CN102766905A - 一类铒离子激活1.55微米波段镓酸盐激光晶体及其制备方法 - Google Patents

一类铒离子激活1.55微米波段镓酸盐激光晶体及其制备方法 Download PDF

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本发明提供了一类铒离子激活1.55微米波段镓酸盐激光晶体及其制备方法。该类晶体化学通式为Cex:Yby:Erz:AR(1-x-y-z)Ga3O7,其中Er为激活离子,Yb为敏化离子,Ce为退激离子,A为Ca、Sr、Ba中的至少一种,R为Y、La、Gd、Lu中的至少一种,x、y、z的值根据激光运转需要在0到1之间变化,且x+y+z≤1。该类晶体属于四方晶系,空间群为

Description

一类铒离子激活1.55微米波段镓酸盐激光晶体及其制备方法
 
技术领域
本发明涉及一类铒激活1.55微米波段镓酸盐激光晶体及其制备方法。
背景技术
人眼安全的1.55微米波段激光在医疗、遥感探测、通讯、雷达成像及非线性频率转换等方面具有重要的应用前景,是目前固体激光领域中的研究热点。
经由铒离子4I13/24I15/2跃迁可直接获得高光束质量和高性能1.55微米波段激光。一般情况下,铒离子1.55微米激光运转机制是:采用对970nm波长附近半导体激光具有较大吸收截面的Yb3+作为敏化离子,通过能量传递使Er3+离子布居到4I11/2能级上,然后通过4I11/24I13/2的辐射和无辐射跃迁,使激光上能级4I13/2得到布居,最后由4I13/24I15/2跃迁实现1.55微米激光输出。但必须指出,Er3+离子的泵浦能级4I11/2到激光上能级4I13/2的能级间隔较大,且荧光分支比较小,这样,在低声子能量晶体中,由于多声子无辐射弛豫几率小,处于泵浦能级上的粒子只有部分到达激光上能级,其余的则通过上转换跃迁至更高能级,或通过辐射跃迁直接回到基态,使激光运转所需的粒子数反转条件难以实现。Ce3+离子只有2F5/22F7/2两个能级,且能级间隔与Er3+离子4I11/24I13/2之间的能级间隔相当,通过Er3+到Ce3+的能量传递,可使布居于泵浦能级4I11/2的粒子快速弛豫至激光上能级4I13/2,因此,在低声子能量晶体中引入Ce3+离子作为退激离子,可改善低声子能量晶体中1.55微米激光的运转。
本发明涉及一类镓酸盐晶体,该类晶体化学性能稳定、硬度高、热性能好,但该类晶体也存在上述不利于1.55微米激光的运转的负面因素:晶体的声子能量较低。因此,要在该类晶体中实现1.55微米激光输出,在引入Yb3+离子作为敏化剂的同时,也要引入Ce3+离子对泵浦能级进行退激活,使粒子快速弛豫至激光上能级。
发明内容
本发明的目的在于提供一类铒离子激活1.55微米波段镓酸盐激光晶体及其制备方法。为实现上述目的,本发明采取的技术方案是:
1、    一类铒离子激活1.55微米波段激光晶体,该类晶体的化学通式为Cex:Yby:Erz:AR(1-x-y-z)Ga3O7,其中Er为激活离子,Yb为敏化离子,Ce为退激离子,A为Ca、Sr、Ba中的至少一种,R为Y、La、Gd、Lu中的至少一种,x、y、z的值根据激光运转需要在0到1之间变化,且x+y+z≤1。该类晶体属于四方晶系,空间群为                                                
Figure 316952DEST_PATH_IMAGE001
2、    一种如项1所述的激光晶体的制备方法,即采用提拉法生长所述激光晶体。
3、    一种如项1所述的激光晶体可用作固体激光器工作物质,其特征为:可被半导体激光泵浦,并输出1.55微米波段激光。
该方案制备流程简单,易于操作,制备过程无污染、无毒害等特点:
