸屏向计算机或其他控制装置提供命令。目前，触摸屏功能已被普遍地应用于电子钟表、电动玩具、计算器、台历、手写板、电子字典/书、个人数码助理、电话机、手机、家用电器、工业仪器设备操作系统、军事指挥系统、教育训练设备、安全监控系统、GPS卫星定位系统、餐饮业点餐、订位系统、医疗器械及挂号系统、金融服务系统以及各类自动销售系统和各类公共场所信息查询系统等等诸多领域。

目前已经开发的触摸屏种类很多，如电阻式、电容式、红外式、电磁感应式、表面弹性波式等。

常规的电阻式、电容式触摸屏都需要在显示器件外表面加装感应器件，这样无疑会增加整机厚度，并且使光利用效率降低约15％以上。红外方式的触摸屏，是在显示屏的侧边分别配置红外发射和接收元件，也存在显示器厚度增加的问题。电磁感应式触摸屏通常需要在显示器件的底部加装电磁感应装置，这种触摸屏的缺陷是容易受显示器件驱动电路和外界的电磁干扰，还需要使用专用的触摸器件，使得触摸屏的结构复杂。表面弹性波方式的触摸屏是在显示器件的侧面配置一个超声波发生器和两个超声波探测器，根据超声波强度和传导时间的变化判断触摸位置，这种方式的缺陷是分辨率很低，容易受外界机械振动的影响，且只能感知单点触摸。

通过上述分析可知，现有技术的各类触摸屏结构通常与显示装置本体是独立的，将独立的触摸屏部件加装到显示装置上使其具有触摸屏功能，这样存在的问题是：显示装置的厚度增加；显示装置的层数增加，对光的利用率有很大影响，降低了显示装置的亮度和性能。

发明内容

本发明的目的是提供一种彩色滤光片及其制造方法，以实现该彩色滤光片具有触摸屏结构，并与普通彩色滤光片相比其厚度增量少，对彩色滤光片的其他功能影响小，光利用效率高，触摸屏功能的性能好。

本发明的另一目的是提供一种液晶显示装置，以实现该液晶显示装置具有触摸屏功能，且装置整体厚度小，光的利用效率高，抗干扰性强，工作可靠性高。

为实现上述目的，本发明提供了一种彩色滤光片，包括：

基板；

第一引线，形成在该基板上；

光敏电阻片，以矩阵排列方式形成在该基板上，光敏电阻片分别与第一引线间隔设置；

第一接触块，分别设置在每个光敏电阻片上；

第二接触块，分别设置在每个光敏电阻片上，且与第一接触块间隔设置；

黑矩阵，以矩阵排列方式形成在基板上，在黑矩阵覆盖第一接触块的位置形成有第一过孔，在黑矩阵覆盖第二接触块的位置形成有第二过孔，且在黑矩阵覆盖第一引线的位置形成有第三过孔；

第二引线，形成在黑矩阵上，与第一引线垂直，并通过第二过孔与同行的光敏电阻片上的第二接触块连接；

跨接线，形成在黑矩阵上，通过第一过孔和第三过孔，分别连接同列的光敏电阻片上的第一接触块和第一引线；

彩色树脂，形成在黑矩阵之间。

为实现上述目的，本发明还提供了一种彩色滤光片制造方法，包括：

步骤1、在基板上沉积导电材料，通过曝光和蚀刻工艺形成第一引线，在基板上依次沉积非晶硅材料和掺杂型非晶硅材料，通过曝光和蚀刻工艺形成以矩阵方式排列的光敏电阻片，该光敏电阻片分别与第一引线间隔设置，并在每个光敏电阻片上形成间隔设置的第一接触块和第二接触块；

步骤2、在完成步骤1的基板上形成以矩阵方式排列的黑矩阵，在黑矩阵覆盖第一接触块的位置形成第一过孔，在黑矩阵覆盖第二接触块的位置形成第二过孔，在黑矩阵覆盖第一引线的位置形成第三过孔；

步骤3、在完成步骤2的基板上沉积导电材料，通过曝光和蚀刻工艺，在黑矩阵上形成与第一引线垂直的第二引线，该第二引线通过第二过孔与同行的光敏电阻片上的第二接触块连接，同时在黑矩阵上形成跨接线，该跨接线通过第一过孔和第三过孔分别连接同列的光敏电阻片上的第一接触块和第一引线；

