CN102809851B - 配向膜的涂布方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种配向膜的涂布方法，包括以下步骤：提供一基板，具有一基底，在所述基底上形成有一配向液涂布区；在配向液涂布区的周围涂布形成一阻挡结构；在所述配向液涂布区涂布配向液，其中所述阻挡结构阻挡所述配向液扩散至所述配向液涂布区之外；将所述配向液固化形成配向膜。本发明提供的配向膜的涂布方法可通过阻挡结构阻止配向液扩散，进而控制配向膜的精度，尤其是配向膜边界的精度，保证形成的配向膜不会对其它区域造成影响。
Description
【技术领域】
本发明涉及显示面板生产技术领域，特别是涉及一种配向膜的涂布方法。
【背景技术】
随着液晶显示技术的不断发展，对液晶显示设备质量的要求越来越高。
请参阅图1，图1为现有技术中薄膜场效应晶体管（Thin Film Transistor，TFT）基板的俯视结构示意图。
所述TFT基板包括玻璃基底10，所述玻璃基底10形成有框胶涂布区11和配向液涂布区12，所述配向液涂布区12覆盖显示区（图未绘出）。所述框胶涂布区11用于涂布框胶，而所述配向液涂布区12用于涂布配向液形成配向膜（PI）。
现有技术基本是通过配向膜喷印技术（inkjet）印刷形成所述配向膜，首先在所述配向液涂布区12喷注配向液，之后将配向液固化形成配向膜。但是由于在喷注配向液后，配向液的液滴受其重力影响会扩散至所述配向液涂布区12之外，譬如扩散至所述框胶涂布区11，从而导致形成的配向膜延伸至所述配向液涂布区12之外，譬如配向膜的边界呈波浪状或者延伸至所述框胶涂布区11，进而影响所述框胶涂布区11的框胶的粘着力，而且会影响显示区的显示效果。
综上，在所述配向液涂布区12喷注配向液形成配向膜的过程中，由于配向液的扩散作用，影响配向膜的精度，尤其是配向膜边界的精度，进而影响到与所述配向液涂布区相邻的其它区域。
【发明内容】
本发明的一个目的在于提供一种配向膜的涂布方法，旨在解决现有技术中在喷注配向液形成配向膜的过程中，由于配向液的扩散作用，影响配向膜的精度，尤其是配向膜边界的精度，进而影响到与所述配向液涂布区相邻的其它区域的技术问题。
为解决上述技术问题，本发明构造了一种配向膜的涂布方法，包括以下步骤：
提供一基板，具有一基底，在所述基底上形成有一配向液涂布区；
在所述配向液涂布区的周围涂布形成一阻挡结构；
在所述配向液涂布区涂布配向液，其中所述阻挡结构阻挡所述配向液扩散至所述配向液涂布区之外；
将所述配向液固化形成一配向膜。
在本发明一实施例中：所述阻挡结构由可硬化成型的高分子材料形成。
在本发明一实施例中：所述高分子材料为单一高分子材料或混合高分子材料。
在本发明一实施例中：所述高分子材料为α-氨基丙烯酸乙酯。
在本发明一实施例中：在所述基底上还形成有一框胶涂布区，所述框胶涂布区环绕所述配向液涂布区，并在所述框胶涂布区与所述配向液涂布区之间形成有一间隔；所述阻挡结构形成于所述配向液涂布区和所述框胶涂布区的间隔内，并且所述阻挡结构紧密地围绕着所述配向液涂布区。
在本发明一实施例中：将所述配向液固化形成配向膜的步骤之后，所述方法还包括以下步骤：
将所述阻挡结构移除。
在本发明一实施例中：将所述阻挡结构移除的步骤具体包括：
对所述阻挡结构进行加热，以使得所述阻挡结构熔化并移除。
在本发明一实施例中：将所述阻挡结构移除的步骤具体包括：
在所述阻挡结构上喷洒溶剂，以使得所述阻挡结构溶解于所述溶剂并移除。
在本发明一实施例中：所述阻挡结构相对所述基底凸起，所述阻挡结构的横截面垂直于所述阻挡结构的长度方向。
在本发明一实施例中：所述阻挡结构的横截面为三角形或者为方形。
相对于现有技术，本发明提供的配向膜的涂布方法是首先在基底的配向液涂布区的周围涂布形成一阻挡结构，之后在所述配向液涂布区涂布配向液，其中所述阻挡结构阻挡所述配向液扩散出所述配向液涂布区，最后将所述配向液固化形成配向膜。显然，本发明可通过阻挡结构阻止配向液扩散至所述配向液涂布区之外，进而控制配向膜的位置精度，尤其是控制配向膜边界的精度，保证形成的配向膜不会对其它区域造成影响。
