CN102792773A - 电气装置及其制造方法 - Google Patents

Abstract

所述电气装置具有：支承基板(12)；在支承基板(12)上设定的密封区域内设置的电路(14)；在支承基板(12)上，将外部的电气信号输入输出源与电路(14)电连接的电气配线；包围密封区域且设置在支承基板(12)上的密封构件(16)；隔着密封构件(16)贴合于支承基板(12)的密封基板(17)。电路(14)具备具有有机层的电子元件(24)，在俯视下，密封构件(16)的宽度在电气配线(15)与密封构件(16)交叉的交叉区域和除了交叉区域以外的非交叉区域中不同。

Description

电气装置及其制造方法

技术领域

本发明涉及电气装置及其制造方法。

背景技术

有机EL(Electro Luminescence)元件、有机光电转换元件及有机晶体管等电气元件具有作为构成要素之一的有机层。与不具有有机层的电子元件相比，这样的电子元件容易因与空气接触而劣化。因此，在搭载有具有有机层的电子元件的电气装置中，为了抑制元件的劣化而进行了密封。

密封例如通过以包围搭载在支承基板上的电子元件的方式配置密封构件，并隔着该密封构件将密封基板贴合于支承基板来进行。即，由支承基板、密封基板及密封构件包围的区域与外界隔断。密封构件使用气体不易通过的构件，作为密封方法的一种，对使用玻璃作为这样的密封构件的玻璃料密封进行了研究。需要说明的是，玻璃料是指与通常的玻璃相比在低温下熔融的薄片状或粉末状的玻璃(以下，简称为“玻璃料粉末”)，玻璃料密封通过使用将该玻璃料粉末分散到溶剂中而成的膏状的玻璃料剂进行。

在玻璃料密封中，首先，在搭载有电子元件的支承基板上以包围该电子元件的方式供给玻璃料剂，接下来，通常进行临时烧成来预先除去玻璃料剂的溶剂成分，之后，经由玻璃料剂将密封基板贴合在支承基板上。并且，通过将激光向玻璃料剂照射来将玻璃料剂加热熔融。当停止激光的照射时，玻璃料剂的温度下降，玻璃料剂再固化。这样，形成密封构件，由支承基板、密封基板和密封构件包围的区域被气密性地密封。

玻璃料剂的加热通过在其整周上照射激光来进行，但此时若产生加热不均，则根据部位的不同熔融状态会有所不同。其结果是，密封基板或支承基板与密封构件的密接性、密封构件自身的性状产生不均，进而密封的可靠性降低。因此，在玻璃料密封中，需要将玻璃料剂在整周上均匀地加热熔融。

然而，若仅在玻璃料剂的整周上照射激光，通常玻璃料剂会产生加热不均。玻璃料剂设置在规定的基底层上，但该基底层通常不是由均匀的构件构成的。在基底层上存在容易被加热的部位和不易被加热的部位。因此，即使向玻璃料剂均匀地照射激光，也会因基底层的热特性而导致玻璃料剂产生加热不均。例如在电气装置中，用于向电子元件输入或输出电气信号的多根电气配线以与玻璃料剂交叉的方式设置。在设置电气配线的部位和没有设置电气配线的部位，照射激光时的加热特性有所不同。例如在使用点径比玻璃料剂的宽度大的激光的情况、或者激光的一部分透过玻璃料剂的情况下，由于向基底层也照射激光，因此除玻璃料剂之外基底层的温度也上升。电气配线通常与其它构件相比容易被激光加热。因此，从设置在电气配线上的玻璃料剂向基底层的热量的移动受到抑制，其结果是，设置在电气配线上的玻璃料剂与设置在未设有电气配线的部位上的玻璃料剂相比变得更高温。这样，若仅通过向玻璃料剂均匀地照射激光，存在无法将玻璃料剂均匀地加热熔融这样的问题。

因此，在现有的技术中，在带状的电气配线与玻璃料剂交叉的区域中，通过在带状的电气配线上设置多个孔，由此抑制加热时的电气配线的温度上升，从而将玻璃料剂在整周上均匀地加热熔融(例如参照专利文献1)。

【在先技术文献】

【专利文献】

【专利文献1】日本特开2007-200835号公报

如上所述，在带状的电气配线上开设孔的情况下，若仅仅开设孔，会使电气配线的电阻相应地变高，因此为了降低电阻，在现有的技术中，将设置孔的部位的电气配线的宽度设定为宽幅。

在需要多根电气配线的电气装置中，电气配线高密度地设置，在这种情况下，难以仅限于与玻璃料剂交叉的区域地将电气配线的宽度设定为宽幅。这样，在现有的技术中，存在设计的自由度降低这样的问题。

