CN102714774A - 与集成电路集成的麦克风 - Google Patents
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Abstract
一种集成电路（1000），其包含具有背侧腔体（1026）的电容式麦克风，背侧腔体位于集成电路的衬底（1002）内。可以在衬底表面上穿过介电支撑层（1004）形成进入孔（1006），从而为刻蚀剂提供进入衬底，以形成背侧腔体（1026）。可以在电容式麦克风的固定板（1010）和可渗透膜（1018）形成之后，通过将刻蚀剂穿过可渗透膜并穿过进入孔提供到衬底来刻蚀背侧腔体（1026）。
Description
技术领域
本发明涉及集成电路的领域。更特别地，本发明涉及将麦克风集成在集成电路中。
背景技术
在集成电路中集成麦克风需要形成背腔体从而获得期望水平的麦克风灵敏度。形成具有足够容积的背腔体会增加集成电路的制造成本和复杂度。
发明内容
一种包含具有背侧腔体的电容式麦克风的集成电路可以形成为背侧腔体位于集成电路的衬底内。可以衬底表面上穿过介电支撑层形成进入孔，从而为刻蚀剂提供进入衬底，以形成背侧腔体。可以在电容式麦克风的固定板和可渗透膜形成之后，通过将刻蚀剂穿过可渗透膜并穿过进入孔提供到衬底来刻蚀背侧腔体。
附图说明
参考附图描述示例实施例，其中：
图1A-1I是根据第一实施例形成的含有电容式麦克风的集成电路的剖面图，其按制造的连续阶段描绘。
图2A-2H是根据第二实施例形成的含有电容式麦克风的集成电路的剖面图，其按制造的连续阶段描绘。
图3A-3H是根据第三实施例形成的含有电容式麦克风的集成电路的剖面图，其按制造的连续阶段描绘。
图4A-4G是根据第三实施例形成的含有电容式麦克风的集成电路的剖面图，其按制造的连续阶段描绘。
图5是含有具有背侧腔体的电容式麦克风的集成电路的剖面图，该背侧腔体包括多于一个腔室。
具体实施方式
可以通过以下步骤在集成电路中形成电容式麦克风：在集成电路的衬底中刻蚀背腔体，使得腔体不延伸到衬底的底面。腔体的刻蚀会在集成电路的顶面进一步执行。可以在衬底的顶面上形成介电支撑层，并且可以在介电支撑层中形成进入孔（access hole），从而为腔体刻蚀剂提供从集成电路的顶面到衬底的进入。
图1A-1I根据第一示例实施例描绘了制造包括电容式麦克风的集成电路的连续阶段。
如在图1A中示出，在衬底1002之中和之上形成集成电路1000，衬底1002通常是单晶硅晶圆，但可以是绝缘体上硅（SOI）晶圆、具有不同晶向的区域的混合晶向技术（HOT）晶圆，或在衬底1002的顶面的半导体区域适合制造IC 1000的其它结构。在衬底1002的顶面形成介电支撑层1004。在该实施例中，介电支撑层1004基本由场氧化物1004使用浅槽隔离（STI）工艺形成，其中将槽（通常是200到500纳米深）刻蚀到集成电路1000中，通常通过在槽的侧壁上生长热氧化层来电气钝化槽，并且通常通过由高密度等离子体（HDP）工艺或基于臭氧的热化学汽相淀积（CVD）工艺（也称为高深宽比工艺（HARP））用绝缘材料（通常是二氧化硅）填充槽。使用硅局部氧化（LOCOS）工艺形成场氧化物的介电支撑层是在替换实施例的范围内。在场氧化物1004中形成进入孔1006，从而在随后的腔体刻蚀步骤中提供进入衬底1002。场氧化物1004在为电容式麦克风定义的区域中是连续的。可以在衬底1002的顶面上在进入孔1006上方形成一个或更多可选的硅化物块层1008，从而在随后的制造步骤期间防止在衬底1002上形成金属硅化物。在一个示例中，硅化物块层1008可以是厚度在10和100纳米厚之间的氮化硅，或在另一示例中，可以是厚度在250和200纳米之间的二氧化硅。如果形成硅化物块层1008，则可以在随后的制造步骤期间去除它。