步骤4、在完成步骤3的基板上形成位于黑矩阵之间的彩色树脂。

为实现上述另一目的，本发明提供了一种液晶显示装置，采用本发明的彩色滤光片，且还包括与该彩色滤光片对盒的阵列基板，该彩色滤光片和阵列基板之间设置有液晶层。

由以上技术方案可知，本发明采用在彩色滤光片上，利用黑矩阵作为绝缘层，与光敏电阻片配合形成触摸屏结构的技术手段，克服了现有技术中，增加触摸屏结构会较大增加产品厚度、降低光的利用率等技术问题。因此，本发明的优点在于：

1、触摸屏结构与彩色滤光片集成设置，采用原有的黑矩阵作为绝缘层，增加了触摸屏结构，但是几乎未增加产品厚度，产品的结构更加轻薄化；

2、光敏电阻片和第一、第二引线之间设置通过接触块相连接，能够减小光敏电阻片和引线之间的接触电阻，改善导电性能，使光电信号的传输更加可靠；

3、利用黑矩阵遮挡了光敏电阻片，对光线传输的影响小，可以提高光的利用效率；

4、触摸屏结构集成在液晶显示装置内部，受到外界的干扰小、不易受损、耐用性好；

5、制造工艺简单，充分利用了原有彩色滤光片的制造工艺和材料，生产成本低。

下面通过具体实施例并结合附图对本发明做进一步的详细描述。

附图说明

图1为本发明彩色滤光片具体实施例一的局部结构示意图；

图2为图1中的A-A向剖面结构示意图；

图3为图1中的B-B向剖面结构示意图；

图4为本发明彩色滤光片具体实施例二的局部结构示意图；

图5为图4中的C-C向剖面结构示意图；

图6为本发明彩色滤光片制造方法具体实施例一的流程图；

图7为本发明液晶显示装置具体实施例的结构示意图。

具体实施方式

本发明彩色滤光片可以应用于需要设置彩色滤光片的平面显示装置中，如液晶显示器(Liquid Crystal Display，以下简称LCD)和有机发光显示器(Organic Light Emitting Display，以下简称OLED)。下面仅以薄膜晶体管(TFT-LCD)液晶显示器为例说明本发明彩色滤光片的技术方案。

如图1所示为本发明彩色滤光片具体实施例一的俯视局部结构示意图，图2所示为图1中A-A向剖面结构示意图，图3所示为图1的B-B向剖面结构示意图。如图1、2和3所示，该彩色滤光片包括：基板1、第一引线5、光敏电阻片4、第一接触块401、第二接触块402、黑矩阵2、第一过孔601、第二过孔602、第三过孔603、第二引线3、跨接线9和彩色树脂。本实施例彩色滤光片上述各结构之间的关系具体为：数条可导电、用于传导电信号的第一引线5，即相互平行的数条纵向引线5形成在基板1上；数个光敏电阻片4以矩阵排列方式形成在基板1上，同列的光敏电阻片4分别与一条纵向引线5间隔设置，即每列光敏电阻片4分别与一条纵向引线5临近，但不相接触；第一接触块401分别设置在每个光敏电阻片4上；第二接触块402分别设置在每个光敏电阻片4上，即每个光敏电阻片4上至少设置有一个第一接触块401和一个第二接触块402，且第二接触块402与第一接触块401间隔设置，不相接触；黑矩阵2以矩阵排列方式形成在基板1上，在液晶显示装置中，黑矩阵2被用于阻挡TFT等结构，且具有遮挡像素间漏光的作用，每个像素的部分区域上方均会对应设置有黑矩阵2，可以是矩阵排列方式，或称为网格状的排列方式，图1所示即为几个像素所对应的彩色滤光片的局部结构示意图，在本实施例中，光敏电阻片4完全覆盖在黑矩阵2下面，纵向引线5可以部分，也可以全部覆盖在黑矩阵2下，并且，在黑矩阵2覆盖第一接触块401的位置形成第一过孔601，在黑矩阵2覆盖第二接触块402的位置形成第二过孔602，且在黑矩阵2覆盖纵向引线5的位置形成第三过孔603；数条导电、用于传导电信号的第二引线3，即数条相互平行的横向引线3，形成在黑矩阵2上，与纵向引线5相互垂直，如图1所示，每条横向引线3分别通过第二过孔602与同行的光敏电阻片4上的第二接触块402相连接，横向引线3和光敏电阻片4可以通过第二接触块402实现电导通，如图1～3所示；数条跨接线9形成在黑矩阵2上，与横向引线3可以为同种材料，并可以同时制成，每条跨接线9的一端通过一个第一过孔601与同列的光敏电阻片4上的第一接触块401相连接，该条跨接线9的另一端通过临近的一个第三过孔603与纵向引线5相连接，即跨接线9通过第一接触块401实现了光敏电阻片4和纵向引线5之间的电导通，在本实施例中，每一对第一过孔601和第三过孔603间均设置一条跨接线9，而各跨接线9之间是不相接触的，在光敏电阻片4上，相比于第二接触块402，第一接触块401应更靠近纵向引线5；彩色滤光片上的彩色树脂形成在黑矩阵2之间(图中未示)，彩色树脂与黑矩阵2的相对位置关系为本领域技术人员的公知常识，并不影响本实施例中其他结构的设置。

