CN102624227B - 一种电流控制电路 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种电流控制电路，包括：电流源、第一斜坡补偿电路、第一NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第二NMOS管、第一电阻、第二电阻、第三NMOS管、第四NMOS管以及放大器，其特征在于，所述第一斜坡补偿电路的第二斜坡补偿电流输出端与所述第一PMOS管的漏极相连；由于所述第一NMOS管始终保持开启状态，负反馈环路始终处于稳定状态，电流122也始终处于稳定状态。

Description

一种电流控制电路
技术领域
本发明涉及DC-DC变换器领域，更具体的说，是涉及一种电流控制电路。
背景技术
现有技术中的电流控制电路包括：输入电路1、输出电路2、反馈电路3、电压源VCC、第一斜坡补偿电路108、第三PMOS管114、第三NMOS管118以及第四NMOS管119，图1中的输入端COMP，是放大器121(为了画图方便没有将放大器121在图中画出，只是将放大器121的输出端COMP画出了)的输出端，其中：所述反馈电路3(图1中用虚线框3包围)包括：电流源107、第一NMOS管111以及第一PMOS管112，所述输出电路2(图1中用虚线框2包围)包括：第二PMOS管113，所述输入电路1(图1中用虚线框1包围)包括：第二NMOS管115、第一电阻116、第二电阻117，其中现有技术中的电流控制电路图如图1所示，连接关系如下：所述第二PMOS管113的栅极分别与所述第二PMOS管113的漏极、所述第三PMOS管114的栅极、所述第一PMOS管112的栅极以及所述第二NMOS管115的漏极相连；所述第二PMOS管113的源极分别与所述第三PMOS管114的源极、所述第一PMOS管112的源极、所述第一NMOS管111的漏极以及电压VCC相连；所述第一PMOS管112的漏极分别与所述第一NMOS管111的栅极以及所述电流源107的一端相连；所述第二NMOS管115的栅极与所述放大器121的输出端COMP相连，源极与所述第一斜坡补偿电路108的第一斜坡补偿电流110的输出端以及所述第一电阻116的第一端相连；所述第三PMOS管114的漏极分别与所述第三NMOS管118的漏极、所述第三NMOS管118的栅极以及所述第四NMOS管119的栅极相连；所述第三NMOS管118的源极分别与所述第四NMOS管119的源极以及地相连；所述第一NMOS管111的源极分别与所述第一电阻116的第二端以及所述第二电阻117的第一端相连；所述第二电阻117的第二端接地，所述电流源107的另一端接地；所述第二PMOS管113、所述第三PMOS管114、所述第三NMOS管118以及所述第四NMOS管119控制电流122。图1中用点划线包围的所述第一PMOS管112、所述第二PMOS管113、所述第一NMOS管111、所述第二NMOS管115、所述第一电阻116、所述第二电阻117以及所述电流源107组成了负反馈环路。
所述电流控制电路的工作原理是：在所述放大器121的输出电压高于一定值的情况下，当所述第一斜坡补偿电路108产生并输出的第一斜坡补偿电流110处于波峰值时，所述第一电阻116和所述第二电阻117的压降增大，从而使所述第二NMOS管115、所述第二PMOS管113的输出电流达到波谷值，同时所述第一PMOS管112的漏极输出电流同时也达到波谷值，此时漏极输出电流小于所述电源107的输出电流，则所述第一NMOS管111的栅极为低电平，所述第一NMOS管111关闭；当补偿电流110下降到波谷值时，所述第二NMOS管115以及所述第二PMOS管113达到波峰值，此时所述第一PMOS管112的漏极输出电流也达到波峰值，此时所述第一PMOS管112的漏极输出电流大于所述电流源107的输出电流，则所述第一NMOS管111的栅极为高电平，所述第一NMOS管111开启。所述第一NMOS管111的开启和关闭需要稳定时间，由于第一斜波补偿电流110从波峰值转为波谷值的时间比环路重新达到稳定的时间要快，所以第一NMOS管115、第二PMOS管113会出现一个异常的大电流，此电流通过第三PMOS管114、第三NMOS管118、第四NMOS管119使所述电流122瞬间增大，也就是产生了大电流。