在图1B中，在相邻于进入孔1006的场氧化物1004上形成固定板1010。固定板1010提供电容式麦克风的一块电容器板。可以与固定板1010同时形成可选膜端子1012，如在图1B中示出，或可以在其它制造步骤中形成可选膜端子1012。在该实施例的一个实现中，固定板1010和可选膜端子1012（如果形成的话）可以是完全硅化的多晶硅。在该实施例的其它实现中，固定板1010和可选膜端子1012（如果形成的话）可以是金属，例如钨或铝。在一个实现中，固定板1010的宽度可以小于100微米。可以在固定板1010上可选地形成保护层（未示出）（其可能是电绝缘层），从而在电容式麦克风的操作寿命期间隔离固定板1010。
在图1C中，可以在衬底1002上方形成可选的互连级和介电级1014。介电级可以是二氧化硅或低k介电材料，例如有机硅酸盐玻璃（OSG）、碳掺杂二氧化硅（SiCO或CDO）或甲基倍半硅氧烷（MSQ）。互连级可以包括铝或铜。
在图1D中，在固定板1010上方形成电容器腔体牺牲层1016。电容器腔体牺牲层1016包括牺牲材料，例如光刻胶或聚酰亚胺。在该实施例的一个实现中，电容器腔体牺牲层1016可以由光刻工艺形成，例如通过以下步骤形成：在集成电路1000的现有顶面上形成光敏牺牲材料的层，使用光刻设备（例如晶圆步进机（wafer stepper）或晶圆扫描机）曝光光敏牺牲材料的图形，使光敏牺牲材料显影从而留下电容器腔体牺牲层1016。在另一实现中，可以在集成电路1000的现有顶面上形成牺牲材料层，可以在牺牲材料层上方形成光刻胶图形，从而为电容器腔体牺牲层1016定义区域，并且去除不需要的牺牲材料，从而留下电容器腔体牺牲层1016。形成电容器腔体牺牲层1016的其它工艺在该实施例的保护范围内。
在图1E中，在电容器腔体牺牲层1016上形成连续的可渗透膜1018。可渗透膜1018提供电容式麦克风的第二电容器板。在该实施例的一个实现中，可渗透膜1018可以由在集成电路1000中用于互连级的金属形成。在可渗透膜1018中形成膜孔1020。在该实施例的一个实现中，可渗透膜1018的底面和固定板1010的顶面之间的垂直分离小于200纳米。在该实施例的替换实现中，可渗透膜1018的底面和固定板1010的顶面之间的垂直分离小于100纳米。
在图1F中，执行牺牲层去除工艺1022，从而从电容器腔体牺牲层1016去除牺牲材料。在该实施例的一个实现中，牺牲层去除工艺1022提供反应分子、原子或基团，它们穿过膜孔1020扩散并从电容器腔体牺牲层1016去除牺牲材料，如在图1F中示出。在该实施例的实现中，牺牲层去除工艺1022在远程等离子体中生成反应氧组分并且可能生成反应氟组分，并为反应氧组分扩散到无电场区域中的集成电路1000提供方式。在该实施例的另一实现中，牺牲层去除工艺1022向集成电路1000提供臭氧。在该实施例的替换实现中，牺牲层去除工艺1022向集成电路提供提高的温度，例如在300℃到500℃之间，并可能提供反应气氛，例如氧，使牺牲材料在电容器腔体牺牲层1016中分解。
在图1G中，执行腔体形成工艺1024，从而将反应组分（reactivespecies）穿过膜孔1020提供到进入孔1006中的衬底1002。在该实施例的一个实现中，腔体形成工艺1024使用等离子体的SF6气体来向衬底1002提供含有氟的反应组分。由腔体形成工艺1024提供的反应组分从衬底1002的暴露表面去除半导体材料。腔体形成工艺1024对场氧化物1004的刻蚀速率明显小于对衬底1002的刻蚀速率，例如小于百分之5。
