CN102623322A

CN102623322A - 基于体硅的纵向堆叠式SiNWFET制备方法

Info

Publication number: CN102623322A
Application number: CN2012100939824A
Authority: CN
Inventors: 黄晓橹
Original assignee: Shanghai Huali Microelectronics Corp
Current assignee: Shanghai Huali Microelectronics Corp
Priority date: 2012-03-31
Filing date: 2012-03-31
Publication date: 2012-08-01
Anticipated expiration: 2032-03-31
Also published as: CN102623322B

Abstract

本发明公开了一种基于体硅的纵向堆叠式SiNWFET制备方法，包括：提供一体硅衬底，所述体硅衬底上交替生长有SiGe层和Si层；对所述SiGe层和Si层进行光刻和刻蚀，形成鳍形有源区，剩余的SiGe层和Si层作为源漏区；通过选择性刻蚀去除所述鳍形有源区中的SiGe层，形成硅纳米线，所述硅纳米线纵向堆叠；在所述硅纳米线、体硅衬底以及源漏区上形成栅极氧化层；在所述源漏区之间的体硅衬底上形成栅极；在所述源漏区和所述栅极之间形成隔离介质层。本发明基于体硅，无自加热效应；采用常规的栅极氧化层；并且为后隔离层工艺，无需进行侧墙工艺；有源区与栅极上表面在同一水平面，利于后续接触孔工艺。硅纳米线纵向堆叠，利于器件集成度增大和器件电流驱动能力增大。

Description

基于体硅的纵向堆叠式SiNWFET制备方法

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，特别是涉及一种基于体硅的纵向堆叠式硅纳米线场效应晶体管(SiNWFET)制备方法。

背景技术

现有技术中，通过缩小晶体管的尺寸来提高芯片的工作速度和集成度、减小芯片功耗密度一直是微电子工业发展所追求的目标。在过去的四十年里，微电子工业发展一直遵循着摩尔定律。当前，场效应晶体管的物理栅长已接近20nm，栅介质也仅有几个氧原子层厚，通过缩小传统场效应晶体管的尺寸来提高性能已面临一些困难，这主要是因为小尺寸下短沟道效应和栅极漏电流使晶体管的开关性能变坏。

纳米线场效应晶体管(Nanowire MOSFET，NWFET)有望解决这一问题。一方面，小的沟道厚度和宽度使纳米线场效应晶体管的栅极更接近于沟道的各个部分，有助于晶体管栅极调制能力的增强，而且它们大多采用围栅结构，栅极从多个方向对沟道进行调制，能够进一步增强调制能力，改善亚阈值特性。因此，纳米线场效应晶体管可以很好地抑制短沟道效应，使晶体管尺寸得以进一步缩小。另一方面，纳米线场效应晶体管利用自身的细沟道和围栅结构改善栅极调制力和抑制短沟道效应，缓解了减薄栅介质厚度的要求，有望减小栅极漏电流。此外，纳米线沟道可以不掺杂，减少了沟道内杂质离散分布和库仑散射。对于一维纳米线沟道，由于量子限制效应，沟道内载流子远离表面分布，故载流子输运受表面散射和沟道横向电场影响小，可以获得较高的迁移率。基于以上优势，纳米线场效应晶体管越来越受到科研人员的关注。由于硅材料和工艺在半导体工业中占有主流地位，与其他材料相比，硅纳米线场效应晶体管(SiNWFET)的制作更容易与当前工艺兼容。

纳米线场效应晶体管的关键工艺是纳米线的制作，可分为自上而下和自下而上两种工艺路线。对于硅纳米线的制作，前者主要利用光刻(光学光刻或电子束光刻)和刻蚀(ICP、RIE刻蚀或湿法腐蚀)工艺，后者主要基于金属催化的气-液-固(VLS)生长机制，生长过程中以催化剂颗粒作为成核点。目前，自下而上的工艺路线制备的硅纳米线由于其随机性而不太适合硅纳米线场效应晶体管的制备，因此目前的硅纳米线场效应晶体管中的硅纳米线主要是通过自上而下的工艺路线制备。

