CN102768815B - Dds检测结构及检测方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种DDS检测结构，包括：显示面板，在外围电路区中具有依次排列的若干数据线，每相邻两根数据线包括一根奇数线和一根偶数线；奇数总电路线，与所述数据线的所有奇数线连接，具有奇数电压输入端；偶数总电路线，与所述数据线的所有偶数线连接，具有偶数电压输入端；所述显示面板位于外围电路区的每根数据线上各设置有一个通断开关。本发明还公开了一种采用上述DDS检测结构进行DDS检测的方法。本发明能尽快的缩小DDS现象发生的位置和DDS的种类的查找范围，从而可以更快更准确的找到DDS现象发生的原因，提高产品良率。

Description

DDS检测结构及检测方法
技术领域
本发明涉及液晶显示装置检测技术领域，尤其涉及一种DDS检测结构及检测方法。
背景技术
目前薄膜场效应晶体管液晶显示器（TFT-LCD）产业阵列（Array）产线测试中需要检测数据线开路（Data Open）、DDS（数据线-数据线短路Data-Data Short）等，其电路测试的主要方法是：在外围电路将所有数据线（Data线）的奇数线通过一条短路条（shorting bar）连成一条奇数总电路线DO，在外围电路将所有的偶数线通过一条短路条连成一条偶数总电路线DE；当分别在所述奇数总电路线DO和偶数总电路线DE上加不同的电压时，如果没有发生短路，则电流顺利流走，如果不同的数据线之间发生短路，形成电路回路，进而检测到DDS。短路条的优势在于可以依照所检查的显示面板尺寸来弹性设计，并配合多次移动测试，如此可进行大尺寸显示面板的检测。但通过短路条进行的电路测试只是很笼统的测试，不能对DDS进行分类，从而使得以后的分析过程很繁琐，增加分析时间，不能更有效及时地确认不良的原因，进而提高良率。
发明内容
（一）要解决的技术问题
本发明要解决的技术问题是：提供一种DDS检测结构，以尽量缩小DDS发生位置的查找范围和DDS的种类查找范围，从而可以更快更准确的找到DDS产生的原因。
（二）技术方案
为解决上述问题，一方面，本发明提供了一种DDS检测结构，包括：
显示面板，具有在外围电路区中依次排列的若干数据线，每相邻两根数据线包括一根奇数线和一根偶数线；
奇数总电路线，与所述数据线的所有奇数线连接，具有奇数电压输入端；
偶数总电路线，与所述数据线的所有偶数线连接，具有偶数电压输入端；
所述显示面板位于外围电路区的每根数据线上设置有通断开关。
优选地，所述通断开关为薄膜场效应晶体管开关，所述检测结构还包括控制所述薄膜场效应晶体管开关通断的控制线。
优选地，所述控制线与所述显示面板上的栅线同层制作。
优选地，所述检测结构至少设有N根控制线，N大于等于3并且小于等于数据线的总数；每依次排列的N根数据线上的薄膜场效应晶体管开关分别由不同的控制线控制。
优选地，所述检测结构设有3根控制线。
另一方面，本发明还提供了一种采用上述DDS检测结构进行DDS检测的方法，包括以下步骤：
S1：向所述奇数电压输入端和偶数电压输入端之一输入高电势，另一个输入低电势；关断所有通断开关，使得显示面板内电路与外围电路的数据线断开；如果有信号从输入低电势的总电路线输出，则说明外围电路异常，发生数据线短路，检测结束；如果没有信号从输入低电势的总电路线输出，则说明外围电路没有问题，转到步骤S2；
S2：向所述奇数电压输入端和偶数电压输入端之一输入高电势，另一个输入低电势；将所述通断开关分为至少三组，分别连通至少一组通断开关，其它通断开关保持关断，如果有信号从输入低电势的总电路线输出，则说明连通的通断开关所在的数据线上发生异常，检测结束；如果没有信号从输入低电势的总电路线输出，则说明连通的通断开关所在的数据线没有问题。