图1H示出腔体形成工艺1024的较后阶段期间的集成电路1000。来自腔体形成工艺1024的反应组分扩散穿过进入孔1006，并从相邻于进入孔1006的场氧化物1004下的衬底1002去除半导体材料。
图1I示出基本完成电容式麦克风的形成之后的集成电路1000。已经在电容式麦克风的固定板1010下的衬底1002中形成了背侧腔体1026，使得背侧腔体1026的底部在衬底1002内。可以在膜1018和背侧腔体1026的暴露表面上可选地形成保护涂层（未示出），用于在电容式麦克风的操作寿命期间保护。背侧腔体通过进入孔1006连接到固定板1010和膜1018之间的空间。在该实施例的一个实现中，背侧腔体1026可以横向延伸超过膜1018。在该实施例的一个实现中，背侧腔体1026的容积是固定板1010和膜1018之间的空间的容积100倍以上。在其他实施例中，背侧腔体1026的容积是固定板1010和膜1018之间的空间的容积1000倍以上。
图2A-2H根据第二示例实施例示出包括集成的电容式麦克风的集成电路的制造步骤。
图2A示出在衬底2002之中和之上形成的集成电路2002。在该实施例中，在衬底2002的顶面形成STI场氧化物2004的连续的介电支撑层，其中进入孔在场氧化物2004中，如参考图1A描述的。在该实施例的一个实现中，防止金属硅化物在进入孔2006中的衬底2002的顶面上形成，如参考图1A描述的。在衬底2002和场氧化物2004上方形成互连区域2008，其包括介电层2010和金属互连部件2012。在该实施例的一些实现中，没有金属互连部件2012位于为电容式麦克风定义的区域中。在该实施例中，没有金属互连部件2012直接位于进入孔2006上方。
在图2B中，在互连区域2008上方形成固定板2014。在该实施例的一个实现中，固定板2014由与互连区域2008中的金属互连部件2012相似的材料形成。在该实施例中，固定板2014的各部分不直接位于进入孔2006上方。可以与固定板2014同时形成可选膜端子2016，如在图2B中示出，或可以在其它制造步骤中形成可选膜端子2016。在该实施例的一个实现中，固定板2014和可选膜端子2016（如果存在的话）包括铝。在该实施例的替换实现中，固定板2014和可选膜端子2016（如果存在话）包括铜。可以在固定板2014上可选地形成保护层（未示出）（其可能是电绝缘层），从而在电容式麦克风的操作寿命期间隔离固定板2014。在图2B和该实施例的下面图中，为清晰，不示出互连区域2008中的介电层之间的边界线。
在图2C中，在集成电路2000的现有顶面上形成进入通孔光刻胶图形2018，从而为互连区域2008中的进入通孔2020定义区域。进入通孔刻蚀工艺2022从互连区域2008去除介电材料，从而形成进入通孔2020。在该实施例的一个实现中，可以使用反应离子刻蚀（RIE）工艺执行进入通孔刻蚀工艺2022，该工艺朝着集成电路2000的顶面引导反应离子。在一个实例中，RIE工艺可以包括含氟等离子体。进入通孔2020穿过场氧化物2004延伸到进入孔2006中的衬底2002中的半导体材料。在进入通孔2020的形成完成之后去除进入通孔光刻胶图形2018，例如通过以下步骤去除：使集成电路2000暴露于含氧等离子体，之后是湿法清除，以从集成电路2000的顶面去除任何有机残留物。
在图2D中，在固定板2014上方形成电容器腔体牺牲层2024，如参考图1D描述的。形成电容器腔体牺牲层2024的其它工艺在该实施例的保护范围内。电容器腔体牺牲层2024包括牺牲材料，例如光刻胶或聚酰亚胺。在该实施例的一个实现中，可以在为电容式麦克风定义的区域之外形成额外的牺牲材料2026。电容器腔体牺牲层2024的牺牲材料延伸到进入通孔2020中，并可以填充进入通孔2020，如在图2D中示出。
