CN102684679A - 基于延迟的双轨预充逻辑输出转换器 - Google Patents

基于延迟的双轨预充逻辑输出转换器 Download PDF

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CN102684679A CN2012101827421A CN201210182742A CN102684679A CN 102684679 A CN102684679 A CN 102684679A CN 2012101827421 A CN2012101827421 A CN 2012101827421A CN 201210182742 A CN201210182742 A CN 201210182742A CN 102684679 A CN102684679 A CN 102684679A
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贾嵩
李夏禹
刘俐敏
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Abstract

本发明涉及集成电路技术领域,公开了一种基于延迟的双轨预充逻辑输出转换器,包括5个PMOS管P1~P5,4个NMOS管N1~N4,以及2个反相器F1~F2。其实现DDPL到CMOS转换的功能,结构简单,数据路径也不长,更重要的是其结构对称,处理不同数据时的功耗性能一致,DPA防御性能更优。

Description

基于延迟的双轨预充逻辑输出转换器
技术领域
本发明涉及集成电路技术领域,特别是涉及一种基于延迟的双轨预充逻辑输出转换器。
背景技术
随着信息技术的大力发展,信息的安全性越来越重要,相应地出现了各种保密设备,如广泛使用的智能卡。它使用在移动电话、付费电视、计算机访问控制、身份卡、信用卡、电子商务等应用中。旁道攻击是基于旁道信息的攻击,它利用密码分析技术,使用保密设备所泄漏的信息来恢复正在使用的密钥。旁道攻击类型有很多种,其中最常见、威胁最大的攻击方式之一差分能量分析(Differential PowerAnalysis,DPA)受到越来越多的关注。DPA的理论基础是:在加密过程中要消耗能量,而消耗的能量随处理的数据不同会有微小的变化。根据这种变化确定处理的数据是0还是1,进而有可能猜出加密算法中所使用的密钥。
针对差分能量分析,国内外有大量的学者进行着相关的研究工作。其中一个有效的手段就是从集成电路底层设计出发,让芯片在处理不同数据时,所消耗的能量都基本一样。基于这个思想,有很多电路结构被提出来。双轨预充逻辑电路有两个互补对称的输出,无论处理数据1还是0,总有一个输出节点放电,以此达到能量消耗与处理数据无关的目的。但是由于工艺或者电路结构的原因,其对称的输出节点电容总有差别,使得处理1和0时,放电电量有差别,使得能量消耗不能很好地保持一致。针对双轨预充逻辑的这个缺点,在文献[1](Marco Bucci,Luca Giancane,RaimondoLuzzi,etal.,“Delay-BasedDual-Rail Precharge Logic”,IEEE Transactions on Very Large ScaleIntegration(VLSI)Systems,July 2011,Volume 19,Issue 7,pp.1147-1153)中提出了基于延迟的双轨预充逻辑。其思想就是让两个互补的输出节点在每个时钟周期,不管处理数据是1还是0,都要进行一次充电和放电。这样每个周期的能量消耗就能保持几乎完全一致。
基于延迟的双轨预充逻辑电路提出了新的输入输出信号的格式标准,所以在与互补金属氧化物半导体(Complementary Metal OxideSemiconductor,CMOS)电路互连时,就需要相应的信号格式转换器,即输入输出的接口电路。在文献[1]中,给出了相应的输入输出转换器的具体电路结构。
图1给出了基于延迟的双轨预充逻辑(Delay-based Dual-railPrecharge Logic,DDPL)的与非门结构。该电路逻辑与普通双轨动态电路逻辑相比,电路结构完全一样,其特殊性在于其输入输出信号不同于普通CMOS动态电路的输入输出信号。在图2中给出了DDPL的逻辑1和逻辑0的波形。可以看到,在预充阶段(时钟高电平期间),逻辑1和逻辑0都处于高电平,在求值阶段,时钟低电平一到,逻辑1会马上下跳到0,而逻辑0需要等待一小段延迟Δ后才会下降到0。这样,设置逻辑1和0之后,在每个时钟周期,电路输出节点都会进行一次充电和放电,这样每个周期不管处理的数据是什么,消耗的总的功耗是一定的,进而可以有效地防御DPA的攻击。具体以图1中与非门为例,预充阶段,输出节点Y和
Figure BDA00001728037800021
都被预充到高电平,求值时,在延迟Δ期间,根据数据不同而区分出输出节点,在Δ之后,由于输入信号A、B、都会变为0,从而输出节点都会下拉到0。图3给出了输入信号A和B都为逻辑1时,该电路的工作波形。
所以,DDPL电路可以有效地抵御DPA的攻击,在参考文献[1]中,也具体分析了其处理不同数据时的功耗数据。由于DDPL的逻辑1和逻辑0不同于CMOS电路,所以在与CMOS电路进行兼容时,就必须有对应的结构电路(包括输入接口和输出接口)。在文献[1]中也给出了这两种接口电路的具体结构,分别为输入结构CMOS-to-DDPL转换器和输出结构DDPL-to-CMOS转换器。