发明内容

从而，本发明的目的在于提供一种能够在不降低设计的自由度的情况下将密封材料均匀地加热熔融的这种结构的电气装置。

本电气装置具有：支承基板；在该支承基板上设定的密封区域内设置的电路；在所述支承基板上，从所述密封区域内向密封区域外延伸出地设置，并将外部的电气信号输入输出源与所述电路电连接的电气配线；包围密封区域且设置在所述支承基板上的密封构件；经由所述密封构件贴合在所述支承基板上的密封基板，所述电气装置的特征在于，所述电路具备具有有机层的电子元件，在俯视下所述密封构件的宽度在所述电气配线与所述密封构件交叉的交叉区域和除了该交叉区域以外的非交叉区域中不同。

另外，在本电气装置中，优选所述交叉区域中的所述密封构件的宽度A比所述非交叉区域中的所述密封构件的宽度B大。

另外，在本电气装置中，优选电子元件为有机EL元件、有机光电转换元件或有机晶体管。

另外，本电气装置的制造方法包括：准备设置有所述电路及所述电气配线的支承基板的工序；沿着所述密封区域的外缘供给构成所述密封构件的密封材料的工序；隔着构成所述密封构件的密封材料将所述密封基板贴合于所述支承基板的工序；向构成所述密封构件的密封材料照射电磁束，并将所述密封材料加热熔融的工序；冷却所述密封材料而使其固化，从而构成所述密封构件的工序，在供给密封材料的工序中，使供给的密封材料的宽度在所述交叉区域和所述非交叉区域中不同。

另外，在本电气装置的制造方法中，优选在配置有所述密封材料的整个区域上以相同的光强度照射所述电磁束。

另外，在本电气装置的制造方法中，优选所述电磁束的点径C比所述非交叉区域中的所述密封构件的宽度B大。

另外，在本电气装置的制造方法中，优选所述交叉区域中的所述密封构件的宽度A比所述非交叉区域中的所述密封构件的宽度B大，所述电磁束的点径C等于或大于所述交叉区域中的所述密封构件的宽度A。在这种情况下，能够可靠地将密封构件加热·熔融。

在本电气装置的制造方法中，优选所述交叉区域中的所述密封构件的宽度A比所述非交叉区域中的所述密封构件的宽度B大，所述电磁束的点径C比所述交叉区域中的所述密封构件的宽度A小。在交叉区域中，与非交叉区域相比更促进加热，因此即使在点径C比宽度A小的情况下，也能够将密封构件加热·熔融。

【发明效果】

根据本发明，能够提供一种可在不降低设计的自由度的情况下将密封材料均匀地加热熔融的结构的电气装置。

附图说明

图1是示意性地表示本实施方式的显示装置11的俯视图。

图2是从图1所示的剖开线II-II观察到的显示装置11的剖视图。

图3是放大且示意性地表示密封构件16中的交叉区域21和非交叉区域22交替出现的区域的俯视图。

图4是示意性地表示从图3的剖开线IV-IV观察到的显示装置的剖视图。

图5是示意性地表示其它实施方式的显示装置的图，是示意性地表示在其它实施方式的显示装置中与图3相当的部位的俯视图。

图6是示意性地表示电气配线高密度地配置的区域与密封构件交叉的交叉区域的图。

图7是表示图1所示的显示装置的剖面结构的图。

图8是表示有机EL元件的剖面结构的图。

图9是制造中途的显示装置的俯视图。

具体实施方式

本发明的电气装置具有：支承基板；在该支承基板上设定的密封区域内设置的电路；在所述支承基板上，从所述密封区域内向密封区域外延伸出地设置，而将外部的电气信号输入输出源与所述电路电连接的电气配线；包围密封区域且设置在所述支承基板上的密封构件；隔着所述密封构件贴合在所述支承基板上的密封基板，其中，所述电路具备具有有机层的电子元件，在俯视观察下，在所述电气配线与所述密封构件交叉的交叉区域和除了该交叉区域以外的非交叉区域内，所述密封构件的宽度不同。

本发明的电气装置只要是装入有如下的电路的电气装置即可，可以适用于任意的装置，其中所述电路具备具有有机层的电子元件。作为具有有机层的电子元件，可以举出有机EL元件、有机光电转换元件及有机晶体管等。例如本发明的电气装置可以适用于作为像素的光源或背光而使用的有机EL元件被装入到电路中的显示装置、作为太阳能电池或光传感器而使用的有机光电转换元件被装入到电路中的光电转换装置、以及为了驱动或控制上述有机EL元件、有机光电转换元件及其它电子元件而使用的有机晶体管被装入到电路中的电气装置。需要说明的是，以下，以作为像素的光源而使用的有机EL元件被装入到电路中的显示装置为例，对本发明的电气装置进行说明。