在本实施例中，纵向引线作为光敏电阻片纵向电信号的引出线，可以由导电材料制成，用于连接同一列光敏电阻片来传输电信号。若纵向引线的材料为非透明导电材料，例如金属，则应将纵向引线的宽度限制在黑矩阵的宽度范围内，以免影响液晶显示装置正常工作过程中光线的传输，避免降低显示亮度。较佳的实施方式是采用透明导电材料制成纵向引线，例如可以采用氧化铟锡(ITO)或氧化锌制作纵向引线，则对纵向引线的宽度和位置的限制大大降低，可以设置较宽的纵向引线以保证足够低的电阻。本实施例可以根据触摸屏分辨率的要求来设置光敏电阻片的数量和位置，进而相应的设置纵向引线的条数和位置，纵向引线间的间隔宽度应与光敏电阻片的列数对应，而每条纵向引线自身的宽度可自由调整，不相互接触即可。可以设置与液晶显示装置分辨率相等的最大触摸屏分辨率，即在每一个像素对应的黑矩阵下均设置一个光敏电阻片，则纵向引线之间的最小宽度就是单个像素的宽度，随着对触摸屏分辨率要求的降低，可以减少光敏电阻片的数量，一个光敏电阻片对应设置在数个像素单元其中之一的黑矩阵下，这样可以减少纵向引线和横向引线的数量。另一方面，采用透明导电材料制成纵向引线，也可以避免发生因金属材料较高的反射率所导致的镜面反射现象，减小对显示装置对比度的影响。

在本实施例中，光敏电阻片具体可以采用非晶硅(a-Si)材料制成，光敏电阻片的电导率在光照的作用下会发生变化。在光敏电阻片上还叠设沉积有n型掺杂非晶硅(n+a-Si)材料的第一接触块和第二接触块，例如采用掺杂磷原子的非晶硅材料，其中n+a-Si材料的主要作用是降低a-Si与导电引线间的接触电阻，能改善非晶硅材料和导电引线之间传输电信号的性能。本实施例中的光敏电阻片尺寸应小于黑矩阵的覆盖范围，一方面是为了不影响正常显示的光线，另一方面，黑矩阵可以遮挡背光源对光敏电阻片的照射。

在本实施例中，横向引线与纵向引线的功能类似，是光敏电阻片中电信号的横向引出线，连接同一行的光敏电阻片以传输电信号。横向引线和纵向引线都可以经设置在彩色滤光片周边的导线与信号处理电路连接，由信号处理电路对电信号进行采集和处理，横向引出的电信号与纵向引出的电信号配合即可检测触摸点的二维位置。本实施例中，横向引线应由导电材料制成，具体可以由电阻率较低的金属材料制成，则横向引线的宽度可以设置的较小，以满足其宽度小于黑矩阵宽度的要求，使得横向引线能隐藏在黑矩阵的范围内，保证横向引线和纵向引线之间通过黑矩阵隔离而不发生接触短路，横向引线的宽度并不限于等于第二过孔的宽度，只要能通过第二过孔与光敏电阻片上的第二接触块相连即可。