(1)、以Ca、Sr、Ba、Ce、Yb、Er、Y、La、Gd、Lu、Ga的氧化物和相应盐类为原料,并按上述材料的化学式称取符合Cex:Yby:Erz:AR(1-x-y-z)Ga3O7计量比的原料;
(2)、将(1)中称取的原料混合物置于玛瑙研钵中充分研磨混合均匀,并用油压机和成型模具,将混合料压制成圆柱形薄片。
(3)、将(2)中制得的薄片装入不与晶体组分起化学反应的金属、合金或氧化物等耐高温材料制造的坩锅中,置于高温烧结炉烧结48-72小时,获得单晶生长所需的多晶料饼。烧结温度随晶体组成化学式的不同在900~1200oC之间变化。
(4)、将(3)中制得的多晶料饼装入铱金坩锅,置于单晶提拉炉中,进行晶体生长,获得满足激光工作需要的高光学质量单晶。该类单晶生长条件:
生长气氛:氮气气氛;
Figure 16104DEST_PATH_IMAGE003
熔化温度:熔化温度为晶体熔点,随晶体化学组成不同,晶体熔点在1400~2000oC之间变化;
Figure 751978DEST_PATH_IMAGE004
晶体提拉速度:0.5~1.2mm/h;
Figure 216458DEST_PATH_IMAGE005
晶体转速:15~30rpm;
退火:退火降温速率为10~20oC/h。
具体实施方式
实施例1:
称取22.59g的CeO2、7.39g的Yb2O3、0.717g的Er2O3、55.36g的SrCO3、36.70g的Gd2O3和106.49g的Ga2O3,将这六种原料一起置于玛瑙研钵中研磨混合均匀,分3次用φ50mm的成型模具及油压机将混合料压成圆饼,置于马弗炉中在1050oC烧结48小时。然后将固相反应合成的产物装入φ60×30mm3的铱金坩埚,置于晶体提拉生长炉中,升温熔化。生长的条件为:熔化温度1600oC左右,拉速1.0mm/h,转速15rpm,退火降温速率10oC/h。生长得到尺寸大于φ20×40mm3的优质透明单晶Ce0.35:Yb0.1:Er0.01:SrGd0.54Ga3O7。该晶体适合970nm波长附近半导体激光泵浦,输出1.55微米波段激光。
实施例2:
     称取22.59g的CeO2、7.39g的Yb2O3、0.717g的Er2O3、74g的BaCO3、32.99g的La2O3和106.49g的Ga2O3,将这四种原料一起置于玛瑙研钵中研磨混合均匀,分3次用φ50mm的成型模具及油压机将混合料压成圆饼,置于马弗炉中在1050oC烧结48小时。然后将固相反应合成的产物装入φ60×30mm3的铱金坩埚,置于晶体提拉生长炉中,升温熔化。生长的条件为:熔化温度1650oC左右,拉速1.2mm/h,转速15rpm,退火降温速率20oC/h。生长得到尺寸大于φ20×40mm3的优质透明单晶Ce0.35:Yb0.1:Er0.01:BaLa0.54Ga3O7

Claims (4)

1.一类55微米波段激光晶体材料,其特征在于:该类晶体的化学通式为Cex:Yby:Erz:AR(1-x-y-z)Ga3O7,属于四方晶系,空间群为                                               
Figure DEST_PATH_IMAGE002
,其中Er为激活离子,Yb为敏化离子,Ce为退激离子,A为Ca、Sr、Ba中的至少一种,R为Y、La、Gd、Lu中的至少一种,x、y、z的值根据激光运转需要在0到1之间变化,且x+y+z≤1。
2.一种权利要求1所述的激光晶体的生长制备方法,其特征在于:所述的晶体由提拉法生长。
3.如权利要求1至2所述的激光晶体,其特征在于:作为固体激光器工作物质,可输出1.55微米波段激光。
4.如权利要求3所述的固体激光器工作物质,其特征在于:采用半导体激光作为该固体激光器的泵浦源。
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