目前，基于单个硅纳米线的场效应晶体管(MOSFET)工艺制备方法研究比较热门，如申请号为200710098812.4，发明名称为“一种体硅纳米线晶体管器件的制备方法”的中国专利，公开了一种基于体硅的通过自上而下的途径实现体硅纳米线结构的工艺方法，由于其基于体硅的工艺特点，可以有效抑制器件的自加热效应。

但随着硅纳米线截面积的缩小，器件的电流驱动能力会受到纳米线截面积的限制，使得硅纳米线场效应晶体管在模拟或射频电路中的应用受到限制，因此，有人开始研究采用多条纳米线作为输运沟道，以解决该问题。但由于多条纳米线沟道结构是横向制备的，其集成密度将大打折扣。

W.W.Fang等人在IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS，VOL.28，NO.3，MARCH 2007上发表的论文《Vertically Stacked SiGe Nanowire Array ChannelCMOS Transistors》中提出了一种纵向制备硅纳米线的方法，使得硅纳米线场效应晶体管器件在纵向集成多条硅纳米线，从而使得器件的电流驱动能力成倍增大，同时集成密度不受影响。既可以保持平面结构场效应晶体管(FET)的优势又增强了栅极调制能力。其工艺方法是在SOI(Silicon on Insulator)上交替生长(Ge/SiGe)/Si/(Ge/SiGe)/Si层，并在其上定义鳍形(Fin)结构，然后进行750℃干氧氧化，由于SiGe层较Si层有更快的氧化速率以致SiGe层完全被氧化，氧化过程中Ge进入邻近的Si层表面形成SiGe合金，腐蚀掉完全被氧化的SiGe层后得到三维堆积的、表面裹有SiGe合金的Si纳米线。然后进行热氧化，在硅纳米线(SiNW)表面形成Si_1-XGe_XO₂作为栅极氧化层，再淀积无定型硅或者多晶硅，最后通过光刻和蚀刻形成栅极。该方法可以实现纵向堆叠型硅纳米线场效应晶体管结构，但存在一个缺点：当SiGe层氧化过程中，Ge会浓缩到Si层的表面，去除SiO2后，在硅纳米线表面裹有一层浓缩后的SiGe合金。由于GeO2溶于水，它使得后续工艺面临巨大的不便，另外，GeO2的介电常数较SiO2小，GeO2与Si的界面态较大，不适合作为场效应晶体管(FET)的栅氧化层。

发明内容

本发明的目的在于提供一种基于体硅的纵向堆叠式SiNWFET制备方法，可使器件无自加热效应，有效增大SiNWFET的集成度和器件电流驱动能力，并实现硅纳米线场效应晶体管的常规栅极氧化层结构。

