CN102768945A - 一种溶胶凝胶法制氧化铟镓锌半导体薄膜的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明属于半导体薄膜制备技术领域,具体为一种溶胶凝胶法制备氧化铟镓锌(IGZO)半导体薄膜的低温处理方法。本发明以乙二醇单甲醚为溶剂,单乙醇胺为稳定剂,将In(NO3)3·4.5H2O、Ga(NO3)3·4.5H2O、Zn(C2H3O2)2·5H2O溶解其中,形成澄清稳定前驱体溶液;将前驱体溶液旋转涂覆于玻璃基板上,在红外加热灯下照射得到平整透明的IGZO半导体薄膜。与传统溶胶凝胶法利用热板退火制备IGZO薄膜相比,利用红外加热灯照射的IGZO薄膜具备更优良的半导体及光学性能,且工艺温度更低,小于250℃。以此IGZO薄膜作为沟道层材料的薄膜晶体管,开关电流比大于5×106,饱和迁移率大于1.8cm2/Vs,亚阈值摆幅小于2.2V/dec。
Description
技术领域
本发明属于半导体薄膜制备技术领域,具体涉及一种溶胶凝胶法制备氧化物半导体薄膜的方法。
背景技术
薄膜晶体管(Thin Film Transistor: TFT)是一种场效应晶体管(Field Effect Transistor: FET),由半导体有源层即沟道层、介质层即绝缘层、栅电极、源电极和漏电极构成。场效应晶体管凭借其体积小、重量轻、寿命长、耗电省等优点广泛应用于各类电子电路中。二十世纪六十年代,基于低成本、大阵列显示的实际需求,TFT的研究广为兴起。1988年,当第一个14英寸的有源矩阵(Active-Matrix: AM)薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Displays: TFT-LCD)出现时,人们意识到重量轻厚度薄的壁挂式电视将成为现实。随着非晶硅或低温多晶硅作为半导体沟道层,薄膜晶体管技术已经成为平板显示(FPD)的象征性技术,其特点是在对角线为数米(m)长的基板上制备几千万个数微米(μm)大小的TFT阵列,形成“大型微电子”。
TFT-LCD中最为广泛使用的是以非晶硅(amorphous silicon: a-Si)作为半导体沟道层的非晶硅(a-Si)TFT,而以多晶硅(Polysilicon)为半导体沟道层的低温多晶硅薄膜晶体管(LTPS TFT)迁移率比非晶硅薄膜晶体管高2-3个数量级。相对于a-Si TFT而言,LTPS-TFT具有高清晰度、高开口率、快响应速度、高亮度和低功率消耗等优点,因而有可能成为一种继a-Si TFT之后的主流应用技术。但是LTPS-TFT技术存在设备昂贵、工艺难度大、均匀性差等缺点,而且其工艺温度相对有机基板而言太高,不适合应用于柔性显示器件。
最新的研究表明,氧化铟基和氧化锌基宽禁带氧化物半导体薄膜兼具迁移率高、可见光透明性好、表面平整和可以室温制备等优良性能。目前,利用氧化物半导体制作透明氧化物薄膜晶体管,实现了比非晶硅薄膜晶体管性能高出1-2个数量级的结果。因此如果在AMLCD或AMOLED中采用低温透明氧化物半导体TFT作为像素开关,将大大提高有源矩阵的开口率,从而提高亮度,降低功耗和减小工艺复杂性。这预示着氧化物TFT在平板显示和透明电子学等领域具有良好的应用前景。
现实生产中一般采用高真空沉积的方法来制备氧化物半导体薄膜,比如磁控溅射法、等离子体增强化学气相沉积等。随着显示技术的发展,显示器的尺寸越来越大,分辨率越来越高,随之而来的就是呈几何级数增长的生产成本。高昂的真空设备及运转成本几乎成了制约氧化物TFT在大尺寸平板显示领域发展的枷锁。溶胶凝胶法是利用有机溶剂或水溶解相应的金属盐类,在一定的温度条件下搅拌形成稳定的溶胶,并利用旋转涂覆、喷墨打印、提拉、喷雾热解等方法,沉积氧化物半导体薄膜。溶胶凝胶法具有:可在大气环境下制备、可应用于大尺寸、制备设备简单,对于多组分体系可精确控制其中各元素含量等优点。
