JP2009139779A - 液晶表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】液晶滴下封入方式を採用した場合において問題となる絶縁膜からの発ガスに対する対策と、シール材のシール性の向上を図った液晶表示装置の提供。
【解決手段】液晶側の面に、前記画素を構成する画素電極を有する第１の基板と、液晶側の面に、遮光膜ＢＭと、カラーフィルタＦＩＬと、配向膜ＯＲＩ２と、絶縁膜ＩＮＬとを有する第２の基板ＳＵＢ２と、前記第１の基板と前記第２の基板ＳＵＢ２とを固着する液晶封入口を有しない閉じた環状のシール材ＳＬと、封入された液晶とを有する液晶表示装置であって、前記遮光膜ＢＭは金属膜からなり、前記絶縁膜ＩＮＬは表示領域の外側において前記遮光膜ＢＭに重畳して形成し、前記シール材ＳＬは前記絶縁膜ＩＮＬ上に形成されており、前記配向膜ＯＲＩ２が形成される下地層の表面を基準にしたとき、前記絶縁膜ＩＮＬの高さは、前記配向膜ＯＲＩ２の高さの５倍以上に設定されている。
【選択図】図１

Description

本発明は液晶表示装置に係り、特に、いわゆる液晶滴下封入方式により形成される液晶表示装置に関する。

この種の液晶表示装置は、その一方の基板の表面の液晶表示領域を囲んで形成される液晶封入口を有しない閉じた環状のシール材内に液晶を滴下により充填させ、他方の基板を前記一方の基板に対向配置させた後に前記シール材を硬化させることによって、液晶を前記各基板の間に封入させるようになっている。

この場合、前記各基板のうち一方の基板（以下、フィルタ基板と称する場合がある）の表面には、該表面側から、それぞれ、樹脂膜のブラックマトリックス（遮光膜）、カラーフィルタ、樹脂膜の平坦化膜（絶縁膜）などが積層されて形成されている。

前記平坦化膜は、その下層に形成されるブラックマトリックス、カラーフィルタによって形成される表面の凹凸を埋めるために形成され、該平坦化膜の上層に形成される配向膜等の配向性の信頼性を向上させている。

なお、前記液晶滴下封入方式によって構成される液晶表示装置の構成につては、たとえば下記特許文献１に開示がなされている。液晶滴下封入方式以外の方法としては、特許文献２のように、シール材に液晶封入口を形成して液晶を注入する方法もある。ブラックマトリクスについては、樹脂膜で形成するのが一般的だが、下記特許文献３のように、金属膜で形成する場合もある。
特開平１１−３８４２４号公報 特開平６−１８６５５３号公報 特開２００１−２６４７９３号公報

しかし、樹脂膜のブラックマトリクスや樹脂膜の平坦化膜を用い、液晶滴下封入方式を用いて製造された液晶表示装置は、それを前記液晶滴下封入方式で形成していることから、前記平坦化膜等からのガスが液晶封入空間に蓄積されやすくなる。前記液晶滴下封入方式は、フィルタ基板側の環状に形成されたシール材内に液晶を充填させ、他方の基板を対向配置させるため、該ガスの逃げ場がなくなってしまうからである。

このため、前記ガスによってシール材の剥がれが生じ易くなるという不都合を見出すに至った。

特許文献２のように液晶封入口を設ければ、液晶封入口からガスが抜けるため、そのような問題を回避できるが、生産性が低いという不都合がある。

また、前記配向膜は、その周辺部において、前記シール材と近接して配置されるようになっており、該配向膜が前記シール材の形成領域にまで及んで形成され易く、仮に、該シール材が配向膜上に形成されてしまうことになった場合、該シール材の剥がれが生じ易くなるという不都合を生じる。

このような不都合は、液晶表示装置のいわゆる額縁（外輪郭と液晶表示領域との間の領域）を狭く形成しなければならない場合において、より顕著になる。この場合、シール材の幅も小さく形成しなくてはならなくなるが、それによって逆にシール破壊が起こりやすくなるという不都合を生じる。

本発明の目的は、液晶滴下封入方式を採用した場合において問題となる絶縁膜からの発ガスに対する対策と、シール材のシール性の向上を図った液晶表示装置を提供することにある。