为解决上述技术问题，本发明提供了一种基于体硅的纵向堆叠式SiNWFET制备方法，包括下列步骤：

提供一体硅衬底，所述体硅衬底上交替生长有SiGe层和Si层；

对所述SiGe层和Si层进行光刻和刻蚀，形成鳍形有源区，剩余的SiGe层和Si层作为源漏区；

通过选择性刻蚀去除所述鳍形有源区中的SiGe层，形成硅纳米线，所述硅纳米线纵向堆叠；

在所述硅纳米线、体硅衬底以及源漏区上形成栅极氧化层；

在所述源漏区之间的体硅衬底上形成栅极；

在所述源漏区和所述栅极之间形成隔离介质层。

在所述的基于体硅的纵向堆叠式SiNWFET制备方法中，距离所述体硅衬底最近的一层为SiGe层，距离体硅衬底最远的一层也为SiGe层。

可选的，在所述的基于体硅的纵向堆叠式SiNWFET制备方法中，对所述SiGe层和Si层进行光刻和刻蚀之前，对所述源漏区之间的区域进行离子注入。

可选的，在所述的基于体硅的纵向堆叠式SiNWFET制备方法中，在对所述SiGe层和Si层进行光刻和刻蚀之前，对所述源漏区进行离子注入。

可选的，在所述的基于体硅的纵向堆叠式SiNWFET制备方法中，在所述源漏区之间的体硅衬底上形成栅极之后，对所述源漏区进行离子注入。

在所述的基于体硅的纵向堆叠式SiNWFET制备方法中，所述选择性刻蚀采用次常压化学气相刻蚀法。

可选的，在所述的基于体硅的纵向堆叠式SiNWFET制备方法中，所述次常压化学气相刻蚀法采用氢气和氯化氢混合气体，其中氢气和氯化氢混合气体的温度在600℃～800℃之间，其中氯化氢的分压大于300Torr。

在所述的基于体硅的纵向堆叠式SiNWFET制备方法中，所述硅纳米线直径在1纳米～1微米之间。

在所述的基于体硅的纵向堆叠式SiNWFET制备方法中，所述硅纳米线的截面形状为圆形、横向跑道形或纵向跑道形。

在所述的基于体硅的纵向堆叠式SiNWFET制备方法中，在所述硅纳米线、体硅衬底以及源漏区上形成栅极氧化层之前，还包括：

对所述硅纳米线进行热氧化；

蚀刻掉所述热氧化形成的二氧化硅。

在所述的基于体硅的纵向堆叠式SiNWFET制备方法中，所述栅极氧化层的材料为二氧化硅、氮氧化硅或高K介质层。

在所述的基于体硅的纵向堆叠式SiNWFET制备方法中，所述高K介质层是HfO2、Al2O3、ZrO2中的一种或其任意组合。

在所述的基于体硅的纵向堆叠式SiNWFET制备方法中，所述栅极的材料为多晶硅、无定形硅、金属中的一种或其任意组合。

在所述的基于体硅的纵向堆叠式SiNWFET制备方法中，所述隔离介质层的材料为二氧化硅。

本发明基于体硅的纵向堆叠型硅纳米线场效应晶体管结构具有以下优点：

1、基于体硅，硅纳米线场效应晶体管源漏区与体硅衬底相连接，器件在工作过程中产生的大量热量可以有效的通过源漏区传给体硅衬底散出，从而无自加热效应；

2、先形成栅极，再形成隔离介质层，即为后隔离层工艺，并且无需进行侧墙工艺；

3、在硅纳米线上形成栅极氧化层工艺是独立进行的，从而可以采用常规的栅极氧化层，如二氧化硅即可；

4、在鳍形有源区形成栅极，可以控制栅极的轮廓，从而使源漏区与栅极上表面在同一水平面，利于后续接触孔工艺；

5、采用纵向堆叠式硅纳米线结构来设计硅纳米线场效应晶体管(SiNWFET)结构，纵向堆叠式结构使器件集成度增大，并且纳米线条数增多，从而使器件电流驱动能力也增大。