本实施例彩色滤光片上应有的彩色树脂可以是在形成黑矩阵与触摸屏结构集成的结构上再铺设彩色树脂，具体为在黑矩阵之间填充彩色树脂材料，对本实施例中的触摸屏结构不会构成影响。

本实施例的工作原理为：由黑矩阵构成导电的纵向引线和横向引线之间的绝缘层，将纵向引线和横向引线隔离开，而光敏电阻片分别与纵向引线和横向引线通过掺杂型非晶硅材料实现电导通。在液晶显示装置被使用时，因彩色滤光片的基板朝向外侧的观看者，所以光敏电阻片是在黑矩阵外侧的，可以用来感知因触摸所引起的环境光强变化，光敏电阻片的电导率随外界光强变化，可以将触摸时光的变化转换成纵向引线和横向引线传输的电信号的变化，最终可以根据电信号的变化检测出触摸发生的坐标位置。

本实施例的彩色滤光片具有触摸屏结构，相比于其他增加了触摸屏结构的彩色滤光片，因利用了原有的黑矩阵结构作为绝缘层，所以厚度更小，且触摸屏结构隐藏在黑矩阵中，对彩色滤光片的其他功能影响小，能保证较好的光利用效率。另外，本实施例的彩色滤光片上，非晶硅材料的光敏电阻片通过掺杂型非晶硅材料的接触块与导电引线相连，能够减小接触电阻，改善光敏电阻片和导电引线之间的电信号传输性能。同时，本实施例彩色滤光片上的触摸屏结构还能实现同时检测多点的触摸，最小分辨率尺寸可与显示像素单元的尺寸相当，具有明显的性能优势。

本发明的彩色滤光片并不限于应用于液晶显示装置中，还可以应用于其他采用彩色滤光片的显示装置中。另外，本发明彩色滤光片中光敏电阻片所采用的光敏材料并不限于非晶硅，第一、第二接触块的材料也并不限于掺杂型非晶硅，第一、第二接触块能够实现降低光敏电阻片与导电引线之间的接触电阻即可。

如图4所示为本发明彩色滤光片具体实施例二的结构示意图，图5为图4中C-C向剖面结构示意图。本实施例与实施例一大致相同，区别在于光敏电阻片4和第一引线5的相对位置不同。在实施例一和实施例二中，跨接线9的作用都是连接第一引线5和光敏电阻片4，跨接线9的位置取决于光敏电阻片4和第一引线5的相对位置。在本实施例中，光敏电阻片4嵌设在第一引线5中，但是其间具有一定间隔，以黑矩阵2的材料填充实现绝缘，第一过孔601、第二过孔602和第三过孔603是在同一条直线上的，跨接线9、第二引线3、第一接触块401和第二接触块402的位置如图4、5所示。

本实施例的技术方案同样能够使该彩色滤光片具有触摸屏功能，且结构轻薄，接触电阻小，导电性能佳。

如图6所示为本发明彩色滤光片制造方法具体实施例一的流程图，该方法包括如下步骤：

步骤A1、在基板上沉积导电材料，例如可采用磁控溅射方法、电子束蒸发法或热蒸发法沉积氧化铟锡材料或氧化锌材料，较佳的沉积厚度为20nm～200nm，而后通过曝光和蚀刻工艺形成数条相互平行的第一引线；

步骤A2、在完成步骤A1的基板上沉积非晶硅材料，例如采用化学气相沉积方法沉积非晶硅材料，再通过曝光和蚀刻工艺形成以矩阵方式排列的光敏电阻片，该光敏电阻片分别与第一引线间隔设置，具体为同列的光敏电阻片分别与一条第一引线临近，但是间隔设置不相接触；

步骤A3、在完成步骤A2的基板上沉积掺杂型非晶硅材料，例如采用化学气相沉积方法沉积掺杂磷原子的非晶硅材料，再通过曝光和蚀刻工艺在每个光敏电阻片上形成间隔设置的第一接触块和第二接触块，具体可以是在每个光敏电阻片上形成一个第一接触块和第二接触块，且第一接触块的位置更靠近第一引线；

步骤A4、在完成步骤A3的基板上可以采用旋转涂覆或刮刀涂覆方法形成以矩阵方式排列的黑矩阵，并在黑矩阵覆盖第一接触块的位置形成第一过孔，在黑矩阵覆盖第二接触块的位置形成第二过孔，且在黑矩阵覆盖第一引线的位置形成第三过孔；