优选地，所述步骤S2中，分别连通至少一组通断开关具体为：首先依次连通一组通断开关，在所述若干组通断开关都分别连通后输入低电势的总电路线没有输出信号时，再依次连通两组通断开关，在所述若干组通断开关都分别连通后输入低电势的总电路线没有输出信号时，再不断增加连通的通断开关组数，直到有信号从输入低电势的总电路线输出，检测结束。
优选地，所述检测结构至少设有N根控制线，N大于等于3并且小于等于数据线的总数；每依次排列的N根数据线上的通断开关分别由不同的控制线控制，所述通断开关根据控制线的不同分为N组。
优选地，所述N为3，所述控制线包括第一控制线、第二控制线和第三控制线。
（三）有益效果
本发明能尽快的缩小DDS现象发生的位置和DDS的种类的查找范围，从而可以更快更准确的找到DDS现象发生的原因，提高产品良率。
附图说明
图1为本发明实施例DDS检测结构的示意图；
图2为本发明实施例DDS检测结构中控制线、薄膜场效应晶体管开关和奇、偶数总电路线的位置关系示意图;
图3为本发明实施例DDS检测方法的步骤流程图。
具体实施方式
下面结合附图及实施例对本发明进行详细说明如下。
如图1所示，本实施例记载了一种DDS检测结构，包括：
显示面板，在外围电路区中具有依次排列的若干数据线D1~Dm（m为自然数），每相邻两根数据线包括一根奇数线和一根偶数线；
奇数总电路线DO，与所述数据线的所有奇数线D1、D3、D5…连接，具有奇数电压输入端；
偶数总电路线DE，与所述数据线的所有偶数线D2、D4、D6…连接，具有偶数电压输入端；
其中，所述显示面板位于外围电路区的每根数据线上各设置有一个通断开关（本实施例中，图1中未示出具体每个通断开关，但是所有通断开关位于图1中I处所指虚线框所示外围电路区中的数据线D1~Dm上）。
检测时，先控制所有通断开关断开，当在奇数电压输入端和偶数电压输入端分别输入一高一低电压时，如果检测到这两条输入端电压有明显变化时，由于在外围电路区的所述通断开关是断开的，所述两条输入端电压不会受到显示面板内部数据线的影响，因此此时说明外围电路有DDS（数据线到数据线的短路）现象产生，如检测到这两条输入端电压无明显变化时，则说明外围电路没有产生DDS现象，从而说明外围电路中的数据线都没有问题；然后控制部分或所有通断开关闭合，对显示面板内部数据线是否有短路现象进行检测，缩小了DDS现象产生的位置和种类的查找范围，能够快速找到DDS产生的原因。
实施例二：
如图2所示，本实施例是在实施例一基础上延伸的实例，本实施例中所述通断开关为薄膜场效应晶体管（TFT）开关TFT，所述检测结构还包括控制所述薄膜场效应晶体管开关TFT通断的控制线。
在本实施例中，所述控制线与所述显示面板上的栅线同层制作。
所述检测结构至少设有N根控制线，N大于等于3并且小于等于数据线的总数；每依次排列的N根数据线上的薄膜场效应晶体管开关TFT分别由不同的控制线控制。
如图2所示，本实施例中所述控制线为3根，分别为第一控制线G1、第二控制线G2和第三控制线G3。由图2可以看出，本实施例中第一控制线G1用于控制数据线D1、D4…D3i+1上的薄膜场效应晶体管开关TFT的通断；第二控制线G2用于控制数据线D2、D5…D3i+2上的薄膜场效应晶体管开关TFT的通断；第三控制线G3用于控制数据线D3、D6…D3i+3上的薄膜场效应晶体管开关TFT的通断，其中，i为大于等于0的整数。即每相邻3根数据线上的薄膜场效应晶体管开关TFT分别由所述第一控制线G1、第二控制线G2和第三控制线G3控制。
实施例三：
如图3所示，本实施例记载了一种采用实施例一或实施例二所述的DDS检测结构进行DDS检测的方法，包括以下步骤：
S1：向所述奇数电压输入端和偶数电压输入端之一输入高电势，另一个输入低电势；关断所有通断开关，使得显示面板内电路与外围电路的数据线断开；如果有信号从输入低电势的总电路线输出，则说明外围电路异常，发生数据线短路，检测结束；如果没有信号从输入低电势的总电路线输出，则说明外围电路没有问题，转到步骤S2；
