CN102656510A - 液晶显示装置 - Google Patents

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Abstract

提供一种液晶显示装置，在第1基板和第2基板的各密封构件的形成区域中分别形成有用于通过导电材料相互电连接的电极部。在第1基板和第2基板中的至少一方形成有对固化前的取向膜材料的流动进行限制的限制结构部，该限制结构部被至少配置于电极部和像素区域之间，以使电极部的至少一部分从取向膜露出。

Description

液晶显示装置
技术领域
本发明涉及液晶显示装置，特别是涉及取向膜的涂敷区域的控制。
背景技术
液晶显示装置一般具有在一对基板之间封入有液晶层的结构。一对基板中的一方是形成有多个栅极配线、多个源极配线、多个像素电极和多个TFT等的TFT基板。一对基板中的另一方是形成有多个像素电极共用的共用电极的相对基板。液晶层被框状的密封构件包围密封于TFT基板和相对基板之间。
在TFT基板和相对基板中，在液晶层侧的表面设置有对该液晶层中的液晶分子的取向进行限制的取向膜。取向膜包括例如聚酰亚胺等的树脂膜，对其表面进行了摩擦处理、光取向处理。
取向膜是通过在TFT基板和相对基板的表面上涂敷液状的聚酰亚胺，然后烧制使其固化而形成的。聚酰亚胺可以通过例如柔版印刷法、喷墨印刷法等进行涂敷。
在此，在利用了上述喷墨法的取向膜的形成工序中，需要相对降低该取向膜材料的粘性，以使向基板喷出并命中的聚酰亚胺等取向膜材料在基板表面上充分扩展。然而，低粘性的取向膜材料在基板表面上会容易地扩展，因此容易扩展至本来不需要密封构件的形成区域。
对此，在专利文献1和2中提出了在TFT基板的密封构件形成区域和进行显示的像素区域之间形成槽结构，在该槽内汇集取向膜材料，由此防止过剩的取向膜材料的扩展。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：特开2004-361623号公报
专利文献2：特开2007-322627号公报
发明内容
发明要解决的问题
但是，在如上述专利文献1和2所述形成用于汇集取向膜材料的槽结构的构成中，为确保汇集取向膜材料的容积，需要相对较宽地设置槽结构的形成区域。其结果是，从像素区域到密封构件形成区域的距离变长，因此难以缩小形成于像素区域的周围的边框状的非显示区域的宽度。
另一方面，也已知：在密封构件形成区域中形成多个电极部，使上述电极部通过分散混入于密封构件的导电性颗粒来与相对基板的共用电极导通。
在此，参照作为放大俯视图的图9和作为放大截面图的图10说明本发明要解决的问题和作为相关技术的液晶显示装置的密封形成区域的构成。
如图10所示，液晶显示装置100具有相互相对的TFT基板101和相对基板102。在TFT基板101的密封形成区域中形成有第1电极103和覆盖它的层间绝缘膜104。在层间绝缘膜104中，在与第1电极103的一部分重叠的位置贯通形成有开口部105。如图9所示，开口部105从基板法线方向看形成为矩形。
并且，在TFT基板101上以直接覆盖层间绝缘膜104的表面、开口部105的内壁面以及露出于开口部105内的第1电极103的方式形成有第2电极106。由此，第2电极106与第1电极103电连接。上述第2电极106包含例如ITO(Indium Tin Oxide：铟锡氧化物)等的透明导电膜。另外，在TFT基板101上不设置如上述专利文献1和2那样的槽结构。
在上述层间绝缘膜104上以覆盖第2电极106的方式形成有取向膜107。具有低粘性的取向膜材料在图9中从下侧的像素区域(未图示)在同图中向上侧扩展的结果是，取向膜107覆盖第2电极106且形成于开口部105的周围整体。