附图说明

图1为本发明一实施例中基于体硅的纵向堆叠式SiNWFET制备方法流程图；

图2为本发明一实施例中体硅衬底的X-X’向剖面示意图；

图3为本发明一实施例中对源漏区之间的区域进行离子注入工艺的X-X’向剖面示意图；

图4a和图4b分别为本发明一实施例中鳍形有源区X-X’向和Y-Y’向剖面示意图；

图5a和图5b分别为本发明一实施例中去除SiGe层后的鳍形有源区X-X’向和Y-Y’向剖面示意图；

图6为本发明一实施例中形成纳米线的立体示意图；

图7为本发明一实施例中硅纳米线的截面形状示意图；

图8为本发明一实施例中形成栅极氧化层的立体示意图；

图9a和图9b分别为本发明一实施例中沉积栅极材料后X-X’向和Y-Y’剖面示意图；

图10a和图10b分别为本发明一实施例中对栅极材料进行化学机械研磨后的X-X’向和Y-Y’向剖面示意图；

图11a和图11b分别为本发明一实施例中形成栅极后的X-X’向和Y-Y’向剖面示意图；

图12为本发明一实施例中形成栅极后的立体示意图；

图13a和图13b分别为本发明一实施例中沉积隔离介质后的X-X’向和Y-Y’向剖面示意图；

图14a和图14b分别为本发明一实施例中形成隔离介质层后的X-X’向和Y-Y’向剖面示意图；

图15为本发明一实施例中对源漏区进行离子注入工艺的X-X’向剖面示意图；

图16为本发明一实施例中进行自对准硅、锗硅金属合金(Salicidation)工艺的X-X’向剖面示意图；

图17a和图17b分别为本发明一实施例中通过后道金属互连工艺后的X-X’向和Y-Y’向剖面示意图；

图18为本发明一实施例中形成源极插塞、栅极插塞以及漏极插塞后的立体示意图；

图19为本发明一实施例中纵向堆叠式硅纳米线场效应晶体管结构俯视示意图。

具体实施方式

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。

首先，如图19所示，为了更清楚的描述本实施例，定义鳍形有源区5或后续形成的硅纳米线6的长度方向为X-X’向，X-X’向贯穿栅极8和源漏区14，垂直于X-X’向为Y-Y’向。下面结合图1至19详细的描述本发明一实施例的基于体硅的纵向堆叠式SiNWFET的制作方法。

如图1所示，本发明一实施例的基于体硅的纵向堆叠式SiNWFET的制作方法，包括如下步骤：

如图2所示，提供一体硅衬底1，体硅衬底1上交替生长有SiGe层3和Si层2，假设Si层2的数量为n层，则SiGe层3的数量为n+1层，其中，n≥1，即，距离体硅衬底1最近的(最下方的)外延层为SiGe层3，距离体硅衬底1最远的(最上方的)外延层也为SiGe层3。由于本发明基于体硅，硅纳米线场效应晶体管源漏区14与体硅衬底1相连接，器件在工作过程中产生的大量热量可以有效的通过源漏区14传给体硅衬底1散出，从而无自加热效应。本实施例中，以交替生长四层SiGe层和三层Si层为例。

如图3所示，对源漏区之间的区域进行离子注入，即为对场效应晶体管的沟道区进行掺杂。具体的，此步骤可通过以下过程实现：首先通过光刻(Photo)工艺在SiGe层3上形成图形化的光阻层4，接着以图形化的光阻层4为掩膜进行离子注入(Imp)工艺，接着，去除所述图形化的光阻层4(PR Strip)，随后进行阱退火(Well Anneal)工艺。需要说明的是，该步骤为可选步骤，依器件电性要求允许情况下可省略。

如图4a和4b所示，对SiGe层3和Si层2进行光刻和刻蚀，形成鳍形有源区5，剩余的SiGe层3和Si层2作为源漏区14。较佳的，可采用光学光刻(Photolithography)或电子束光刻(electron beam lithography)，刻蚀贯穿所有外延SiGe层3和Si层2，直至暴露体硅衬底1的表面。

如图5a和5b所示，通过选择性刻蚀去除鳍形有源区5中的SiGe层3；优选的，利用次常压化学气相刻蚀法进行选择性刻蚀，温度可以采用600℃～800℃，刻蚀气体选用H2和HCl的混合气体，其中HCl的分压大于300Torr。此选择性刻蚀步骤直至将沿Y-Y’方向的Si层2之间的SiGe层3全部刻蚀掉为止，剩余的Si层2作为硅纳米线6，硅纳米线6纵向堆叠，并使得X-X’方向的SiGe层3部分保留，以作为源漏区14。可选的，在此步骤之前，也可以先对源漏区14进行离子注入工艺。

