CN102654658B - 一种tft阵列基板检测方法及检测装置 - Google Patents
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Abstract
本发明实施例提供了一种TFT阵列基板检测方法及检测装置，涉及液晶显示器制造领域，能够提高TFT阵列基板数据线的不良完全检出率。该检测方法包括：向TFT阵列基板上的数据线提供正负交替的周期性测试电压信号；从每条数据线的一端，以规定的距离间隔连续采集电压至另一端，得到连续的采集电压值；根据所述采集电压值的一个或多个突变，确定所述数据线出现一个或多个不良。本发明实施例用于TFT阵列基板检测。
Description
技术领域
本发明涉及液晶显示器制造领域，尤其涉及一种TFT(Thin FilmTansistor，薄膜场效应晶体管)阵列基板检测方法及检测装置。
背景技术
在TFT阵列基板的检测工艺过程中，检测设备需要通过探针将检测信号加入到TFT阵列基板上，给像素电极充电，然后通过调节器(Modulator)模拟液晶显示器的显示原理进行检测。在对像素电极充电完成之后，检测设备检测像素电极的电压大小，并将像素电极上的电压值与预先设置各种不良的电压值进行比对，从而确定TFT阵列基板的不良种类。
在实现上述TFT阵列基板检测的过程中，发明人发现现有技术中至少存在如下问题：当TFT阵列基板的数据线断开时，断点后的所有像素电极都不能充电，因此检测设备只能检测到数据线断开的第一个断点。若该断点之后仍有其他断开，则无法检测到，所以即使在该第一断点修复之后，TFT阵列基板仍会存在不良，因此，现有的检测方法、检测设备对阵列基板数据线的不良完全检出率低下，致使产品产出不良率较大。
发明内容
本发明的实施例提供一种TFT阵列基板检测方法及检测装置，能够提高TFT阵列基板数据线的不良完全检出率。
为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：
一种TFT阵列基板检测方法，包括：向TFT阵列基板上的数据线提供正负交替的周期性测试电压信号；从每条数据线的一端，以规定的间隔连续采集电压至另一端，得到连续的采集电压值；根据所述采集电压值的一个或多个突变，确定所述数据线出现一个或多个不良。
一种TFT阵列基板检测装置，包括：测试电压加载单元，用于向TFT阵列基板上的数据线提供正负交替的周期性测试电压信号；电压采集单元，用于从每条数据线的一端，以规定的间隔连续采集电压至另一端，得到连续的采集电压值；判断单元，用于根据所述采集电压值的一个或多个突变，确定所述数据线出现一个或多个不良。
本发明实施例提供的TFT阵列基板检测方法及检测装置，向TFT阵列基板上的数据线提供正负交替的周期性测试电压信号；从每条数据线的一端，以规定的间隔连续采集电压至另一端，得到连续的采集电压值；根据该采集电压值的一个或多个突变，确定数据线出现一个或多个不良。这样，通过一次检测就可以确定出数据线出现的不良数量，从而提高了TFT阵列基板数据线不良完全检出率，有助于提高产品的产出良品率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的TFT阵列基板检测方法的流程示意图；
图2为本发明实施例提供的TFT阵列基板检测方法的测试电路回路；
图3为本发明实施例提供的数据线无不良的采集电压值图形；
图4为本发明实施例提供的数据线无不良的等效电路；
图5为本发明实施例提供的数据线有一个断点的等效电路；
图6为本发明实施例提供的数据线有一个断点的采集电压值图形；
图7为本发明实施例提供的数据线有一个变薄点的等效电路；
图8为本发明实施例提供的数据线有一个变薄点的采集电压值图形；
图9为本发明实施例提供的数据线同时存在一个断点和一个变薄点的等效电路；
图10为本发明实施例提供的数据线同时存在一个断点和一个变薄点的采集电压值图形；
图11为本发明实施例提供的TFT阵列基板检测装置的结构示意图；
图12为本发明另一实施例提供的TFT阵列基板检测装置的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明实施例提供的TFT阵列基板检测方法，如图1所示，包括：
S101、向TFT阵列基板上的数据线提供正负交替的周期性测试电压信号。
示例性的，该周期性测试电压信号可以包括：交流电压信号或锯齿波电压信号等。
S102、从每条数据线的一端，以规定的间隔连续采集电压至另一端，得到连续的采集电压值。
S103、根据采集电压值的一个或多个突变，确定数据线出现一个或多个不良。
本发明实施例提供的TFT阵列基板检测方法，向TFT阵列基板上的数据线提供正负交替的周期性测试电压信号；从每条数据线的一端连续采集电压至另一端，得到连续的采集电压值；根据该采集电压值的一个或多个突变，确定数据线出现一个或多个不良。这样，通过一次检测就可以确定出数据线出现的不良数量，从而提高了TFT阵列基板数据线不良完全检出率，有助于提高产品的产出良品率。