步骤A5、在完成步骤A4的基板上沉积导电材料，例如采用磁控溅射方法、电子束蒸发法或热蒸发法沉积金属材料，再通过曝光和蚀刻工艺，在黑矩阵上形成与第一引线垂直的第二引线，该第二引线通过第二过孔与同行的光敏电阻片上的第二接触块连接，与此同时，在黑矩阵上形成跨接线，该跨接线通过第一过孔和第三过孔分别连接同列的光敏电阻片上的第一接触块和第一引线；

步骤A6、在完成步骤A5的基板上依次形成位于黑矩阵之间的彩色树脂。

在本实施例中，可以在基板上先制备第一引线，而后制备光敏电阻片和第一、第二接触块，或者还可以将制备顺序颠倒，即：采用同样的方法在基板上先制备光敏电阻片和第一、第二接触块，而后制备第一引线。

本实施例的方法可用于制备本发明的彩色滤光片，在光刻时选用不同的掩模板，即可刻蚀出所需的图案，从而确定横向引线、纵向引线、光敏电阻片和第一、二、三过孔的位置和尺寸大小。

本实施例能够以简单的方法实现具有触摸屏结构的彩色滤光片的制备，充分利用已有彩色滤光片的制备工艺和材料，工艺流程简便，成本低。本发明彩色滤光片制备方法实施例二的技术方案与实施例一的技术方案大致相同，区别在于光敏电阻片、第一接触块和第二接触块的制备方式不同，在实施例一中通过两步光刻工艺实现，而本实施例采用半曝光工艺来实现，即实施例一中的步骤A2和步骤A3替换为执行下述步骤：

步骤b1、在完成步骤A1的基板上通过化学气相沉积法首先沉积非晶硅材料，而后沉积掺杂型非晶硅材料，形成两种材料上下叠设的膜层；

步骤b2、对完成步骤b1的基板通过半曝光和蚀刻工艺形成以矩阵方式排列的非晶硅材料和掺杂型非晶硅材料的叠层结构，且掺杂型非晶硅材料层形成间隔设置的第一接触块和第二接触块，非晶硅材料层形成光敏电阻片。

在本实施例中，所采用的半曝光和刻蚀工艺，即：对局部膜层表面进行曝光处理，而对部分区域进行半曝光处理。通过设计所采用的掩模板可实现半曝光处理，掩模板上相应的区域采用不同的材料制作，或在原有完全遮光的材料上刻出可以透光的缝隙，使部分光透过，则膜层上对应的该区域可以未被完全曝光。在刻蚀时，不会被完全刻蚀，而是刻蚀一定深度。刻蚀的深度具体与曝光时的透光量有关。通过半曝光和刻蚀工艺，可以在一道工序中实现光敏电阻片的刻蚀，同时能够在其上形成其间刻蚀有沟槽的第一接触块和第二接触块。

本实施例的技术方案，工序进一步简化，能够提高生产效率。

本发明的液晶显示装置采用本发明的彩色滤光片，并包括与彩色滤光片对盒的阵列基板，该彩色滤光片和阵列基板之间设置有液晶层，以及隔垫物等，彩色滤光片和阵列基板的边缘还可设置有用于密封的树脂材料。

如图7所示为本发明液晶显示装置具体实施例的结构示意图，其中采用本发明彩色滤光片任意实施例的结构作为自身的彩色滤光片，本实施例的液晶显示装置具体为薄膜晶体管液晶显示器，其结构具体可以包括最外层的上偏振片10，彩色滤光片20设置在上偏振片10之下，而后从上至下依次设置液晶层30，薄膜晶体管阵列层40，下基板50，下偏振片60和背光源70。其中的彩色滤光片20包括上基板21和彩色滤光层与光敏电阻片的复合层22，即设置有光敏电阻片、横向引线、纵向引线和黑矩阵等结构的复合层。横向引线和纵向引线可以在彩色滤光片的四周经周边的导线与处理控制电路80连接。处理控制电路80可以是独立设置的控制电路，也可以与液晶显示装置自身的驱动电路集成在一起实现触摸屏的处理控制功能。