显示装置主要包括有源矩阵驱动型的装置、无源矩阵驱动型的装置。本发明能够适用于两种类型的显示装置，但在本实施方式中，作为一例，对有源矩阵驱动型的显示装置进行说明。

<显示装置的结构>

首先，对作为电气装置的显示装置11的结构进行说明。图1是示意性地表示本实施方式的显示装置11的俯视图。图2是从图1所示的剖开线II-II观察到的显示装置11的剖视图。图7与图2同样，是详细表示图1所示的显示装置中，通过构成电路14的EL元件的剖面结构的图。显示装置11包括：支承基板12；在该支承基板12上设定的密封区域13内设置的电路14；在支承基板12上，从所述密封区域13内向密封区域13外延伸出地设置，而将外部的电气信号输入输出源19与所述电路14电连接的电气配线15；包围密封区域13且设置在所述支承基板上的密封构件16；隔着所述密封构件16贴合在所述支承基板12上的密封基板17。

在图1中，设置在支承基板12的表面上且具有矩形环状的形状的部分与密封构件16相当，由该密封构件16包围的部分相当于密封区域13。

在本实施方式中，图1所示的电路14如图7所示那样包括作为像素的光源而使用的多个有机EL元件(电子元件)24、独立驱动这些有机EL元件24的像素电路PC。需要说明的是，有机EL元件24位于隔壁IS之间而填充在这些隔壁IS之间的空间中，但为了使说明明确化，在图7中，绘制成隔壁IS与有机EL元件24之间稍微分开。在从支承基板12的厚度方向的一方观察(以下，称作俯视观察下)时，图7所示的像素电路PC形成在显示图像信息的区域(以下，称作图像显示区域18)。像素电路PC由有机晶体管、无机晶体管或电容器等构成。在支承基板12上形成的像素电路PC上形成覆盖该像素电路PC的绝缘膜IL1。绝缘膜IL1例如由树脂所构成的有机绝缘膜或无机绝缘膜构成。需要说明的是，由于绝缘膜IL1的一部分在对玻璃料剂进行加热熔融时被加热，因此优选绝缘膜IL1使用具有耐热性的膜。因此，在绝缘膜IL1中，至少设置在对玻璃料剂进行加热熔融时被加热的部位处的绝缘膜IL1从耐热性的观点出发优选由无机绝缘膜构成。这样的无机绝缘膜例如可以使用硅氧化膜、硅氮化膜、及硅氮氧化膜等金属氧化膜。无机绝缘膜的厚度通常为50nm～3000nm左右。该绝缘膜IL1可以在形成电路14的工序中通过等离子体CVD法或溅射法等已知的成膜方法来形成。

图7所示的多个有机EL元件24设置在像素电路PC上。即，有机EL元件24在图像显示区域18中设置在上述绝缘膜IL1或者通过增厚该绝缘膜IL1的厚度而使表面平坦化的平坦化膜上。有机EL元件例如配置成矩阵状，在图像显示区域18中分别在行方向X及列方向Y上隔开规定的间隔配置。各有机EL元件与像素电路PC通过沿厚度方向贯通绝缘膜IL1或平坦化膜的导电体W1、W2而电连接。即，导电体W1与有机EL元件24的上部电极E1(参照图8)连接，导电体W2与有机EL元件24的下部电极E2(参照图8)连接，各导电体W1、W2与像素电路PC连接。

简单的像素电路PC由单一的晶体管构成，来自外部的电气配线15向该晶体管的栅极输入，将晶体管的一方的端子与电源电位连接，将另一方的端子与EL元件的上部电极E1(参照图8)连接，将EL元件的另一方的下部电极E2(参照图8)与接地电位连接。当栅极存在来自电气配线15的输入时，晶体管导通，因此在有机EL元件24的电极E1、E2之间施加电压，电极E1、E2之间的发光层EL(参照图8)发光。

如上所述，电路14设置在支承基板12上设定的密封区域13内。换言之，密封区域13设定在内包图像显示区域18的区域内，其中在图像显示区域18设置有电路14。

设置有电路14的支承基板12例如由玻璃板、金属板、树脂膜及它们的层叠体构成。在朝向支承基板12射出光的所谓的底部发光型的有机EL元件搭载在支承基板12上的情况下，支承基板12由显现出透光性的构件构成。

在显示装置11中设置用于将规定的电气信号向电路14输入的多根电气配线15。规定的电气信号是指用于使多个有机EL元件分别以规定的光强度独立发光的电气信号，例如用于在配置成矩阵状的有机EL元件中独立地选择应当发光的元件的电气信号或用于指定各元件的发光强度的电气信号。由于在显示装置11中设置多个有机EL元件，因此需要用于传送电气信号的多根电气配线。上述电气信号从外部的电气信号输入输出源19输入。在显示装置11中，电气信号输入输出源19通过所谓的驱动器实现。多根电气配线15在支承基板12上从所述密封区域13内向密封区域13外延伸设置，从而将电气信号输入输出源19与电路连接。