该电流控制电路的应用场景很多，例如应用于DC-DC限流电路中，该电流控制电路产生的大电流可能使DC-DC限流电路产生过冲电流，该过冲电流可能使DC-DC限流电路的负载芯片作出误判断，甚至烧毁该负载芯片。
发明内容
有鉴于此，本发明提供了一种电流控制电路，以克服现有技术中电流控制电路产生大电流的问题。
为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：
一种电流控制电路，包括：输入电路、输出电路、反馈电路、电压源VCC、第一斜坡补偿电路、第三PMOS管、第三NMOS管以及第四NMOS管，所述第一斜坡补偿电路的第二斜坡补偿电流输出端与所述反馈电路中的第一PMOS管的漏极相连；
当所述第一斜坡补偿电路输出的第一斜坡补偿电流值处于波峰值时，所述第二斜坡补偿电流值也处于波峰值，在所述第一斜坡补偿电流值处于波谷值时，所述第二斜坡补偿电流值也处于波谷值，在任意时刻所述第二斜坡补偿电流与所述第一PMOS管的漏极输出电流之和大于所述电源输出电流。
其中，所述第一和第二斜坡补偿电流同相同周期。
优选的，还包括：第五NMOS管的源极与所述第三NMOS管的源极相连，所述第五NMOS管的漏极与第一开关的一端相连；所述第一开关的另一端与所述第三NMOS管的漏极相连；所述第五NMOS管镜像到所述第三NMOS管；
在进行电流测试时，闭合所述第一开关。
一种电流控制电路，包括：输入电路、输出电路、反馈电路、电压源VCC、第一斜坡补偿电路、第三PMOS管、第三NMOS管以及第四NMOS管，还包括：第二斜坡补偿电路，所述第二斜坡补偿电路的第三斜坡补偿电流输出端与所述反馈电路中的第一PMOS管的漏极相连；
当所述第一斜坡补偿电路输出的第一斜坡补偿电流值处于波峰值时，所述第二斜坡补偿电路输出的第三斜坡补偿电流值也处于波峰值，在所述第一斜坡补偿电流值处于波谷值时，所述第二斜坡补偿电流值也处于波谷值，在任意时刻使所述第三斜坡补偿电流与所述第一PMOS管的漏极输出电流之和大于所述电源输出电流。
其中，所述第一和第三斜坡补偿电流同相同周期。
优选的，还包括：第六NMOS管的源极与所述第三NMOS管的源极相连，所述第六NMOS管的漏极与第二开关的一端相连；所述第二开关的另一端与所述第三NMOS管的漏极相连；所述第六NMOS管镜像到所述第三NMOS管；
在进行电流测试时，闭合所述第二开关。
经由上述的技术方案可知，采用本发明实施例，由于加入了第二斜坡补偿电流，当所述第一斜坡补偿电路输出的第一斜坡补偿电流值处于波峰值时，所述第二斜坡补偿电流值也处于波峰值，并使所述第一PMOS管的漏极输出电流与所述第二补偿电流之和大于所述电流源的输出电流；在所述第一斜坡补偿电流值处于波谷值时，所述第二斜坡补偿电流值也处于波谷值，此时所述第一PMOS管的输出电流值为波峰值，由于，所述第二斜坡补偿电流与所述第一PMOS管的漏极输出电流之和大于所述电源输出电流。这样NMOS管111始终保持开启状态，负反馈环路始终处于稳定状态，电流122也始终处于稳定状态。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
图1为现有技术中的电流控制电路；
图2为本发明实施例公开了第一种电流控制电路的电路图；
图3为现有技术中DC-DC变换器限流电路的结构示意图；
图4为未使用本发明实施例中的电流控制电路的DC-DC变换器中的限制电感峰值电流示意图；