在图2E中，在电容器腔体牺牲层2024上形成连续的可渗透膜2028，如参考图1E描述的。在可渗透膜2028中形成膜孔2030，如参考图1E描述的。在该实施例的一个实现中，可渗透膜2028的底面和固定板2014的顶面之间的垂直分离小于200纳米。在该实施例的替换实现中，可渗透膜2028的底面和固定板2014的顶面之间的垂直分离小于100纳米。
在图2F中，执行牺牲层去除工艺2032，从而从电容器腔体牺牲层2024去除牺牲材料，如参考图1F描述的。在该实施例中，从进入通孔2020去除牺牲材料。
在图2G中，执行腔体形成工艺2034，从而将反应组分穿过膜孔2030提供到衬底2002，如参考图1G描述的。来自腔体形成工艺2034的反应组分穿过进入通孔2020扩散，并从衬底2002去除半导体材料，如参考图1G和1H描述的。
图2H示出基本完成电容式麦克风的形成之后的集成电路2000。已经在集成电路2000的场氧化物2004下的衬底2002中形成背侧腔体2036，使得背侧腔体2036的底部在衬底2002内。可以在膜2028和背侧腔体2036的暴露表面上可选的形成保护涂层（未示出），用于电容式麦克风的操作寿命期间的保护。背侧腔体通过进入孔2006和进入通孔2020连接到固定板2014和膜2028之间的空间。在该实施例的一个实现中，背侧腔体2036可以横向延伸超过膜2028。在该实施例的一个实现中，背侧腔体2036的容积与进入通孔2020的容积之和是固定板2014和膜2028之间的空间的容积100倍以上。在其他实施例中，背侧腔体2036的容积与进入通孔2020的容积之和是固定板2014和膜2028之间的空间的容积1000倍以上。
图3A-3H示出包括根据第三示例实施例形成的电容式麦克风的集成电路的制造步骤。
如在图3A中示出，在衬底3002之中和之上形成集成电路3000，如参考图1A描述。在该实施例中，在为电容式麦克风定义的区域中的衬底3002的顶面上形成介电支撑层3004。在该实施例的一个实现中，介电支撑层3004可以在集成电路3000的整个顶面上延伸。在介电支撑层3004上方形成固定板3006。固定板3006提供电容式麦克风的一块电容器板。可以与固定板3010同时形成可选膜端子3008，如在图3A中示出，或可以在其它制造步骤中形成可选膜端子3008。在该实施例的一个实现中，固定板3006和可选膜端子3008（如果形成的话）可以是完全硅化的多晶硅。在该实施例的其它实现中，固定板3006和可选膜端子3008（如果形成的话）可以是金属，例如钨或铝。在一个实现中，固定板3006的宽度可以小于100微米。可以在固定板3006上可选地形成保护层（未示出）（其可能是电绝缘层），从而在电容式麦克风的操作寿命期间隔离固定板3006。
在图3B中，在集成电路3000的现有顶面上形成进入孔光刻胶图形3010，从而为相邻于固定板3006且穿过介电支撑层3004的进入孔3012定义区域。进入孔刻蚀工艺3014从介电支撑层3004去除介电材料，从而将衬底3002暴露在进入孔3012中。在该实施例的一个实现中，进入孔刻蚀工艺3014可以包括具有含氟等离子体的RIE工艺。在另一实现中，可以使用湿法刻蚀（例如稀释的、可能缓冲的氢氟酸溶液）执行进入孔刻蚀工艺3014。在进入孔3012形成之后，去除进入孔光刻胶图形3010，例如通过以下步骤进行：使集成电路3000暴露于含氧等离子体，之后进行湿法清除，以从集成电路3000的顶面去除任何有机残留物。