在所述多根电气配线15上通常也设置绝缘膜20。即，电气配线15通常由绝缘膜20覆盖。多根电气配线15可以电路14为中心地从密封区域13内向密封区域13外呈放射状地延伸出，但在本实施方式中，如图1所示，为了汇集于电气信号输入输出源19，多根电气配线15通过密封区域13的外缘的一边而从密封区域13内向密封区域13外延伸出。需要说明的是，外部的电气信号输入输出源19是指比密封区域13靠外设置的机构，可以如本实施方式那样采用作为驱动器而设置在电气装置中的机构，也可以采用不设置在电气装置中的机构。

电气配线15由导电性高的金属薄膜或透明导电性氧化物构成。具体而言，由Al、Cu、Cr、W、Mo、ITO、IZO等薄膜或它们的层叠膜构成。电气配线的厚度通常为100nm～5000nm左右，其宽度通常为10μm～200μm左右。

密封构件16设置成在支承基板12上沿着密封区域13的外缘包围密封区域13。换言之，密封区域13是由密封构件16包围的区域，其外缘由密封构件16规定。如上所述，由于多根电气配线15设置成从密封区域13内向密封区域13外延伸出，因此沿着密封区域的外缘延伸出的密封构件16在俯视观察下与多根电气配线15交叉配置。需要说明的是，在本实施方式中，如前所述多根电气配线15由绝缘膜20覆盖，因此密封构件16隔着绝缘膜20设置在电气配线15上(参照图4)。需要说明的是，绝缘膜IL1和绝缘膜20可以由相同的绝缘膜构成，但也可以由不同的绝缘膜构成。在本例中，绝缘膜20和绝缘膜IL1是共同的，绝缘膜20为共同绝缘膜IL2。

以下，在密封构件16的延伸的整个区域中，将俯视观察下电气配线15与密封构件16交叉的区域称作交叉区域21，并将除了该交叉区域21以外的其余区域称作非交叉区域22。图3是放大且示意性地表示密封构件16中的交叉区域21和非交叉区域22交替出现的区域的俯视图。另外，图4是示意性地表示从图3的剖开线IV-IV观察到的显示装置的剖视图。在图3及图4中，多根电气配线15分别沿着Y轴方向延伸，密封构件16沿着X轴方向延伸，它们在多个部分区域交叉且重叠。图3及图4相当于将图1中配置成矩形形状的密封构件16中的位于Y轴负方向的一边的部分放大而示出的图。图5是示意性地表示其它实施方式的显示装置的图，是示意性地表示在其它实施方式的显示装置中与图3相当的部位的俯视图。

在本实施方式中，在交叉区域21和非交叉区域22中，密封构件16的宽度(Y轴方向宽度：交叉区域21中的与电气配线15平行的尺寸)不同。以下，将分别与支承基板12的厚度方向(Z轴)及密封构件16的延伸方向(在与电气配线交叉的交叉区域中为X轴方向)垂直的方向(Y轴方向)规定为密封构件16的宽度方向。并且，密封构件16的宽度是指密封构件16的宽度方向上的宽度。

如图3所示，交叉区域21中的密封构件16的宽度A与非交叉区域22中的密封构件16的宽度B不同。通过这样使密封构件16的宽度A和宽度B不同，由此在对构成密封构件16的密封材料进行加热时，能够同样地加热交叉区域21上的密封材料和非交叉区域22上的密封材料。

在本实施方式中，在密封构件16上设置的基底层配置有电气配线15。该电气配线15在俯视观察下设置在交叉区域21内，而没有设置在非交叉区域22内。这样，存在设置电气配线15的部位和没有设置电气配线15的部位，因此在对构成密封构件16的密封材料进行加热时，从密封材料向基底层流动的热量在交叉区域21和非交叉区域22有所不同。

通常，电气配线15的导热系数比绝缘膜20的导热系数大得多，因此通常交叉区域21与非交叉区域22相比，在交叉区域21基底层的热扩散系数(＝导热系数/(热容量×密度))更大。因此，若密封材料与基底层的温度差在非交叉区域22和交叉区域21相同，则交叉区域21与非交叉区域22相比密封材料的热量更向基底层流动。另一方面，由于电气配线15与绝缘膜20相比更吸收电磁束的能量，因此电气配线15的温度比绝缘膜20的温度高。另外，由于电气配线15的热扩散系数更大，因此不仅直接吸收了电磁束的能量的部位的温度上升，其附近的温度也上升。因此，交叉区域21与非交叉区域22相比，基底层的温度更高，其结果是，交叉区域21与非交叉区域22相比，密封材料的热量更不易向基底层流动。

这样，从密封材料向基底层流动的热量在交叉区域21和非交叉区域22有所不同，因此若假设密封构件16的宽度A与宽度B相等，则在对密封材料进行加热时，无法将交叉区域21上的密封材料和非交叉区域22上的密封材料同样地加热。因此，在本发明中，对密封构件16的宽度A和宽度B进行了设计，从而在对密封材料进行加热时，能够将交叉区域21上的密封材料和非交叉区域22上的密封材料同样地加热。