另一方面，在相对基板102上，在TFT基板101侧形成有包含ITO等的共用电极108。共用电极108的一部分与第2电极106相对。分散有多个导电性颗粒109的密封构件110介于相对基板102和TFT基板101之间。导电性颗粒109与共用电极108导通。
但是，如上所述，作为绝缘膜的取向膜107扩展至密封形成区域并覆盖着第2电极106，因此取向膜107介于第2电极106和导电性颗粒109之间的结果是，存在会阻碍通过导电性颗粒109的第2电极106和共用电极108的导通的问题。
本发明是鉴于上述问题而完成的，其目的在于，尽可能地缩小液晶显示装置的非显示区域并要确保一对基板间的电连接。
用于解决问题的方案
为达成上述目的，本发明以如下液晶显示装置为对象，上述液晶显示装置具备：第1基板；第2基板，其与上述第1基板相对配置：液晶层，其设置于上述第1基板和第2基板之间；以及密封构件，其设置于上述第1基板和第2基板之间，包围密封上述液晶层。
并且，上述第1基板和第2基板分别具有作为显示区域的像素区域和作为非显示区域的边框区域，上述非显示区域是该像素区域的外侧周围的区域，其包含上述密封构件的形成区域，在上述第1基板和第2基板的上述液晶层侧，以从上述像素区域向上述密封构件的形成区域侧扩展的方式形成有通过具有流动性的取向膜材料的固化而形成的取向膜，在上述第1基板和上述第2基板的各密封构件的形成区域中分别形成有用于通过导电材料相互电连接的电极部，在上述第1基板和上述第2基板中的至少一方形成有对固化前的上述取向膜材料的流动进行限制的限制结构部，上述限制结构部至少配置于上述电极部和上述像素区域之间，以使上述电极部的至少一部分从上述取向膜露出。
-作用-
接着，对本发明的作用进行说明。
在制造液晶显示装置的情况下，固化前的取向膜材料以从像素区域向密封构件的形成区域侧扩展的方式形成。并且，通过限制结构部对到达密封构件形成区域的取向膜材料的流动进行限制的结果是，电极部的至少一部分不被取向膜覆盖而露出。因此，上述电极部的一部分和导电材料因它们之间不隔着取向膜而相互电连接。
并且，即使不在像素区域和密封构件形成区域之间设置用于汇集取向膜材料的槽结构等，第1基板的电极部和第2基板的电极部也能够通过导电材料进行电连接，因此能使边框区域大幅变窄并确保上述第1基板与第2基板的电连接。
发明效果
根据本发明，即使不在像素区域和密封构件形成区域之间设置用于汇集取向膜材料的槽结构等，第1基板的电极部和第2基板的电极部也能够通过导电材料进行电连接，因此能够使边框区域大幅变窄并确保上述第1基板和第2基板的电连接。
附图说明
图1是示出本实施方式1的TFT基板的概略构成的俯视图。
图2是放大示出本实施方式1的TFT基板的焊盘附近的俯视图。
图3是示出流向本实施方式1的TFT基板的焊盘的取向膜材料的俯视图。
图4是放大示出本实施方式1的液晶显示装置的截面构成的截面图。
图5是放大示出本实施方式2的相对基板中的与焊盘相对的区域的俯视图。
图6是放大示出本实施方式2的液晶显示装置的截面构成的截面图。
图7是示出其它实施方式中的TFT基板的焊盘附近的与图2相当的俯视图。
图8是示出其它实施方式中的TFT基板的焊盘附近的与图2相当的俯视图。
图9是放大示出作为相关技术的液晶显示装置的密封形成区域的俯视图。
图10是放大示出作为相关技术的液晶显示装置的密封形成区域的截面图。
具体实施方式
下面根据附图对本发明的实施方式详细地进行说明。此外，本发明不限于下面的实施方式。
发明的实施方式1
图1～图4示出本发明的实施方式1。
图1是示出本实施方式1的TFT基板的概略构成的俯视图。图2是放大示出本实施方式1的TFT基板的焊盘附近的俯视图。图3是示出流向本实施方式1的TFT基板的焊盘的取向膜材料的俯视图。图4是放大示出本实施方式1的液晶显示装置的截面构成的截面图。