本发明另一实施例提供的TFT阵列基板检测方法，如图2所示，在待检测的TFT阵列基板10的所有数据线11末端串联一个TFT开关12，并通过该TFT开关12将所有的数据线连接到一起，再串联一个限流用的电阻13后连接到参考电压(本实施例中例如-20V)。
检测时，向TFT开关12的栅极加载开启电压(例如20V)，并向各条数据线11加载正负交替的周期性测试电压信号，在本实施例中，例如加载交流电压信号，使其成为一个回路。
然后从每条数据线11的一端，以规定的间隔连续采集电压至另一端，得到连续的采集电压值。在本步骤中，可以以每条数据线的一端为数据线坐标原点，从该数据线坐标原点开始，采集电压至该数据线的另一端，该数据线的另一端为数据线坐标终点，得到与数据线坐标位置对应的采集电压值图形。
当数据线没有不良时，该采集电压值的图形从数据线坐标原点向数据线坐标终点线性递减，该采集电压值图形如图3所示，此时数据线所在的检测回路的等效电路如图4所示。
由于数据线检测回路中加载的是交流电压信号，因此，当数据线存在断点(Open)不良时，该断点不良处可以等效为电容，此时数据线所在的检测回路的等效电路如图5所示。其中，电阻r1表示断点前的数据线阻值，电阻r2表示断点后的数据线阻值，电容C表示断点处的等效电容值。由于电容的容抗为不仅有分压的作用，最主要的还有相移作用，即相位滞后90度，因此回路中数据线的采集电压值图形将是两段线段之间出现跳变断点，如图6所示。进一步地，可以根据图形中断点对应的数据线坐标位置确定数据线存在断点不良的位置。
同样，由于数据线检测回路中加载的是交流电压信号，因此，当数据线存在变薄(Peel off)不良时，该变薄不良部分相对正常厚度的数据线部分而言，阻碍了电流的流经，因此可以等效为电阻，此时数据线所在的检测回路的等效电路如图7所示。其中，电阻r1表示变薄点前的数据线阻值，电阻r2表示变薄点后的数据线阻值，电阻R表示变薄点处的等效电阻值，由于数据线该部分变薄，因此电阻R会比正常数据线厚度的电阻大。因此，在回路中数据线的采集电压值图形的直线上会有一段斜率变化部分，如图8所示，由于电阻R的阻值变大，其上分压也变大，因此，变薄点之后数据线阻值r2上的分压就会变小，在图8横坐标为数据线坐标，纵坐标为采集电压值的图中，经过变薄区域后，采集电压值会突然变小，相应地，从图中表示出来的则是变薄区域的采集电压值图形相对于数据线坐标轴的斜度比变薄区域之前的采集电压值图形相对于数据线坐标轴的斜度大。进一步地，可以根据图形中相对于数据线坐标轴的斜度变化部分对应的数据线坐标位置确定数据线存在变薄不良的位置。
当某一条数据线测试回路中同时存在一个或多个断点以及一个或多个变薄点时，其等效电路相当于串联了一个或多个电容，以及一个或多个电阻，相应地，采集的到的采集电压值图形上也会有一个或多个断点，以及一个或多个相对于数据线坐标轴的斜度变大的点。本实施例中，假设某一条数据线上存在一个断点和一个变薄点时，如图9所示，其中该断点和变薄点处分别等效为串联一个电容C和一个电阻R。相应地，得到的采集电压值图形上存在一个跳变断点和一个相对于数据线坐标轴的斜度变大点，如图10所示。进一步地，根据该跳变断点和相对于数据线坐标轴的斜度变大区域对应的数据线坐标位置能够确定出数据线出现不良的位置。
由上可以看出，本发明实施例提供给的TFT阵列基板检测方法，通过一次检测就可以确定出数据线出现的不良数量、类型以及位置，从而提高了TFT阵列基板数据线不良的完全检出率，有助于提高产品良品率。
在此，后续的数据线修复过程与现有技术相同，不再赘述。
需要说明的是，在本实施例中，是将连续采集到的采集电压值做成了采集电压值图形，在实际检测过程中，计算机采集电压值之后可以不输出图形，而是将采集到的采集电压值和数据线坐标值对应存储起来，再将本实施例中所有通过图形进行的判断改为计算机处理器进行的后台算法操作，通过与本实施例提供的判断原理相同的算法直接计算得出判断结果。本实施例中提供的判断方法完全可以由计算机技术人员编写成计算机执行程序。
本发明实施例提供的TFT阵列基板检测装置11，如图11所示，包括：
测试电压加载单元1101，用于向TFT阵列基板上的数据线提供正负交替的周期性测试电压信号。
电压采集单元1102，用于从每条数据线的一端连续采集电压至另一端，得到连续的采集电压值。
判断单元1103，用于根据采集电压值的一个或多个突变，确定数据线出现一个或多个不良。
本发明实施例提供的TFT阵列基板检测装置，向TFT阵列基板上的数据线提供正负交替的周期性测试电压信号；从每条数据线的一端连续采集电压至另一端，得到连续的采集电压值；根据该采集电压值的一个或多个突变，确定数据线出现一个或多个不良。这样，通过一次检测就可以确定出数据线出现的不良，从而提高了TFT阵列基板数据线的不良完全检出率，有助于提高产品的良品率。
进一步地，如图12所示，电压采集单元1102包括：
图形生成模块11021，用于以每条数据线的一端为数据线坐标原点，从数据线坐标原点开始，采集电压至所述数据线的另一端，该数据线的另一端为数据线坐标终点，得到与数据线坐标位置对应的采集电压值图形。
判断单元包括1103包括：
