CN102683363B - 固体拍摄装置以及照相机模块 - Google Patents

固体拍摄装置以及照相机模块 Download PDF

Info

Publication number
CN102683363B
CN102683363B CN201210055899.8A CN201210055899A CN102683363B CN 102683363 B CN102683363 B CN 102683363B CN 201210055899 A CN201210055899 A CN 201210055899A CN 102683363 B CN102683363 B CN 102683363B
Authority
CN
China
Prior art keywords
light
pixel cell
color filter
solid
wavelength
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN201210055899.8A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102683363A (zh
Inventor
小笠原隆行
上野梨纱子
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Publication of CN102683363A publication Critical patent/CN102683363A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102683363B publication Critical patent/CN102683363B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B3/00Simple or compound lenses
    • G02B3/0006Arrays
    • G02B3/0037Arrays characterized by the distribution or form of lenses
    • G02B3/0056Arrays characterized by the distribution or form of lenses arranged along two different directions in a plane, e.g. honeycomb arrangement of lenses
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N23/00Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
    • H04N23/10Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof for generating image signals from different wavelengths
    • H04N23/12Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof for generating image signals from different wavelengths with one sensor only
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00Optical elements other than lenses
    • G02B5/20Filters
    • G02B5/201Filters in the form of arrays
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00Optical elements other than lenses
    • G02B5/20Filters
    • G02B5/208Filters for use with infrared or ultraviolet radiation, e.g. for separating visible light from infrared and/or ultraviolet radiation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14601Structural or functional details thereof
    • H01L27/1462Coatings
    • H01L27/14621Colour filter arrangements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14601Structural or functional details thereof
    • H01L27/14625Optical elements or arrangements associated with the device
    • H01L27/14627Microlenses
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N23/00Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N23/00Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
    • H04N23/80Camera processing pipelines; Components thereof
    • H04N23/84Camera processing pipelines; Components thereof for processing colour signals
    • H04N23/843Demosaicing, e.g. interpolating colour pixel values
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/10Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof for transforming different wavelengths into image signals
    • H04N25/11Arrangement of colour filter arrays [CFA]; Filter mosaics
    • H04N25/13Arrangement of colour filter arrays [CFA]; Filter mosaics characterised by the spectral characteristics of the filter elements
    • H04N25/131Arrangement of colour filter arrays [CFA]; Filter mosaics characterised by the spectral characteristics of the filter elements including elements passing infrared wavelengths
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/10Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof for transforming different wavelengths into image signals
    • H04N25/11Arrangement of colour filter arrays [CFA]; Filter mosaics
    • H04N25/13Arrangement of colour filter arrays [CFA]; Filter mosaics characterised by the spectral characteristics of the filter elements
    • H04N25/134Arrangement of colour filter arrays [CFA]; Filter mosaics characterised by the spectral characteristics of the filter elements based on three different wavelength filter elements
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/10Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof for transforming different wavelengths into image signals
    • H04N25/11Arrangement of colour filter arrays [CFA]; Filter mosaics
    • H04N25/13Arrangement of colour filter arrays [CFA]; Filter mosaics characterised by the spectral characteristics of the filter elements
    • H04N25/135Arrangement of colour filter arrays [CFA]; Filter mosaics characterised by the spectral characteristics of the filter elements based on four or more different wavelength filter elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14683Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
    • H01L27/14685Process for coatings or optical elements

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Color Television Image Signal Generators (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Abstract

根据实施方式,固体拍摄装置具有像素阵列以及红外光除去部。像素阵列其多个像素单元配置为阵列状。像素阵列按每个像素单元分担检测各色光的信号等级。红外光除去部从向光电转换元件行进的光中除去红外光。红外光除去部按每个像素单元而设置。红外光除去部被设定与作为像素单元的检测对象的色光相应的选择波长。