图5为使用本发明实施例中的电流控制电路的DC-DC变换器中的限制电感峰值电流示意图；
图6为本发明公开的第二种电流控制电路的电路图；
图7为本发明公开的第三种电流控制电路的电路图；
图8为本发明实施例公开的第四种电流控制电路。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例一
请参阅附图2，为本发明实施例公开了第一种电流控制电路的电路图，该电路可以包括：输入电路1、输出电路2、反馈电路3、电压源VCC、第一斜坡补偿电路108、第三PMOS管114、第三NMOS管118以及第四NMOS管119，图2中的输入端COMP，是放大器121(为了画图方便没有将放大器121在图中画出，只是将放大器121的输出端COMP画出了)的输出端，所述放大器121可以属于所述电流控制电路，也可以不属于，其中：所述反馈电路3(在图2中用虚线3包围)包括：电流源107、第一NMOS管111以及第一PMOS管112，所述输出电路2(在图2中用虚线2包围)包括：第二PMOS管113，所述输入电路1(在图2中用虚线1包围)包括：第二NMOS管115、第一电阻116、第二电阻117，其中：
所述第二PMOS管113的栅极分别与所述第二PMOS管113的漏极、所述第三PMOS管114的栅极、所述第一PMOS管112的栅极以及所述第二NMOS管115的漏极相连；所述第二PMOS管113的源极分别与所述第三PMOS管114的源极、所述第一PMOS管112的源极、所述第一NMOS管111的漏极以及电压VCC相连；所述第一PMOS管112的漏极分别与所述第一NMOS管111的栅极、所述电流源107的一端以及所述第一斜坡补偿电路108的第二斜坡补偿电流109的输出端相连；所述第二NMOS管115的栅极与所述放大器121(为了画图方便，所述放大器121未在图中画出)的输出端COMP相连，源极与所述第一斜坡补偿电路108的第一斜坡补偿电流110的输出端以及所述第一电阻116的第一端相连；所述第三PMOS管114的漏极分别与所述第三NMOS管118的漏极、所述第三NMOS管118的栅极以及所述第四NMOS管119的栅极相连；所述第三NMOS管118的源极分别与所述第四NMOS管119的源极以及地相连；所述第一NMOS管111的源极分别与所述第一电阻116的第二端以及所述第二电阻117的第一端相连；所述第二电阻117的第二端接地，所述电流源107的另一端接地。
所述第一PMOS管112、所述第二PMOS管113以及所述第三PMOS管114组成第一镜像电流结构，所述第三NMOS管118以及所述第四NMOS管119组成第二镜像电流结构，所述第二PMOS管113、所述第三PMOS管114、所述第三NMOS管118以及所述第四NMOS管119控制电流122(即图3中100的输出连接至比较器101的反向输入端)。在图2中用点划线包围的所述第一PMOS管112、所述第二PMOS管113、所述第一NMOS管111、所述第二NMOS管115、所述第一电阻116、所述第二电阻117以及所述电流源107组成了负反馈环路。
本发明实施例中的所述第二斜坡补偿电流109的周期与所述第一斜坡补偿电流110的周期相同，并且相位相同，也就是当所述第一斜坡补偿电路输出的第一斜坡补偿电流值处于波峰值时，所述第二斜坡补偿电流值也处于波峰值，并使所述第一PMOS管的漏极输出电流与所述第二补偿电流之和大于所述电流源的输出电流；在所述第一斜坡补偿电流值处于波谷值时，所述第二斜坡补偿电流值也处于波谷值，此时所述第一PMOS管的输出电流值为波峰值，并保证在任意时刻所述第二斜坡补偿电流与所述第一PMOS管的漏极输出电流之和大于所述电源输出电流；