需要说明的是，在密封构件16的宽度A与宽度B相等的情况下，当对密封材料进行加热时，交叉区域21上的密封材料比非交叉区域22上的密封材料更高温的情况居多，因此，优选宽度A设定为比宽度B宽。

在将密封构件16的宽度A设定为比宽度B宽的情况下，密封构件16可以形成为在交叉区域21中密封构件16的一部分向宽度方向的两方(Y轴的正负的方向)突出且延伸出这样的形状(参照图3)，也可以形成为在交叉区域21中密封构件16的一部分仅向宽度方向的一方(Y轴的正方向)突出且延伸出这样的形状(参照图5)。

密封构件16的宽度及厚度考虑所需的气密度或密封材料的特性等来设定，其宽度通常为500μm～2000μm左右，其厚度通常为5μm～50μm左右。另外，对于宽度A与宽度B的宽度差，考虑基底层的热特性或密封材料的特性等来设定，通常为200μm～1000μm左右。

需要说明的是，在本说明书中，交叉区域21是指电气配线15与密封构件16交叉的区域，但在电气配线高密度地配置的情况下，将电气配线高密度地配置的区域21的整个区域21’(参照图6)视作设置电气配线的区域，该设置电气配线15的区域与密封构件16交叉的区域21’在本说明书中也称作交叉区域。即，在俯视观察下，在电气配线高密度地配置的区域与密封构件16交叉的交叉区域21’，电气配线15与密封构件16交叉的区域和电气配线15与密封构件16不交叉的区域高密地反复交替出现，但在本说明书中，将交叉的区域和不交叉的区域高密度地反复交替出现的区域视作一体的区域作为交叉区域21’。电气配线高密度地配置的区域是指，例如电气配线与电气配线的间隔为1000μm以下。需要说明的是，特定区域内的宽度方向上的尺寸用特定区域的宽度方向上的中央的尺寸的值来定义。

图6是示意性地表示俯视观察下电气配线15高密度地配置的区域与密封构件交叉的交叉区域21’的图。如图6所示，交叉区域21’(或各交叉区域21)中的密封构件16的宽度A与除了该交叉区域21’以外的其余的非交叉区域22中的密封构件的宽度B不同。需要说明的是，在图6所示的实施方式中，也优选交叉区域21’中的密封构件16的宽度A比非交叉区域22中的密封构件16的宽度B宽。

密封基板17经由密封构件16贴合在支承基板12上。密封基板17由玻璃板、金属板、树脂膜、及它们的层叠体构成。在朝向密封基板17射出光的所谓的顶部发光型的有机EL元件搭载于支承基板12的情况下，密封基板17由显现出透光性的构件构成。

<显示装置的制造方法>

接下来，对显示装置的制造方法进行说明。

本发明的电气装置的制造方法包括：准备设置有电路及电气配线的支承基板的工序；沿着密封区域的外缘供给构成所述密封构件的密封材料的工序；隔着构成密封构件的密封材料将密封基板贴合在所述支承基板上的工序；向构成所述密封构件的密封材料照射电磁束，将所述密封材料加热熔融的工序；冷却所述密封材料使其固化，从而构成所述密封构件的工序，在供给密封材料的工序中，使所供给的密封材料的宽度在所述交叉区域和所述非交叉区域中不同。

(准备设置有电路及电气配线的支承基板的工序)

首先，准备图1所示的设置有电路14及电气配线15的支承基板12。在本实施方式中，准备其上形成有由驱动有机EL元件24的电路PC及多个有机EL元件24构成的电路14、及电气配线15的支承基板12。需要说明的是，可以通过在支承基板12上形成驱动有机EL元件24的电路PC及电气配线15，并在其上形成多个有机EL元件24，由此准备设置有电路14及电气配线15的支承基板。

像素电路PC及电气配线15可以使用周知的半导体技术来形成。

有机EL元件24通过层叠多层而构成。具体而言，如图8所示，包括一对电极E1、E2和设置在该电极E1、E2间的发光层EL而构成。例如，可以将上部电极E1作为阴极，将下部电极E2作为阳极，反之亦可。需要说明的是，有机EL元件24除了发光层EL以外，可以根据需要而具备由正孔注入层、正孔输送层及电子块层等构成的阳极侧有机层L2、由电子注入层、电子输送层及正孔块层等构成的阴极侧有机层L1。电极E1或E2可以与发光层EL直接接触。有机EL元件24可以通过将构成上述有机EL元件24的多层依次层叠而形成在像素电路PC(参照图7)上。各层可以使用蒸镀法或溅射法等干式法、或者喷墨法、喷嘴印刷法或旋涂法等湿式法来依次层叠。