Description

固体拍摄装置以及照相机模块
本申请享有2011年3月16日申请的日本专利申请2011-057481以及2011年6月27日申请的日本专利申请2011-141717的优先权的利益,在本申请中引用该日本专利申请的全部内容。
技术领域
本实施方式一般涉及固体拍摄装置以及照相机模块。
背景技术
以往,在照相机模块中,设置有用于使可见光透射而除去红外光的红外光(IR)截止滤光器。通常,图像传感器的像素单元中所使用的光电转换元件的感光度一直到近红外波长区域。照相机模块通过利用IR截止滤光器将近红外光除去,能够抑制色再现性的劣化。
对于在每个像素单元分担检测各色光例如R(红)、G(绿)以及B(蓝)的信号等级的像素阵列,以往,IR截止滤光器的波长特性对于全部像素阵列被设为一定。在将IR截止滤光器的透射波长区域的上限设定为短波长侧时,关于短波长侧的色光,不能除去截止的光减少,能够抑制由不需要吸收成分引起的色再现性的劣化,与此相对,关于长波长侧的色光的感光度下降。在将IR截止滤光器的透射波长区域的上限设定为长波长侧时,关于长波长侧的色光的感光度大幅度增加,与此相对,关于短波长侧的色光,会导致由不需要吸收成分的增加引起的色再现性的劣化。
发明内容
本发明要解决的课题是提供能够抑制色再现性的下降的固体拍摄装置以及照相机模块。
实施方式的固体拍摄装置具有:像素阵列,其中具备光电转换元件的多个像素单元配置为阵列状,按每个所述像素单元分担检测各色光的信号等级;以及红外光除去部,其从向所述光电转换元件行进的光中除去红外光;其中,所述红外光除去部按每个所述像素单元而设置,被设定与作为所述像素单元的检测对象的色光相应的选择波长。
其他的实施方式的照相机模块具有:透镜单元,其获取来自被拍摄体的光,使被拍摄体像成像;以及固体拍摄装置,其对所述被拍摄体像进行拍摄;其中,所述固体拍摄装置具有:像素阵列,其中具备光电转换元件的多个像素单元配置为阵列状,按每个所述像素单元分担检测各色光的信号等级;以及红外光除去部,其从向所述光电转换元件行进的光中除去红外光;所述红外光除去部按每个所述像素单元而设置,被设定与作为所述像素单元的检测对象的色光相应的选择波长。
根据上述结构的固体拍摄装置以及照相机模块,能够抑制色再现性的下降。
附图说明
图1是表示作为第1实施方式的固体拍摄装置的图像传感器的概略结构的示意图。
图2是表示具备图1所示的图像传感器的照相机模块的概略结构的框图。
图3是表示作为具备图2所示的照相机模块的电子设备的数字照相机的结构的框图。
图4是表示DSP的结构的框图。
图5是对滤色器以及IR截止滤光器的分光特性进行说明的图。
图6是表示作为第2实施方式的固体拍摄装置的图像传感器的概略结构的示意图。
图7是光子滤色器的剖面示意图。
图8是对作为第3实施方式的固体拍摄装置的图像传感器中的像素单元的排列进行说明的图。
图9是对拜耳排列进行说明的图。
图10是对各像素单元中的分光特性进行说明的图。
图11是表示在不足色成分的信号值的生成中参照已得色成分的信号值的像素的例子的图。
图12是第4实施方式的照相机模块的立体概略图。
图13是图像传感器的俯视示意图。
图14是对作为第5实施方式的固体拍摄装置的图像传感器中的像素单元的排列进行说明的图。
图15是对各像素单元中的分光特性进行说明的图。
图16是表示在不足色成分的信号值的生成中参照已得色成分的信号值的像素的例子的图。
图17是第5实施方式的变形例的照相机模块的立体概略图。
图18是图像传感器的俯视示意图。
具体实施方式
根据实施方式,固体拍摄装置具有像素阵列以及红外光除去部。像素阵列其多个像素单元配置为阵列状。像素单元具备光电转换元件。像素阵列按每个像素单元分担检测各色光的信号等级。红外光除去部从向光电转换元件行进的光中除去红外光。红外光除去部按每个像素单元而设置。红外光除去部被设定与作为像素单元的检测对象的色光相应的选择波长。
下面参照附图,对实施方式的固体拍摄装置以及照相机模块进行详细说明。另外,本发明并不限定于这些实施方式。
图1是表示作为第1实施方式的固体拍摄装置的图像传感器的概略结构的示意图。图2是表示具备图1所示的图像传感器的照相机模块的概略结构的框图。图3是表示作为具备图2所示的照相机模块的电子设备的数字照相机的结构的框图。
数字照相机1具有照相机模块2、存储部3以及显示部4。照相机模块2对被拍摄体像进行拍摄。存储部3对由照相机模块2拍摄的图像进行存储。显示部4对由照相机模块2拍摄的图像进行显示。显示部4为例如液晶显示器。
照相机模块2通过被拍摄体像的拍摄,向存储部3以及显示部4输出图像信号。存储部3根据用户的操作等,向显示部4输出图像信号。显示部4根据从照相机模块2或者存储部3输入的图像信号,显示图像。
应用了照相机模块2的电子设备也可以是数字照相机1以外的设备,例如带照相机的便携终端等。
照相机模块2具有透镜单元11、图像传感器12、模拟数字转换器(analog to digital converter;ADC)13以及数字信号处理器(digital signalprocessor;DSP)14。透镜单元11获取来自被拍摄体的光,通过图像传感器12对被拍摄体像进行成像。
图像传感器12将由透镜单元11获取的光转换成信号电荷,对被拍摄体像进行拍摄。图像传感器12具有配置成阵列状的多个像素单元21。图1表示一个像素单元21和层叠于该像素单元21的要素的剖面结构。
像素单元21具备光电转换元件23与检测部(图示省略)。光电转换元件23通过形成于半导体基板22的表面的杂质扩散区域的一部分构成。光电转换元件23产生与入射光量相应的电荷。检测部将来自光电转换元件23的信号电荷转换为电压。像素阵列根据预定的色排列例如拜耳排列,排列有各色光用的像素单元21。
在像素单元21之上,隔着保护层28层叠有布线部24、滤色器25、IR截止滤光器26以及微透镜27。布线部24用于来自像素单元21的电荷的传送和/或遮光。
滤色器25以及IR截止滤光器26配置于微透镜27与光电转换元件23之间的光路中。滤色器25与作为像素单元21的检测对象的色光相对应地按每个像素单元21设置。滤色器25选择性地使向光电转换元件23行进的光中作为像素单元21的检测对象的色光透射。
设置于检测R光的像素单元21的滤色器25使R光透射,遮挡G光以及B光。设置于检测G光的像素单元21的滤色器25使G光透射,遮挡R光以及B光。设置于检测B光的像素单元21的滤色器25使B光透射,遮挡R光以及G光。
IR截止滤光器26按每个像素单元21设置。IR截止滤光器26从向光电转换元件23行进的光中除去红外光。微透镜27按每个像素单元21设置。微透镜27将向光电转换元件23行进的光会聚。滤色器25以及IR截止滤光器26也可以设为一体。
图像传感器12以与拜耳排列相对应的顺序获取R、G以及B的信号值,由此生成模拟图像信号。ADC13将来自图像传感器12的图像信号从模拟方式向数字方式转换。DSP14对来自ADC13的数字图像信号实施各种图像处理。
照相机模块2通过在图像传感器12内的微透镜27与光电转换元件23之间的光路中配置IR截止滤光器26,与例如在透镜单元11中设置IR截止滤光器26的情况相比,能够将透镜单元11设为简单的结构。另外,IR截止滤光器26也可以在图像传感器12内相对于微透镜27配置于透镜单元11侧。
图4是表示DSP的结构的框图。DSP14具有去马赛克(demosaic)部31、自动曝光(auto exposure;AE)部32、自动白平衡(auto white balance;AWB)部33、彩色矩阵部34、伽马校正部35以及YUV转换部36。