如图6所示，对硅纳米线6进行优化和减细。本步骤可以通过热氧化工艺，对硅纳米线6、体硅衬底1和源漏区14表面进行氧化。进一步的，如果所述的热氧化是炉管氧化(Furnace Oxidation)，则氧化时间范围为1分钟至20小时；如果是快速热氧化(RTO)，则氧化时间范围为1秒到10分钟。然后通过湿法刻蚀工艺去除上述步骤在硅纳米线6、体硅衬底1和源漏区14表面上形成的二氧化硅。最后形成的硅纳米线6直径在1纳米～1微米之间。可以理解的是，根据Si层2的厚度和鳍形有源区5横向尺寸大小不同，硅纳米线6截面形状也可以不同，例如，硅纳米线6截面形状可以是如图7中最左侧所示的圆形、中间所示的横向跑道形、或最右侧所示的纵向跑道形。如果通过更先进的图形转移技术，那么可以对鳍形有源区(Fin)结构尺寸进行更精确控制，从而更有利于硅纳米线6的形状优化和减细，并且能够精确控制硅纳米线6的直径。

如图8所示，在硅纳米线6、体硅衬底1以及源漏区14上形成栅极氧化层7，所述栅极氧化层7可以是SiO2、SiON或高K介质层，所述高K介质层例如是HfO2、Al2O3、ZrO2中的一种或其任意组合。在形成栅极氧化层步骤中一般采用氧化工艺，所述氧化工艺可以采用炉管氧化(Furnace Oxidation)、快速热氧化(RTO)、化学气相淀积(Chemical Vapor Deposition，CVD)中的一种，以在硅纳米线6、体硅衬底1及源漏区14表面形成二氧化硅，从而形成了常规的栅极氧化层7。可以理解的是，在加入氮气气氛情况下也可以形成SiON；或者，也可以采用原子层沉积(ALD)技术沉积高K介质层。其中，在源漏区14之间体硅衬底1上面所形成的栅极氧化层7将作为后续栅极8与体硅衬底1的隔离层。

如图9a和图9b所示，在源漏区之间的体硅衬底上(鳍形有源区5外)进行栅极材料8’的沉积，所述栅极材料8’可以为多晶硅、无定形硅、金属(优选为铝或者钛或钽的金属化合物)中的一种或者其任意组合。

如图10a和图10b所示，采用化学机械研磨去除多余的栅极材料8’，使剩余的栅极材料8’与SiGe层3的上表面在同一水平面。

如图11a和图11b所示，对剩余的栅极材料8’进行光刻和刻蚀工艺，形成栅极8。这时即可形成如图12所示的围栅形的纵向堆叠式硅纳米线。具体的，所述光刻工艺中可以采用硬掩膜或者光阻掩膜。在鳍形有源区5外形成栅极8，控制栅极8的轮廓，从而使源漏区14与栅极8上表面在同一水平面，利于后续接触孔工艺。

如图13a和13b所示，在源漏区14和栅极8之间沉积隔离介质9’，所述隔离介质9’一般为二氧化硅。

如图14a和14b所示，采用化学机械研磨工艺，去除多余的隔离介质9’，使剩余的隔离介质9’作为隔离介质层9；隔离介质层9和栅极8与SiGe层3的上表面在同一水平面。本发明采用先形成栅极8，再形成隔离介质层9，为后隔离层工艺，并且无需进行侧墙工艺。

如图15所示，以图形化的光阻层4为掩膜，对源漏区14进行离子注入工艺；具体的，此步骤可通过以下过程实现：首先通过光刻(Photo)工艺在SiGe层3和栅极8以及隔离介质层9上表面上形成图形化的光阻层4，接着以图形化的光阻层4为掩膜进行离子注入(Imp)工艺，接着，去除所述图形化的光阻层4(PR Strip)，随后进行源漏极退火(S/D Anneal)工艺。需要说明的是，此步骤可以在鳍形有源区5图形定义之前进行，也可以在栅极材料8’经过化学机械研磨(CMP)之后进行。