本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、以下のとおりである。

（１）本発明による液晶表示装置は、たとえば、第１の基板と、第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板とを固着するとともに画素の集合で構成された液晶表示領域を囲んで形成されるシール材と、前記第１の基板と前記第２の基板と前記シール材とで囲まれた内部に封入された液晶とを有する液晶表示装置であって、
前記第１の基板は、前記液晶側の面に、前記画素を構成する画素電極を有し、
前記第２の基板は、前記液晶側の面に、遮光膜と、カラーフィルタと、配向膜と、絶縁膜とを有し、
前記シール材は、液晶封入口を有しない閉じた環状のであり、
前記遮光膜は、金属膜であり、
前記絶縁膜は、前記液晶表示領域に開口を有するとともに、前記液晶表示領域の外側において前記遮光膜に重畳しており、
前記シール材は、前記絶縁膜上に形成されており、
前記配向膜が形成される下地層の表面を基準にしたとき、前記絶縁膜の高さは、前記配向膜の高さの５倍以上に設定されていることを特徴とする。

（２）本発明による液晶表示装置は、たとえば、（１）の構成を前提とし、前記遮光膜は、クロムで構成されていることを特徴とする。

（３）本発明による液晶表示装置は、たとえば、（１）または（２）の構成を前提とし、前記カラーフィルタと前記配向膜との間に、透明導電膜で構成された電極を有することを特徴とする。

（４）本発明による液晶表示装置は、たとえば、（１）から（３）の何れかの構成を前提とし、前記絶縁膜は、樹脂材で構成されていることを特徴とする。

（５）本発明による液晶表示装置は、たとえば、（１）から（４）の何れかの構成を前提とし、幅を測定する方向を前記シール材の延在方向に対して直交する方向と定義したとき、前記シール材の幅をａ、前記シール材のうち前記絶縁膜と重畳する部分の幅をｂとした場合、ａに対するｂの割合が５０％以上であることを特徴とする。

（６）本発明による液晶表示装置は、たとえば、（１）から（５）の何れかの構成を前提とし、幅を測定する方向を前記シール材の延在方向に対して直交する方向と定義したとき、前記シール材幅をａ、前記シール材のうち前記配向膜と重畳する部分の幅をｃとした場合、ａに対するｃの割合が５０％未満であることを特徴とする。

（７）本発明による液晶表示装置は、たとえば、（１）から（６）の何れかの構成を前提とし、前記配向膜は、前記絶縁膜のうち少なくともシール材が形成された頂上面に乗り上げて形成されていないことを特徴とする。

なお、本発明は以上の構成に限定されず、本発明の技術思想を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。

上述した液晶表示装置によれば、液晶滴下封入方式を採用した場合において問題となる絶縁膜からの発ガスに対する対策と、シール材のシール性の向上を図ることができる。

以下、図面を用いて本発明による液晶表示装置の実施例を説明する。

〈全体の構成〉
図２は、本発明による液晶表示装置の一実施例を示す全体構成図で、たとえば携帯用電話に組み込まれる液晶表示装置の平面図を示している。

まず、基板ＳＵＢ１（以下、ＴＦＴ基板ＳＵＢ１と称する）があり、この基板ＳＵＢ１に対して前方側（観察者側）に基板ＳＵＢ２（以下、フィルタ基板ＳＵＢ２と称する）が対向配置されている。

フィルタ基板ＳＵＢ２は、ＴＦＴ基板ＳＵＢ１よりも面積が小さく形成され、たとえば図中下側において前記ＴＦＴ基板ＳＵＢ１が露呈される領域を有している。この領域における該ＴＦＴ基板ＳＵＢ１上には後述の各画素を独立に駆動させる半導体装置からなる駆動回路ＤＲが搭載されている。

フィルタ基板ＳＵＢ２は、その周辺に配置される環状のパターンからなるシール材ＳＬによって前記基板ＳＵＢ１に固定（固着）され、該シール材ＳＬは、ＴＦＴ基板ＳＵＢ１とフィルタ基板ＳＵＢ２との間に介在される液晶を封入させるようになっている。

なお、この実施例では、後述するように、液晶滴下封入方式を用いて液晶の封入を行っていることから、前記シール材ＳＬはたとえば液晶封入口が形成されることのない閉じた（連続した）環状のパターンで形成されていることに特徴を有する。