为让本发明的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合所附图式，作详细说明如下：
【附图说明】
图1为现有技术中TFT基板的俯视结构示意图；
图2为本发明配向膜的涂布方法的较佳实施例的流程示意图；
图3为本发明配向膜的涂布方法中在涂布配向膜之前所提供的TFT基板结构示意图；
图4为本发明配向膜的涂布方法中在TFT基板上形成所述阻挡结构的示意图；
图5为本发明配向膜的涂布方法中所形成的阻挡结构的一较佳实施例横截面示意图；
图6为本发明配向膜的涂布方法中所形成的阻挡结构的另一较佳实施例横截面示意图；
图7为本发明配向膜的涂布方法中在TFT基板上形成配向膜后的结构示意图；
图8为本发明配向膜的涂布方法中在TFT基板上移除阻挡结构后的结构示意图。
【具体实施方式】
以下各实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「侧面」等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。在图中，结构相似的单元是以相同标号表示。
请参阅图2，图2为本发明配向膜的涂布方法的较佳实施例的流程示意图。
在步骤S201中，提供TFT基板。
请一并参阅图3，所述TFT基板包括有基底20，所述基底20上形成有框胶涂布区21和配向液涂布区22。其中所述框胶涂布区21用来涂布框胶，而所述配向液涂布区22用来涂布配向液形成配向膜（PI）。所述框胶涂布区21环绕所述配向液涂布区22，并在所述框胶涂布区21与所述配向液涂布区22之间形成有一间隔220。
在步骤S202中，在所述配向液涂布区22的周围涂布形成一阻挡结构。
请参阅图4，图4为在TFT基板的基底20上形成所述阻挡结构的一较佳实施例的示意图，在该实施例中，所述阻挡结构23形成于所述配向液涂布区22和所述框胶涂布区21的间隔220处，并且所述阻挡结构23紧密地围绕着所述配向液涂布区22，以阻止配向液朝向框胶涂布区21扩散。
在具体实施过程中，所述阻挡结构23可通过喷嘴涂布的方式形成，所述阻挡结构23的材料为可硬化成型的高分子材料，尤其是可在空气中硬化成型的高分子材料，所述高分子材料优选为单一高分子材料或混合高分子材料，譬如所述高分子材料为α-氨基丙烯酸乙酯。
请参阅图5，图5为所述阻挡结构23的第一较佳实施例横截面示意图，其为沿图4中C-C'的截面示意图。
所述阻挡结构23的横截面垂直于所述阻挡结构23的长度方向A。在图5中，所述阻挡结构23相对所述基底20凸起，且所述阻挡结构23的横截面为三角形。
当然，所述阻挡结构23的横截面还可以为其它的形状，譬如方形、梯形等，只要能够阻挡所述配向液涂布区22的配向液扩散至其它区域即可，譬如请参阅图6，在图6中，所述阻挡结构23的横截面为方形。
请再回到图2。在步骤S203中，在所述配向液涂布区22涂布配向液，其中所述阻挡结构23阻挡所述配向液扩散至所述配向液涂布区22之外。
在具体实施过程中，可通过喷印技术（PI inkjet）在所述基底20表面的配向液涂布区22喷注配向液，当然也可以是利用其它技术将配向液涂布于配向液涂布区22，此处不一一列举。
在步骤S204中，将所述配向液固化形成配向膜24，譬如请参阅图7。
本发明优选通过烘烤加热的方式将所述配向液固化形成配向膜，当然也可以是其它的固化方式，譬如光照等。
在步骤S205中，将所述阻挡结构23移除，从而形成图8所示的结构。
在具体实施过程中，可以通过以下两种方式将所述阻挡结构23移除：
第一，对所述阻挡结构23进行加热，以熔化所述阻挡结构23，在所述阻挡结构23熔化成液体后，将该液体从所述基底20倒出，从而实现对所述阻挡结构23的移除。
第二，在所述阻挡结构23上喷洒溶剂，以使得所述阻挡结构23溶解于所述溶剂中并移除。譬如当所述阻挡结构23的材料为α-氨基丙烯酸乙酯时，可以在所述阻挡结构23喷洒酒精，以使得所述α-氨基丙烯酸乙酯溶解在所述酒精中形成液体，之后将该液体从所述基底20倒出，从而实现对所述阻挡结构23的移除。
当然还可以有其它的方式将所述阻挡结构23移除，譬如直接将所述阻挡结构23刻蚀移除等，此处不再一一列举。