如图16所示，进行自对准合金(Salicidation)工艺，形成硅、锗硅金属合金层10。

如图17a、17b和18所示，通过后道金属互连工艺形成源极插塞11、栅极插塞12以及漏极插塞13，以分别引出场效应晶体管(FET)的源极、栅极和漏极。

最终，请参考图18以及图19，其为最后完成后的基于体硅的纵向堆叠式SiNWFET的立体示意图和俯视示意图。

综上所述，本发明一实施例提供的基于体硅的纵向堆叠型硅纳米线场效应晶体管结构具有以下优点：

4、在鳍形有源区外形成栅极，可以控制栅极的轮廓，从而使源漏区与栅极上表面在同一水平面，利于后续接触孔工艺；

5、采用纵向堆叠式硅纳米线结构来设计硅纳米线场效应晶体管(SiNWFET)结构，纵向堆叠式结构使器件集成度增大，并且纳米线条数增多，从而使器件电流驱动能力也增大。。

显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims

1.一种基于体硅的纵向堆叠式SiNWFET制备方法，其特征在于，包括：

提供一体硅衬底，所述体硅衬底上交替生长有SiGe层和Si层；

在所述硅纳米线、体硅衬底以及源漏区上形成栅极氧化层；

在所述源漏区之间的体硅衬底上形成栅极；

在所述源漏区和所述栅极之间形成隔离介质层。

2.如权利要求1所述的基于体硅的纵向堆叠式SiNWFET制备方法，其特征在于，距离所述体硅衬底最近的一层为SiGe层，距离体硅衬底最远的一层也为SiGe层。

3.如权利要求1所述的基于体硅的纵向堆叠式SiNWFET制备方法，其特征在于，对所述SiGe层和Si层进行光刻和刻蚀之前，对所述源漏区之间的区域进行离子注入。

4.如权利要求1所述的基于体硅的纵向堆叠式SiNWFET制备方法，其特征在于，对所述SiGe层和Si层进行光刻和刻蚀之前，对所述源漏区进行离子注入。

5.如权利要求1所述的基于体硅的纵向堆叠式SiNWFET制备方法，其特征在于，在所述源漏区之间的体硅衬底上形成栅极之后，对所述源漏区进行离子注入。

6.如权利要求1所述的基于体硅的纵向堆叠式SiNWFET制备方法，其特征在于，所述选择性刻蚀采用次常压化学气相刻蚀法。

7.如权利要求6所述的基于体硅的纵向堆叠式SiNWFET制备方法，其特征在于，所述次常压化学气相刻蚀法采用氢气和氯化氢混合气体，其中氢气和氯化氢混合气体的温度在600℃～800℃之间，其中氯化氢的分压大于300Torr。

8.如权利要求1所述的基于体硅的纵向堆叠式SiNWFET制备方法，其特征在于，所述硅纳米线直径在1纳米～1微米之间。

9.如权利要求1所述的基于体硅的纵向堆叠式SiNWFET制备方法，其特征在于，所述硅纳米线的截面形状为圆形、横向跑道形或纵向跑道形。

10.如权利要求1所述的基于体硅的纵向堆叠式SiNWFET制备方法，其特征在于，在所述硅纳米线、体硅衬底以及源漏区上形成栅极氧化层之前，还包括：

对所述硅纳米线进行热氧化；

蚀刻掉所述热氧化形成的二氧化硅。

11.如权利要求1所述的基于体硅的纵向堆叠式SiNWFET制备方法，其特征在于，所述栅极氧化层的材料为二氧化硅、氮氧化硅或高K介质层。

12.如权利要求11所述的基于体硅的纵向堆叠式SiNWFET制备方法，其特征在于，所述高K介质层是HfO2、Al2O3、ZrO2中的一种或其任意组合。

13.如权利要求1所述的基于体硅的纵向堆叠式SiNWFET制备方法，其特征在于，所述栅极的材料为多晶硅、无定形硅、金属中的一种或其任意组合。

14.如权利要求1所述的基于体硅的纵向堆叠式SiNWFET制备方法，其特征在于，所述隔离介质层的材料为二氧化硅。