CN102789107A - 液晶显示面板 - Google Patents

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陈柏林
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TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
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Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
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    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/13624—Active matrix addressed cells having more than one switching element per pixel

Abstract

本发明提供一种液晶显示面板，包括：TFT基板、贴合该TFT基板设置的CF基板，所述TFT基板上形成有数个第一薄膜晶体管及数个第二薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管为对称式薄膜晶体管，其具有第一沟道，所述第二薄膜晶体管为非对称式薄膜晶体管，其具有第二沟道，所述第一沟道的长度较第二沟道的长度大0.2~0.4μm，使得在光罩制程中，用于形成沟道的半色调光阻材料的厚度相近，进而避免现有技术中，由于用于形成对称式薄膜晶体管沟道及非对称式薄膜晶体管沟道的半色调光阻材料的厚度不同，而导致的阵列屈服缺陷，有效提升了阵列的屈服强度，进而提升了液晶显示面板的品质。

Description

液晶显示面板
技术领域
本发明涉及液晶显示领域，尤其涉及一种液晶显示面板。
背景技术
液晶显示装置（LCD，Liquid Crystal Display）具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛的应用。现有市场上的液晶显示装置大部分为背光型液晶显示装置，其包括液晶显示面板及背光模组（backlight module）。液晶显示面板的工作原理是在两片平行的玻璃基板当中放置液晶分子，通过玻璃基板通电与否来控制液晶分子改变方向，将背光模组的光线折射出来产生画面。
通常液晶显示面板由彩膜基板（CF，Color Filter）、薄膜晶体管基板（TFT，Thin Film Transistor)、夹于彩膜基板与薄膜晶体管基板之间的液晶（LC，LiquidCrystal）及密封胶框（Sealant）组成，其成型工艺一般包括：前段阵列（Array）制程（薄膜、黄光、蚀刻及剥膜）、中段成盒（Cell）制程（TFT基板与CF基板贴合）及后段模组组装制程（驱动IC与印刷电路板压合）。其中，前段Array制程主要是形成TFT基板，以便于控制液晶分子的运动；中段Cell制程主要是在TFT基板与CF基板之间添加液晶；后段模组组装制程主要是驱动IC压合与印刷电路板的整合，进而驱动液晶分子转动，显示图像。
请参阅图1A至图1E，为现有的五道光罩制程制得的TFT基板的对应结构示意图，其先在玻璃基100上形成栅极101，在栅极101上形成栅极绝缘层103，在栅极绝缘层103上形成半导体层105，在半导体层105上形成源极107与漏极109，之后，再形成绝缘层110、沟道113及ITO（Indium Tin Oxides，铟锡金属氧化物）层115，进而制得TFT基板。
为了降低生产成本，本领域技术人员对TFT基板制程进一步简化，请参阅图2A至图2D，为现有的四道光罩制程制得的TFT基板的对应结构示意图，其先蚀刻金属层310，再干刻光阻材料（PR）层330，然后，通过蚀刻在金属层上形成沟道，最后，通过干刻去除部分掺氮的氢化非晶硅（n+a-Si:H）层350，进一步形成沟道。在本制程中，控制半色调光阻材料（half-tone PR）的厚度为制程稳定度的关键，如果半色调光阻材料过薄，则容易造成沟道尺寸异常与沟道脏污（Channel dirt），而半色调光阻材料过厚，则会造成沟道113”过短（Channel short）。
请参阅图3，常见的TFT基板中，每一单一的像素（sub pixel）中可包含一个对称式TFT500与一非对称式TFT700，当采用上述四道光照制程制得TFT基板时，对称式TFT500的半色调光阻材料一般较非对称式TFT700的半色调光阻材料厚，这就容易造成阵列屈服缺陷（array yield loss）。
发明内容
本发明的目的在于提供一种液晶显示面板，其有效解决了对称式薄膜晶体管与非对称式薄膜晶体管之间半色调光阻材料厚度差异过大的问题，进而提升了阵列强度。
为实现上述目的，本发明提供一种液晶显示面板，包括：TFT基板、贴合该TFT基板设置的CF基板，所述TFT基板上形成有数个第一薄膜晶体管及数个第二薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管为对称式薄膜晶体管，其具有第一沟道，所述第二薄膜晶体管为非对称式薄膜晶体管，其具有第二沟道，所述第一沟道的长度较第二沟道的长度大0.2~0.4μm。
所述第一沟道的长度较第二沟道的长度大0.3μm。
所述第一沟道的长度为2.7~4.9μm。
所述第二沟道的长度为2.5~4.5μm。
还包括设于TFT基板与CF基板之间的液晶及密封胶框。
还包括贴设于TFT基板远离CF基板表面的下偏光片及贴设于CF基板远离TFT基板表面的上偏光片。
还包括贴设于TFT基板靠近CF基板表面的第一配向膜及贴设于CF基板靠近TFT基板表面的第二配向膜。
所述TFT基板包括第一玻璃基板，所述第一与第二薄膜晶体管通过光罩制程形成于该第一玻璃基板上。
所述CF基板包括第二玻璃基板及形成于该第二玻璃基板上的数个像素单元，每一像素单元包括数个子像素，每一子像素对应一第一薄膜晶体管及一第二薄膜晶体管。
本发明的有益效果：本发明液晶显示面板，其通过调整对称式薄膜晶体管与非对称式薄膜晶体管的沟道长度，使得对称式薄膜晶体管的沟道的长度大于非对称式薄膜晶体管的沟道长度0.3μm，使得在光罩制程中，用于形成沟道的半色调光阻材料的厚度相近，进而避免现有技术中，由于用于形成对称式薄膜晶体管沟道及非对称式薄膜晶体管沟道的半色调光阻材料的厚度不同，而导致的阵列屈服缺陷，有效提升了阵列的屈服强度，进而提升了液晶显示面板的品质。
为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。
附图说明
下面结合附图，通过对本发明的具体实施方式详细描述，将使本发明的技术方案及其它有益效果显而易见。
附图中，
图1A至图1E为现有的五道光罩制程制得的TFT基板的对应结构示意图；
图2A至图2D为现有的四道光罩制程制得的TFT基板的对应结构示意图；
图3为现有的液晶显示面板的TFT基板一单一像素的结构示意图；
图4为本发明液晶显示面板的结构示意图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
请参阅图4，本发明提供一种液晶显示面板，包括：TFT基板2、贴合该TFT基板2设置的CF基板4。
所述TFT基板2上形成有数个第一薄膜晶体管（未图示）及数个第二薄膜晶体管（未图示），所述第一薄膜晶体管为对称式薄膜晶体管，其具有第一沟道，所述第二薄膜晶体管为非对称式薄膜晶体管，其具有第二沟道，所述第一沟道的长度较第二沟道的长度大0.2~0.4μm。优选的，所述第一沟道的长度较第二沟道的长度大0.3μm。
在本实施例中，所述第一沟道的长度为2.7~4.9μm。所述第二沟道的长度为2.5~4.5μm。
常见的非对称式薄膜晶体管制作完成后的沟道长度一般约为3.5μm，其在先前的光罩制程中半色调光阻材料的厚度约为
Figure BDA00002115097300041
然而,对称式薄膜晶体管制作完成后的沟道长度同样为3.5μm时，其在先前的光罩制程中半色调光阻材料的厚度约为较非对称式薄膜晶体管的半色调光阻材料厚约
Figure BDA00002115097300043
当对称式薄膜晶体管制作完成后的沟道长度约为3.8μm时，其在先前的光罩制程中半色调光阻材料的厚度约为这时用于形成对称式薄膜晶体管沟道的半色调光阻材料的厚度与用于形成非对称式薄膜晶体管沟道的半色调光阻材料的厚度近似相等，进而增加操作范围（process window），且有利于提高阵列的强度（array yield）。
本发明液晶显示面板还包括设于TFT基板2与CF基板4之间的液晶6及密封胶框8，所述密封胶框8设于TFT基板2与CF基板4的边缘位置，用于粘合该TFT基板2与CF基板4及密封液晶6于该TFT基板2与CF基板4之间。
所述TFT基板2包括第一玻璃基板20，所述第一与第二薄膜晶体管通过光罩制程形成于该第一玻璃基板20上。
所述CF基板4包括第二玻璃基板40及形成于该第二玻璃基板40上的数个像素单元（未图示），每一像素单元包括数个子像素，每一子像素对应一第一薄膜晶体管及一第二薄膜晶体管。
本发明液晶显示面板还包括贴设于TFT基板2远离CF基板4表面的下偏光片22及贴设于CF基板4远离TFT基板2表面的上偏光片42。
本发明液晶显示面板还包括贴设于TFT基板2靠近CF基板4表面的第一配向膜24及贴设于CF基板4靠近TFT基板2表面的第二配向膜44。
本发明液晶显示面板，其通过调整对称式薄膜晶体管与非对称式薄膜晶体管的沟道长度，使得对称式薄膜晶体管的沟道的长度大于非对称式薄膜晶体管的沟道长度0.3μm，使得在光罩制程中，用于形成沟道的半色调光阻材料的厚度相近，进而避免现有技术中，用于形成对称式薄膜晶体管沟道及非对称式薄膜晶体管沟道的半色调光阻材料的厚度不同，而导致的阵列屈服缺陷，有效提升了阵列的屈服强度，进而提升了液晶显示面板的品质。
以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。