但是溶胶凝胶法也有其先天不足,由于前驱体溶解在溶液中,且需一定的温度条件才能分解得到所需要的氧化物,所以涂覆的液膜常常需要在400℃甚至更高的温度下退火,才能得到性能较好的氧化物半导体薄膜。高的退火温度不仅增加了功耗,而且限制了溶胶凝胶法在柔性基板上的应用。有学者提出采用低分解温度的前驱体、微波辅助退火等方法来降低工艺温度。但是由于低分解温度的前驱体非常不稳定,稍以震动即有可能发生爆炸的危险,且目前可选择的低分解温度前驱体太少价格过于昂贵。而微波辅助退火虽有效的降低了退火温度,但是并未有效降低功耗,且退火工艺复杂。
本发明考虑到前驱体以有机物为主,而有机物基团对红外线具有强烈的吸收,以及红外线本身的加热作用等特性,利用红外加热灯照射涂覆在玻璃基板的IGZO溶胶凝胶液膜,获得了表面平整、光电性能优良的IGZO半导体薄膜。并以此为沟道层材料制备IGZO薄膜晶体管,获得了良好的器件性能。
本方法具有工艺简单、工艺温度低和可应用于大面积生产的特点,在大尺寸光电器件领域具有潜在的应用前景。
发明内容
本发明的目的在于提供一种工艺简单、温度较低的溶胶凝胶法制备氧化铟镓锌(IGZO)半导体薄膜的方法。
本发明提供的溶胶凝胶法制备IGZO半导体薄膜的方法,是利用红外加热灯照射涂覆在玻璃基板的IGZO溶胶凝胶液膜,获得表面平整、光电性能优良的IGZO半导体薄膜,具体步骤如下:
(1)以乙二醇单甲醚为溶剂,单乙醇胺为稳定剂,将In(NO3)3·4.5H2O、 Ga(NO3)3·4.5H2O、Zn(C2H3O2)2·5H2O溶解其中,经超声振荡0.5—4小时后静置40--50小时,形成澄清稳定的前驱体溶液,其中乙二醇单甲醚与单乙醇胺的体积比为10:0.4--10:5,溶液中In离子、Ga离子、Zn离子的摩尔比为2:1:1,Zn离子摩尔浓度为0.2—0.4 M;
(2)将前驱体溶液旋转涂覆于玻璃基板上,然后在功率为150W -- 275 W的红外加热灯下照射5分钟至60分钟,加热温度范围为120℃--250℃,得到厚度为30--60 nm 的IGZO半导体薄膜;其中,旋转涂覆转速为5000--6000转/分钟,照射时光源与薄膜距离为5 mm至100 mm。
本发明中,红外加热灯照射能量密度为1 W/cm2至2.6 W/cm2。
以上述制备的IGZO薄膜作为沟道层材料,可制备IGZO薄膜晶体管,该薄膜晶体管具有良好的器件性能。 IGZO薄膜晶体管的制备步骤为:
(1)采用热蒸镀法,通过一层掩膜板在IGZO薄膜上沉积一层Al源漏电极阵列,工作压强为4×10-3 Pa,蒸镀电流、电压分别为50 mA、75 V,时间1分钟,电极厚度80 nm。
(2)再将PVP的丙酮溶液旋转涂覆在电极阵列上,而后在180℃下1小时烘干,得到400 nm厚PVP作为栅介质层;PVP丙酮溶液浓度为40 mg/ml,旋转涂覆转速为1500转/分钟。
(3)采用热蒸镀法,与步骤(1)中相同实验条件下,通过掩膜板沉积一层Al作为栅顶电极,电极厚度为80 nm。
与传统的热板烘烤溶胶凝胶液膜制备IGZO氧化物半导体薄膜相比,本发明采用的红外灯照射的方法工艺简单、温度更低(小于250℃),且具有更优良的半导体及光学性能。以此IGZO薄膜作为沟道层材料的薄膜晶体管,开关电流比大于5×106,饱和迁移率大于1.8 cm2/Vs,亚阈值摆幅小于2.2 V/dec。
附图说明
图1为红外加热灯照射薄膜的升温曲线(光源功率为275 W,薄膜距光源10 mm)。
图2为以红外灯照射20分钟获得的非晶IGZO薄膜为沟道层,聚四乙烯苯酚(PVP)为介质层构成的薄膜晶体管的转移特性曲线。