其工作原理为：在所述放大器121的输出电压高于一定值的情况下，当所述第一斜坡补偿电路输出的第一斜坡补偿电流值处于波峰值时，所述第二斜坡补偿电流值也处于波峰值，并使所述第一PMOS管的漏极输出电流与所述第二补偿电流之和大于所述电流源的输出电流，此时所述第一NMOS管111的栅极为高电平，所述第一NMOS管111处于开启状态；在所述第一斜坡补偿电流值处于波谷值时，所述第二斜坡补偿电流值也处于波谷值，此时所述第一PMOS管的输出电流值为波峰值，并保证所述第二斜坡补偿电流与所述第一PMOS管的漏极输出电流之和大于所述电源输出电流，所以所述第一NMOS管111的栅极为高电平，所述第一NMOS管111处于开启状态；由于所述第一斜坡补偿电流与所述第二斜坡补偿电流同相且周期相同，可见在任意时刻所述第一PMOS管112的漏极输出电流与所述第二斜坡补偿电流之和都大于所述电流源107的输出电流，所以所述第一NMOS管111一直处于开启状态，所以所述负反馈环路一致处于稳定状态，从而不会出现过冲电流的现象。
所述电流控制电路可以应用于很多场景，例如DC-DC变换器的限流电路中，如图3，为现有技术中DC-DC变换器的限流电路的结构示意图，该电路可以包括：电流控制电路100、比较器101、驱动电路102、第一功率管103、第二功率管104、电源POWER IN、放大器121、限制电感105、第一负载电阻R1以及第二负载电阻R2，其中：所述电流控制电路100的输出端分别与所述比较器101的反相输入端以及所述第二功率管104的源极相连；所述电流控制电路100的输入端(也就是第二NMOS管115的基极)与所述放大器121的输出端相连，所述放大器121的同相输入端为参考电压，所述比较器101的同相输入端分别与所述限制电感105的第一端以及所述第一功率管103的源极相连；所述比较器101的输出端与所述驱动电路102的输入端相连；所述驱动电路102的输出端与所述第一功率管103的栅极相连，所述第一功率管103镜像到所述第二功率管104；所述第一功率管103的漏极分别与所述第二功率管104的漏极以及电源POWER IN相连；所述限制电感105的第二端为输出端，该输出端与所述第一负载电阻R3的第一端相连，所述第一负载电阻R3的第二端分别与所述第二负载电阻R4的第一端以及放大器121的反相输入端相连，所述第二负载电阻R4的第二端接地。
如果所述电流控制电路100没有所述第二斜坡补偿电路，那么当所述限制电感105的第二端即输出端接地时，由于放大器121的反相输入端电压变小，同相输入端的参考电压值不变，所以所述放大器121会输出一个大电压COMP，这时所述电流控制电路100就会产生瞬间大电流，从而电压106就很小，所述比较器101的反相输入端电压小于同相输入端的电压，所述比较器101就会立即输出高电压，所述高电压能够使所述驱动电路102驱动所述第一功率管103以及所述第二功率管104开启，同时所述限制电感105输出过冲电流，这个过冲电流可能使负载作出误判断，甚至烧毁负载。
如果所述电流控制电路100中有所述第二斜坡补偿电流，那么所述电流控制电路100就不会产生瞬间大电流，从而所述限制电感105的第二端就不会输出过冲电流。
为了本领域技术人员更能够清楚的理解本发明实施例所能产生的效果，在实际应用中针对本发明实施例进行应用于DC-DC变换器中的对比试验，但是本发明实施例中的电流控制电路不仅仅应用于所述DC-DC变换器中。请参阅图4，为未使用本发明实施例中的电流控制电路的DC-DC变换器中的限制电感峰值电流示意图；如图5所示，为使用本发明实施例中的电流控制电路的DC-DC变换器中的限制电感峰值电流示意图。
图4和图5中“Ilimit”表示限制电感105输出电流，所述“COMP”表示所述放大器121的输出的电压，“Vgs_111”表示所述第一NMOS管111的栅极电压，所述“I_110”表示所述第一斜坡补偿电流。
由图4可知，在所述放大器121的输出电压COMP高于一定值并且所述第一NMOS管111处于由断开向开启过度这段不稳定状态的情况下，当所述第一斜坡补偿电流处于峰值时，所述限制电感105输出电流出现了一个过冲电流。