Claims (9)

1.一种液晶显示面板，其特征在于，包括：TFT基板、贴合该TFT基板设置的CF基板，所述TFT基板上形成有数个第一薄膜晶体管及数个第二薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管为对称式薄膜晶体管，其具有第一沟道，所述第二薄膜晶体管为非对称式薄膜晶体管，其具有第二沟道，所述第一沟道的长度较第二沟道的长度大0.2~0.4μm。
2.如权利要求1所述的液晶显示面板，其特征在于，所述第一沟道的长度较第二沟道的长度大0.3μm。
3.如权利要求1所述的液晶显示面板，其特征在于，所述第一沟道的长度为2.7~4.9μm。
4.如权利要求1所述的液晶显示面板，其特征在于，所述第二沟道的长度为2.5~4.5μm。
5.如权利要求1所述的液晶显示面板，其特征在于，还包括设于TFT基板与CF基板之间的液晶及密封胶框。
6.如权利要求1所述的液晶显示面板，其特征在于，还包括贴设于TFT基板远离CF基板表面的下偏光片及贴设于CF基板远离TFT基板表面的上偏光片。
7.如权利要求1所述的液晶显示面板，其特征在于，还包括贴设于TFT基板靠近CF基板表面的第一配向膜及贴设于CF基板靠近TFT基板表面的第二配向膜。
8.如权利要求1所述的液晶显示面板，其特征在于，所述TFT基板包括第一玻璃基板，所述第一与第二薄膜晶体管通过光罩制程形成于该第一玻璃基板上。
9.如权利要求1所述的液晶显示面板，其特征在于，所述CF基板包括第二玻璃基板及形成于该第二玻璃基板上的数个像素单元，每一像素单元包括数个子像素，每一子像素对应一第一薄膜晶体管及一第二薄膜晶体管。
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