如图1和图4所示，液晶显示装置1具有作为第1基板的TFT基板11、作为与TFT基板11相对配置的第2基板的相对基板12以及设置于TFT基板11和相对基板12之间的液晶层13。
另外，液晶显示装置1具有设置于TFT基板11和相对基板12之间并包围密封液晶层13的密封构件14。如图1所示，密封构件14形成为大致矩形框状，含有例如环氧树脂等紫外线热两用固化型树脂，并且分散混入有作为导电材料的多个导电性颗粒29和玻璃纤维30。导电性颗粒29的外径是5μm左右，玻璃纤维30的直径是4μm左右。另外，密封构件14的线宽是例如0.5mm左右。
另外，在图2和图3等中，为便于说明而仅图示1个导电性颗粒29，省略其它多个导电性颗粒的图示。
TFT基板11和相对基板12分别具有作为显示区域的像素区域31和作为非显示区域的边框区域32，上述非显示区域是像素区域31的外侧周围的区域。在边框区域32中含有与像素区域31隔着规定的间隔设置的密封构件形成区域34(密封构件14的形成区域)。
另外，在TFT基板11和相对基板12的液晶层13侧，具有流动性的取向膜材料24固化从而形成的取向膜23以从像素区域31向密封构件14的形成区域侧扩展的方式形成。
取向膜23包括聚酰亚胺等树脂材料，用于限制液晶层13的液晶分子的初始取向。取向膜材料24是通过对聚酰亚胺等添加溶剂使其粘性降低而成的。在取向膜材料24中可以应用例如JSR株式会社制造的粘度是6.5m Pa·s的垂直取向膜材料。
(相对基板)
如图4所示，相对基板12具有作为支撑基板的玻璃基板22。在玻璃基板22的TFT基板11侧以100nm左右的厚度形成有作为包括ITO等的透明导电膜的电极部的共用电极26。共用电极26的厚度是100nm左右。
(TFT基板)
在TFT基板11的像素区域31中将多个像素(未图示)配置为矩阵状。在各像素中分别形成有包括ITO(Indium Tin Oxide：铟锡氧化物)等的透明导电膜的像素电极(未图示)。另外，在各像素中形成有作为与上述像素电极连接的开关元件的TFT(Thin-FilmTransistor：薄膜晶体管，未图示)。而且，在TFT基板11上形成有与上述TFT连接的栅极配线(未图示)和源极配线(未图示)等。
另外，如图4所示，TFT基板11具有作为支撑基板的玻璃基板21，在该玻璃基板21的相对基板12侧表面上形成有多个栅极配线和下部电极40。下部电极40以规定的间隔配置于密封构件形成区域34，由与栅极配线相同的材料形成。即，下部电极40包括例如厚度为100nm的Ti膜、层叠于其表面的厚度为300nm的Al膜以及进一步层叠于其表面的厚度为50nm的Ti膜。
另外，如图1所示，在玻璃基板21的边框区域32中形成有包含与上述栅极配线相同的材料的多个引出配线17。引出配线17的一部分与上述下部电极40连接。引出配线17的线宽是10μm左右。
如图4所示，在玻璃基板21的表面形成有覆盖上述栅极配线和下部电极40的栅极绝缘膜41。栅极绝缘膜41包括例如SiO2等的氧化膜，形成为0.4μm左右的厚度。
在栅极绝缘膜41的表面形成有作为保护膜的钝化膜42。钝化膜42包括例如SiN等的无机膜，形成为0.25μm左右的厚度。
在钝化膜42的表面形成有覆盖上述下部电极40等的层间绝缘膜43。层间绝缘膜43含有例如光固化性丙烯酸树脂，形成为2.5μm左右的厚度。
在TFT基板11的密封构件形成区域34中，作为包括ITO等的透明导电膜的电极部的多个焊盘20形成于层间绝缘膜43的表面。焊盘20形成为100nm左右的厚度，如图1所示，沿着密封构件14以规定的间隔配置。该焊盘20用于通过密封构件14的导电性颗粒29与相对基板12的共用电极26进行电连接。另外，多个焊盘20与下部电极40分别相对配置。