S2：向所述奇数电压输入端和偶数电压输入端之一输入高电势，另一个输入低电势；将所述通断开关分为至少三组，分别连通至少一组通断开关，其它通断开关保持关断，如果有信号从输入低电势的总电路线输出，则说明连通的通断开关所在的数据线上发生异常，检测结束；如果没有信号从输入低电势的总电路线输出，则说明连通的通断开关所在的数据线没有问题。
本实施例中，所述步骤S2中，分别连通至少一组通断开关具体为：首先依次连通一组通断开关，在所述若干组通断开关都分别连通后输入低电势的总电路线没有输出信号时，再依次连通两组通断开关，在所述若干组通断开关都分别连通后输入低电势的总电路线没有输出信号时，再不断增加连通的通断开关组数，直到有信号从输入低电势的总电路线输出，检测结束。
实施例四：
本实施例是在实施例三基础上延伸的实例，具体为采用实施例二记载的DDS检测结构进行DDS检测时：
首先，在奇数总电路线DO的奇数电压输入端输入高电势，偶数总电路线DE的奇数电压输入端输入低电势，且此时第一控制线G1、第二控制线G2和第三控制线G3都输入低电压，即此时所有数据线上的薄膜场效应晶体管开关TFT都是断开的，如果有信号从偶数总电路线DE输出，则说明在外围电路有SD金属（数据线的金属材料）残留，造成两条相邻的数据线导通，从而造成短路，如果没信号从偶数总电路线DE输出，则说明外围电路没有问题。经过上述步骤可以确定外围电路的状态。
然后，当奇数总电路线DO输入高电势，偶数总电路线DE输入低电势，且第一控制线G1输入高电势（即控制由所述第一控制线G1控制的数据线上的薄膜场效应晶体管开关TFT导通），第二控制线G2、第三控制线G3输入低电势的时候，如果偶数总电路线DE有信号输出，则说明有DDS现象发生，但此时造成DDS现象的可能是：1）受第一控制线G1控制的薄膜场效应晶体管开关TFT影响的数据线有发生ESD（静电放电）从而造成DDS不良现象的发生（此时可以确定发生ESD的这两个点是由同一控制线控制通断，且不是相邻的两条奇偶相异的数据线）；或2）一个能够跨越三根数据线或以上的SD金属残留。此时，再把第一控制线G1输入低电势，第二控制线G2和第三控制线G3一起加入高电势，偶数总电路线DE都没有信号的输出，从而可以排除是第二种情况即一个很大的SD金属残留造成的DDS；同理，如果第二控制线G2输入高电势，第一控制线G1、第三控制线G3输入低电势或第三控制线G3输入高电势，第一控制线G1、第二控制线G2输入低电势，同理可得出相对应的结果。此时就可以将产生DDS现象的种类缩小在两个数据线发生ESD上。
再次，当奇数总电路线DO输入高电势，偶数总电路线DE输入低电势，第一控制线G1、第二控制线G2、第三控制线G3分别单独输入高电势时，偶数总电路线DE都无信号输出，则可以排除显示面板内有大的SD金属残留（跨越三根数据线或以上的SD金属残留），再第一控制线G1和第二控制线G2输入高电势，第三控制线G3输入低电势，偶数总电路线DE有信号输出，第一控制线G1和第三控制线G3输入高电势，第二控制线G2输入低电势，偶数总电路线DE无信号输出时，说明可能为：1）在受第一控制线G1和第二控制线G2控制的数据线有SD金属残留，且这个残留占且只占一个像素大小；或2）受第一控制线G1和第二控制线G2控制的相邻两条数据线发生ESD，发生ESD的这两个点是在受显示面板内的同一栅线（此处的栅线为显示面板内的栅线）控制的相邻的两个TFT开关（此处的TFT开关为显示面板内的TFT开关）处（显示面板内的ESD一般发生在数据线和栅线的交叠处即TFT开关处，这样ESD造成数据线和栅线导通）；同理当外围电路的控制线G1、G2、G3只要达成以上条件，都可以得出相应结论。
因此，本发明的上述实施例可以很快确认DDS是发生在显示面板内还是外围电路；一些情况下还可以很快确认DDS是由金属残留引起的还是由ESD引起的。