前記シール材ＳＬで囲まれた液晶の封入領域は液晶表示領域ＡＲを構成するようになっている。この液晶表示領域ＡＲは、厳密には画素の集合体で構成された領域を言い、以下の説明においても、この意味で用いる。このため、該液晶表示領域ＡＲとシール材ＳＬとの間には若干の隙間を有する場合がある。

前記液晶表示領域ＡＲにおける前記ＴＦＴ基板ＳＵＢ１の液晶側の面には、図中ｘ方向に伸張し図中ｙ方向に並設されるゲート信号線（走査信号線）ＧＬと、これらゲート信号線ＧＬと絶縁され、図中ｙ方向に伸張し図中ｘ方向に並設されるドレイン信号線（映像信号線）ＤＬとが形成されている。

隣接する一対のゲート信号線ＧＬと隣接する一対のドレイン信号線ＤＬとで囲まれる領域（たとえば図中点線枠Ａで示す領域）は画素領域を構成し、これにより各画素領域は前記液晶表示領域ＡＲ内において、マトリックス状に配置されるようになっている。

各画素領域には、図中点線枠Ａの部分を拡大した図Ａ’に示すように、ゲート信号線ＧＬからの信号（走査信号）によってオンする薄膜トランジスタＴＦＴと、このオンされた薄膜トランジスタＴＦＴを通してドレイン信号線ＤＬからの信号（映像信号）が供給される画素電極ＰＸと、前記薄膜トランジスタＴＦＴを駆動するゲート信号線ＧＬに隣接する他のゲート信号線ＧＬと前記画素電極ＰＸとの間に形成される容量素子Ｃａｄｄとが形成されることによって、画素を構成するようになっている。

前記容量素子Ｃａｄｄは、画素電極ＰＸに供給された映像信号を該画素電極ＰＸに長く蓄積させるために備えられている。

また、前記画素電極ＰＸは、ＴＦＴ基板ＳＵＢ１に対向して配置されるフィルタ基板ＳＵＢ２の液晶側の面において、各画素領域に共通に形成された対向電極ＣＴ（図４（ｂ）参照）との間に電界を生じさせるようになっている。

前記各ゲート信号線ＧＬには、前記駆動回路ＤＲから、その対応する出力端子に接続され液晶表示領域ＡＲの左右両脇のうちいずれかの側に延在される配線Ｗｇを介して、走査信号が供給されるようになっている。前記各ドレイン信号線ＤＬには、前記駆動回路ＤＲから、その対応する出力端子から配線Ｗｄを介して、映像信号が供給されるようになっている。

前記走査信号は、各ゲート信号線ＧＬに、たとえばその上段から下段に、さらには上段に戻ってというように、順次供給され、前記映像信号は前記走査信号の供給のタイミングに合わせて供給されるようになっている。

なお、前記駆動回路ＤＲには、ＴＦＴ基板ＳＵＢ１の図中下側の端辺に固定されたフレキシブル基板ＦＬＢを介して入力信号が供給されるようになっている。

〈ＴＦＴ基板ＳＵＢ１における画素の構成〉
図３（ａ）は、前記ＴＦＴ基板ＳＵＢ１の液晶側の面の前記画素の構成の一実施例を示した平面図である。なお、図３（ａ）においては、フィルタ基板ＳＵＢ２側に形成されるブラックマトリックスＢＭをも重ねて描いている。ＴＦＴ基板ＳＵＢ１側の画素の構成と該ブラックマトリックスＢＭの位置関係を明確にするためである。また、図３（ｂ）は、図３（ａ）のｂ−ｂ線における断面図を示している。

ＴＦＴ基板ＳＵＢ１（図３（ｂ）参照）があり、その液晶側の面に、ゲート信号線ＧＬが図中ｘ方向に伸張し図中ｙ方向に並設されて形成されている。

前記ＴＦＴ基板ＳＵＢ１の上面には、前記ゲート信号線ＧＬをも被って、たとえばＳｉＯ_２膜からなる絶縁膜ＧＩ（図３（ｂ）参照）が形成されている。この絶縁膜ＧＩは、後述の薄膜トランジスタＴＦＴの形成領域において該薄膜トランジスタＴＦＴのゲート絶縁膜として機能するようになっている。