由图5可以看出所述限制电感105并没有输出过冲电流。
所述电流控制电路可以应用于很多场景，还以DC-DC变换器为例，在使用DC-DC变换器时，需要测试所述限制电感105输出的最大电流，由于所述限制电感105输出的最大电流比较大，所以需要量程较大且精度比较高的测试机这样就增加了测试成本。
请参阅图6所示，为本发明实施例公开的第二种电流控制电路，所述电路除所述第一种电流控制电路包括的元器件外，还可以包括：第五NMOS管120以及第一开关121，所述第五NMOS管120的源极与所述第三NMOS管118的源极相连，所述第五NMOS管120的漏极与所述第一开关121的一端相连；所述第一开关121的另一端与所述第三NMOS管118的漏极相连；所述第三NMOS管118镜像到所述第五NMOS管120；
当所述DC-DC变换器处于测试阶段时，使所述第一开关121处于闭合状态，这样所述第五NMOS管120与所述第三NMOS管118并联，所述第四NMOS管119分担电流的比例减小，所以所述电流I22也减小，这样所述限制电感105产生的最大电流相对于现有技术中的最大电流小很多，可以通过控制所述第五NMOS管120的型号来控制所述限制电感105产生的最大电流的范围，这样检测出所述限制电感105产生的最大电流后，让该电流值与{(所述第五NMOS管120的放大倍数+所述第三NMOS管118的放大倍数)/所述第三NMOS管118的放大倍数}相乘，得到的乘积就是所述限制电感105在所述第一控制开关断开时，测得的所述限制电感105产生的最大电流。
在不进行测试时，将所述第一开关121打开。
根据不同的实际情况，如果只需要实现测试时不要产生大电流，那么所述第二种电流控制电路可以直接在现有技术的基础上，增加所述第五NMOS管120以及第一开关121。
实施例二
请参阅图7，为本发明公开的第三种电流控制电路的电路图，该电路包括：输入电路1、输出电路2、反馈电路3、电压源VCC、第一斜坡补偿电路108、第三PMOS管114、第三NMOS管118、第四NMOS管119以及第二斜坡补偿电路123，图7中的输入端COMP，是放大器121(为了画图方便没有将放大器121在图中画出，只是将放大器121的输出端COMP画出了)的输出端，所述放大器121可以属于所述电流控制电路，也可以不属于，其中：所述反馈电路3(在图7中用虚线3包围)包括：电流源107、第一NMOS管111以及第一PMOS管112，所述输出电路2(在图7中用虚线2包围)包括：第二PMOS管113，所述输入电路1(在图中用虚线1包围)包括：第二NMOS管115、第一电阻116、第二电阻117，其中：
所述第二PMOS管113的栅极分别与所述第二PMOS管113的漏极、所述第三PMOS管114的栅极、所述第一PMOS管112的栅极以及所述第二NMOS管115的漏极相连；所述第二PMOS管113的源极分别与所述第三PMOS管114的源极、所述第一PMOS管112的源极、所述第一NMOS管111的漏极以及所述电源VCC相连；所述第一PMOS管112的漏极分别与所述第一NMOS管111的栅极、所述电流源107的一端以及所述第一斜坡补偿电路108的第一斜坡补偿电流109的输出端相连；所述第二NMOS管115的栅极与所述放大器121的输出端COMP相连，源极与所述第二斜坡补偿电路123的第三斜坡补偿电流110的输出端以及所述第一电阻116的第一端相连；所述第三PMOS管114的漏极分别与所述第三NMOS管118的漏极、所述第三NMOS管118的栅极以及所述第四NMOS管119的栅极相连；所述第三NMOS管118的源极分别与所述第四NMOS管119的源极以及地相连；所述第一NMOS管111的源极分别与所述第一电阻116的第二端以及所述第二电阻117的第一端相连；所述第二电阻117的第二端接地，所述电流源107的另一端接地。
