CN102684677B - 基于延迟的双轨预充逻辑输入转换器 - Google Patents
基于延迟的双轨预充逻辑输入转换器 Download PDFInfo
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Abstract
本发明涉及集成电路技术领域,公开了一种基于延迟的双轨预充逻辑输入转换器,其在传统动态反相器电路的基础上增加了4个分别由时钟信号CLK和时钟的延迟Δ得到的信号CKD控制的PMOS管,用来在求值阶段到来Δ时间后,对节点M和N进行充电。也就是说,在时钟低电平刚到时,M和N会根据数据信号A的不同,其中一个被充电到高电平。而经过Δ时间之后,M和N都会被充电到高电平,进而实现CMOS-to-DDPL转换器的功能。该电路相比现有转换器,不仅结构更加简单,而且不存在竞争电流,功耗更低,同时求值路径短,转换速度也会更快。
Description
技术领域
本发明涉及集成电路技术领域,特别是涉及一种基于延迟的双轨预充逻辑输入转换器。
背景技术
随着信息技术的大力发展,信息的安全性越来越重要,相应地出现了各种保密设备,如广泛使用的智能卡。它使用在移动电话、付费电视、计算机访问控制、身份卡、信用卡、电子商务等应用中。旁道攻击是基于旁道信息的攻击,它利用密码分析技术,使用保密设备所泄漏的信息来恢复正在使用的密钥。旁道攻击类型有很多种,其中最常见、威胁最大的攻击方式之一差分能量分析(Differential PowerAnalysis,DPA)受到越来越多的关注。DPA的理论基础是:在加密过程中要消耗能量,而消耗的能量随处理的数据不同会有微小的变化。根据这种变化确定处理的数据是0还是1,进而有可能猜出加密算法中所使用的密钥。
针对差分能量分析,国内外有大量的学者进行着相关的研究工作。其中一个有效的手段就是从集成电路底层设计出发,让芯片在处理不同数据时,所消耗的能量都基本一样。基于这个思想,有很多电路结构被提出来。双轨预充逻辑电路有两个互补对称的输出,无论处理数据1还是0,总有一个输出节点放电,以此达到能量消耗与处理数据无关的目的。但是由于工艺或者电路结构的原因,其对称的输出节点电容总有差别,使得处理1和0时,放电电量有差别,使得能量消耗不能很好地保持一致。针对双轨预充逻辑的这个缺点,在文献[1](Marco Bucci,Luca Giancane,RaimondoLuzzi,etal.,“Delay-BasedDual-Rail Precharge Logic”,IEEE Transactions on Very Large ScaleIntegration(VLSI)Systems,July 2011,Volume 19,Issue 7,pp.1147-1153)中提出了基于延迟的双轨预充逻辑。其思想就是让两个互补的输出节点在每个时钟周期,不管处理数据是1还是0,都要进行一次充电和放电。这样每个周期的能量消耗就能保持几乎完全一致。
基于延迟的双轨预充逻辑电路提出了新的输入输出信号的格式标准,所以在与互补金属氧化物半导体(Complementary Metal OxideSemiconductor,CMOS)电路互连时,就需要相应的信号格式转换器,即输入输出的接口电路。在文献[1]中,给出了相应的输入输出转换器的具体电路结构。
图1给出了基于延迟的双轨预充逻辑(Delay-based Dual-railPrecharge Logic,DDPL)的与非门结构。该电路逻辑与普通双轨动态电路逻辑相比,电路结构完全一样,其特殊性在于其输入输出信号不同于普通CMOS动态电路的输入输出信号。在图2中给出了DDPL的逻辑1和逻辑0的波形。可以看到,在预充阶段(时钟高电平期间),逻辑1和逻辑0都处于高电平,在求值阶段,时钟低电平一到,逻辑1会马上下跳到0,而逻辑0需要等待一小段延迟Δ后才会下降到0。这样,设置逻辑1和0之后,在每个时钟周期,电路输出节点都会进行一次充电和放电,这样每个周期不管处理的数据是什么,消耗的总的功耗是一定的,进而可以有效地防御DPA的攻击。具体以图1中与非门为例,预充阶段,输出节点Y和都被预充到高电平,求值时,在延迟Δ期间,根据数据不同而区分出输出节点,在Δ之后,由于输入信号A、B、都会变为0,从而输出节点都会下拉到0。图3给出了输入信号A和B都为逻辑1时,该电路的工作波形。