去马赛克部31通过以拜耳排列的顺序传递过来的数字图像信号的插补处理(去马赛克处理),生成RGB的信号(感光度信号)。AE部32实施RGB的感光度信号的AE调整。AWB部33实施RGB的感光度信号的AWB调整。
彩色矩阵部34对于RGB的感光度信号实施用于得到色再现性的彩色矩阵运算处理(色再现性处理)。伽马校正部35对于RGB的感光度信号实施用于对图像的灰度进行校正的伽马校正。YUV转换部36通过从RGB的感光度信号生成亮度(Y)信号以及色差(UV)信号,将图像信号从RGB形式向YUV形式(例如,YUV422等)转换。
IR截止滤光器26设为例如将折射率互不相同的层周期性层叠而成的光子滤色器。IR截止滤光器26例如使层叠结构中的至少一层的厚度按每种色光不同。IR截止滤光器26根据作为像素单元21的检测对象的色光而在选择性地透射的波长上设有差异。
IR截止滤光器26通过将无机材料例如SiO2和/或TiO2层叠而构成。IR截止滤光器26通过例如溅射、真空蒸镀等真空成膜法而制造。通过使用无机材料,能够形成按每个像素单元21在波长特性上具有差异的IR截止滤光器26。
图5是对滤色器以及IR截止滤光器的分光特性进行说明的图。在图5中,纵轴设为分光透射率,横轴设为波长。说明中的波长都是作为例子而表示的,能够适宜变更。
B光用的滤色器25的分光透射率在450nm附近成为最大。分光透射率随着从450nm附近起波长变长而逐渐下降。分光透射率随着从570nm附近起波长变长而如图中虚线所示那样能够看见稍微的上升。
G光用的滤色器25的分光透射率在540nm附近成为最大。分光透射率随着从540nm附近起波长变长而逐渐下降。分光透射率随着从640nm附近起波长变长而如图中虚线所示那样能够看见稍微的上升。
R光用的滤色器25的分光透射率在630nm附近成为最大。分光透射率随着从630nm附近起波长变长而逐渐下降。分光透射率随着从660nm附近起波长变长而如图中虚线所示那样能够看见稍微的上升。
图像传感器12,由于通过各滤色器25不能除去的光成为不需要吸收成分,与作为原本的检测对象的色光一起获取到像素单元21,所以会产生色再现性的劣化。
IR截止滤光器26具备下述的波长特性:与滤色器25的分光透射率对于作为像素单元21的检测对象的色光成为最大的波长相比,在长波长侧的范围内,遮挡滤色器25的分光透射率随着波长变长而上升的波长区域的光。
与将B光设为检测对象的像素单元21相对应的IR截止滤光器26,其波长特性设定为遮挡与570nm附近相比长波长侧的光。通过将该IR截止滤光器26组合于B光用的滤色器25,在与570nm附近相比长波长侧,如图中实线所示,使分光透射率逐渐衰减。
与将G光设为检测对象的像素单元21相对应的IR截止滤光器26,其波长特性设定为遮挡与640nm附近相比长波长侧的光。通过将该IR截止滤光器26组合于G光用的滤色器25,在与640nm附近相比长波长侧,如图中实线所示,使分光透射率逐渐衰减。
与将R光设为检测对象的像素单元21相对应的IR截止滤光器26,其波长特性设定为遮挡与660nm附近相比长波长侧的光。通过将该IR截止滤光器26组合于R光用的滤色器25,在与660nm附近相比长波长侧,如图中实线所示,使分光透射率逐渐衰减。
这样,IR截止滤光器26被设定与作为像素单元21的检测对象的色光相应的选择波长。通过应用与色光相应地在选择波长上设有差异的IR截止滤光器26,与使用对于图像传感器12整体将波长特性设为一样的现有的滤光器的情况相比,图像传感器12能够有效除去像素单元21中的不需要吸收成分。由此,图像传感器12能够抑制色再现性的劣化。
照相机模块2通过设为能够减少不需要吸收成分,能够减小彩色矩阵部34的彩色矩阵运算的系数。照相机模块2通过减小彩色矩阵运算的系数,能够减小增益,能够得到降低了噪音的图像。
图像传感器12并不限定于对于全部的色光使IR截止滤光器26的选择波长互不相同。图像传感器12只要至少与一种色光相对应的IR截止滤光器26与对应于其他的色光的IR截止滤光器26在选择波长上设有差异即可。
例如,将G光设为检测对象的像素单元21上的IR截止滤光器26与将B光设为检测对象的像素单元21上的IR截止滤光器26也可以将透射波长区域的上限设为共同波长例如620nm附近等。将R光设为检测对象的像素单元21,与将其他的色光设为检测对象的像素单元21相比,有时能够减少不需要吸收成分。因此,将R光设为检测对象的像素单元21上的IR截止滤光器26也可以将透射波长区域的上限设为例如与可见光区域相比长波长侧。
图6是表示作为第2实施方式的固体拍摄装置的图像传感器的概略结构的示意图。本实施方式的图像传感器40应用于照相机模块2(参照图2)。对于与第1实施方式相同的部分付与相同的符号,并省略重复的说明。
图像传感器40具有配置成阵列状的多个像素单元21。图6示出一个像素单元21和层叠于该像素单元21的要素的剖面结构。
图像传感器40具有配置于微透镜27与光电转换元件23之间的光路中的光子滤色器41。光子滤色器41按每个像素单元21与作为像素单元21的检测对象的色光相对应地设置。光子滤色器41选择性地使向光电转换元件23行进的光中作为像素单元21的检测对象的色光透射,并且将红外光除去。
光子滤色器41代替第1实施方式中的滤色器25以及IR截止滤光器26(参照图1)而设置。光子滤色器41兼具滤色器25以及IR截止滤光器26的功能。光子滤色器41相当于将滤色器25以及IR截止滤光器26设为一体而成的部件。另外,光子滤色器41也可以与微透镜27设为一体。
图7是光子滤色器的剖面示意图。光子滤色器41呈将折射率互不相同的层周期性层叠而成的层叠结构。光子滤色器41具备将高折射率层42与低折射率层43两种电介质层交替层叠而成的结构。
光子滤色器41使高折射率层42以及低折射率层43中至少某一个的厚度按每种色光不同。光子滤色器41与作为像素单元21的检测对象的色光相应,在选择性地透射的光的波长上设有差异。
高折射率层42由无机材料例如TiO2构成。低折射率层43由无机材料例如SiO2构成。光子滤色器41通过例如溅射、真空蒸镀等真空成膜法而制造。通过使用无机材料,能够形成按每个像素单元21在波长特性上具有差异的光子滤色器41。
第2实施方式的图像传感器40与第1实施方式同样,通过设为能够有效除去像素单元21中的不需要吸收成分,能够抑制色再现性的劣化。照相机模块2通过在图像传感器40内的微透镜27与光电转换元件23之间的光路中配置光子滤色器41,与例如在透镜单元11中设置IR截止滤光器的情况相比,能够将透镜单元11设为简单的结构。
图像传感器40通过应用兼具滤色器25的功能和IR截止滤光器26的功能的光子滤色器41,能够减少部件个数,能够设为简单的结构。
图8是对作为第3实施方式的固体拍摄装置的图像传感器中的像素单元的排列进行说明的图。本实施方式的图像传感器应用于照相机模块2(参照图2)。
图9是对拜耳排列进行说明的图。在图9所示的拜耳排列中,在2行2列的像素块中的对角配置R用像素以及B用像素,在剩下的对角配置2个G用像素。
如图8所示,第3实施方式的图像传感器呈在构成拜耳排列的2行2列的像素块中将2个G用像素中的一个置换为红外(IR)用像素的结构。本实施方式的图像传感器将4个像素设为1组,除了RGB这3色信息以外还获取红外光的信息。照相机模块2能够进行利用红外光的信息的图像处理。
图像传感器具备检测R光的R用像素单元、检测G光的G用像素单元、检测B光的B用像素单元和检测红外光的IR用像素单元。R用像素单元、G用像素单元、B用像素单元是分担检测作为可见光的RGB的信号等级的可见光用像素单元。在第3实施方式中,可见光用像素单元与例如第1实施方式的各色光用像素单元同样地构成。