前記絶縁膜ＧＩの表面に、前記ゲート信号線ＧＬの一部と重畳して島状の半導体層ＳＣが形成されている。

この半導体層ＳＣは前記薄膜トランジスタＴＦＴの半導体層となるもので、該半導体層ＳＣの表面に互いに対向するドレイン電極ＤＴおよびソース電極ＳＴを形成することにより、前記ゲート信号線ＧＬの一部をゲート電極とするいわゆるボトムゲート型のＭＩＳ（Metal Insulator Semiconductor）トランジスタが構成される。

前記ドレイン電極ＤＴは、たとえば、図中ｙ方向に伸張し図中ｘ方向に並設されるドレイン信号線ＤＬと一体に形成され、前記ソース電極ＳＴは、たとえば、前記ドレイン信号線ＤＬの形成の際に同時に形成されるようになっている。

前記ソース電極ＳＴは、平面的に観た場合、前記半導体層ＳＣ、ゲート信号線ＧＬを越えて、当該画素の領域にまで延在されて形成され、その端部は比較的面積の広いパッド部ＰＤを構成するようになっている。このパッド部ＰＤは、後述の画素電極ＰＸと電気的に接続される部分となっている。

なお、ＭＩＳ型の前記薄膜トランジスタＴＦＴは、そのバイアスの印加形態によってドレイン電極とソース電極は入れ替わるようになるが、この明細書においては、便宜上、ドレイン信号線ＤＬと接続される側をドレイン電極ＤＴ、画素電極ＰＸと接続される側をソース電極ＳＴと称する。

基板ＳＵＢ１の上面には、前記ドレイン信号線ＤＬ、薄膜トランジスタＴＦＴをも被って保護膜ＰＡＳ（図３（ｂ）参照）が形成されている。この保護膜ＰＡＳは、たとえば前記薄膜トランジスタＴＦＴを液晶との直接の接触を回避するために設けられ、ＳｉＯ_２ あるいはＳｉＮ等の無機絶縁膜、あるいは樹脂の有機絶縁膜、さらにはそれらの積層膜が用いられる。

前記保護膜ＰＡＳの表面には、たとえばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明導電膜からなる画素電極ＰＸが形成されている。

この画素電極ＰＸは、画素領域の周辺を除く大部分の領域（例えば画素領域の８０％以上）に形成され、その一部は、予め前記保護膜ＰＡＳに形成されたコンタクトホールＴＨ（図３（ｂ）参照）を通して前記パッド部ＰＤ（前記薄膜トランジスタＴＦＴのソース電極ＳＴ）に電気的に接続されている。

そして、ＴＦＴ基板ＳＵＢ１の表面は、前記画素電極ＰＸをも被って配向膜ＯＲＩ１が形成されている。この配向膜ＯＲＩ１は、液晶と直接に接触する膜となり、該液晶の分子の初期配向方向を決定するようになっている。

〈フィルタ基板ＳＵＢ２〉
図４（ａ）は、前記フィルタ基板ＳＵＢ２を示し、図２に示した状態のフィルタ基板ＳＵＢ２を左右逆に裏返して観察した平面図を示している。

また、該フィルタ基板ＳＵＢ２における各画素領域（たとえば図中点線枠Ｂの部分）を図Ｂ’において拡大して示し、また、図Ｂ’のｂ−ｂ線における断面図を図４（ｂ）に示している。

まず、フィルタ基板ＳＵＢ２の液晶側の面（表面）には、ブラックマトリックス（遮光膜）ＢＭが形成されている。このブラックマトリックスＢＭは、たとえば格子状のパターンをなし、その開口部は各画素領域のうち実質的に画素として機能する領域を露出させるようになっている。

図３（ａ）は、ＴＦＴ基板ＳＵＢ１側の画素領域に対し前記ブラックマトリックスＢＭを重ねて描画しており、その開口部（その輪郭を太線で示している）は、画素電極ＰＸの周辺を除く中央の大部分を露出させるようになっている。該画素電極ＰＸの周辺は電界の分布の乱れが生じ易いことから該ブラックマトリックスＢＭによって遮光させている。

前記ブラックマトリックスＢＭはたとえばクロム（Ｃｒ）からなる金属膜で形成され、その膜厚は２０ｍｎ〜３０ｎｍの範囲で形成され、たとえば黒色顔料を含ませた樹脂膜で形成するよりも、極めて薄く形成できるようになっている。また、ブラックマトリックスＢＭを金属膜で構成することで、発ガスの対策にもなっている。