所以,DDPL电路可以有效地抵御DPA的攻击,在参考文献[1]中,也具体分析了其处理不同数据时的功耗数据。由于DDPL的逻辑1和逻辑0不同于CMOS电路,所以在与CMOS电路进行兼容时,就必须有对应的结构电路(包括输入接口和输出接口)。在文献[1]中也给出了这两种接口电路的具体结构,分别为输入结构CMOS-to-DDPL转换器和输出结构DDPL-to-CMOS转换器。
输入接口CMOS-to-DDPL转换器的作用是将CMOS输入信号转换成DDPL中的逻辑信号。图4给出了输入转换器需要实现的逻辑功能。输入为CMOS逻辑信号A和输出为DDPL逻辑信号Y和如果A为1,则Y在时钟低电平到来后,马上下拉到0,如果A为0,则Y在时钟低电平到来后,经过一段延迟时间Δ后,下拉到0。
图5给出了文献[1]中提出的对应的输入转换器电路结构。因为该结构的上半部分和下半部分分别是得到Y和逻辑的电路,其结构完全对称,所以这里简单分析一下上半部分得到Y的原理和过程。由时钟控制的两个NMOS管尺寸设计比较大,对输出节点占主导作用,所以在预充阶段,输出节点Y和被充到高电平。在求值阶段,这两个时钟控制的MOS管关断,输出节点由选择器的输出决定。如果输入CMOS逻辑信号A为1,则时钟的低电平经过两个反相器后,直接传给输出节点Y。如果A为0,则时钟的低电平经过一个延迟Δ后,再经过两个反相器传给输出节点Y。首先,该电路结构复杂,同时,其用到了驱动能力较弱的传输门选择器。而且在时钟高电平刚到的Δ时间内,在节点M和N存在显著的竞争,产生很多的直流功耗。
发明内容
(一)要解决的技术问题
本发明要解决的技术问题是:如何实现一种能够实现CMOS-to-DDPL转换器功能的电路,且设计结构简单,不存在竞争电流功耗更低,同时求值路径短,转换速度快。
(二)技术方案
为了解决上述技术问题,本发明提供一种基于延迟的双轨预充逻辑输入转换器,包括7个PMOS管P1~P7,2个NMOS管N1~N2,以及2个反相器F1~F2,其中,P1的一端与P4的一端连接,P4的第二端与反相器F1的一端连接,所述反相器F1的一端还与N1的一端连接,所述N1的一端还与P6的一端连接,P6的第二端与P2的一端连接,所述P2的一端还与P7的一端连接,P7的第二端与N2的一端连接,所述N2的一端还与F2的一端连接,所述F2的一端还与P5的一端连接,P5的第二端与P3的一端连接,且P1~P3由时钟信号CLK控制,P4~P5由时钟信号CLK延迟时间Δ后得到的信号CKD控制,P6的第三端和P7的第三端分别连接输入信号A和F2的另一端和F1的另一端分别连接输出信号Y和
优选地,输出信号Y和为基于延迟的双轨预充逻辑DDPL信号。
优选地,P1~P3的栅极分别连接时钟信号CLK,P4~P5的栅极分别连接信号CKD。
(三)有益效果
上述技术方案具有如下优点:能够实现CMOS-to-DDPL转换器的功能,结构简单,不存在竞争电流功耗更低,同时求值路径短,转换速度快。
附图说明
图1是DDPL与非门电路结构;
图2是预充双轨逻辑的输入信号示意图,(a)为逻辑1的输入信号;(b)为逻辑0的输入信号;
图3是DDPL与非门的工作波形;
图4是CMOS-to-DDPL转换器的逻辑功能示意图;
图5是现有的CMOS-to-DDPL转换器电路结构;
图6是本发明的CMOS-to-DDPL转换器电路结构。
具体实施方式
下面结合附图和实施例,对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明,但不用来限制本发明的范围。
本发明设计的基于延迟的双轨预充逻辑输入转换器用于实现CMOS到DDPL转换功能,即将CMOS输入信号转换成DDPL中的逻辑信号(如图4所示)。如图6所示,本发明包括7个PMOS管P1~P7,2个NMOS管N1~N2,以及2个反相器F1~F2,其中,P1的一端与P4的一端连接,P4的第二端与反相器F1的一端连接,所述反相器F1的一端与N1的一端连接,所述N1的一端与P6的一端连接,P6的第二端与P2的一端连接,所述P2的一端与P7的一端连接,P7的第二端与N2的一端连接,所述N2的一端与F2的一端连接,所述F2的一端与P5的一端连接,P5的第二端与P3的一端连接,且P1~P3由时钟信号CLK控制,P4~P5由时钟信号延迟时间Δ后得到的信号CKD控制,P6的第三端和P7的第三端分别连接输入CMOS逻辑信号A和F2的另一端和F1的另一端分别连接输出DDPL信号Y和P1~P3的栅极分别连接时钟信号CLK,P4~P5的栅极分别连接信号CKD。