上面仅是本申请的一种实施方式，一些情况下由于阵列测试设备（Array Tester）限制（比如测试设备只能检查显示面板内是否有DDS，具体位置以及多少个点不报），因此本方案只是对引起DDS位置范围以及原因进行的大致确认。在实际的应用过程中，根据需要可以使用更多的控制线，对引起DDS的位置范围和种类范围进行更为精确的查找。
本发明能尽快的缩小DDS现象发生的位置和DDS的种类的查找范围，从而可以更快更准确的找到DDS现象发生的原因，提高产品良率。
以上实施方式仅用于说明本发明，而并非对本发明的限制，有关技术领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围的情况下，还可以做出各种变化和变型，因此所有等同的技术方案也属于本发明的范畴，本发明的专利保护范围应由权利要求限定。

Claims (9)

1.一种DDS检测结构，包括：
显示面板，在外围电路区中具有依次排列的若干数据线，每相邻两根数据线包括一根奇数线和一根偶数线；
奇数总电路线，与所述数据线的所有奇数线连接，具有奇数电压输入端；
偶数总电路线，与所述数据线的所有偶数线连接，具有偶数电压输入端；
其特征在于，所述显示面板位于外围电路区的每根数据线上设置有通断开关；
通过控制所有通断开关断开使外围电路区与显示面板内部数据线隔断，并在奇数电压输入端和偶数电压输入端分别输入一高一低电压以检测所述显示面板的外围电路是否发生短路；以及，通过控制部分或所有通断开关闭合，对显示面板内部数据线是否有短路现象进行检测以缩小DDS现象产生的位置和种类的查找范围。
2.如权利要求1所述的DDS检测结构，其特征在于，所述通断开关为薄膜场效应晶体管开关，所述检测结构还包括控制所述薄膜场效应晶体管开关通断的控制线。
3.如权利要求2所述的DDS检测结构，其特征在于，所述控制线与所述显示面板上的栅线同层制作。
4.如权利要求2所述的DDS检测结构，其特征在于，所述检测结构至少设有N根控制线，N大于等于3并且小于等于数据线的总数；每依次排列的N根数据线上的薄膜场效应晶体管开关分别由不同的控制线控制。
5.如权利要求4所述的DDS检测结构，其特征在于，所述检测结构设有3根控制线。
6.一种采用权利要求1-3中任一项所述的DDS检测结构进行DDS检测的方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1：向所述奇数电压输入端和偶数电压输入端之一输入高电势，另一个输入低电势；关断所有通断开关，使得显示面板内电路与外围电路的数据线断开；如果有信号从输入低电势的总电路线输出，则说明外围电路异常，发生数据线短路，检测结束；如果没有信号从输入低电势的总电路线输出，则说明外围电路没有问题，转到步骤S2；
S2：向所述奇数电压输入端和偶数电压输入端之一输入高电势，另一个输入低电势；将所述通断开关分为至少三组，分别连通至少一组通断开关，其它通断开关保持关断，如果有信号从输入低电势的总电路线输出，则说明连通的通断开关所在的数据线上发生异常，检测结束；如果没有信号从输入低电势的总电路线输出，则说明连通的通断开关所在的数据线没有问题。
7.如权利要求6所述的DDS检测方法，其特征在于，所述步骤S2中，分别连通至少一组通断开关具体为：首先依次连通一组通断开关，在所述若干组通断开关都分别连通后输入低电势的总电路线没有输出信号时，再依次连通两组通断开关，在所述若干组通断开关都分别连通后输入低电势的总电路线没有输出信号时，再不断增加连通的通断开关组数，直到有信号从输入低电势的总电路线输出，检测结束。
8.如权利要求6或7所述的DDS检测方法，其特征在于，所述检测结构至少设有N根控制线，N大于等于3并且小于等于数据线的总数；每依次排列的N根数据线上的通断开关分别由不同的控制线控制，所述通断开关根据控制线的不同分为N组。
9.如权利要求8所述的DDS检测方法，其特征在于，所述N为3，所述控制线包括第一控制线、第二控制线和第三控制线。
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