また、前記フィルタ基板ＳＵＢ２の表面には、前記ブラックマトリックスＢＭをも被ってカラーフィルタＦＩＬが形成されている。このカラーフィルタＦＩＬは赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各色から構成されている。同色のカラーフィルタＦＩＬは、たとえば図中ｙ方向に並設される各画素を共通に被う帯状のパターンをなし、図中ｘ方向に、たとえば、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の順で繰り返されて並設されている。

互いに隣接される異なる色のカラーフィルタＦＩＬは、それらの対向する各辺が重なることなく（隙間を有する場合がある）前記ブラックマトリックスＢＭ上に配置されている。

この場合、前記ブラックマトリックスＢＭの膜厚は極めて薄いため、前記各カラーフィルタＦＩＬの表面は、前記ブラックマトリックスＢＭの有無に拘わらず、充分な平坦化を確保することができる。

また、前記フィルタ基板ＳＵＢ２の表面には、前記カラーフィルタＦＩＬをも被ってたとえばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）の透明導電膜からなる対向電極ＣＴ（図４（ｂ）参照）が形成されている。この対向電極ＣＴは、前記ＴＦＴ基板ＳＵＢ１側に形成された各画素と対向し、隣接する各画素の対向電極ＣＴと接続されて形成されている。前記対向電極ＣＴの表面は、前記カラーフィルタＦＩＬの表面が平坦であるため、充分な平坦化を確保して形成されている。

なお、前記対向電極ＣＴは、図４（ａ）に示すように、フィルタ基板ＳＵＢ２の角部であってたとえば後述のシール材ＳＬの内側に近接して形成される導電層ＣＤＬを通して、前記ＴＦＴ基板ＳＵＢ１側に電気的に引き出されるようになっている。

また、前記対向電極ＣＴの表面には配向膜ＯＲＩ２（図４（ｂ）参照）が形成されている。この配向膜ＯＲＩ２は、液晶と直接に接触する膜となり、該液晶の分子の初期配向方向を決定するようになっている。上述したように、対向電極ＣＴはその表面の平坦化が確保されているため、該配向膜ＯＲＩ２の表面の平坦化が確保され配向特性を良好なものとして形成することができる。

さらに、図４（ａ）に示すように、フィルタ基板ＦＩＬの表面には、その周辺に沿って環状のパターンとなるシール材ＳＬが形成されている。このシール材ＳＬは、当該フィルタ基板ＳＵＢ２を前記ＴＦＴ基板ＳＵＢ１に固定（固着）させる機能とともに、前記フィルタ基板ＳＵＢ２とＴＦＴ基板ＳＵＢ１との間に介在させる液晶を封入させる機能を有するようになっている。

ここで、前記シール材ＳＬは、上述したように液晶滴下封入法を用いて前記フィルタ基板ＳＵＢ２とＴＦＴ基板ＳＵＢ１との間に液晶を封入させているため、液晶封入口を有することなく閉じた（連続した）環状パターンをなして形成されている。

図５は、前記液晶滴下封入法の概略を示した図である。フィルタ基板ＳＵＢ２面に液晶ＬＣを滴下することにより、該シール材ＳＬによって囲まれた領域内に適当量の液晶ＬＣを充填させ、その後に、図示しないＴＦＴ基板ＳＵＢ１を前記フィルタ基板ＳＵＢ２に対向させて配置させ、前記シール材ＳＬを硬化させるようにしている。

図１は、図４（ａ）のI−I線における断面図を示し、特に、前記フィルタ基板ＳＵＢ２の周辺の構成、すなわち、前記シール材ＳＬが形成されている箇所およびその近傍の構成を示した図である。

フィルタ基板ＳＵＢ２に形成された前記ブラックマトリックスＢＭは、図６に示すように、該フィルタ基板ＳＵＢ２の表面の全域に形成したたとえばクロム（Ｃｒ）からなる金属膜に、液晶表示領域ＡＲ内の各画素に対応する部分において開口が形成されたパターンとして形成されている。このため、前記ブラックマトリックスＢＭは、液晶表示領域ＡＲに形成される縦横の各格子部ＬＴＣを、該フィルタ基板ＳＵＢ２の周辺において接続させる枠体部ＦＲＭを備えるパターンとして形成されている。

なお、図６には、後述する前記シール材ＳＬの形成箇所を点線で描画しており、このシール材ＳＬは、前記ブラックマトリックスＢＭの枠体部ＦＲＭを被って形成される後述の絶縁膜ＩＮＬ上に形成されるようになっている。