输出接口DDPL-to-CMOS转换器的作用是将DDPL的逻辑1和逻辑0分别转换成CMOS动态电路中的逻辑1和逻辑0。图4给出了该转换器应当实现的逻辑功能。输入为DDPL逻辑信号A和
Figure BDA00001728037800031
输出为CMOS动态电路逻辑信号
Figure BDA00001728037800032
Figure BDA00001728037800033
Figure BDA00001728037800034
Figure BDA00001728037800035
信号再经过一个CMOS的SR锁存器就可以得到直接适用于其他CMOS逻辑电路的信号。所以在时钟高电平期间(预充阶段),输出
Figure BDA00001728037800036
Figure BDA00001728037800037
都被充电到高电平。求值阶段开始时(时钟低电平到来),如果输入DDPL逻辑A马上降为0(逻辑1),那么
Figure BDA00001728037800038
就保持高电平不变,如果A经过延迟Δ后变为0,那么
Figure BDA00001728037800039
就马上下跳到0,并在时钟低电平期间保持不变。的产生和
Figure BDA000017280378000311
类似。
为了实现图4中的转换功能,文献[1]中给出了对应的转换器结构如图5所示。分析其工作工程如下:时钟高电平期间,M和N下拉到0,输出
Figure BDA000017280378000313
均被充电到高电平。P1管由A和
Figure BDA000017280378000314
的同或控制,就是说只有在Δ的时间内,P1管才会导通。所以时钟低电平到来后,在Δ的时间内,输出节点M和N根据A和
Figure BDA000017280378000315
的不同,其中一个被充到高电平,Δ时间之后,在A和
Figure BDA000017280378000316
都变为0,为了保持住M和N不变,通过P1管的断开来切断M和N的充电路径。所以参考文献[1]的作者希望以此来实现转换的功能,但是该电路有一个致命的错误导致其不能正常完成DDPL-to-CMOS的转换功能。图6给出了其仿真波形,从波形图中可以直接的看到该转换器不能完成正确的转换功能。其原因在于作者希望Δ时间过后,M和N保持不变,从而通过P1切断充电路径。但是实际上,虽然到电源的路径切断了,却由于P2和P3的同时导通,M和N之间有了通路,从而M和N之间进行了电荷分享,导致各自电平都不理想,从仿真波形图中可以清晰地看到这一电荷分享的结果就是输出节点没有保持住应有的电平,而是都被充电到高电平。
发明内容
(一)要解决的技术问题
本发明要解决的技术问题是:如何设计一种结构简单、能够实现DDPL-to-CMOS转换器的功能的电路,且利用该电路提高DPA防御性能。
(二)技术方案
为了解决上述技术问题,本发明提供了一种基于延迟的双轨预充逻辑输出转换器,包括5个PMOS管P1~P5,4个NMOS管N1~N4,以及2个反相器F1~F2,其中,P1的第一端分别与P2、P3的第一端连接,P2的第二端与P4的第一端连接,P4的第二端分别与N1、N2、N3、P5以及F1的第一端连接,P4的第三端分别与N2、N3以及P5的第二端连接,P5的第三端与P3的第二端连接,所述P5的第二端分别与N4的第一端以及F2的第一端连接,且P1、N1、N4由时钟信号CLK控制,P2的第三端连接输入信号A,P3的第三端连接输入信号
Figure BDA00001728037800041
F1的第二端连接输出信号F2的第二端连接输出信号
Figure BDA00001728037800043
优选地,所述输入信号A和
Figure BDA00001728037800044
为基于延迟的双轨预充逻辑DDPL信号。
优选地,所述输出信号
Figure BDA00001728037800046
为CMOS逻辑信号。
优选地,N1、N2、N3的第三端,以及N4的第二端分别接地。
(三)有益效果
上述技术方案具有如下优点:能够实现DDPL-to-CMOS转换器的功能,结构简单,数据路径也不长,更重要的是其结构对称,处理不同数据时的功耗性能一致,DPA防御性能更优。
附图说明
图1是DDPL与非门电路结构;
图2是预充双轨逻辑的输入信号示意图,(a)为逻辑1的输入信号;(b)为逻辑0的输入信号;
图3是DDPL与非门的工作波形;
图4是DDPL-to-CMOS转换器的逻辑功能示意图;
图5是现有的DDPL-to-CMOS转换器电路结构图;
图6是现有的DDPL-to-CMOS转换器的仿真波形图;
图7是对图5的电路进行改进得到的DDPL-to-CMOS转换器电路结构图;
图8是本发明的DDPL-to-CMOS转换器电路结构图;
图9是本发明的DDPL-to-CMOS转换器的仿真波形图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例,对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明,但不用来限制本发明的范围。