在此，在层间绝缘膜43、钝化膜42以及栅极绝缘膜41中形成有狭缝状的开口部44以使下部电极40露出。并且，各焊盘20沿着层间绝缘膜43的表面和开口部44的内侧表面进行成膜。
即，在开口部44的内侧利用焊盘20的凹陷的表面形成有凹槽45。由此，各焊盘20通过开口部44对与上述焊盘20相对的下部电极40电连接。
这样，在本实施方式1中的TFT基板11上形成有包括上述凹槽45的限制结构部60。将限制结构部60至少配置于焊盘20和上述像素区域31之间，对固化前的取向膜材料24的流动进行限制，以使焊盘20的至少一部分从取向膜23露出。本实施方式的限制结构部60包括覆盖焊盘20的至少一部分的矩形环状的凹槽45。由此，在被环状的凹槽45包围的内侧区域中，焊盘20从取向膜23露出。
上述凹槽45具有构成该凹槽45的内壁面的倾斜部46，该倾斜部46的一部分被取向膜23覆盖。即，倾斜部46具有构成凹槽45的槽边部分的弧形的凸表面，支撑着取向膜23的端缘部分。这样，在凹槽45的内部不形成取向膜23，该凹槽45的底面从取向膜23露出。
如图3所示，上述焊盘20的尺寸是纵向长度为500μm左右而横向长度为3140μm左右。凹槽45的槽宽是50μm左右，凹槽45的外边缘和焊盘20的外边缘的距离是20μm左右。由此，焊盘20在凹槽45的内侧以纵向长度是360μm左右和横向长度是3000μm左右的大小从取向膜23露出。
另外，在密封构件形成区域34中的上述层间绝缘膜43的表面以覆盖焊盘20和凹槽45的方式形成有密封构件14。这样，密封构件14的导电性颗粒29被从取向膜23露出的焊盘20和相对基板12的共用电极26夹持，这些焊盘20与共用电极26电连接。
-制造方法-
接着，对上述液晶显示装置1的制造方法进行说明。
将框状的密封构件14形成于TFT基板11或者相对基板12，在该密封构件14的内侧滴注液晶，然后将上述TFT基板11和相对基板12相互贴合，由此制造液晶显示装置1。
在制造TFT基板11的情况下，首先，将下部电极40与栅极配线(未图示)同时形成于作为透明基板的玻璃基板21的表面。然后，形成覆盖它们的栅极绝缘膜41、硅膜(i层，n+相)(未图示)、源极配线(未图示)以及钝化膜42。接着，形成覆盖这些TFT等的层间绝缘膜43。
层间绝缘膜43能够使用光固化性丙烯酸树脂等感光性有机材料、非感光性绝缘膜来形成。在使用感光性有机材料的情况下，可以通过例如旋涂法(也能通过狭缝涂法、喷墨法。)使有机材料形成在玻璃基板21上以使表面变平坦。
其后，通过光刻法和蚀刻，对层间绝缘膜43、钝化膜42以及栅极绝缘膜41贯通形成狭缝状的开口部44。下部电极40露出于开口部44的内侧。
另一方面，在使用非感光性绝缘膜来形成层间绝缘膜43的情况下，通过例如CVD法(也能通过溅射法、涂敷型材料的涂敷。)在玻璃基板21上以相等的膜厚形成绝缘材料层，然后在该绝缘材料层的表面对整个面涂敷感光性抗蚀剂。接着，通过光刻法形成规定的抗蚀剂图案。其后，进行绝缘材料层的蚀刻(湿式蚀刻或者干式蚀刻)，除去上述抗蚀剂图案，由此形成上述开口部44。
接着，在上述层间绝缘膜43的表面形成ITO层，通过光刻和蚀刻对它进行图案化，由此将多个焊盘20与像素电极(未图示)同时形成。从而，在开口部44的内侧利用焊盘20的凹陷的表面形成作为限制结构部60的凹槽45。
其后，通过喷墨法提供聚酰亚胺等具有流动性的取向膜材料24以覆盖多个焊盘20和像素电极等。如图3所示，取向膜材料24从像素区域31流向边框区域32，在到达凹槽45的倾斜部46时，该取向膜材料24的端缘部被上述倾斜部46支撑。