ここで、前記シール材ＳＬの前記絶縁膜ＩＮＬに対する接着強度は大きく、たとえば前記シール材ＳＬの前記配向膜ＯＲＩ２に対する接着性よりも良好となっている。

前記ブラックマトリックスＢＭの上面に形成される各色のカラーフィルタＦＩＬは、上述したように液晶表示領域ＡＲを平面的に観てｙ方向に並設される開口を被うようにして形成されるため、前記ブラックマトリックスＢＭの枠体部ＦＲＭ側の領域に若干重ね合わされるようにして形成されている。

また、各色のカラーフィルタＦＩＬを被って形成される対向電極ＣＴも同様となっている。

そして、前記ブラックマトリックスＢＭの前記枠体部ＦＲＭを被うようにして、樹脂材からなる絶縁膜ＩＮＬが形成されている。この絶縁膜ＩＮＬは、たとえばフィルタ基板ＳＵＢ２の表面に塗布によって樹脂膜を形成した後、液晶表示領域ＡＲに相当する部分を選択除去することによって形成されている。このため、前記絶縁膜ＩＮＬは、その表面（側壁面を除く）において平坦化されていることが特徴づけられる。

前記絶縁膜ＩＮＬを、液晶表示領域ＡＲの周囲にのみ形成し、液晶表示領域ＡＲでの形成を回避したのは次の理由による。

すなわち、樹脂材で形成する絶縁膜ＩＮＬはガスが発生しやすく、このガスは、上述したような液晶滴下封止方式を採用した場合に、ＴＦＴ基板ＳＵＢ１とフィルタ基板ＳＵＢ２との間の液晶空間に蓄積し易くなる。液晶滴下封止方式を採用した場合、シール材ＳＬに液晶封入口等がなく、前記ガスの逃げ道がなくなるからである。このように、ＴＦＴ基板ＳＵＢ１とフィルタ基板ＳＵＢ２との間の液晶空間に前記ガスが蓄積されると、前記シール材ＳＬの剥離を生じさせやすくなる。

このため、液晶表示領域ＡＲの周囲に対し面積の極めて大きな液晶表示領域ＡＲにおいて、前記絶縁膜ＩＮＬを除去することにより、前記ガスの発生を大幅に抑制させるように構成している。

ここで、従前の構成からなる液晶表示装置において、前記絶縁膜ＩＮＬを液晶表示領域ＡＲにも形成し、これにより液晶側の面を平坦化する構成のものが知られている。

しかし、本実施例の構成の場合、上述したように、ブラックマトリックスＢＭは、たとえばクロム（Ｃｒ）からなる金属膜で構成し、その膜厚は極めて小さくなっていることから、カラーフィルタＦＩＬの表面において平坦化が確保されており、液晶表示領域ＡＲにおいて前記絶縁膜ＩＮＬを必要としない構成となっている。

そして、ブラックマトリックスＢＭを金属膜で構成し、たとえば樹脂材で構成していないことによって、前記樹脂材で構成した場合に該樹脂からガスが発生してしまうのを回避させた効果をも図っている。

尚、液晶表示領域ＡＲにはカラーフィルタＦＩＬが形成されているが、カラーフィルタＦＩＬからガスが発生したとしても許容範囲であるため、問題はない。

そして、液晶表示領域ＡＲの周囲に形成される前記絶縁膜ＩＮＬは、まず、ブラックマトリックスＢＭの枠体部ＦＲＭを被うようにして形成され、これにより該枠体部ＦＲＭの前記絶縁膜ＩＮＬからの露出をなくし、該ブラックマトリックスＢＭのいわゆる電食による腐食を防止するようになっている。

そして、このように構成された絶縁膜ＩＮＬに囲まれた領域であって、前記対向電極ＣＴが形成されている面には、配向膜ＯＲＩ２が形成されている。

この配向膜ＯＲＩ２は、塗布によって形成される樹脂膜を材料として形成されるが、絶縁膜ＩＮＬの高さを十分に高くすることにより、該樹脂膜の塗布において、前記絶縁膜ＩＮＬに乗り上げることなく、前記絶縁膜ＩＮＬの内側の液晶表示領域ＡＲ上に精度よく形成することができる。