IR用像素单元设置有IR透射滤光器而代替各色光用像素单元中的滤色器25以及IR截止滤光器26(参照图1)。IR透射滤光器使红外光透射,遮挡R、G、B各色光。
IR透射滤光器与例如可见光用像素单元的IR截止滤光器26同样,设为光子滤色器。IR透射滤光器呈将无机材料例如SiO2和/或TiO2层叠而成的层叠结构。构成IR透射滤光器的各层构成为具有能够选择性地使红外光透射的厚度。
IR透射滤光器通过例如溅射、真空蒸镀等真空成膜法而制造。另外,在第3实施方式中,可见光用像素单元也可以与第2实施方式的各色光用像素单元同样,设为具备光子滤色器41(参照图6)的结构。
图10是对各像素单元中的分光特性进行说明的图。说明中的波长都是作为例子而表示的,能够适宜变更。对于可见光用像素单元,表示由滤色器25以及IR截止滤光器26的组合产生的分光特性或者由光子滤色器41产生的分光特性。对于IR用像素单元,表示IR透射滤光器的分光特性。
在可见光用像素单元中,滤色器25以及IR截止滤光器26或者光子滤色器41具备遮挡IR透射滤光器要进行透射的波长区域的光的波长特性。
在B用像素单元中,与第1实施方式同样,随着从570nm附近起波长变长,如图中实线所示,使分光透射率逐渐衰减。进而,在B用像素单元中具有能够将与670nm到730nm中的任意一个(例如730nm)相比长波长的光完全截断的特性。
在G用像素单元中,与第1实施方式同样,随着从640nm附近起波长变长,如图中实线所示,使分光透射率逐渐衰减。进而,在G用像素单元中,与B用像素单元同样,具有能够将与670nm到730nm中的任意一个(例如730nm)相比长波长的光完全截断的特性。
在R用像素单元中,与第1实施方式同样,随着从660nm附近起波长变长,如图中实线所示,使分光透射率逐渐衰减。进而,在R用像素单元中,与B用像素单元以及G用像素单元同样,具有能够将与670nm到730nm中的任意一个(例如730nm)相比长波长的光完全截断的特性。
IR用像素单元的IR透射滤光器具有使具有730nm以上的波长的光透射的特性。IR透射滤光器的分光透射率在800nm附近成为最大。
图像传感器在像素阵列内配置IR用像素单元。图像传感器在可见光用像素单元中将在IR用像素单元中设为检测对象的波长的光截断。图像传感器能够通过可见光用像素单元获取作为可见光的各色光的信息,并且通过IR用像素单元获取红外光的信息。
图11是表示在不足色成分的信号值的生成中参照已得色成分的信号值的像素的例子的图。去马赛克部31(参照图4)通过每个像素的已得色成分的信号值的插补处理,生成每个像素的不足色成分的信号值。去马赛克部31对于IR用像素计算作为不足色成分的R、G以及B的各信号值。
去马赛克部31在不足色成分的信号值的生成中,参照例如3行3列的像素块所含的9个像素的信号值。去马赛克部31通过例如下面所示的各式,计算IR用像素中的不足色成分的各信号值。
(R的信号值)=(R1+R2)/2
(G的信号值)=(G1+G2+G3+G4)/4
(B的信号值)=(B1+B2)/2
另外,各式中,“R1”以及“R2”项分别设为像素块所含的2个R用像素所检测出的R成分的信号值。“G1”、“G2”、“G3”以及“G4”项分别设为像素块所含的4个G用像素所检测出的G成分的信号值。“B1”以及“B2”项分别设为像素块所含的2个B用像素所检测出的B成分的信号值。在DSP14(参照图4)中,AE部32实施将可见光成分设为对象的AE调整。AWB部33实施将可见光成分设为对象的AWB调整。
另外,去马赛克部31并不限定于实施由在第3实施方式中说明的方法实现的去马赛克处理的情况,而也可以通过任意的方法实施去马赛克处理。去马赛克处理也可以适宜变更,以提高例如色再现性、信号噪声比(SN比)以及分辨率等。
照相机模块2通过应用第3实施方式的图像传感器,无需另外增加用于红外光的检测的专用的图像传感器,能够与各色光的信息一同得到红外光的信息。照相机模块与通常的拜耳排列的情况相比较,所进行检测的色信息减少将一部分G用像素置换为IR像素的量,但反之能够增加使用红外光的信息的功能。
照相机模块2通过使用例如红外光的亮度信息,能够进行低照度环境下的高感光度的图像拍摄。照相机模块2也可以将第3实施方式的图像传感器与红外光源组合,构成所谓的姿势识别系统。姿势识别系统通过检测由物体反射的红外光而识别物体的移动。
第3实施方式的图像传感器对于可见光用像素单元,与第1实施方式同样能够有效除去不需要吸收成分,由此能够抑制色再现性的劣化。
图12是第4实施方式的照相机模块的立体概略图。本实施方式的照相机模块50应用于数字照相机1(参照图3)等电子设备。
照相机模块50具有图像传感器51与4个拍摄透镜53。各拍摄透镜53构成2行2列的小透镜(lenslet)。各拍摄透镜53构成从被拍摄体获取光的透镜单元。
图13是图像传感器的俯视示意图。图像传感器51具有R用像素阵列52R、B用像素阵列52B、G用像素阵列52G以及IR用像素阵列52IR。另外,各像素阵列52R、52B、52G以及52IR仅图示受光面,省略了其他结构的图示。
R用像素阵列52R、B用像素阵列52B以及G用像素阵列52G是每种色光的像素阵列。R用像素阵列52R、B用像素阵列52B以及G用像素阵列52G是按每种色成分配置有可见光用像素单元的各色用像素阵列。IR用像素阵列52IR是配置有红外光用像素单元的像素阵列。
R用像素阵列52R的R用像素单元配置成阵列状。B用像素阵列52B的B用像素单元配置成阵列状。G用像素阵列52G的G用像素单元配置成阵列状。IR用像素阵列52IR将IR用像素单元配置成阵列状。作为可见光用像素单元的R用像素单元、G用像素单元以及B用像素单元与第3实施方式的各色光用像素单元同样地构成。IR用像素单元与第3实施方式的IR用像素单元同样地构成。
在图像传感器51中,R用像素阵列52R、B用像素阵列52B、G用像素阵列52G以及IR用像素阵列52IR形成2行2列的矩阵。拍摄透镜53分别与R用像素阵列52R、B用像素阵列52B、G用像素阵列52G以及IR用像素阵列52IR的各个相对应地设置。
照相机模块50根据通过各色用像素阵列52R、52B以及52G获取的各信号值,能够不经过去马赛克处理而合成包含RGB各色成分的彩色图像。照相机模块50在彩色图像的合成后,与第1实施方式同样,实施彩色矩阵运算处理、白平衡调整以及伽马校正。另外,照相机模块50能够通过IR用像素阵列52IR得到红外光的信息。
照相机模块50通过应用第4实施方式的图像传感器51,与第3实施方式同样,无需另外增加用于红外光的检测的专用的图像传感器,能够与各色光的信息一同得到红外光的信息。第4实施方式的图像传感器51对于可见光用像素单元,与第1实施方式同样能够有效除去不需要吸收成分,由此能够抑制色再现性的劣化。
图像传感器51通过设置每种色成分的像素阵列和与红外成分有关的像素阵列,能够避免由各色成分以及红外成分的光的泄漏引起的像素单元间的串扰。图像传感器51通过串扰的抑制,能够大幅度提高色再现性和/或感光度。另外,图像传感器51能够使用根据作为检测对象的光的波长区域而将设计最优化的拍摄透镜53,由此能够大幅度减轻轴向色象差。
图14是对作为第5实施方式的固体拍摄装置的图像传感器中的像素单元的排列进行说明的图。本实施方式的图像传感器应用于照相机模块2(参照图2)。