其结果是，如图4所示，在凹槽45的倾斜部46附近，取向膜材料24堆在相对基板12侧后被堵塞。从而，取向膜材料24的流动被限制为沿着凹槽45，在被该凹槽45包围的区域迂回流动。其后，烧制取向膜材料24，由此形成取向膜23。从而，制造TFT基板11。
-实施方式1的效果-
因此，根据该实施方式1，在焊盘20和像素区域31之间形成作为限制结构部60的凹槽45，因此能够通过凹槽45对从像素区域31到达密封构件形成区域34的取向膜材料24的流动进行限制，能够使焊盘20的一部分不被取向膜23覆盖而露出。因此，能够使焊盘20的一部分与密封构件14的导电性颗粒29不隔着取向膜23而直接连接。
因此，根据本实施方式1，在像素区域31和密封构件形成区域34之间，即使不设置用于汇集取向膜材料24的槽结构等，也能够通过导电性颗粒29将TFT基板11的焊盘20与相对基板12的共用电极26电连接，因此能够使边框区域32大幅变窄并确保上述TFT基板11与相对基板12的电连接。
而且，限制结构部60包括包围焊盘20的至少一部分的环状的凹槽45，因此能够使该焊盘20的一部分可靠地从取向膜23露出。
况且，限制结构部60兼作将焊盘20与下部电极40的连接结构，因此不需要仅为设置限制结构部60而使非显示区域增大，从而能够进一步缩小边框区域32。
发明的实施方式2
图5和图6示出本发明的实施方式2。
图5是放大示出与本实施方式2的相对基板中的焊盘相对的区域的俯视图。图6是放大示出本实施方式2的液晶显示装置的截面构成的截面图。此外，在以后的各实施方式中，对与图1～图4相同的部分附上相同的符号，省略其具体说明。
在上述实施方式1中，对将限制结构部60形成于TFT基板11的例子进行了说明，但是本实施方式2除TFT基板11以外也将限制结构部60形成于相对基板12。
(TFT基板)
即，TFT基板11具有与上述实施方式1同样的构成。如图6所示，将凹槽45的槽宽规定为50μm左右，以使密封构件14的玻璃纤维30能够收纳于凹槽45内。
(相对基板)
如图6所示，相对基板12具有作为支撑基板的玻璃基板22。在玻璃基板22的TFT基板11侧以100nm左右的厚度形成有包括ITO等的透明导电膜的共用电极26。在玻璃基板22的表面上形成有构成彩色滤光片(未图示)的多个着色层(未图示)和作为遮光膜的黑矩阵(未图示)，在该彩色滤光片的表面形成有共用电极26。
上述着色层是透过R(红)、G(绿)或者B(蓝)的光的滤光片，在相对基板12的像素区域31中矩阵状配置。上述黑矩阵被形成为用于对相邻着色层彼此之间进行遮光并且对边框区域32进行遮光。另外，密封构件14与形成于上述TFT基板11的相同，被配置于边框区域32的密封构件形成区域34。
在该相对基板12的液晶层13侧，也以从像素区域31向密封构件形成区域34侧扩展的方式形成有与形成于TFT基板11的取向膜相同的取向膜材料24固化而形成的取向膜23。
并且，在玻璃基板22的表面，以向TFT基板11侧突出并且成肋状地延伸的方式形成有作为限制结构部60的凸条部36。如图2、图5以及图6所示，从TFT基板11或者相对基板12的表面的法线方向看，凸条部36被配置于上述凹槽45的槽内。即，如图5所示，凸条部36形成为覆盖共用电极26的一部分的矩形环状。由此，在被环状的凸条部36包围的内侧区域中，共用电极26从取向膜23露出。
凸条部36具有例如包括与蓝色的着色层相同的材料的基体部37和覆盖该基体部37的被覆部38。被覆部38包括光感光性丙烯酸树脂，上述光感光性丙烯酸树脂与形成于相对基板12的用于对液晶分子进行垂直取向控制的肋(未图示)或者光间隔物(未图示)为相同材料。