在图3C中，可以在衬底2002上方形成可选互连级和介电级3016，如参考图1C描述的。在固定板3006上方形成电容器腔体牺牲层3018，如参考图1D描述的。形成电容器腔体牺牲层3018的其它工艺在该实施例的范围内。电容器腔体牺牲层3018包括牺牲材料，例如光刻胶或聚酰亚胺。牺牲材料延伸到进入孔3012中。
在图3D中，在电容器腔体牺牲层3018上形成连续的可渗透膜3020，如参考图1E描述的。可渗透膜3020提供电容式麦克风的第二电容器板。在可渗透膜3020中形成膜孔3022。在该实施例的一个实现中，可渗透膜3020的底面和固定板3006的顶面之间的垂直分离小于200纳米。在该实施例的替换实现中，可渗透膜3020的底面和固定板3006的顶面之间的垂直分离小于100纳米。
在图3E中，执行牺牲层去除工艺3024，从而从电容器腔体牺牲层3018去除牺牲材料，如参考图1F描述的。继续牺牲层去除工艺3024，直到从电容器腔体牺牲层3018去除基本全部牺牲材料，如在图3F中示出的。
在图3G中，执行腔体形成工艺3026，从而将反应组分穿过膜孔3022提供到衬底3002，如参考图1G描述的。来自腔体形成工艺3026的反应组分穿过进入孔3012扩散，并从衬底3002去除半导体材料，如参考图1G和1H描述的。
图3H示出在基本完成电容式麦克风的形成之后的集成电路3000。已经在介电支撑层3004下的衬底3002中形成背侧腔体3028，使得背侧腔体3028的底部在衬底3002内。可以在膜3020和背侧腔体3028的暴露表面上可选地形成保护涂层（未示出），用于电容式麦克风的操作寿命期间的保护。背侧腔体通过进入孔3012连接到固定板3006和膜3020之间的空间。在该实施例的一个实现中，背侧腔体3028可以横向延伸超过膜3020。在该实施例的一个实现中，背侧腔体3028的容积是固定板3006和膜3020之间的空间的容积100倍以上。在其他实施例中，背侧腔体3028的容积是固定板3006和膜3020之间的空间的容积1000倍以上。
图4A-4G示出包括根据第三示例实施例形成的电容式麦克风的集成电路的制造步骤。
参考图4A，在衬底4002之中和之上形成集成电路4000，如参考图1A描述的。在该实施例中，在为电容式麦克风定义的区域中的衬底4002的顶面上形成介电支撑层4004。在该实施例的一个实现中，介电支撑层4004可以在集成电路4000的整个顶面上延伸。在介电支撑层4004上方形成互连区域4006，其包括介电层4008和金属互连部件4010。在该实施例的一些实现中，没有金属互连部件4010位于为电容式麦克风定义的区域中。在图4A和该实施例的下面图中，为清晰，不示出互连区域4006中的介电层之间的边界线。在为电容式麦克风定义的区域中的互连区域4006上方形成固定板4012。在该实施例的一个实现中，固定板4012由与互连区域4006中的金属互连部件4010相似的材料形成。可以与固定板4012同时形成可选膜端子4014，如在图4A中示出的，或可以在其它制造步骤中形成可选膜端子4014。在该实施例的一个实现中，固定板4012和可选膜端子4014（如果存在的话）包括铝。在替换实现中，固定板4012和可选膜端子4014（如果存在的话）包括铜。可以在固定板4012上可选地形成保护层（未示出）（其可能是电绝缘层），从而在电容式麦克风的操作寿命期间隔离固定板4012。