在本实施例中，彩色滤光片上光敏电阻片的横向引线和纵向引线所连接的导线可以设置在上基板的边缘，也可以通过转印电极配置在下基板的边缘，从而与相应的处理控制装置相连，用于检测电信号的变化以识别触摸点的位置。或者横向引线和纵向引线还可以与液晶显示装置自身的驱动电路集成配置连接在一起。

配合本实施例液晶触摸装置的使用，可以用手指、棒状物体或顶部出射的发光笔作为触摸器件。

采用本发明彩色滤光片的液晶显示装置可以具有触摸屏功能，光敏电阻片和导电引线之间的接触电阻小，电信号的传输性能得到改善，且相比于其他具有触摸屏结构的显示器，其整体厚度小，结构上轻薄化，对光的利用效率高，能提高亮度，抗干扰性强，工作可靠性高，还可实现多触点同时操作，触摸屏的最小分辨尺寸与显示像素尺寸相当，具有非常明显的性能和成本优势。

本发明的液晶显示装置采用了本发明的彩色滤光片，而其他结构并不限于上述实施例所记载的内容，可以根据具体情况进行调整。

最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。

Claims (23)

1、一种彩色滤光片，其特征在于包括：

基板；

第一引线，形成在所述基板上；

光敏电阻片，以矩阵排列方式形成在所述基板上，所述光敏电阻片分别与所述第一引线间隔设置；

第一接触块，分别设置在每个所述光敏电阻片上；

第二接触块，分别设置在每个所述光敏电阻片上，且与所述第一接触块间隔设置；

黑矩阵，以矩阵排列方式形成在所述基板上，在所述黑矩阵覆盖所述第一接触块的位置形成有第一过孔，在所述黑矩阵覆盖所述第二接触块的位置形成有第二过孔，且在所述黑矩阵覆盖所述第一引线的位置形成有第三过孔；

第二引线，形成在所述黑矩阵上，与所述第一引线垂直，并通过所述第二过孔与同行的光敏电阻片上的第二接触块连接；

跨接线，形成在所述黑矩阵上，通过所述第一过孔和第三过孔，分别连接同列的所述光敏电阻片上的第一接触块和所述第一引线；

彩色树脂，形成在所述黑矩阵之间。

2、根据权利要求1所述的彩色滤光片，其特征在于：所述光敏电阻片的材质为非晶硅。

3、根据权利要求2所述的彩色滤光片，其特征在于：所述第一接触块和第二接触块的材质为掺杂型非晶硅。

4、根据权利要求3所述的彩色滤光片，其特征在于：所述掺杂型非晶硅为掺杂有磷原子的非晶硅。

5、根据权利要求1～4所述的任一彩色滤光片，其特征在于：所述第一引线的材质为氧化铟锡或氧化锌。

6、根据权利要求1～4所述的任一彩色滤光片，其特征在于：所述第二引线和所述跨接线的材质为金属。

7、一种彩色滤光片制造方法，其特征在于包括：

步骤1、在基板上沉积导电材料，通过曝光和蚀刻工艺形成第一引线；

步骤a1、在完成步骤1的基板上沉积非晶硅材料，通过曝光和蚀刻工艺形成以矩阵方式排列的光敏电阻片，所述光敏电阻片分别与所述第一引线间隔设置；

步骤a2、在完成步骤a1的基板上沉积掺杂型非晶硅材料，通过曝光和蚀刻工艺在每个所述光敏电阻片上形成间隔设置的第一接触块和第二接触块；

步骤3、在完成步骤a2的基板上形成以矩阵方式排列的黑矩阵，在所述黑矩阵覆盖所述第一接触块的位置形成第一过孔，在所述黑矩阵覆盖所述第二接触块的位置形成第二过孔，在所述黑矩阵覆盖所述第一引线的位置形成第三过孔；

步骤4、在完成步骤3的基板上沉积导电材料，通过曝光和蚀刻工艺，在所述黑矩阵上形成与所述第一引线垂直的第二引线，所述第二引线通过所述第二过孔与同行的光敏电阻片上的第二接触块连接，同时在所述黑矩阵上形成跨接线，所述跨接线通过所述第一过孔和第三过孔分别连接同列的所述光敏电阻片上的第一接触块和第一引线；