所述第三斜坡补偿电流值的大小以及周期为：当所述第一斜坡补偿电路输出的第一斜坡补偿电流值处于波峰值时，所述第二斜坡补偿电路输出的第三斜坡补偿电流值也处于波峰值，在所述第一斜坡补偿电流值处于波谷值时，所述第三斜坡补偿电流值也处于波谷值并保证，在任意时刻所述第三斜坡补偿电流与所述第一PMOS管的漏极输出电流之和大于所述电源输出电流，也就是所述第一斜坡补偿电流和第三斜坡补偿电流同相同周期。
本发明实施例与实施例一中的不同之处在于，实施例一中的第二斜坡补偿电流与所述第一斜坡补偿电流都是由所述第一斜坡补偿电路108产生的，而本发明实施例中的第一斜坡补偿电流与第三斜坡补偿电流是由不同的斜坡补偿电路产生的，工作原理以及应用场景均与实施例一中的相同，所述电路也可以用于DC-DC变换器中，这里就不在赘述，有关详细信息请参照实施例一所述。
请参阅图8，为本发明实施例公开的第四种电流控制电路，所述电路除包括所述第三种电流控制电路中的元器件外，还可以包括:第六NMOS管124以及第二开关125，所述第六NMOS管124的源极与所述第三NMOS管118的源极相连，所述第六NMOS管124的漏极与所述第二开关125的一端相连；所述第二开关125的另一端与所述第三NMOS管118的漏极相连；所述第三NMOS管118镜像到所述第六NMOS管124；
如果所述电路用于DC-DC变换器，当所述DC-DC变换器处于测试阶段时，使所述第二开关处于闭合状态，这样所述第六NMOS管124与所述第三NMOS管118并联，所述第四NMOS管119分担电流的比例减小，所以所述电流I22也减小，这样所述限制电感105只能产生的最大电流相对于现有技术中的最大电流较小，可以通过控制所述第六NMOS管124的型号来控制所述限制电感105产生的最大电流的范围，这样检测出所述限制电感105产生的最大电流后，让该电流值与{(所述第六NMOS管124的放大倍数+所述第三NMOS管118的放大倍数)/所述第三NMOS管118的放大倍数}相乘，得到的乘积就是所述限制电感105在所述第一控制开关断开时，测得的所述限制电感105产生的最大电流。
根据不同的实际情况，如果只需要实现测试时不要产生大电流，那么所述第四种电流控制电路可以直接在现有技术的基础上，增加所述第六NMOS管124以及第二开关125。
还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。对于实施例公开的装置而言，由于其与实施例公开的方法相对应，所以描述的比较简单，相关之处参见方法部分说明即可。
结合本文中所公开的实施例描述的方法或算法的步骤可以直接用硬件、处理器执行的软件模块，或者二者的结合来实施。软件模块可以置于随机存储器(RAM)、内存、只读存储器(ROM)、电可编程ROM、电可擦除可编程ROM、寄存器、硬盘、可移动磁盘、CD-ROM、或技术领域内所公知的任意其它形式的存储介质中。
对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (6)

1.一种电流控制电路，包括：输入电路、输出电路、反馈电路、电压源VCC、第一斜坡补偿电路、第三PMOS管、第三NMOS管以及第四NMOS管，所述反馈电路包括：电流源、第一NMOS管以及第一PMOS管，所述输出电路包括：第二PMOS管，所述输入电路包括：第二NMOS管、第一电阻、第二电阻，其中，所述第二PMOS管的栅极分别与所述第二PMOS管的漏极、所述第三PMOS管的栅极、所述第一PMOS管的栅极以及所述第二NMOS管的漏极相连；所述第二PMOS管的源极分别与所述第三PMOS管的源极、所述第一PMOS管的源极、所述第一NMOS管的漏极以及电压源VCC相连；所述第一PMOS管的漏极分别与所述第一NMOS管的栅极以及所述电流源的一端相连；所述第二NMOS管的栅极与放大器的输出端COMP相连，源极与所述第一斜坡补偿电路的第一斜坡补偿电流的输出端以及所述第一电阻的第一端相连；所述第三PMOS管的漏极分别与所述第三NMOS管的漏极、所述第三NMOS管的栅极以及所述第四NMOS管的栅极相连；所述第三NMOS管的源极分别与所述第四NMOS管的源极以及地相连；所述第一NMOS管的源极分别与所述第一电阻的第二端以及所述第二电阻的第一端相连；所述第二电阻的第二端接地，所述电流源的另一端接地，其特征在于，所述第一斜坡补偿电路的第二斜坡补偿电流输出端与所述反馈电路中的第一PMOS管的漏极相连；