第5实施方式的图像传感器形成下述结构:将构成拜耳排列的2行2列的像素块中2个G用像素中的一个置换为紫外(UV)用像素。本实施方式的图像传感器将4个像素设为1组,除了RGB这3色信息以外还获取紫外光的信息。照相机模块2能够进行利用紫外光的信息的图像处理。
图像传感器具备检测R光的R用像素单元、检测G光的G用像素单元、检测B光的B用像素单元和检测紫外光的UV用像素单元。R用像素单元、G用像素单元、B用像素单元是分担检测作为可见光的RGB的信号等级的可见光用像素单元。在第5实施方式中,可见光用像素单元与例如第1实施方式的各色光用像素单元同样地构成。
UV用像素单元设置有UV透射滤光器而代替各色光用像素单元中的滤色器25以及IR截止滤光器26(参照图1)。UV透射滤光器使紫外光透射,遮挡R、G、B各色光。
UV透射滤光器设为例如光子滤色器。UV透射滤光器呈将无机材料例如SiO2和/或TiO2层叠而成的层叠结构。构成UV透射滤光器的各层构成为具有能够选择性地使紫外光透射的厚度。
UV透射滤光器通过例如溅射、真空蒸镀等真空成膜法而制造。另外,在第5实施方式中,可见光用像素单元也可以与第2实施方式的各色光用像素单元同样,设为具备光子滤色器41(参照图6)的结构。
图15是对各像素单元中的分光特性进行说明的图。说明中的波长都是作为例子而表示的,能够适宜变更。对于可见光用像素单元,表示由滤色器25以及IR截止滤光器26的组合产生的分光特性或者由光子滤色器41产生的分光特性。对于UV用像素单元,表示UV透射滤光器的分光特性。
在可见光用像素单元中,滤色器25以及IR截止滤光器26或者光子滤色器41具备遮挡UV透射滤光器要进行透射的波长区域的光的波长特性。
在B用像素单元中,与第1实施方式同样,随着从570nm附近起波长变长,使分光透射率逐渐衰减。进而,在B用像素单元中,随着从430nm附近起波长变短,如图中实线所示,使分光透射率逐渐衰减。另外,图中,连续表示与B有关的分光特性的虚线是表示以往所知的B光用的滤色器的分光特性的例子的线。
在G用像素单元中,与第1实施方式同样,随着从640nm附近起波长变长,使分光透射率逐渐衰减。进而,在G用像素单元中,随着从430nm附近起波长变短,如图中实线所示,使分光透射率逐渐衰减。另外,图中,连续表示与G有关的分光特性的虚线是表示以往所知的G光用的滤色器的分光特性的例子的线。
在R用像素单元中,与第1实施方式同样,随着从660nm附近起波长变长,使分光透射率逐渐衰减。进而,在R用像素单元中,随着从510nm附近起波长变短,如图中实线所示,使分光透射率逐渐衰减。另外,图中,连续表示与R有关的分光特性的虚线是表示以往所知的R光用的滤色器的分光特性的例子的线。
UV用像素单元的UV透射滤光器具有使具有510nm以下的波长的光透射的特性。UV透射滤光器的分光透射率在400nm附近成为最大。
图像传感器在像素阵列内配置UV用像素单元。图像传感器在可见光用像素单元中将在UV用像素单元中设为检测对象的波长的光截断。图像传感器NG通过可见光用像素单元获取作为可见光的各色光的信息,并且通过UV用像素单元获取紫外光的信息。
图16是表示在不足色成分的信号值的生成中参照已得色成分的信号值的像素的例子的图。去马赛克部31(参照图4)通过每个像素的已得色成分的信号值的插补处理,生成每个像素的不足色成分的信号值。去马赛克部31对于UV用像素计算作为不足色成分的R、G以及B的各信号值。
去马赛克部31在不足色成分的信号值的生成中,参照例如3行3列的像素块所含的9个像素的信号值。去马赛克部31通过例如下面所示的各式,计算UV用像素中的不足色成分的各信号值。
(R的信号值)=(R1+R2)/2
(G的信号值)=(G1+G2+G3+G4)/4
(B的信号值)=(B1+B2)/2
另外,各式中,“R1”以及“R2”项分别设为像素块所含的2个R用像素所检测出的R成分的信号值。“G1”、“G2”、“G3”以及“G4”项分别设为像素块所含的4个G用像素所检测出的G成分的信号值。“B1”以及“B2”项分别设为像素块所含的2个B用像素所检测出的B成分的信号值。在DSP14(参照图4)中,AE部32实施将可见光成分设为对象的AE调整。AWB部33实施将可见光成分设为对象的AWB调整。
另外,去马赛克部31并不限定于实施由在第5实施方式中说明的方法实现的去马赛克处理的情况,而也可以通过任意的方法实施去马赛克处理。去马赛克处理也可以适宜变更,以提高例如色再现性、SN比以及分辨率等。
照相机模块2通过应用第5实施方式的图像传感器,无需另外增加用于紫外光的检测的专用的图像传感器,能够与各色光的信息一同得到紫外光的信息。照相机模块2与应用通常的拜耳排列的情况相比较,所进行检测的色信息减少将一部分G用像素置换为UV像素的量,但反之能够增加使用紫外光的信息的功能。
照相机模块2为了得到例如较宽泛的景深,也可以在接近距离的被拍摄体的拍摄中利用紫外光的信息。以往,为了得到较宽泛的景深,有时使用EDoF(extended depth field,扩展景深)用的固定焦点透镜。越是长波长的成分,调制传递函数(modulation transfer function;MTF)的峰值越位于远距离侧。在接近距离,在RGB各色光中R光距MTF的峰值较远,所以R成分容易产生模糊。另外,在从远距离到无限远,在RGB各色光中B光距MTF的峰值较远,所以B成分容易产生模糊。
EDoF固定焦点照相机通过确保较宽泛的景深,与自动对焦照相机相比MTF的峰值较低。EDoF固定焦点照相机按MTF的峰值低的量相对强地实施轮廓强调。接近距离下的R成分的模糊和/或从远距离到无限远下的B成分的模糊会因轮廓强调而增强,可能成为使画质劣化的主要原因。
照相机模块2通过在接近摄影时使用紫外光的信息,能够消除对于RGB各色光在MTF的峰值上设置较大差异的必要。由此,照相机模块2通过确保较宽泛的景深,能够进行条形码读取和/或字符识别等接近拍摄和通常的拍摄,并且能够抑制画质的劣化。
第5实施方式的图像传感器对于可见光用像素单元,与第1实施方式同样能够有效除去不需要吸收成分,由此能够抑制色再现性的劣化。
图17是第5实施方式的变形例的照相机模块的立体概略图。本实施方式的照相机模块60应用于数字照相机1(参照图3)等电子设备。
照相机模块60具有图像传感器61和4个拍摄透镜53。对于与第4实施方式相同的部分付与相同的符号,并省略重复的说明。
图18是图像传感器的俯视示意图。图像传感器61具有R用像素阵列52R、B用像素阵列52B、G用像素阵列52G以及IR用像素阵列62UV。另外,各像素阵列52R、52B、52G以及62UV仅图示受光面,省略了其他结构的图示。
UV用像素阵列62UV是配置有紫外光用像素单元的像素阵列。UV用像素阵列62UV的UV用像素单元配置成阵列状。
在图像传感器61中,R用像素阵列52R、B用像素阵列52B、G用像素阵列52G以及UV用像素阵列62UV形成2行2列的矩阵。拍摄透镜53分别与R用像素阵列52R、B用像素阵列52B、G用像素阵列52G以及UV用像素阵列62UV的各个相对应地设置。照相机模块60能够通过UV用像素阵列62UV得到紫外光的信息。
在本变形例的情况下,照相机模块60也能够确保较宽泛的景深,抑制画质劣化。图像传感器61与第4实施方式同样,通过串扰的抑制,能够提高色再现性、提高感光度,并且能够减轻轴向色象差。
对于本发明的几个实施方式进行了说明,但这些实施方式是作为例子而提示的,并不意图限定发明的范围。这些新的实施方式能够以其他的各种形态实施,在不脱离本发明的主旨的范围内,能够进行各种省略、置换、变更。这些实施方式和/或其变形包含于发明的范围和/或主旨,并且包含于权利要求所记载的发明及其均等的范围。