步骤5、在完成步骤4的基板上形成位于所述黑矩阵之间的彩色树脂。

8、根据权利要求7所述的彩色滤光片制造方法，其特征在于所述步骤1中，在基板上沉积导电材料，通过曝光和蚀刻工艺形成第一引线的步骤具体为：在基板上采用磁控溅射方法、电子束蒸发法或热蒸发法沉积厚度为20-200nm的氧化铟锡和/或氧化锌材料，通过曝光和蚀刻工艺形成第一引线。

9、根据权利要求7所述的彩色滤光片制造方法，其特征在于所述步骤a1和a2中，在基板上沉积非晶硅材料和掺杂型非晶硅材料具体为：在基板上采用化学气相沉积方法沉积非晶硅材料和掺杂磷原子的非晶硅材料。

10、根据权利要求7所述的彩色滤光片制造方法，其特征在于所述步骤4中，在完成步骤3的基板上沉积导电材料具体为：在完成步骤3的基板上采用磁控溅射方法、电子束蒸发法或热蒸发法沉积金属材料。

11、一种彩色滤光片制造方法，其特征在于包括：

步骤1、在基板上沉积导电材料，通过曝光和蚀刻工艺形成第一引线；

步骤b1、在完成步骤1的基板上依次沉积非晶硅材料和掺杂型非晶硅材料；

步骤b2、对完成步骤b1的基板通过半曝光和蚀刻工艺形成以矩阵方式排列的非晶硅材料和掺杂型非晶硅材料的叠层结构，且所述掺杂型非晶硅材料层形成间隔设置的第一接触块和第二接触块，所述非晶硅材料层形成光敏电阻片，所述光敏电阻片分别与所述第一引线间隔设置；

步骤3、在完成步骤b2的基板上形成以矩阵方式排列的黑矩阵，在所述黑矩阵覆盖所述第一接触块的位置形成第一过孔，在所述黑矩阵覆盖所述第二接触块的位置形成第二过孔，在所述黑矩阵覆盖所述第一引线的位置形成第三过孔；

步骤4、在完成步骤3的基板上沉积导电材料，通过曝光和蚀刻工艺，在所述黑矩阵上形成与所述第一引线垂直的第二引线，所述第二引线通过所述第二过孔与同行的光敏电阻片上的第二接触块连接，同时在所述黑矩阵上形成跨接线，所述跨接线通过所述第一过孔和第三过孔分别连接同列的所述光敏电阻片上的第一接触块和第一引线；

步骤5、在完成步骤4的基板上形成位于所述黑矩阵之间的彩色树脂。

12、根据权利要求11所述的彩色滤光片制造方法，其特征在于所述步骤1中，在基板上沉积导电材料，通过曝光和蚀刻工艺形成第一引线的步骤具体为：在基板上采用磁控溅射方法、电子束蒸发法或热蒸发法沉积厚度为20-200nm的氧化铟锡和/或氧化锌材料，通过曝光和蚀刻工艺形成第一引线。

13、根据权利要求11所述的彩色滤光片制造方法，其特征在于所述步骤b1中，在基板上沉积非晶硅材料和掺杂型非晶硅材料具体为：在基板上采用化学气相沉积方法沉积非晶硅材料和掺杂磷原子的非晶硅材料。

14、根据权利要求11所述的彩色滤光片制造方法，其特征在于所述步骤4中，在完成步骤3的基板上沉积导电材料具体为：在完成步骤3的基板上采用磁控溅射方法、电子束蒸发法或热蒸发法沉积金属材料。

15、一种彩色滤光片制造方法，其特征在于包括：

步骤a1、在基板上沉积非晶硅材料，通过曝光和蚀刻工艺形成以矩阵方式排列的光敏电阻片；

步骤a2、在完成步骤a1的基板上沉积掺杂型非晶硅材料，通过曝光和蚀刻工艺在每个所述光敏电阻片上形成间隔设置的第一接触块和第二接触块；

步骤2、在完成步骤a2的基板上沉积导电材料，通过曝光和蚀刻工艺形成第一引线；所述第一引线分别与所述光敏电阻片间隔设置；

步骤3、在完成步骤2的基板上形成以矩阵方式排列的黑矩阵，在所述黑矩阵覆盖所述第一接触块的位置形成第一过孔，在所述黑矩阵覆盖所述第二接触块的位置形成第二过孔，在所述黑矩阵覆盖所述第一引线的位置形成第三过孔；