该电路实际上就是在传统动态反相器电路(即没有P1,P3,P4,P5的图6的电路)的基础上增加了4个分别由时钟信号CLK和时钟的延迟Δ得到的信号CKD控制的PMOS管(P1,P3,P4,P5),用来在求值阶段到来Δ时间后,对节点M和N进行充电。简单分析其工作工程:在预充阶段(即时钟高电平到来,即CLK为高电平时),M和N被预充到低电平即输出和Y被预充到高电平,当时钟低电平到来时,根据A信号的不同,P6或者P7会导通,从而对M或者N进行充电。经过延迟时间Δ后,CKD也变为低电平后,P1,P3,P4,P5都导通,从而M和N都被充电到高电平。由于输出Y和分别是N和M反相后的信号,也就是说,在时钟低电平刚到时,Y和会根据数据信号A的不同,其中一个被放电到低电平,另一个保持在高电平,而经过Δ时间之后,二者都会被充电到高电平,进而实现CMOS-to-DDPL转换器的功能。该电路相比图5中的转换器,不仅结构更加简单,而且不存在竞争电流,功耗更低,同时求值路径短,转换速度也会更快。
利用HSPICE,在SMIC 65nm的工艺库下,对上面的传统的和本发明提出的CMOS-to-DDPL与DDPL-to-CMOS转换器分别进行仿真和比较。主要从功耗和转换速度上进行了具体分析。电源电压为1V,时钟频率设置为250MHz,周期4ns。延迟时间Δ设置为0.2ns。
表1给出了CMOS-to-DDPL转换器的仿真数据。针对逻辑1和逻辑0的转换分别进行了仿真。可以看出处理不同的数据时,文献[1]中的结构和本发明中提出的结构都能保持基本一致的功耗。但是在转换速度和功耗量上面来讲,本发明的结构具有了明显的优势。具体来讲,转换速度提高了29.0%,能量消耗降低了59.2%。
表1CMOS-to-DDPL转换器功耗和速度比较
延迟(1)/ps | 延迟(0)/ps | 功耗(1)/uw | 功耗(0)/uw | |
传统结构(图5) | 28.3 | 28.3 | 6.30 | 6.09 |
本发明的结构(图6) | 20.1 | 19.2 | 2.63 | 2.42 |
由以上实施例可以看出,本发明能够实现CMOS-to-DDPL转换器的功能,结构简单,不存在竞争电流功耗更低,同时求值路径短,转换速度快。
以上所述仅是本发明的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明技术原理的前提下,还可以做出若干改进和替换,这些改进和替换也应视为本发明的保护范围。
Claims (4)
1.一种基于延迟的双轨预充逻辑输入转换器,其特征在于,包括7个PMOS管P1~P7,2个NMOS管N1~N2,以及2个反相器F1~F2,其中,P1的漏端与P4的源端连接,P4的漏端与反相器F1的一端连接,所述反相器F1的一端还与N1的一端漏端连接,所述N1的漏端还与P6的漏端连接,P6的源端与P2的漏端连接,所述P2的漏端还与P7的源端连接,P7的漏端与N2的漏端连接,所述N2的漏端还与F2的一端连接,所述F2的一端还与P5的漏端连接,P5的源端与P3的漏端连接,且P1~P3由时钟信号CLK控制,P4~P5由时钟信号CLK延迟时间△后得到的信号CKD控制,P6的栅端和P7的栅端分别连接输入信号A和,F2的另一端和F1的另一端分别连接输出信号Y和。
2.如权利要求1所述的基于延迟的双轨预充逻辑输入转换器,其特征在于,所述输入信号A和为CMOS逻辑信号。
3.如权利要求1所述的基于延迟的双轨预充逻辑输入转换器,其特征在于,所述输出信号Y和Y为基于延迟的双轨预充逻辑DDPL信号。
4.如权利要求1所述的基于延迟的双轨预充逻辑输入转换器,其特征在于,P1~P3的栅端分别连接时钟信号CLK,P4~P5的栅端分别连接信号CKD。
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