凸条部36具有构成该凸条部36的外壁面的倾斜部39，该倾斜部39的一部分被取向膜23覆盖。如图6所示，凸条部36的截面形成为从相对基板12侧向TFT基板11侧宽度逐渐缩小的大致锥状。并且，环状的凸条部36的外侧(在图6中为左侧)的倾斜部39被取向膜23覆盖，另一方面，内侧(在图6中为右侧)的倾斜部39的一部分从取向膜23露出。即，上述内侧的倾斜部39支撑着取向膜23的端缘部分。
在此，也如图6所示，基体部37的厚度是2.5μm左右，宽度是30μm左右。另外，被覆部38在基体部37上的厚度是4μm左右，宽度是30μm左右。
另外，在密封构件形成区域34中的共用电极26的表面，以覆盖凸条部36的方式形成有密封构件14。这样，密封构件14的导电性颗粒29被从取向膜23露出的共用电极26和TFT基板11的焊盘20夹持，这些焊盘20与共用电极26被电连接。
-制造方法-
接着，对上述液晶显示装置1的制造方法进行说明。
TFT基板11通过与上述实施方式1同样的方法来制造。另一方面，在制造相对基板12的情况下，在作为透明基板的玻璃基板22的表面形成彩色滤光片(未图示)。这时，在形成彩色滤光片的着色层(未图示)的同时，在密封构件形成区域34中的玻璃基板22的表面由与该着色层相同的材料来形成基体部37。
接着，以覆盖基体部37和上述彩色滤光片的方式形成共用电极26，在该共用电极26的表面堆积例如光感光性丙烯酸树脂，然后对它进行光刻，由此同时形成覆盖基体部37的被覆部38以及光间隔物(未图示)或者液晶分子的垂直取向控制用的肋。
其后，通过喷墨法提供聚酰亚胺等具有流动性的取向膜材料24以使其覆盖上述彩色滤光片等。
取向膜材料24从像素区域31流向边框区域32，在到达凸条部36时，该取向膜材料24的端缘部被凸条部36的内侧的倾斜部39支撑。其结果是，如图6所示，取向膜材料24堆在凸条部36的相对基板12侧并被堵塞。其后，通过烧制取向膜材料24来形成取向膜23。从而，制造相对基板12。
-实施方式2的效果-
因此，根据该实施方式2，在TFT基板11中形成作为限制结构部60的凹槽45，使焊盘20从取向膜23露出，由此能够获得与上述实施方式1同样的效果。除此以外，在相对基板12上形成作为限制结构部60的凸条部36，使共用电极26露出于与焊盘20相对的区域，由此使共用电极26和导电性颗粒29可靠地接触，从而相对基板12和TFT基板11能够可靠地电连接。
而且，限制结构部60包括包围共用电极26的一部分的环状的凸条部36，因此能够使该共用电极26的一部分可靠地从取向膜23露出。
况且，将凸条部36构成为从基板表面的法线方向看被配置于TFT基板11的凹槽45的槽内，由此可以更可靠地防止TFT基板11中的取向膜材料24向凹槽45内流入。除此以外，即使在密封构件14中含有玻璃纤维30，也能够如图6所示将该玻璃纤维30收纳于凹槽45内，因此能够抑制因在TFT基板11和相对基板12之间夹持有玻璃纤维30而导致的单元厚度(液晶层13的厚度)的不均。
其它实施方式
在上述实施方式1和2中，说明了将作为限制结构部60的凹槽45和凸条部36分别形成为无间断的连续的环状的例子，但本发明不限于此，例如，如作为与图2相当的图的图7所示，也可以将限制结构部60(凹槽45和凸条部36)配置为从TFT基板11或者相对基板12的表面的法线方向看形成为コ字状，并且该限制结构部60的两个端部向与像素区域31相反的一侧(也就是说图7中的上侧)延伸。
另外，除此以外，如作为与图2相当的图的图8所示，限制结构部60(凹槽45和凸条部36)也可以形成为从TFT基板11或者相对基板12的表面的法线方向看是缺损了与像素区域31相反的一侧的一部分的环状。即使如此，也可以获得与上述实施方式1同样的效果。
另外，在上述各实施方式中，说明了限制结构部60包括一重凹槽45、凸条部36的例子，但本发明不限于此，也可以是多个凹槽45或者凸条部36以二重、三重被分别并行配置多个的构成。