不良确定模块11031，用于根据采集电压值图形的一个或多个突变所对应的数据线坐标位置，确定该数据线出现一个或多个不良的位置。
当数据线没有不良时，采集电压值的图形从数据线坐标原点向数据线坐标终点线性递减。
当采集电压的突变为采集电压值图形中的断点时，则不良确定模块11031确定采集电压值图形的断点对应的数据线坐标位置存在断点不良。
当采集电压的突变为采集电压值图形规定的斜率变化时，则不良确定模块11031确定采集电压值图形的斜率变化区域对应的数据线坐标位置存在变薄不良。
由于数据线存在变薄不良，则该不良区域的等效电阻变大，则变薄不良部分的斜率变大，所以当变薄部分的采集电压值图形相对于数据线坐标轴的斜度比变薄部分之前的采集电压值图形相对于数据线坐标轴的斜度大时，则不良模块11301确定采集电压值图形的斜率变化区域对应的数据线坐标位置存在变薄不良。
此外，测试电压加载单元1101加载的周期性测试电压信号可以包括交流电压信号或锯齿波电压信号。
进一步地，TFT阵列基板检测装置还包括：与各条数据线分别串联的薄膜晶体管、电阻和参考电压。
本发明实施例提供的TFT阵列基板检测装置，向TFT阵列基板上的数据线提供正负交替的周期性测试电压信号；从每条数据线的一端连续采集电压至另一端，得到与数据线坐标相对应的连续的采集电压值图形；根据该采集电压值的一个或多个突变，确定数据线出现一个或多个不良以及位置。这样，通过一次检测就可以确定出数据线出现的不良数量以及位置，从而提高了TFT阵列基板数据线不良完全检出率，有助于提高产品的良品率。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
Claims (11)
1.一种TFT阵列基板检测方法，其特征在于，包括：
向TFT阵列基板上的数据线提供正负交替的周期性测试电压信号；
从每条数据线的一端，以规定的间隔连续采集电压至另一端，得到连续的采集电压值；
根据所述采集电压值的一个或多个突变，确定所述数据线出现一个或多个不良，所述一个或多个不良包括断点不良和变薄不良。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述从每条数据线的一端，以规定的间隔连续采集电压至另一端，得到连续的采集电压值包括：
以每条数据线的一端为数据线坐标原点，从所述数据线坐标原点开始，采集电压至所述数据线的另一端，所述数据线的另一端为数据线坐标终点，得到与数据线坐标位置对应的采集电压值图形。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述根据所述采集电压值的一个或多个突变，确定所述数据线出现一个或多个不良包括：
根据所述采集电压值图形的一个或多个突变所对应的数据线坐标位置，确定所述数据线出现一个或多个不良的位置。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，当数据线没有不良时，所述采集电压值的图形从所述数据线坐标原点向所述数据线坐标终点线性递减。
5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，当所述采集电压值的突变为所述采集电压值图形中的断点时，则确定所述采集电压值图形的断点对应的所述数据线坐标位置存在断点不良。
6.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，当所述采集电压值的突变为所述采集电压值图形中的规定斜率变化时，则确定所述采集电压值图形的斜率变化区域对应的所述数据线坐标位置存在变薄不良。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述周期性测试电压信号包括交流电压信号。
8.一种TFT阵列基板检测装置，其特征在于，包括：
测试电压加载单元，用于向TFT阵列基板上的数据线提供正负交替的周期性测试电压信号；
电压采集单元，用于从每条数据线的一端，以规定的间隔连续采集电压至另一端，得到连续的采集电压值；
判断单元，用于根据所述采集电压值的一个或多个突变，确定所述数据线出现一个或多个不良，所述一个或多个不良包括断点不良和变薄不良。
9.根据权利要求8所述的装置，其特征在于，所述电压采集单元包括：
图形生成模块，用于以每条数据线的一端为数据线坐标原点，从所述数据线坐标原点开始，采集电压至所述数据线的另一端，所述数据线的另一端为数据线坐标终点，得到与数据线坐标位置对应的采集电压值图形。
10.根据权利要求9所述的装置，其特征在于，所述判断单元包括：
不良确定模块，用于根据所述采集电压值图形的一个或多个突变所对应的数据线坐标位置，确定所述数据线出现一个或多个不良的位置。
11.根据权利要求8所述的装置，其特征在于，所述TFT阵列基板检测装置还包括：与各条数据线分别串联的薄膜晶体管、与各条数据线分别串联的电阻，以及与各条数据线分别串联的参考电压源。
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