在图4B中，在集成电路4000的现有顶面上形成进入孔光刻胶图形4016，从而为互连区域4006中的进入通孔4018和穿过介电支撑层4004的进入孔4022定义区域。进入通孔刻蚀工艺4020从互连区域4006和介电支撑层4004去除介电材料，从而形成穿过互连区域4006的进入通孔4018和穿过介电支撑层4004的进入孔4022。在该实施例的一个实现中，可以使用具有含氟等离子体的RIE工艺执行进入通孔刻蚀工艺4020。进入通孔4018延伸穿过介电支撑层4004到衬底4002中的半导体材料。在进入通孔4018的形成完成之后，去除进入通孔光刻胶图形4016，如参考图2C描述的。
在图4C中，在固定板4012上方形成电容器腔体牺牲层4024，如参考图2D描述的。电容器腔体牺牲层4024包括牺牲材料，例如光刻胶或聚酰亚胺。在该实施例的一个实现中，可以在为电容式麦克风定义的区域之外形成额外的牺牲材料4026。电容器腔体牺牲层2024的牺牲材料延伸到进入通孔4018中，并可以填充进入通孔4018，如在图4C中示出的。
在图4D中，在电容器腔体牺牲层4024上形成连续的可渗透膜4028，如参考图1E描述的。在可渗透膜4028中形成膜孔4030，如参考图1E描述的。在该实施例的一个实现中，可渗透膜4028的底面和固定板4012的顶面之间的垂直分离小于200纳米。在该实施例的替换实现中，可渗透膜4028的底面和固定板4012的顶面之间的垂直分离小于100纳米。
在图4E中，执行牺牲层去除工艺4032，从而从电容器腔体牺牲层去除牺牲材料，如参考图1F描述的。在该实施例中，从进入通孔4018去除牺牲材料。
在图4F中，执行腔体形成工艺4034，从而将反应组分穿过膜孔4030提供衬底4002，如参考图1G描述的。来自腔体形成工艺4034的反应组分穿过进入通孔4018扩散，并从衬底4002去除半导体材料，如参考图1G和1H描述的。
图4G示出在基本完成电容式麦克风的形成之后的集成电路4000。已经在介电支撑层4004下的衬底4002中形成背侧腔体4036，使得背侧腔体4036的底部在衬底4002内。可以在隔膜4028和背侧腔体4036的暴露表面上可选地形成保护涂层（未示出），用于电容式麦克风的操作寿命期间的保护。背侧腔体4036通过进入通孔4018连接到固定板4012和膜4028之间的空间。在该实施例的一个实现中，背侧腔体4036可以横向延伸超过膜4028。在该实施例的一个实现中，背侧腔体4036的容积与进入通孔4018的容积之和是固定板4012和膜4028之间空间的容积100倍以上。在其他实施例中，背侧腔体4036的容积与进入通孔4018的容积之和是固定板4012和膜4028之间空间的容积1000倍以上。
图5图解说明了包含具有背侧腔体的电容式麦克风的集成电路，该背侧腔体具有多于一个腔体室。集成电路5000构建在衬底5002之中和之上，如参考图1A描述的。在一个实施例中，可以在衬底5002的顶面形成场氧化物5004，其具有进入孔5006，如参考图1A描述的。在替换实施例中，可以在衬底5002的顶面上形成介电支撑层，如参考图3A描述的，并且在介电支撑层中形成进入孔5006，如参考图3B描述的。在一些实施例中，根据具体实施例，可以在衬底5002和场氧化物5004或介电支撑层上形成互连区域5008，如参考图2A和4A描述的。在这样的实施例中，穿过互连区域5008形成进入通孔5010，如参考图2C和4B描述的。根据具体实施例，在衬底上方形成电容式麦克风的固定板5012，如参考图1B、2B、3A或4A描述的。根据具体实施例，在固定板5012上形成电容式麦克风的可渗透膜5014，其与固定板5012隔开一个空间，如参考图1D-1F、2D-2F、3C-3E或4C-4E描述的。