图3为以红外灯照射30分钟获得的非晶IGZO薄膜为沟道层,聚四乙烯苯酚(PVP)为介质层构成的薄膜晶体管的转移特性曲线。
图4为以红外灯照射40分钟获得的非晶IGZO薄膜为沟道层,聚四乙烯苯酚(PVP)为介质层构成的薄膜晶体管的转移特性曲线。
具体实施方式
下面通过具体例子具体阐述本发明的具体实施步骤:
以乙二醇单甲醚为溶剂,单乙醇胺为稳定剂,将In(NO3)3·4.5H2O、 Ga(NO3)3·4.5H2O、Zn(C2H3O2)2·5H2O溶解其中,经超声振荡1小时后静置48小时待形成澄清稳定前驱体溶液,其中乙二醇单甲醚与单乙醇胺的体积比为10:1,溶液中In离子、Ga离子、Zn离子的摩尔比为2:1:1,Zn离子摩尔浓度为0.3M;将前驱体溶液旋转涂覆于普通玻璃基板上,在红外加热灯下照射得到40 nm IGZO半导体薄膜,旋转涂覆转速为5500转/分钟,红外加热灯功率为275W,照射时光源与薄膜距离为10 mm(升温曲线如图1),照射能量密度为2.3 W/cm2,照射时间分别为20、30、40分钟,得到相应的IGZO半导体薄膜。
采用热蒸镀法,通过宽长比为400 μm/40μm的掩膜板在各IGZO薄膜上沉积一层Al源漏电极阵列,工作压强为4×10-3 Pa,蒸镀电流、电压分别为50 mA、75 V,时间1分钟,电极厚度80 nm。
再将PVP的丙酮溶液旋转涂覆在电极阵列上,而后在180℃下1小时烘干,得到400 nm厚PVP作为栅介质层;PVP丙酮溶液浓度为40 mg/ml,旋转涂覆转速为1500转/分钟。
采用热蒸镀法,通过掩膜板沉积一层Al作为栅顶电极,工作压强为4×10-3 Pa,蒸镀电流、电压分别为50 mA、75 V,时间1分钟,电极厚度为80 nm。
以不同的红外照射时间获得的非晶IGZO薄膜作为沟道层的薄膜晶体管转移特性曲线如图2、图3、图4,具体器件性能如表1所述。以红外灯照射40分钟所得IGZO薄膜作为沟道层材料的薄膜晶体管,具有最优的器件性能,开关电流比大于5×106,饱和迁移率大于1.8 cm2/Vs,亚阈值摆幅小于2.2 V/dec。
与传统的热板烘烤溶胶凝胶液膜制备IGZO氧化物半导体薄膜相比,本发明采用的红外灯照射的方法工艺简单、温度更低(小于250℃)和可应用于大面积生产的特点,在大尺寸光电器件领域具有潜在的应用前景。
表1
Claims (2)
1. 一种溶胶凝胶法制备氧化铟镓锌半导体薄膜的方法,其特征在于具体步骤如下:
(1)以乙二醇单甲醚为溶剂,单乙醇胺为稳定剂,将In(NO3)3·4.5H2O、 Ga(NO3)3·4.5H2O、Zn(C2H3O2)2·5H2O溶解其中,经超声振荡0.5—4小时后静置40--50小时,形成澄清稳定的前驱体溶液,其中乙二醇单甲醚与单乙醇胺的体积比为10:0.4--10:5,溶液中In离子、Ga离子、Zn离子的摩尔比为2:1:1,Zn离子摩尔浓度为0.2—0.4 M;
(2)将前驱体溶液旋转涂覆于玻璃基板上,然后在功率为150W -- 275 W的红外加热灯下照射5分钟至60分钟,加热温度范围为120℃--250℃,得到厚度为30--60 nm 的氧化铟镓锌半导体薄膜;其中,旋转涂覆转速为5000--6000转/分钟,照射时光源与薄膜距离为5 mm至100 mm。
2. 根据权利要求1所述的溶胶凝胶法制备氧化铟镓锌半导体薄膜的方法,其特征在于照射能量密度为1 W/cm2至2.6 W/cm2。
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---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20121107 |