すなわち、液晶表示領域ＡＲに配向膜ＯＲＩ２となる前記樹脂膜を塗布する際に、その配向膜ＯＲＩ２の膜厚に相当する量の樹脂材に対し、前記絶縁膜ＩＮＬは該液晶表示領域ＡＲを囲む堰（あるいは土手）として機能するようになる。

このことは、上述したように、絶縁膜ＩＮＬに対するシール材ＳＬの接着力は、配向膜ＯＲＩ２に対するシール材ＳＬの接着力よりも大きく設定されていることから、たとえば、前記配向膜ＯＲＩ２が前記絶縁膜ＩＮＬ上のシール材ＳＬの形成領域にまで乗り上げることによる、シール材ＳＬの接着性の劣化による不都合を回避できる効果を奏する。

このように、配向膜ＯＲＩ２が絶縁膜ＩＮＬの表面（シール材ＳＬが形成される面）に乗り上げないように構成するには、前記配向膜ＯＲＩ２が形成されている下地層（図１の場合、対向電極ＣＴ）の表面を基準としたとき、前記絶縁膜ＩＮＬの高さを前記配向膜ＯＲＩ２の高さの５倍以上となるようにそれぞれの膜厚を設定するのが望ましいことが確認されている。

上述のように構成することにより、配向膜ＯＲＩ２は絶縁膜ＩＮＬに乗り上げることなく形成でき、このため、配向膜ＯＲＩ２が該絶縁膜ＩＮＬ上のシール材ＳＬの形成領域にまで至って形成されることはなくなる。

なお、図１に対応して描かれた図７に示すように、前記絶縁膜ＩＮＬにおいて、たとえば、その側壁面にテーパが形成されている場合、前記配向膜ＯＲＩ２は、図中矢印Ｐに示すように、前記側壁面において該絶縁膜ＩＮＬに乗り上げてしまう場合がある。

しかし、配向膜ＯＲＩ２の絶縁膜ＩＮＬへの乗り上げは、シール材ＳＬが形成される頂上面（前記側壁面を除く）に乗り上げられていなければよいことはいうまでもない。

図１に対応して描かれた図８は、上述のように構成した液晶表示装置において、シール材ＳＬが、その一部において液晶表示領域ＡＲ側に流動し配向膜ＯＲＩ２の周辺部に重なって形成されてしまった場合を示した図である。

液晶表示装置をその額縁を小さくして構成する場合、該額縁の領域内に形成するシール材ＳＬは、その塗布時において流動性を有し、このため、絶縁膜ＩＮＬの形成領域の外側にはみ出し、配向膜ＯＲＩ２の上面にまで至ってしまう場合がある。

このようになった場合、該シール材ＳＬがたとえ液晶表示領域ＡＲ内に至ることはなくても、該シール材ＳＬの接着性の観点から好ましくなくなる。

しかし、図８に示すように、幅を測定する方向をシール材ＳＬの延在方向に対して直交する方向と定義したとき、シール材ＳＬ幅をａ、シール材ＳＬのうち絶縁膜ＩＮＬと重畳する部分の幅をｂとした場合、ａに対するｂの割合が５０％以上であれば、該シール材ＳＬの接着性を充分確保できるので、許容できる範囲となる。同様に、幅を測定する方向をシール材ＳＬの延在方向に対して直交する方向と定義したとき、シール材ＳＬのうち配向膜ＯＲＩ２と重畳する部分の幅をｃとした場合、前記ａに対するｃの割合が５０％未満であれば、該シール材ＳＬの接着性を充分確保でき、許容できる範囲となる。

上述した実施例では、ブラックマトリックスＢＭは、液晶表示領域ＡＲ内では、画素の周辺を被ったパターン、すなわち、ドレイン信号線ＤＬおよびゲート信号線ＧＬをも被ったパターンとして構成したものである。しかし、これに限定されることはなく、たとえば液晶表示領域ＡＲ内では、ゲート信号線ＧＬとドレイン信号線ＤＬとのうち、ゲート信号線ＧＬのみ、あるいは、ドレイン信号線ＤＬのみを被ったパターンとして構成してもよい。