Claims (7)

1.一种固体拍摄装置,具有:
像素阵列,其中具备光电转换元件的多个像素单元配置为阵列状,按每个所述像素单元分担检测各色光的信号等级;
滤色器,其按每个所述像素单元与作为所述像素单元的检测对象的色光相对应地设置,选择性地使向所述光电转换元件行进的光中作为所述检测对象的色光透射;以及
红外光除去部,其按每个所述像素单元而设置,从向所述光电转换元件行进的光中除去红外光;
所述红外光除去部,根据作为所述像素单元的检测对象的色光选择性地使其透射,具备下述波长特性:与所述滤色器的分光透射率对于作为所述检测对象的色光成为最大的波长相比,在长波长侧的范围内,遮挡所述滤色器的分光透射率随着波长变长而上升的波长区域的光。
2.如权利要求1所述的固体拍摄装置,其中:
所述红外光除去部与所述滤色器形成为一体。
3.如权利要求2所述的固体拍摄装置,具有:
将所述红外光除去部以及所述滤色器设为一体而成的光子滤色器。
4.如权利要求1所述的固体拍摄装置,具有:
将向所述光电转换元件行进的光会聚的微透镜;
其中,所述红外光除去部配置于所述微透镜与所述光电转换元件之间的光路中。
5.如权利要求1所述的固体拍摄装置,其中:
所述红外光除去部使用无机材料构成。
6.如权利要求3所述的固体拍摄装置,其中:
所述光子滤色器使用无机材料构成。
7.如权利要求1所述的固体拍摄装置,其中:
所述像素阵列按照色排列而排列有各色光用的所述像素单元。
CN201210055899.8A 2011-03-16 2012-03-05 固体拍摄装置以及照相机模块 Expired - Fee Related CN102683363B (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP057481/2011 2011-03-16
JP2011057481 2011-03-16
JP141717/2011 2011-06-27
JP2011141717A JP5713816B2 (ja) 2011-03-16 2011-06-27 固体撮像装置及びカメラモジュール