(供给构成密封构件的密封材料的工序)

在本工序中，沿着密封区域的外缘供给构成密封构件的密封材料。密封材料可以向支承基板12及密封基板17中的至少任一方供给。

在本实施方式中，向密封基板17上供给密封材料。

作为密封材料，在本实施方式中，使用膏状的玻璃料剂。膏状的玻璃料剂包括玻璃料粉末和赋形剂而构成。赋形剂由粘合剂、分散该粘合剂及玻璃料粉末的溶剂构成。需要说明的是，玻璃料粉末可以使用以V₂O₅、VO、SnO、SnO₂、P₂O₅、Bi₂O₃、B₂O₃、ZnO、及SiO₂等为含有成分的低熔点玻璃粉末，例如可以使用旭硝子株式会社制的BAS115、BNL115BB-N、FP-74。粘合剂可以使用硝基纤维素(nitro cellulose)、丙烯酸甲酯(methyl acrylate)、丙烯酸乙酯(ethyl acrylate)、丙烯酸丁酯(butylacrylate)、乙基纤维素(ethyl cellulose)、羟基丙基纤维素(hydroxypropylcellulose)、丁基纤维素(butyl cellulose)等。溶剂可以使用乙酸丁基卡必醇酯(butyl carbitol acetate)、二乙酸丙二醇酯(propylene glycol diacetate)、甲乙酮(methyl ethyl ketone)、乙酸乙基卡必醇酯(ethl carbitol acetate)、醋酸戊质(Amyl acetate)等。

密封材料可以通过公知的涂敷方法向支承基板12及密封基板17中的至少任一方供给。例如可以通过网版印刷法、胶版印刷法、喷墨印刷法及喷嘴印刷法等印刷法、以及使用了分配器的涂敷法等来供给。其中，为了使被涂敷面上的密封材料的膜厚的均匀性及涂敷状态的再现性等膜厚控制性良好且缩短涂敷所需的时间，优选网版印刷法。

在供给密封材料的工序中，使所供给的密封材料的宽度在所述交叉区域和所述非交叉区域中不同。即，与通过将密封材料固化而形成的密封构件的形状同样，使所供给的密封材料的宽度在所述交叉区域和所述非交叉区域中不同。这样，通过使密封材料的宽度在所述交叉区域和所述非交叉区域中不同，其结果是，能够使通过将该密封材料固化而得到的密封构件的宽度在所述交叉区域和所述非交叉区域中不同。

接下来，在本实施方式中，进行临时烧成。通过进行临时烧成，能够除去密封材料中的多余成分。即，通过进行临时烧成，溶剂气化且粘合剂燃烧，由此从玻璃料剂除去赋形剂。其结果是，在密封基板17上残留玻璃料粉末。临时烧成在能够除去赋形剂的温度下进行，例如在300℃～500℃下进行。需要说明的是，在除了密封材料之外还在密封基板17上设置有通过加热而发生化学变化这样的构件的情况下，优选在临时烧成中仅对密封材料及其周边区域进行加热。例如在密封基板上还设置有电路的一部分且该电路的特性会因受热而劣化的情况下，优选以使形成在密封基板上的电路不被加热的方式进行临时烧成。另外，在本实施方式中，向密封基板上供给密封材料，但在假设向支承基板上供给密封材料且将密封材料临时烧成的情况下，为了防止有机EL元件及像素电路因临时烧成而劣化，优选仅对密封材料及其周边区域进行加热。

(将密封基板贴合于支承基板的工序)

接下来，将密封基板贴合于支承基板。在本实施方式中，使用光固化性树脂进行临时密封。临时密封例如通过如下方式进行：首先沿着密封材料而向密封材料的外侧供给光固化性树脂，接下来，在真空中或非活性气体气氛中，将密封基板17贴合于支承基板12。图9是基板贴合后的显示装置的俯视图，省略了密封基板17的记载。临时密封构件16A以包围密封构件16的外侧的方式配置。需要说明的是，也可以将填充材料N向密封了的空间内填充。进而，通过向光固化性树脂照射光，使光固化性树脂固化，由此利用光固化性树脂对密封区域进行临时密封。

光固化性树脂例如可以使用紫外线固化型环氧树脂或紫外线固化型丙烯酸树脂。图1～图6中虽未示出光固化性树脂，但在进行临时密封的情况下，由于光固化性树脂沿着密封构件16延伸，因此实际上，例如图1中表示密封构件16及构成临时密封构件16A的光固化性树脂的两根线如图9所示那样沿着密封区域的外缘延伸。需要说明的是，在光固化性树脂与密封构件16接近配置的情况下，在将密封材料利用激光加热熔融时光固化性树脂可能会燃烧，因此优选光固化性树脂与密封构件16分开0.5mm以上配置。