步骤4、在完成步骤3的基板上沉积导电材料，通过曝光和蚀刻工艺，在所述黑矩阵上形成与所述第一引线垂直的第二引线，所述第二引线通过所述第二过孔与同行的光敏电阻片上的第二接触块连接，同时在所述黑矩阵上形成跨接线，所述跨接线通过所述第一过孔和第三过孔分别连接同列的所述光敏电阻片上的第一接触块和第一引线；

步骤5、在完成步骤4的基板上形成位于所述黑矩阵之间的彩色树脂。

16、根据权利要求15所述的彩色滤光片制造方法，其特征在于所述步骤a1和a2中，在基板上沉积非晶硅材料和掺杂型非晶硅材料具体为：在基板上采用化学气相沉积方法沉积非晶硅材料和掺杂磷原子的非晶硅材料。

17、根据权利要求15所述的彩色滤光片制造方法，其特征在于所述步骤2中，在基板上沉积导电材料，通过曝光和蚀刻工艺形成第一引线的步骤具体为：在基板上采用磁控溅射方法、电子束蒸发法或热蒸发法沉积厚度为20-200nm的氧化铟锡和/或氧化锌材料，通过曝光和蚀刻工艺形成第一引线。

18、根据权利要求15所述的彩色滤光片制造方法，其特征在于所述步骤4中，在完成步骤3的基板上沉积导电材料具体为：在完成步骤3的基板上采用磁控溅射方法、电子束蒸发法或热蒸发法沉积金属材料。

19、一种彩色滤光片制造方法，其特征在于包括：

步骤b1、在基板上依次沉积非晶硅材料和掺杂型非晶硅材料；

步骤b2、对完成步骤b1的基板通过半曝光和蚀刻工艺形成以矩阵方式排列的非晶硅材料和掺杂型非晶硅材料的叠层结构，且所述掺杂型非晶硅材料层形成间隔设置的第一接触块和第二接触块，所述非晶硅材料层形成光敏电阻片；

步骤2、在完成步骤b2的基板上沉积导电材料，通过曝光和蚀刻工艺形成第一引线；所述第一引线分别与所述光敏电阻片间隔设置；

步骤3、在完成步骤2的基板上形成以矩阵方式排列的黑矩阵，在所述黑矩阵覆盖所述第一接触块的位置形成第一过孔，在所述黑矩阵覆盖所述第二接触块的位置形成第二过孔，在所述黑矩阵覆盖所述第一引线的位置形成第三过孔；

步骤4、在完成步骤3的基板上沉积导电材料，通过曝光和蚀刻工艺，在所述黑矩阵上形成与所述第一引线垂直的第二引线，所述第二引线通过所述第二过孔与同行的光敏电阻片上的第二接触块连接，同时在所述黑矩阵上形成跨接线，所述跨接线通过所述第一过孔和第三过孔分别连接同列的所述光敏电阻片上的第一接触块和第一引线；

步骤5、在完成步骤4的基板上形成位于所述黑矩阵之间的彩色树脂。

20、根据权利要求19所述的彩色滤光片制造方法，其特征在于所述步骤b1中，在基板上沉积非晶硅材料和掺杂型非晶硅材料具体为：在基板上采用化学气相沉积方法沉积非晶硅材料和掺杂磷原子的非晶硅材料。

21、根据权利要求19所述的彩色滤光片制造方法，其特征在于所述步骤2中，在基板上沉积导电材料，通过曝光和蚀刻工艺形成第一引线的步骤具体为：在基板上采用磁控溅射方法、电子束蒸发法或热蒸发法沉积厚度为20-200nm的氧化铟锡和/或氧化锌材料，通过曝光和蚀刻工艺形成第一引线。

22、根据权利要求19所述的彩色滤光片制造方法，其特征在于所述步骤4中，在完成步骤3的基板上沉积导电材料具体为：在完成步骤3的基板上采用磁控溅射方法、电子束蒸发法或热蒸发法沉积金属材料。

23、一种采用权利要求1～6所述的任一彩色滤光片的液晶显示装置，其特征在于：包括与所述彩色滤光片对盒的阵列基板，所述彩色滤光片和阵列基板之间设置有液晶层。

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