CN102642836A - 粉末料装料投炉铸锭提纯方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种粉末料装料投炉铸锭提纯方法，包括以下步骤：将粉末料压制成圆柱体粉棒；使用硅片铺在坩埚底部和侧壁；将粉棒和粉末料逐层摆放，所述粉棒竖直排列；去除硅料及坩埚上的粉尘；将硅料投炉，取消设备返充气程序，缓速抽真空后铸锭运行。有益效果：本发明可以不使用废弃层回收料，并能大量使用粉末料装料铸锭提纯；采用本方法提纯粉末料可以不受废弃层回收料库存的限制。
Description
技术领域
该发明涉及一种多晶硅铸锭技术领域，具体是一种将粉料超过90％的硅料装料提纯的方法。
背景技术
粉末料为流化床法生产硅原料的附属产品，将其用于铸锭提纯时，其易被抽真空抽出或被返充气吹出，因此铸锭时通常使用大量废弃层回收料覆盖在粉料上面，目前铸锭提纯粉料用量一般不超过50％。所以使用粉末料提纯需要较多的废弃层回收料，并没有真正实现粉末料提纯，且提纯受到废弃层回收料库存的限制。
发明内容
本发明的目的是，提供一种可以不使用废弃层回收料，并能大量使用粉末料装料铸锭提纯的方法。采用本方法提纯粉末料可以不受废弃层回收料库存的限制。
技术方案：一种粉末料装料投炉铸锭提纯方法，包括以下步骤：
a)将粉末料压制成圆柱体粉棒，
b)使用硅片铺在坩埚底部和侧壁；
c)将粉棒和粉末料逐层摆放，所述粉棒竖直排列；去除硅料及坩埚上的粉尘；
d)将硅料投炉，取消设备返充气程序，缓速抽真空后铸锭运行。
最上面一层竖直摆放的粉棒下面铺放一层硅片；硅片厚度为6-8片。所述坩埚底部和侧壁摆放2-3片完整的硅片。所述硅片片厚100um-300um，尺寸为：长156±0.5mm，宽156±0.5mm。
所述竖直排列的粉棒层的排列方式为横纵各13排，共169根粉棒。最上面一层竖直摆放的粉棒上面再横卧摆放一层粉棒。所述横卧摆放的粉棒层的排列方式为横纵分别为12排和8排，共96根粉棒。所述粉棒的外形尺寸为高85±3mm，底部直径63±2mm。
所述硅片上铺放10-15kg粉末料，使其表面平整。
有益效果：本发明可以不使用废弃层回收料，并能大量使用粉末料装料铸锭提纯；采用本方法提纯粉末料可以不受废弃层回收料库存的限制。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面对本发明的优选实施例进行详细的描述。
a.将粉末料压制成高85±3mm，底部直径63±2mm的圆柱体，称为粉棒。
b.在坩埚底部铺完整的硅片，厚度为2-3片，在坩埚侧壁每侧竖直摆放完整硅片，厚度为2-3片。
c.在硅片上铺放10-15kg粉末料，使其表面平整。
d.在粉末料上按13*13竖直摆放169根粉棒。
e.在粉棒上铺放10-15kg粉末料，使其表面平整。
f.在坩埚侧壁竖直摆放完整硅片，厚度为2-3片。
g.在粉末料上按13*13竖直摆放169根粉棒。
h.在粉棒上铺放10-15kg粉末料，使其表面平整。
i.在坩埚侧壁竖直摆放完整硅片，厚度为2-3片。
j.在粉末料上按13*13竖直摆放169根粉棒。
k.在粉棒上铺放10-15kg粉末料，使其表面平整。
l.在粉末料表面铺完整的硅片，厚度为6-8片，在坩埚侧壁竖直摆放完整硅片，厚度为2-3片，。
m.在硅片上按13*13竖直摆放169根粉棒。
n.在最上层按12*8横卧摆放96根粉棒。
o.除去硅料及坩埚表面粉尘，将硅料投入铸锭炉中，若运行程序中有返充气过程将其取消掉，压力下降速率控制为0.07±0.005mbar/s，抽气至炉内压力小于0.04mbar即可运行铸锭程序。
Claims (10)
1.一种粉末料装料投炉铸锭提纯方法，其特征在于，包括以下步骤：
a)将粉末料压制成圆柱体粉棒；
b)使用硅片铺在坩埚底部和侧壁；
c)将粉棒和粉末料逐层摆放，所述粉棒竖直排列；
d)去除硅料及坩埚上的粉尘；
e)将硅料投炉，取消设备返充气程序，缓速抽真空后铸锭运行。
2.根据权利要求1所述的粉末料装料投炉铸锭提纯方法，其特征在于：最上面一层竖直摆放的粉棒下面铺放一层硅片。
3.根据权利要求2所述的粉末料装料投炉铸锭提纯方法，其特征在于：所述最上面一层竖直摆放的粉棒下面铺放一层硅片厚度为6-8片。
4.根据权利要求1所述的粉末料装料投炉铸锭提纯方法，其特征在于：最上面一层竖直摆放的粉棒上面再横卧摆放一层粉棒。
5.根据权利要求1所述的粉末料装料投炉铸锭提纯方法，其特征在于：所述粉棒的外形尺寸为高85±3mm，底部直径63±2mm。
6.根据权利要求1所述的粉末料装料投炉铸锭提纯方法，其特征在于：所述坩埚底部和侧壁摆放2-3片完整的硅片。
7.根据权利要求1所述的粉末料装料投炉铸锭提纯方法，其特征在于：所述硅片上铺放10-15kg粉末料，使其表面平整。
8.根据权利要求1所述的粉末料装料投炉铸锭提纯方法，其特征在于：所述竖直排列的粉棒层的排列方式为横纵各13排，共169根粉棒。
9.根据权利要求4所述的粉末料装料投炉铸锭提纯方法，其特征在于：所述横卧摆放的粉棒层的排列方式为横纵分别为12排和8排，共96根粉棒。
10.根据权利要求1所述的粉末料装料投炉铸锭提纯方法，其特征在于：所述硅片片厚100um-300um，尺寸为：长156±0.5mm，宽156±0.5mm。
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Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101423221A (zh) * | 2008-11-17 | 2009-05-06 | 上海普罗新能源有限公司 | 采用粉末冶金的硅真空熔炼提纯方法 |
| US20100233063A1 (en) * | 2009-03-13 | 2010-09-16 | Radiant Technology Co. | Method for manufacturing high-purity silicon material |
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2012
- 2012-04-19 CN CN2012101172059A patent/CN102642836A/zh active Pending
Patent Citations (2)
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