另外，作为其它实施方式，在玻璃料密封后，可以将临时密封所需要的部位但对电气装置的结构而言不需要的部位从电气装置切掉，也可以在例如临时密封所使用的光固化性树脂与密封构件之间将基板切断，将配置有光固化性树脂的部分作为不需要的部分从电气装置切掉。在这种情况下，在进行临时密封时，光固化性树脂以从密封构件16离开规定的距离而包围密封构件16的方式配置为好。

在真空中进行临时密封的情况下，作为真空度，优选1PA～90kPA。另外，在非活性气体气氛中进行临时密封的情况下，优选在露点为-70℃以下的非活性气体气氛中进行临时密封。需要说明的是，作为非活性气体，可以使用氩或氮。另外，向光固化性树脂照射的光可以使用紫外线。这样，通过在真空中或非活性气体气氛中进行临时密封，由此能够使密封区域中的水分浓度及氧浓度与大气相比减少。需要说明的是，在临时密封中，气密度低，但在临时密封的状态下进行后述的玻璃料密封时，通过提高密封区域的气密度而能够保持密封区域中的水分浓度及氧浓度与大气相比得以降低的状态。

密封基板17与支承基板12的贴合可以对准标记为基准来进行。例如可以预先在密封基板17及支承基板12上分别设定对准标记，利用光学传感器对该对准标记的位置进行识别，并根据识别出的位置信息来进行密封基板17及支承基板12的对位，之后，将密封基板17与支承基板12贴合。

(将密封材料加热熔融的工序)

在本实施方式中，在临时密封后，在大气中将密封材料加热熔融。密封材料的加热熔融通过向构成密封构件16的密封材料照射电磁束来进行。

电磁束的照射从支承基板12及密封基板17中的密封基板侧进行。即，将射出电磁束的头部(以下，称作电磁束照射头)配置在密封基板17上，并朝向密封基板17照射电磁束。从电磁束照射头射出的电磁束透过密封基板17而向密封材料照射。电磁束优选使用能量密度高的光，优选使用激光。另外，电磁束优选使用使密封材料有效地吸收光能量且以高透射率透过密封基板17这种波长的光。换言之，密封基板17优选使用电磁束能够透过的构件，密封材料优选使用吸收电磁束的材料。电磁束所使用的光的峰值波长通常为190nm～1200nm，优选为300nm～1100nm。放射电磁束的激光装置可以使用例如YAG激光器、半导体激光器(二极管激光器)、氩离子激光器、准分子激光器等。

电磁束的照射例如可以使用能够将电磁束照射头三维移动的控制装置来进行。例如可以与密封材料之间隔开规定的间隔来配置电磁束照射头，向密封材料照射电磁束并同时使电磁束照射头沿着密封材料进行扫描。需要说明的是，电磁束的照射可以使电磁束的光强度变动来进行，但优选在配置有密封材料的整个区域上以相同的光强度照射所述电磁束。这是为了使装置的设定变得简单。另外，虽然也可以在改变光强度时降低电磁束照射头的扫描速度，但在将光强度保持为一定并同时使电磁束照射头进行扫描的情况下，能够缩短使电磁束照射头沿着密封材料绕一周时所需的时间。需要说明的是，电磁束的照射可以通过使电磁束照射头相对于贴合后的密封基板17及支承基板12相对地扫描来进行，并不局限于电磁束照射头，例如也可以通过使贴合后的密封基板17及支承基板12移动来进行，还可以通过使贴合后的密封基板17及支承基板12和电磁束照射头这两方移动来进行。贴合后的密封基板17及支承基板12的移动可以通过在设置有移动机构的台架上载置贴合后的密封基板17及支承基板12并使该台架移动来进行。

优选对电磁束的点径进行调整。在本说明书中，将向密封材料照射的位置处的电磁束的直径记为点径C。点径C的大小可以通过使用聚光透镜等光学要素来调整。需要说明的是，在本说明书中，点径C是指，用与光轴垂直的平面切断电磁束时，将相对于光轴上的光强度而言光强度成为“1/e^2”的位置连结而形成的大致圆形状的闭合曲线的直径，符号“e”意味着纳皮尔数。需要说明的是，所述大致圆形状的闭合曲线并不一定为正圆，但在求解大致圆形状的闭合曲线的直径的情况下，可以将大致圆形状的闭合曲线近似于圆来算出其直径。

优选电磁束的点径C比非交叉区域中的密封构件16的宽度B大。这样，通过使点径C比非交叉区域中的密封构件16的宽度B大，由此能够在宽度方向上遍及整体地将密封构件16加热，能够防止密封构件16被局部加热的情况。

进而，优选电磁束的点径C等于或大于所述交叉区域中的密封构件16的宽度A。这样，通过使点径C等于或大于交叉区域中的密封构件16的宽度A，由此在交叉区域中，也能够在宽度方向上遍及整体地将密封构件16加热，能够防止密封构件被局部加热的情况。