根据具体实施例，在固定板下的衬底5002中形成具有多个腔体室5018的背侧腔体5016，如参考图1G-1I、2G和2H、3G和3H或4F和4G描述的。在一些实施例中，膜5014可以被支撑在腔体室5018之间的衬底区域上方，如在图5中示出。在含有多个腔体室的实施例的一些实现中，背侧腔体5016可以横向延伸超过膜5014。
在一些实施例中，背侧腔体5016的容积与进入通孔5010（如果存在的话）的容积之和是固定板5012和膜5014之间的空间的容积100倍以上。在其他实施例中，背侧腔体5016的容积与进入通孔5010（如果存在的话）的容积之和是固定板5012和膜5014之间空间的容积1000倍以上。
虽然在此描述了具有所有特征或步骤或仅某些特征或步骤的示例实施例，但是具有所描述的特征或步骤中的一个或多个的不同组合的实施例意在被涵盖。本领域技术人员将理解，在要求保护的本发明的范围内许多其他的实施例和变化也是可能的。
Claims (9)
1.一种含有电容式麦克风的集成电路，所述集成电路包含：
衬底，所述衬底具有延伸到所述衬底的表面的半导体区域；
介电支撑层，所述介电支撑层在所述衬底的表面上形成，所述介电支撑层具有穿过所述介电支撑层的进入孔；
所述电容式麦克风的固定板，所述固定板位于所述介电支撑层上；
所述电容式麦克风的可渗透膜，所述可渗透膜位于所述固定板上，使得空间将所述可渗透膜与所述固定板隔开；以及
背侧腔体，所述背侧腔体在所述衬底中形成，所述背侧腔体穿过所述进入孔连接到所述可渗透膜和所述固定板之间的所述空间，使得所述腔体的底部位于所述衬底中。
2.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述介电支撑层包括由浅槽隔离工艺形成的场氧化物。
2.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述固定板接触所述介电支撑层。
3.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述固定板通过互连区域与所述介电支撑层隔开。
4.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述背侧腔体的容积是所述可渗透膜和所述固定板之间的所述空间的容积的100倍以上。
5.一种形成含有电容式麦克风的集成电路的工艺，包含下面步骤：
提供衬底，所述衬底包括延伸到所述衬底的表面的半导体区域；
在所述衬底的表面形成介电支撑层；
形成穿过所述介电支撑层的进入孔；
在所述介电支撑层上形成所述电容式麦克风的固定板；
在所述固定板上形成电容器腔体牺牲层，所述电容器腔体牺牲层含有牺牲材料；
在所述电容器腔体牺牲层上形成可渗透膜；
从所述电容器腔体牺牲层去除所述牺牲材料，使得空间将所述可渗透膜与所述固定板隔开；以及
执行腔体形成工艺，以便通过将刻蚀剂穿过所述可渗透膜并穿过所述进入孔提供到所述衬底，以此在所述衬底中形成背侧腔体，使得所述背侧腔体通过所述进入孔连接到所述可渗透膜和所述固定板之间的所述空间，并且使得所述腔体的底部位于所述衬底中。
6.根据权利要求5所述的工艺，其中所述介电支撑层包括由浅槽隔离工艺形成的场氧化物。
7.根据权利要求6所述的工艺，进一步包括如下步骤：在所述进入孔上的所述衬底的表面上形成一个或更多硅化物块层。
8.根据权利要求5所述的工艺，进一步包含在所述介电支撑层上形成互连区域，使得所述互连区域在执行形成所述固定板的步骤之前形成，以便所述固定板位于所述互连区域上。
9.根据权利要求5所述的工艺，其中执行腔体形成工艺的步骤进一步包括形成含SF6气体的等离子体，使得将含氟的反应组分提供到所述衬底。
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