另外，只要将限制结构部60形成于TFT基板11和相对基板12中的至少一方即可，但从TFT基板11和相对基板12的可靠的电连接的观点出发，优选将限制结构部60设置于各基板11、12的双方。
另外，在上述实施方式1和2中，说明了通过密封构件14的导电性颗粒29使TFT基板11和相对基板12导通的例子，但不限于此，通过例如导电膏等其它导电材料使上述TFT基板11和相对基板12导通的构成也同样能够应用本发明。
工业上的可利用性
如上所述，本发明对液晶显示装置是有用的。
附图标记说明
Figure BPA00001564680600131
Figure BPA00001564680600141

Claims (9)

1.一种液晶显示装置，其特征在于，
具备：
第1基板；
第2基板，其与上述第1基板相对配置；
液晶层，其设置于上述第1基板和第2基板之间；以及
密封构件，其设置于上述第1基板和第2基板之间，包围密封上述液晶层，
上述第1基板和第2基板分别具有作为显示区域的像素区域和作为非显示区域的边框区域，上述非显示区域是该像素区域的外侧周围的区域，其包含上述密封构件的形成区域，
在上述第1基板和第2基板的上述液晶层侧，以从上述像素区域向上述密封构件的形成区域侧扩展的方式形成有通过具有流动性的取向膜材料的固化而形成的取向膜，
在上述第1基板和上述第2基板的各密封构件的形成区域中分别形成有用于通过导电材料相互电连接的电极部，
在上述第1基板和上述第2基板中的至少一方形成有对固化前的上述取向膜材料的流动进行限制的限制结构部，上述限制结构部至少配置于上述电极部和上述像素区域之间，以使上述电极部的至少一部分从上述取向膜露出。
2.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于，
上述限制结构部形成为包围上述电极部的至少一部分的环状。
3.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于，
上述限制结构部被配置为从上述第1基板或者上述第2基板的表面的法线方向看形成为コ字状，并且该限制结构部的两个端部向与上述像素区域相反的一侧延伸。
4.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于，
上述限制结构部形成为从上述第1基板或者上述第2基板的表面的法线方向看是缺损了与上述像素区域相反的一侧的一部分的环状。
5.根据权利要求1至4中的任一项所述的液晶显示装置，其特征在于，
在上述第1基板形成有下部电极、覆盖该下部电极的层间绝缘膜以及以露出上述下部电极的方式贯通形成于该层间绝缘膜的狭缝状的开口部，
上述第1基板的电极部形成于上述层间绝缘膜的表面并且通过上述开口部与上述下部电极连接，
上述限制结构部包括形成于上述第1基板并且形成于上述开口部的内侧的凹槽。
6.根据权利要求5所述的液晶显示装置，其特征在于，
上述凹槽具有构成该凹槽的内壁面的倾斜部，
上述凹槽的倾斜部的一部分被上述取向膜覆盖。
7.根据权利要求1至6中的任一项所述的液晶显示装置，其特征在于，
上述限制结构部包括形成于上述第2基板并且向上述第1基板侧突出的凸条部。
8.根据权利要求5所述的液晶显示装置，其特征在于，
上述限制结构部包括形成于上述第2基板并且向上述第1基板侧突出的凸条部，
上述凸条部从上述第1基板或者上述第2基板的表面的法线方向看被配置于上述凹槽的槽内。
9.根据权利要求7或8的所述的液晶显示装置，其特征在于，
上述凸条部具有构成该凸条部的外壁面的倾斜部，
上述凸条部的倾斜部的至少一部分被上述取向膜覆盖。
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