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102683363A CN102683363A (zh) 2012-09-19
CN102683363B true CN102683363B (zh) 2015-03-25

Family

ID=46815043

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201210055899.8A Expired - Fee Related CN102683363B (zh) 2011-03-16 2012-03-05 固体拍摄装置以及照相机模块

Country Status (5)

Country Link
US (1) US8896744B2 (zh)
JP (1) JP5713816B2 (zh)
KR (1) KR101353778B1 (zh)
CN (1) CN102683363B (zh)
TW (1) TWI460520B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107994014A (zh) * 2016-10-25 2018-05-04 奇景光电股份有限公司 影像感测器

Families Citing this family (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8829505B2 (en) * 2012-07-10 2014-09-09 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Organic light-emitting diode structure and display device thereof
DE102013112023A1 (de) * 2012-11-02 2014-05-08 Maxim Integrated Products, Inc. System und Verfahren zum Reduzieren der Umgebungslichtempfindlichkeit von Infrarotdetektoren (IR-Detektoren)
US10197716B2 (en) 2012-12-19 2019-02-05 Viavi Solutions Inc. Metal-dielectric optical filter, sensor device, and fabrication method
JP2018125862A (ja) * 2012-12-20 2018-08-09 キヤノン株式会社 光電変換装置および光電変換装置を有する撮像装置
US9692992B2 (en) 2013-07-01 2017-06-27 Omnivision Technologies, Inc. Color and infrared filter array patterns to reduce color aliasing
US9667933B2 (en) * 2013-07-01 2017-05-30 Omnivision Technologies, Inc. Color and infrared filter array patterns to reduce color aliasing
JP2015026708A (ja) 2013-07-26 2015-02-05 株式会社東芝 固体撮像装置および固体撮像装置の製造方法
WO2015025497A1 (ja) 2013-08-23 2015-02-26 パナソニックIpマネジメント株式会社 測距システム及び信号発生装置
TWI484236B (zh) 2013-09-09 2015-05-11 Himax Imaging Ltd 影像感測器
CN104735427B (zh) * 2013-12-24 2016-07-06 浙江大华技术股份有限公司 一种图像传感器
US10113903B1 (en) * 2014-09-02 2018-10-30 Amazon Technologies, Inc. Ambient light sensor calibration
US9666620B2 (en) * 2014-10-06 2017-05-30 Visera Technologies Company Limited Stacked filter and image sensor containing the same
TW201628179A (zh) * 2015-01-21 2016-08-01 Jsr 股份有限公司 固體攝像裝置及紅外線吸收性組成物
TWI675907B (zh) * 2015-01-21 2019-11-01 日商Jsr股份有限公司 固體攝像裝置
US9699394B2 (en) * 2015-03-09 2017-07-04 Microsoft Technology Licensing, Llc Filter arrangement for image sensor
CN106158885A (zh) * 2015-03-27 2016-11-23 联华电子股份有限公司 光检测装置及其制造方法
US9635325B2 (en) * 2015-05-29 2017-04-25 Semiconductor Components Industries, Llc Systems and methods for detecting ultraviolet light using image sensors
EP3113478A1 (en) * 2015-06-30 2017-01-04 Thomson Licensing Plenoptic foveated camera
CN105047674B (zh) * 2015-08-06 2018-09-04 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制备方法和显示装置
US9911023B2 (en) * 2015-08-17 2018-03-06 Hand Held Products, Inc. Indicia reader having a filtered multifunction image sensor
US9762878B2 (en) 2015-10-16 2017-09-12 Google Inc. Auto white balance using infrared and/or ultraviolet signals
WO2018025545A1 (ja) 2016-08-05 2018-02-08 パナソニックIpマネジメント株式会社 撮像装置
KR101868110B1 (ko) * 2016-11-07 2018-07-23 을지대학교 산학협력단 소형카메라 통합모듈의 불량 검출 장치
WO2018101187A1 (ja) * 2016-11-29 2018-06-07 パナソニックIpマネジメント株式会社 距離測定装置
CN110741288A (zh) * 2017-06-30 2020-01-31 Jsr株式会社 固体摄像装置
CN111712921A (zh) * 2017-12-12 2020-09-25 拉芳德利责任有限公司 用于可见光和紫外光检测的半导体光学传感器及其对应的制造过程
KR20200141444A (ko) 2018-04-11 2020-12-18 소니 세미컨덕터 솔루션즈 가부시키가이샤 촬상 소자 및 촬상 소자의 제조 방법
CN111629121B (zh) * 2019-02-27 2022-05-24 瑞昱半导体股份有限公司 影像调整方法以及相关的影像处理电路
JP6847996B2 (ja) * 2019-04-02 2021-03-24 ヴァイアヴィ・ソリューションズ・インコーポレイテッドViavi Solutions Inc. 金属誘電体光学フィルター、センサーデバイス、および製造方法
WO2020220235A1 (zh) * 2019-04-30 2020-11-05 深圳市汇顶科技股份有限公司 像素阵列排布方法、像素阵列、图像传感器和终端
CN112331682A (zh) * 2020-11-02 2021-02-05 天津津航技术物理研究所 一体式生长的马赛克式图像传感器结构和制备方法
WO2023002617A1 (ja) * 2021-07-21 2023-01-26 東京電力ホールディングス株式会社 半導体装置
TWI779812B (zh) * 2021-09-02 2022-10-01 晶瑞光電股份有限公司 Uv、r、g、b、ir之其中任意組合濾光結構及製作方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101539651A (zh) * 2008-03-21 2009-09-23 富港电子(东莞)有限公司 照相模组及其制造方法
JP2010256633A (ja) * 2009-04-24 2010-11-11 Panasonic Corp 固体撮像素子