沿着文献[1]作者的思想,为了解决图5的电路中所存在的问题(参见在背景技术中的分析),只需要将M和N节点的充电路径分开,这样可以切断这两个节点之间的通路。如图7所示,只需要将P1管拆分成两个PMOS管,就可以得到一个可以实现正确功能的DDPL-to-CMOS转换电路。然而,尽管该电路功能正确,但是其结构复杂,功耗大速度慢,而且由于用到了CMOS的同或门,处理不同数据的功耗和速度差别大,使得抵御DPA攻击能力减弱。
因此,本发明进一步对图7的电路进行改进,提出了一种基于延迟的双轨预充逻辑输出转换器,用于实现DDPL到CMOS转换的功能,即将DDPL的逻辑1和逻辑0分别转换成CMOS动态电路中的逻辑1和逻辑0。如图8所示,该电路包括5个PMOS管P1~P5,4个NMOS管N1~N4,以及2个反相器F1~F2,其中,P1的第一端分别与P2、P3的第一端连接,P2的第二端与P4的第一端连接,P4的第二端分别与N1、N2、N3、P5以及F1的第一端连接,P4的第三端分别与N2、N3以及P5的第二端连接,P5的第三端与P3的第二端连接,所述P5的第二端分别与N4的第一端以及F2的第一端连接,且P1、N1、N4由时钟信号CLK控制,P1、N4的第三端(即栅极)以及N1的第二端(即栅极)连接CLK,P2的第三端连接输入信号A,P3的第三端连接输入信号
Figure BDA00001728037800061
F1的第二端连接输出信号
Figure BDA00001728037800062
F2的第二端连接输出信号
Figure BDA00001728037800063
N1、N2、N3的第三端,以及N4的第二端分别接地。所述输入信号A和
Figure BDA00001728037800064
为基于延迟的双轨预充逻辑DDPL信号,输出信号
Figure BDA00001728037800065
为CMOS逻辑信号,
Figure BDA00001728037800067
信号再经过一个CMOS的SR锁存器就可以得到直接适用于其他CMOS逻辑电路的信号,
Figure BDA00001728037800069
Figure BDA000017280378000610
信号在RS锁存器中分别是置位信号和复位信号。图8中各个元件旁边的标号1、2、3代表其端口序号,例如,1代表第一端。
本发明利用电路边沿采样的特点,可以达到自锁存的目的。时钟高电平到来时(预充阶段),输入信号A和
Figure BDA000017280378000611
都为高电平,输出节点
Figure BDA000017280378000612
Figure BDA000017280378000613
被预充到高电平。时钟低电平来后(求值阶段开始),由于A和可能是其他DDPL电路的输出,所以需要经过一小段电路延迟,A和
Figure BDA000017280378000615
的其中一个会下降到0,然后开始对节点M或N进行充电。比如,如果A下降到0,
Figure BDA000017280378000616
保持在高电平,所以P2导通并对节点M进行充电,P3截止,节点N保持在低电平。进而,高电平的节点M会让P5截止,切断节点N的充电路径,这样在延迟Δ之后,虽然A和
Figure BDA000017280378000617
都变为0,节点M和N仍然能够相互锁存住数据,相应的输出
Figure BDA000017280378000618
Figure BDA000017280378000619
也能在时钟低电平期间保持住数据,进而实现DDPL到CMOS的转换。图9给出的本发明的输出转换器的仿真波形也可以显示其工作的正确性。可以看出,相比图7中的结构,本发明不仅结构更加简单,数据路径也不长,更重要的是其结构对称,处理不同数据时的功耗性能一致,DPA防御性能更优。
利用HSPICE,在SMIC 65nm的工艺库下,对现有的电路(图7所示)和本发明提出的DDPL-to-CMOS转换器进行仿真和比较。主要从功耗和转换速度上进行了具体分析。电源电压为1V,时钟频率设置为250MHz,周期4ns。延迟时间Δ设置为0.2ns。
表1给出了DDPL-to-CMOS转换器的仿真数据。由于文献[1]中给出的原始的转换器不能正常工作,这里用稍做改动后的图7中的结构来与本发明提出的结构进行比较。同样针对逻辑1和逻辑0的转换分别进行了仿真。表1中的数据表明,传统结构处理不同数据时,功耗差别明显,主要原因在于CMOS逻辑的同或门处理不同数据时,会产生不同的功耗和延迟性能。而本发明的电路处理不同数据的功耗基本一致,防御DPA攻击能力更强。同时速度和功耗性能也得到了全方位提升。具体来讲,转换速度提高了17.7%,能量消耗降低了41.0%。
表1DDPL-to-CMOS转换器功耗和速度比较
  延迟(1)/ps   延迟(0)/ps   功耗(1)/uw   功耗0)/uw
 传统结构(图7)   37.2   32.0   3.02   2.88
 本发明(图8)   30.6   30.6   1.74   1.74
由以上实施例可以看出,本发明能够实现DDPL-to-CMOS转换器的功能,结构简单,数据路径也不长,更重要的是其结构对称,处理不同数据时的功耗性能一致,DPA防御性能更优。
以上所述仅是本发明的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明技术原理的前提下,还可以做出若干改进和替换,这些改进和替换也应视为本发明的保护范围。

Claims (4)

1.一种基于延迟的双轨预充逻辑输出转换器,其特征在于,包括5个PMOS管P1~P5,4个NMOS管N1~N4,以及2个反相器F1~F2,其中,P1的第一端分别与P2、P3的第一端连接,P2的第二端与P4的第一端连接,P4的第二端分别与N1、N2、N3、P5以及F1的第一端连接,P4的第三端分别与N2、N3以及P5的第二端连接,P5的第三端与P3的第二端连接,所述P5的第二端分别与N4的第一端以及F2的第一端连接,且P1、N1、N4由时钟信号CLK控制,P2的第三端连接输入信号A,P3的第三端连接输入信号
Figure FDA00001728037700011
F1的第二端连接输出信号
Figure FDA00001728037700012
F2的第二端连接输出信号
Figure FDA00001728037700013
2.如权利要求1所述的基于延迟的双轨预充逻辑输出转换器,其特征在于,所述输入信号A和
Figure FDA00001728037700014
为基于延迟的双轨预充逻辑DDPL信号。
3.如权利要求1所述的基于延迟的双轨预充逻辑输出转换器,其特征在于,所述输出信号
Figure FDA00001728037700015
Figure FDA00001728037700016
为CMOS逻辑信号。
4.如权利要求1或2或3所述的基于延迟的双轨预充逻辑输出转换器,其特征在于,N1、N2、N3的第三端,以及N4的第二端分别接地。
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