当所述第一斜坡补偿电路输出的第一斜坡补偿电流值处于波峰值时，第二斜坡补偿电流值也处于波峰值，在所述第一斜坡补偿电流值处于波谷值时，所述第二斜坡补偿电流值也处于波谷值，在任意时刻所述第二斜坡补偿电流与所述第一PMOS管的漏极输出电流之和大于所述电流源输出电流。
2.根据权利要求1所述电路，其特征在于，所述第一斜坡补偿电流和第二斜坡补偿电流同相同周期。
3.根据权利要求1或2所述电路，其特征在于，还包括：第五NMOS管的源极与所述第三NMOS管的源极相连，所述第五NMOS管的漏极与第一开关的一端相连，所述第五NMOS管的栅极与所述第三NMOS管的栅极相连；所述第一开关的另一端与所述第三NMOS管的漏极相连；所述第五NMOS管镜像到所述第三NMOS管；
在进行电流测试时，闭合所述第一开关。
4.一种电流控制电路，包括：输入电路、输出电路、反馈电路、电压源VCC、第一斜坡补偿电路、第三PMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管，所述反馈电路包括：电流源、第一NMOS管以及第一PMOS管，所述输出电路包括：第二PMOS管，所述输入电路包括：第二NMOS管、第一电阻、第二电阻；
其中，所述第二PMOS管的栅极分别与所述第二PMOS管的漏极、所述第三PMOS管的栅极、所述第一PMOS管的栅极以及所述第二NMOS管的漏极相连；所述第二PMOS管的源极分别与所述第三PMOS管的源极、所述第一PMOS管的源极、所述第一NMOS管的漏极以及所述电压源VCC相连；所述第一PMOS管的漏极分别与所述第一NMOS管的栅极、所述电流源的一端以及所述第一斜坡补偿电路的第一斜坡补偿电流的输出端相连；所述第二NMOS管的栅极与放大器的输出端COMP相连；所述第三PMOS管的漏极分别与所述第三NMOS管的漏极、所述第三NMOS管的栅极以及所述第四NMOS管的栅极相连；所述第三NMOS管的源极分别与所述第四NMOS管的源极以及地相连；所述第一NMOS管的源极分别与所述第一电阻的第二端以及所述第二电阻的第一端相连；所述第二电阻的第二端接地，所述电流源的另一端接地；其特征在于：
还包括：第二斜坡补偿电路，所述第二斜坡补偿电路的第三斜坡补偿电流输出端与所述反馈电路中的第一PMOS管的漏极相连；所述第二斜坡补偿电路的第三斜坡补偿电流的输出端以及所述第一电阻的第一端与所述第二NMOS管的源极相连，当所述第一斜坡补偿电路输出的第一斜坡补偿电流值处于波峰值时，所述第二斜坡补偿电路输出的第三斜坡补偿电流值也处于波峰值，在所述第一斜坡补偿电流值处于波谷值时，所述第三斜坡补偿电流值也处于波谷值，在任意时刻使所述第一斜坡补偿电流与所述第一PMOS管的漏极输出电流之和大于所述电流源输出电流。
5.根据权利要求4所述电路，所述第一斜坡补偿电流和第三斜坡补偿电流同相同周期。
6.根据权利要求4所述电路，其特征在于，还包括：第六NMOS管的源极与所述第三NMOS管的源极相连，所述第六NMOS管的漏极与第二开关的一端相连，所述第六NMOS管的栅极与所述第二NMOS管的栅极相连；所述第二开关的另一端与所述第三NMOS管的漏极相连；所述第六NMOS管镜像到所述第三NMOS管；
在进行电流测试时，闭合所述第二开关。
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