需要说明的是，在交叉区域中，热量容易沿着电气配线15而均匀化，因此也可以在不增大点径C的情况下遍及宽度方向而将密封构件均匀地加热。在这种情况下，优选电磁束的点径C比所述交叉区域中的密封构件16的宽度A小且比所述非交叉区域中的密封构件16的宽度B大。这样，通过减小电磁束的点径C，由此能够提高能量密度，能够有效地将密封构件16加热熔融。

(构成密封构件的工序)

接下来，将熔融了的密封材料冷却并使其固化，从而构成密封构件。需要说明的是，熔融了的密封材料可以通过降低显示装置的周围的温度来得以冷却，但也可以通过自然冷却来降低其温度。例如通过停止电磁束的照射而密封材料的温度自然地降低，因此熔融了的密封材料自然地固化。

如以上所说明的那样，在本实施方式中，在俯视观察下，使所述密封构件的宽度在所述电气配线与所述密封构件交叉的交叉区域和除了该交叉区域以外的非交叉区域中不同。需要说明的是，在形成密封构件的工序中，使密封材料的宽度不同。这样，通过使密封材料的宽度不同，由此能够将密封材料遍及其整周地均匀加热，其结果是，能够使密封构件的性状在整周上均匀，能够使密封构件与支承基板及密封基板的密接性均匀。由此，能够实现可靠性高的显示装置。需要说明的是，在本实施方式中，通过调整密封构件的宽度，由此减小交叉区域21与非交叉区域22的密封材料的温度上升的差异，因此不需要对电气配线的形状进行变更，能够维持电气配线的设计的自由度且实现可靠性高的显示装置。

以上，对电路设置于支承基板这种形态的显示装置进行了说明，但在密封基板上也可以设置电路。例如可以将驱动电路的一部分的像素电路设置于支承基板上，且将有机EL元件设置于密封基板上。需要说明的是，设置在支承基板上的像素电路和设置在密封基板上的有机EL元件通过规定的导电性构件电连接。

另外，在上述的显示装置中，对设置有机EL元件作为具有有机层的电子元件的显示装置进行了说明，但构成像素电路的一部分的晶体管可以使用有机晶体管作为具有有机层的电子元件。

【符号说明】

11    显示装置

12    支承基板

13    密封区域

14    电路

15    电气配线

16    密封构件

17    密封基板

18    图像显示区域

19    电气信号输入输出源

20    绝缘膜

21    交叉区域

22    非交叉区域

Claims (8)

1.一种电气装置，其具有：

支承基板；

在该支承基板上设定的密封区域内设置的电路；

在所述支承基板上从所述密封区域内向密封区域外延伸设置，并将外部的电气信号输入输出源与所述电路电连接的电气配线；

包围密封区域且设置在所述支承基板上的密封构件；

隔着所述密封构件贴合在所述支承基板上的密封基板，所述电气装置的特征在于，

所述电路具备具有有机层的电子元件，

在俯视观察下，所述密封构件的宽度在所述电气配线与所述密封构件交叉的交叉区域和除了该交叉区域以外的非交叉区域中不同。

2.根据权利要求1所述的电气装置，其特征在于，

所述交叉区域中的所述密封构件的宽度A比所述非交叉区域中的所述密封构件的宽度B大。

3.根据权利要求1所述的电气装置，其特征在于，

电子元件为有机EL元件、有机光电转换元件或有机晶体管。

4.一种制造权利要求1所述的电气装置的制造方法，其包括：

准备设置有所述电路及所述电气配线的支承基板的工序；

沿着所述密封区域的外缘供给构成所述密封构件的密封材料的工序；

隔着构成所述密封构件的密封材料将所述密封基板贴合于所述支承基板的工序；

向构成所述密封构件的密封材料照射电磁束，并将所述密封材料加热熔融的工序；

冷却所述密封材料而使其固化，从而构成所述密封构件的工序，

在供给密封材料的工序中，使所供给的密封材料的宽度在所述交叉区域和所述非交叉区域中不同。

5.根据权利要求4所述的电气装置的制造方法，其特征在于，

在配置有所述密封材料的整个区域以相同的光强度照射所述电磁束。

6.根据权利要求4所述的电气装置的制造方法，其特征在于，

所述电磁束的点径C比所述非交叉区域中的所述密封构件的宽度B大。

7.根据权利要求6所述的电气装置的制造方法，其特征在于，

所述交叉区域中的所述密封构件的宽度A比所述非交叉区域中的所述密封构件的宽度B大，

所述电磁束的点径C等于或大于所述交叉区域中的所述密封构件的宽度A。

8.根据权利要求6所述的电气装置的制造方法，其特征在于，

所述交叉区域中的所述密封构件的宽度A比所述非交叉区域中的所述密封构件的宽度B大，

所述电磁束的点径C比所述交叉区域中的所述密封构件的宽度A小。

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