上述した実施例では、液晶表示装置は携帯電話用のものを例に挙げて示したものである。しかし、これに限定されることはなく、他の種類の液晶表示装置であってもよい。

また、上述した実施例では、液晶表示装置の画素は、いわゆるＴＮ（Twisted Nematic）型と称される構成のものを示したものである。しかし、ＴＦＴ基板側に画素電極および対向電極を形成し、これらの間の電位差によって発生する電界によって液晶を駆動させるいわゆるＩＰＳ（In Plane Switching）型と称される画素の構成であってもよい。この場合、そのフィルタ基板ＳＵＢ２には上述した対向電極ＣＴを備えない構成とすることができる。

上述した各実施例はそれぞれ単独に、あるいは組み合わせて用いても良い。それぞれの実施例での効果を単独であるいは相乗して奏することができるからである。

本発明による液晶表示装置の一実施例の要部構成図を示し、フィルタ基板の周辺の構成を示した図である。 本発明による液晶表示装置の一実施例を示す全体構成図である。 本発明による液晶表示装置の画素の一実施例を示す構成図である。 本発明による液晶表示装置のフィルタ基板の構成を示した図である。 本発明による液晶表示装置の製造の際に用いられる液晶滴下封入方式を示した説明図である。 本発明による液晶表示装置に備えられるブラックマトリックスを示した図である。 本発明による液晶表示装置において、シール材が形成される絶縁膜の頂上面に配向膜が乗り上げていないことを示す説明図である。 本発明による液晶表示装置において、シール材が絶縁膜上をはみ出した場合に、そのはみ出しを許容できる範囲を示した説明図である。

符号の説明

ＳＵＢ１……ＴＦＴ基板、ＳＵＢ２……フィルタ基板、ＳＬ……シール材、ＧＬ……ゲート信号線、ＤＬ……ドレイン信号線、ＴＦＴ……薄薄トランジスタ、ＰＸ……画素電極、Ｃａｄｄ……容量素子、Ｗｇ、Ｗｄ……配線、ＤＲ……駆動回路、ＦＬＢ……フレキシブル基板、ＧＩ……絶縁膜、ＳＣ……駆動回路、ＰＡＳ……保護膜、ＯＲＩ１、ＯＲＩ２……配向膜、ＢＭ……ブラックマトリックス（遮光膜）、ＦＩＬ……カラーフィルタ、ＣＴ……対向電極、ＩＮＬ……絶縁膜。

Claims (7)

1. 第１の基板と、第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板とを固着するとともに画素の集合で構成された液晶表示領域を囲んで形成されるシール材と、前記第１の基板と前記第２の基板と前記シール材とで囲まれた内部に封入された液晶とを有する液晶表示装置であって、
   前記第１の基板は、前記液晶側の面に、前記画素を構成する画素電極を有し、
   前記第２の基板は、前記液晶側の面に、遮光膜と、カラーフィルタと、配向膜と、絶縁膜とを有し、
   前記シール材は、液晶封入口を有しない閉じた環状であり、
   前記遮光膜は、金属膜であり、
   前記絶縁膜は、前記液晶表示領域に開口を有するとともに、前記液晶表示領域の外側において前記遮光膜に重畳しており、
   前記シール材は、前記絶縁膜上に形成されており、
   前記配向膜が形成される下地層の表面を基準にしたとき、前記絶縁膜の高さは、前記配向膜の高さの５倍以上に設定されていることを特徴とする液晶表示装置。
2. 前記遮光膜は、クロムで構成されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
3. 前記カラーフィルタと前記配向膜との間に、透明導電膜で構成された電極を有することを特徴とする請求項１または２に記載の液晶表示装置。
4. 前記絶縁膜は、樹脂材で構成されていることを特徴とする請求項１から３の何れかに記載の液晶表示装置。
5. 幅を測定する方向を前記シール材の延在方向に対して直交する方向と定義したとき、
   前記シール材の幅をａ、前記シール材のうち前記絶縁膜と重畳する部分の幅をｂとした場合、ａに対するｂの割合が５０％以上であることを特徴とする請求項１から４の何れかに記載の液晶表示装置。
6. 幅を測定する方向を前記シール材の延在方向に対して直交する方向と定義したとき、
   前記シール材の幅をａ、前記シール材のうち前記配向膜と重畳する部分の幅をｃとした場合、ａに対するｃの割合が５０％未満であることを特徴とする請求項１から５の何れかに記載の液晶表示装置。
7. 前記配向膜は、前記絶縁膜のうち少なくともシール材が形成された頂上面に乗り上げて形成されていないことを特徴とする請求項１から６の何れかに記載の液晶表示装置。

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