本发明提供的配向膜的涂布方法是首先在基底20的配向液涂布区22的周围涂布形成一阻挡结构23，之后在所述配向液涂布区22涂布配向液，其中所述阻挡结构23阻挡所述配向液流到所述配向液涂布区22之外，最后将所述配向液固化形成配向膜24，显然，本发明配向膜的涂布方法可通过阻挡结构23阻止配向液扩散，进而可控制所形成的配向膜24的位置精度，尤其是配向膜24边界的精度，保证形成的配向膜24不会对其它区域造成不良影响。
综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。
Claims (9)
1.一种配向膜的涂布方法，其特征在于：包括以下步骤：
提供一基板，具有一基底，在所述基底上形成有一配向液涂布区；
在所述配向液涂布区的周围喷嘴涂布形成一阻挡结构；其中，所述阻挡结构采用的材料为可在空气中硬化成型的高分子材料；
在所述配向液涂布区涂布配向液，其中所述阻挡结构阻挡所述配向液扩散至所述配向液涂布区之外；
将所述配向液固化形成一配向膜；
通过加热、喷洒溶剂或者是刻蚀的方式，将所述阻挡结构移除。
2.根据权利要求1所述的配向膜的涂布方法，其特征在于：所述阻挡结构由可硬化成型的高分子材料形成。
3.根据权利要求2所述的配向膜的涂布方法，其特征在于：所述高分子材料为单一高分子材料或混合高分子材料。
4.根据权利要求2所述的配向膜的涂布方法，其特征在于：所述高分子材料为α-氨基丙烯酸乙酯。
5.根据权利要求1所述的配向膜的涂布方法，其特征在于：在所述基底上还形成有一框胶涂布区，所述框胶涂布区环绕所述配向液涂布区，并在所述框胶涂布区与所述配向液涂布区之间形成有一间隔；所述阻挡结构形成于所述配向液涂布区和所述框胶涂布区的间隔内，并且所述阻挡结构紧密地围绕着所述配向液涂布区。
6.根据权利要求1所述的配向膜的涂布方法，其特征在于：将所述阻挡结构移除的步骤具体包括：
对所述阻挡结构进行加热，以使得所述阻挡结构熔化并移除。
7.根据权利要求1所述的配向膜的涂布方法，其特征在于：将所述阻挡结构移除的步骤具体包括：
在所述阻挡结构上喷洒溶剂，以使得所述阻挡结构溶解于所述溶剂并移除。
8.根据权利要求3所述的配向膜的涂布方法，其特征在于：所述阻挡结构相对所述基底凸起，所述阻挡结构的横截面垂直于所述阻挡结构的长度方向。
9.根据权利要求8所述的配向膜的涂布方法，其特征在于：所述阻挡结构的横截面为三角形、方形或者梯形。
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Denomination of invention: Coating method of liquid crystal alignment film for thin film transistor-liquid crystal display (TFT-LCD) Effective date of registration: 20190426 Granted publication date: 20150121 Pledgee: Bank of Beijing Limited by Share Ltd Shenzhen branch Pledgor: Shenzhen Huaxing Optoelectronic Technology Co., Ltd. Registration number: 2019440020032 |
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Date of cancellation: 20201016 Granted publication date: 20150121 Pledgee: Bank of Beijing Limited by Share Ltd. Shenzhen branch Pledgor: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co.,Ltd. Registration number: 2019440020032 |