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4287320B2 (ja) * 2003-04-07 2009-07-01 パナソニック株式会社 固体撮像装置、信号処理装置、カメラ及び分光装置
JP4644423B2 (ja) * 2003-09-30 2011-03-02 富士フイルム株式会社 カラー固体撮像素子及びこのカラー固体撮像素子を用いた固体撮像装置並びにデジタルカメラ
WO2005046248A1 (ja) * 2003-11-11 2005-05-19 Olympus Corporation マルチスペクトル画像撮影装置
WO2005101853A1 (ja) * 2004-04-05 2005-10-27 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha 撮像装置
JP4586431B2 (ja) 2004-06-16 2010-11-24 カシオ計算機株式会社 撮像装置及び撮像方法
KR20060077089A (ko) * 2004-12-30 2006-07-05 매그나칩 반도체 유한회사 포토닉 크리스탈을 이용한 칼라필터 및 그를 포함한씨모스 이미지센서
JP4984634B2 (ja) * 2005-07-21 2012-07-25 ソニー株式会社 物理情報取得方法および物理情報取得装置
JP4466569B2 (ja) * 2006-01-10 2010-05-26 株式会社豊田中央研究所 カラー画像再生装置
KR100871564B1 (ko) * 2006-06-19 2008-12-02 삼성전기주식회사 카메라 모듈
JP4341695B2 (ja) 2007-05-17 2009-10-07 ソニー株式会社 画像入力処理装置、撮像信号処理回路、および、撮像信号のノイズ低減方法
JP2008306379A (ja) 2007-06-06 2008-12-18 Toshiba Corp 固体撮像素子
JP2009089158A (ja) 2007-10-01 2009-04-23 Panasonic Corp 撮像装置
JP5374916B2 (ja) * 2008-04-23 2013-12-25 ソニー株式会社 固体撮像素子及びその製造方法、カメラ
US8395686B2 (en) * 2007-12-06 2013-03-12 Sony Corporation Solid-state imaging device, method of manufacturing the same, and camera
KR101475464B1 (ko) * 2008-05-09 2014-12-22 삼성전자 주식회사 적층형 이미지 센서
JP2010161636A (ja) 2009-01-08 2010-07-22 Toyota Central R&D Labs Inc 撮影装置用フィルタ及び撮影画像処理装置
JP5572954B2 (ja) 2009-01-26 2014-08-20 株式会社リコー 撮像素子及び該撮像素子を備えた画像撮像装置
JP2010206678A (ja) 2009-03-05 2010-09-16 Panasonic Corp 固体撮像装置、撮像モジュール、及び撮像システム
JP2010212306A (ja) * 2009-03-06 2010-09-24 Panasonic Corp 固体撮像装置
JP2010258779A (ja) 2009-04-24 2010-11-11 Kyocera Corp 撮像装置および撮像方法
JP2011029810A (ja) * 2009-07-23 2011-02-10 Sony Ericsson Mobile Communications Ab 撮像装置、撮像方法、撮像制御プログラム、及び携帯端末装置
US9464934B2 (en) * 2011-01-11 2016-10-11 Chemimage Technologies Llc System and method for correcting spectral response using a radiometric correction filter
US9143704B2 (en) * 2012-01-20 2015-09-22 Htc Corporation Image capturing device and method thereof

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101539651A (zh) * 2008-03-21 2009-09-23 富港电子(东莞)有限公司 照相模组及其制造方法
JP2010256633A (ja) * 2009-04-24 2010-11-11 Panasonic Corp 固体撮像素子

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107994014A (zh) * 2016-10-25 2018-05-04 奇景光电股份有限公司 影像感测器
CN107994014B (zh) * 2016-10-25 2020-06-30 奇景光电股份有限公司 影像感测器

Also Published As

Publication number Publication date
TWI460520B (zh) 2014-11-11
CN102683363A (zh) 2012-09-19
US8896744B2 (en) 2014-11-25
KR101353778B1 (ko) 2014-01-21
JP2012209913A (ja) 2012-10-25
TW201300926A (zh) 2013-01-01
JP5713816B2 (ja) 2015-05-07
KR20120106560A (ko) 2012-09-26
US20120236190A1 (en) 2012-09-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102683363B (zh) 固体拍摄装置以及照相机模块
TWI519161B (zh) 影像感測器及影像感測程序
KR101244147B1 (ko) 물리 정보 취득 방법, 물리 정보 취득 장치 및 반도체 장치
JP5106256B2 (ja) 撮像装置
EP2279612B1 (en) Camera sensor correction
US8035708B2 (en) Solid-state imaging device with an organic photoelectric conversion film and imaging apparatus
US8102459B2 (en) Image pickup apparatus
US8106994B2 (en) Image pickup apparatus having a microlens array
US20070291982A1 (en) Camera module
US8405748B2 (en) CMOS image sensor with improved photodiode area allocation
US8339489B2 (en) Image photographing apparatus, method and medium with stack-type image sensor, complementary color filter, and white filter
US20100123070A1 (en) Solid-state image capture device and image capture apparatus
KR20160034255A (ko) 고체 화상 센서 및 그 제조 방법, 및 전자 장치
JP4867448B2 (ja) 物理情報取得方法および物理情報取得装置
CN106469740A (zh) 红外图像传感器
TWI567963B (zh) 在彩色濾波器陣列上之光學隔離柵格
CN210143059U (zh) 图像传感器集成电路、图像传感器以及成像系统
US20220336508A1 (en) Image sensor, camera assembly and mobile terminal
US20200105818A1 (en) Image-capturing device and image sensor
US20100165156A1 (en) Image capture device comprising focusing adjustment means
CN103443921A (zh) 背照式固态图像感测元件及其制造方法和成像装置
US20140285691A1 (en) Solid state imaging device
JP2011243785A (ja) 固体撮像素子
JP2011216730A (ja) 固体撮像素子及びその製造方法並びに撮像装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20150325

Termination date: 20170305

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee