CN102566210A - 摄影投影装置与发光感测模块 - Google Patents

Abstract

一种摄影投影装置与发光感测模块，该摄影投影装置包括发光感测模块及投影镜头。发光感测模块具有发光感测区，且发光感测模块包括发光单元阵列及光感测单元阵列。发光单元阵列包括多个呈阵列排列的发光单元，其中这些发光单元分布于发光感测区中，且发光单元阵列适于提供图像光束。光感测单元阵列包括多个呈阵列排列的光感测单元，其中这些光感测单元分布于发光感测区中。投影镜头配置于图像光束的传递路径上。

Description

摄影投影装置与发光感测模块

技术领域

本发明涉及一种光学装置及其模块，且特别涉及一种摄影投影装置及其发光感测模块。

背景技术

随着光电科技的进步，许多光电元件的体积逐渐往小型化发展，而近年来还将投影装置小型化，以期能够设置于便携式电子产品中，这些便携式电子产品包括手机、个人数字助理(personal digital assistant，PDA)、数字相机、平板计算机...等。

已知的投影装置主要包含了照明系统、光阀及投影镜头三个部分。照明系统适于发出照明光束。光阀例如为数字微镜元件(digital micro-mirrordevice，DMD)、硅基液晶面板(liquid-crystal-on-silicon panel，LCOS panel)、穿透式液晶面板或其他空间光调制器(spatial light modulator)，其具有将照明光束调制成图像光束的功能。然后，投影镜头再将来自光阀的图像光束投影至屏幕上，以产生图像画面。

然而，从照明系统至光阀需有一段距离，才能使照明光束均匀且有效率地投射于光阀上。但是，这会使得投影装置在小型化的过程中受到很大的限制。此外，为了产生全彩的图像画面，照明系统至少需包含红色、绿色、蓝色等三原色的光源，且还需包含将这三种颜色的光合并而投射至光阀的合光元件，这亦使小型化受到很大的限制。

已知投影装置的光路径已经占用了很大的空间，如果要再加上光检测功能，则势必要增加新的光路径而占用了更大的空间。因此，如果欲在已知投影装置中再加上光检测功能，则容易使投影装置更无法满足小型化的需求。

发明内容

本发明的一实施例提出一种摄影投影装置，其包括发光感测模块及投影镜头。发光感测模块具有发光感测区，且发光感测模块包括发光单元阵列及光感测单元阵列。发光单元阵列包括多个呈阵列排列的发光单元，其中这些发光单元分布于发光感测区中，且发光单元阵列适于提供图像光束。光感测单元阵列包括多个呈阵列排列的光感测单元，其中这些光感测单元分布于发光感测区中。投影镜头配置于图像光束的传递路径上。

本发明的另一实施例提出一种发光感测模块，其包括发光感测区、发光单元阵列、光感测单元阵列及线路基板。发光单元阵列包括多个呈阵列排列的发光单元，其中这些发光单元分布于发光感测区中。光感测单元阵列包括多个呈阵列排列的光感测单元，其中这些光感测单元分布于发光感测区中。这些发光单元与这些光感测单元配置于线路基板上，且线路基板包括多个发光单元驱动电路及多个光感测单元驱动电路。这些发光单元驱动电路分别电性连接至这些发光单元。这些光感测单元驱动电路分别电性连接至这些光感测单元。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。

附图说明

图1为本发明的一实施例的摄影投影装置的方块图。

图2A为制造图1的发光感测模块的过程中的外延示意图。

图2B为图1的发光感测模块的局部剖面示意图。

图3为图1的发光感测模块的局部方块图。

图4为本发明的另一实施例的发光感测模块中一个像素的驱动电路图。

图5为图4的发光感测模块中之一个像素的驱动波形图。

图6为本发明的又一实施例的发光感测模块的发光单元与光感测单元的剖面示意图。

图7为制造本发明的再一实施例的发光感测模块的过程中的外延示意图。

图8为图7的结构所制造而成的发光感测模块的局部剖面示意图。

图9为本发明的另一实施例的发光感测模块的剖面示意图。

图10为制造本发明的又一实施例的发光感测模块的过程中的外延示意图。

图11为图10的结构所制造而成的发光感测模块的局部剖面示意图。

图12为图11的发光感测模块的驱动方块图。

图13为图11的发光感测模块之一个像素的驱动电路图。

图14为图11的发光感测模块的驱动波形图。

图15为图13的驱动电路的另一种驱动波形图。

图16A为本发明的再一实施例的发光感测模块的局部剖面示意图。

图16B为本发明的另一实施例的发光感测模块的局部剖面示意图。

图17为本发明的再一实施例的发光感测模块的一个像素的示意图。

图18A为制造本发明的另一实施例的发光感测模块的过程中的外延示意图。

图18B为图18A的结构所制造而成的发光感测模块的局部剖面示意图。

图19A为本发明的又一实施例的摄影投影装置的方块图。

图19B为图19A的摄影投影装置的应用方法的流程图。

图20A至图20D绘示了本发明的一实施例的摄影投影装置的应用方法。

图21绘示本发明的再一实施例的摄影投影装置的应用。

【主要元件符号说明】

30：外界装置

40：屏幕

50：基板

50b、50c：导电基板

50d：硅基板

51f、322e：P型掺杂井区

52d、54d、340a、340c：过孔

60：图像信息

70：读取端

80：第一驱动器

90：第二驱动器

100、100i：摄影投影装置

110：投影镜头

120、120i：控制单元

122：运算次单元

130：存储器

200、200a、200b、200c、200d、200e、200f、200g、200h：发光感测模块

205：发光感测元件

210：发光感测区

220：发光单元阵列

222、222b、222c：发光单元

222g：绿光发光单元

222l：蓝光发光单元

222r：红光发光单元

230：光感测单元阵列

232、232a、232b、232d、232e、232f、232g、232h：光感测单元

242、242c：第一掺杂半导体层

244、244c：发光层

246、246c：第二掺杂半导体层

251d、414、416：肖特基接触

252、252a：第三掺杂半导体层

253d：欧姆接触

254、254a：第四掺杂半导体层

256f：N型掺杂井区

257f：栅极

258f：绝缘层

259f：通道区

260、260a、260c：导电连接层

270：线路基板

272、272d：发光单元驱动电路

274、274d：光感测单元驱动电路

282：发光单元选择线

284：发光单元数据线

286：光感测单元选择线

288：光感测单元重设线

291、292、293、294、295、296、297、370：晶体管

310、310e：第一电极

320、320a、320c、320g：第二电极

324e、324g：空乏区

330、330e：电极层

342a、351、353：绝缘材料

352：第三电极

354：第四电极

360：隔光结构

412：第五掺杂半导体层

422、424：凸块

B：图像光束

D1：第一图像数据

D2：第二图像数据

D3：第三图像数据

I1：第一投影图像

I11：物件

I2、I2’、I2”：第二图像

I22、I22’、I22”：转换图像

I3、I3”、I3”’：第三投影图像

P：像素

S110～S150：步骤

SO：输出信号

SI：输入信号

T1、T1b、T1d：平台区

T2、T2b、T2d：阶梯区

V_DD：电压源

具体实施方式

图1为本发明的一实施例的摄影投影装置的方块图，图2A为制造图1的发光感测模块的过程中的外延(又称之为磊晶)示意图，图2B为图1的发光感测模块的局部剖面示意图，而图3为图1的发光感测模块的局部方块图。请参照图1、图2A、图2B及图3，本实施例的摄影投影装置100包括发光感测模块200及投影镜头110。发光感测模块200具有发光感测区210，且发光感测模块200包括发光单元阵列220及光感测单元阵列230。发光单元阵列220包括多个呈阵列排列的发光单元222，其中这些发光单元222分布于发光感测区210中，且发光单元阵列220适于提供图像光束B。光感测单元阵列230包括多个呈阵列排列的光感测单元232，其中这些光感测单元232分布于发光感测区210中。在本实施例中，发光感测区210例如是发光感测元件205的主动区(active area)，且发光感测元件205包括发光单元阵列220与光感测单元阵列230，其中发光感测元件205例如是发光感测芯片。此外，投影镜头110配置于图像光束B的传递路径上。

在本实施例中，发光单元阵列220与光感测单元阵列230互相重叠，如图1与图2B所绘示。在本实施例中，每一发光单元222包括第一掺杂半导体层242、第二掺杂半导体层246及发光层244，其中发光层244配置于第一掺杂半导体层242与第二掺杂半导体层246之间。在本实施例中，第一掺杂半导体层242为N型半导体层，例如为N型氮化镓层，而第二掺杂半导体层246为P型半导体层，例如为P型氮化镓层，而发光层244例如为半导体量子井层。此外，在本实施例中，每一光感测单元232包括第三掺杂半导体层252及第四掺杂半导体层254，其中第四掺杂态半导体层254与第三掺杂态半导体层252连接，且这些光感测单元232分别与这些发光单元222互相堆迭。换句话说，在本实施例中，发光单元222为半导体材质所形成的发光二极管(light-emitting diode，LED)，而光感测单元232为半导体材质所形成的光电二极管(photodiode)。在本实施例中，第三掺杂半导体层252为N型掺杂半导体层，例如为N型氮化铟镓层，而第四掺杂半导体层254为P型掺杂半导体层，例如为P型氮化铟镓层，其中第三掺杂半导体层252与第四掺杂半导体层254的接面可具有较高的铟含量，而使能隙(band gap)能控制在红外光区段(约1.2电子伏特)，如此便能用以吸收蓝光、绿光及红光。

在本实施例中，发光感测模块200还包括多个导电连接层260，分别连接这些发光单元222与这些光感测单元232。导电连接层260例如为穿隧接面层(tunneling junction layer)，其例如为具有高掺杂浓度的半导体层。

发光感测模块200还可包括线路基板270，且这些发光单元222与这些光感测单元232配置于线路基板270上。线路基板270例如为硅基板。在本实施例中，每一光感测单元232与一对应的发光单元222形成一像素P，且这些像素P配置于线路基板270上。

在本实施例中，发光感测模块200还包括多个第一电极310、多个第二电极320及电极层330。这些第一电极310分别连接这些像素P的这些光感测单元232的这些第四掺杂半导体层254与线路基板270，这些第二电极320分别连接这些像素P的这些发光单元222的这些第二掺杂半导体层246与线路基板270，而电极层330连接这些像素P的这些发光单元222的这些第一掺杂态半导体层242。

在本实施例中，线路基板270包括多个发光单元驱动电路272及多个光感测单元驱动电路274。这些发光单元驱动电路272分别经由这些第二电极320与电极层330驱动这些发光单元222，而这些光感测单元驱动电路274分别经由这些第一电极310与对应的这些第二电极320驱动这些光感测单元232。在本实施例中，发光感测模块200还包括第一驱动器80与第二驱动器90，以分别驱动发光单元驱动电路272与光感测单元驱动电路274，其中第一驱动器80与第二驱动器90例如为驱动集成电路(drive integrated circuit，drive IC)。

发光单元222与光感测单元232的制作过程可先参照图2A，首先，先在基板50上依序成长第一掺杂半导体层242、发光层244、第二掺杂半导体层246、导电连接层260、第三掺杂半导体层252及第四掺杂半导体层254。接着，对这些膜层进行选择性蚀刻，以使这些膜层形成如图2B的平台区T1与阶梯区T2。之后，再将整个结构倒置，通过第一电极310与第二电极320接合于线路基板270上。然后，再将基板50移除。在此之后，再将电极层330形成于第一掺杂半导体层242上。在本实施例中，这些第二电极320分别位于这些光感测单元232的一侧。

请再回到图1，在本实施例中，摄影投影装置100还包括控制单元120，电性连接至发光单元阵列220与光感测单元阵列230，以交替驱动发光单元阵列220发光及光感测单元232检测光。具体而言，控制单元120电性连接至发光单元驱动电路272与光感测单元驱动电路274，其中控制单元120命令发光单元驱动电路272驱动发光单元222发光，且命令光感测单元驱动电路274驱动光感测单元232检测光。在本实施例中，第一驱动器80电性连接于控制单元120与发光单元驱动电路272之间，而第二驱动器90电性连接至控制单元与光感测单元驱动电路274之间。

在本实施例中，控制单元120可接受图像信息60，然后再根据图像信息60命令发光单元驱动电路以驱动发光单元222发光。这些发光单元222可根据图像信息60发出光强度不同的光以形成灰阶，而投影镜头110将图像光束B投射于屏幕(未绘示)上以形成图像画面。另外，投影镜头110适于将外界物体成像于发光感测区210，以使在发光感测区210中的光感测单元232能够检测外界物体的图像，并将所测得的光信号转换为电信号。这些电信号经由光检测器驱动电路274传递至控制单元120，然后控制单元120可将这些电信号存储于存储器130中。

如图3所绘示，在本实施例中，发光感测模块200包括多条发光单元选择线282、多条发光单元数据线284、多条光感测单元选择线286及多条光感测单元重设线288。这些发光单元选择线282与这些光感测单元选择线286排列成多行，而这些发光单元数据线284与这些光感测单元重设线288排列成多列。在本实施例中，发光单元选择线282、发光单元数据线284、光感测单元选择线286及光感测单元重设线288例如是设于线路基板270中，但本发明不以此为限。每一条发光单元选择线282电性连接至一行的发光单元驱动电路272，而每一条发光单元数据线284电性连接至一列的发光单元驱动电路272。每一发光单元驱动电路272电性连接至一像素P。来自发光单元选择线282的信号决定哪一行发光单元驱动电路272要开始驱动像素P中的发光单元222发光，而来自发光单元数据线284的信号决定与其对应的那一列像素P的发光单元222要以多大的电流驱动。

另外，光感测单元重设线288决定要命令哪一列的光感测单元驱动电路274要驱动像素P中的光感测单元232至高电压，而光感测单元选择线286决定哪一行的光感测单元驱动电路274开始读取经重设后的光感测单元232将光信号所转换成的电信号。

由于本实施例的摄影投影装置100中的发光感测模块200能将发光单元阵列220与光感测单元阵列230整合在一起，因此可具有较小的体积，且兼具显示(或投影显示)与光检测的功能。此外，由于发光感测模块200可直接发出图像光束，而不是像已知投影装置是采用光阀将照明系统所产生的照明光束转换为图像光束，因此本实施例的摄影投影装置100可节省已知技术中照明光束的光路径所占据的空间，故可有效缩小本实施例的摄影投影装置100的体积。如此一来，本实施例的摄影投影装置100便适合装设于携带型电子装置(如手机、个人数字助理、数字相机、平板计算机...等)中，而不会占用过大的体积，且能进一步缩小携带型电子装置的整体体积。另外，也可利用光感测单元阵列230来检测发光单元阵列220所发出的光，以作图像校正或调整(如色彩调校、亮度调校等)。

图4为本发明的另一实施例的发光感测模块中一个像素的驱动电路图，而图5为图4的发光感测模块中的一个像素的驱动波形图。请参照图4与图5，本实施例的发光感测模块的驱动电路可应用于上述发光感测模块200或其他实施例的发光感测模块。首先，当发光单元选择线282处于高电压时，晶体管291会开启(turn on)，而此时发光单元数据线284的电压便可输入至晶体管292的栅极，以调整电压源V_DD输入至像素P中的发光单元222的能量，进而使发光单元222发光。此时，晶体管293亦会开启，而使发光单元222的负极接地，以形成回路。当发光单元选择线282处于低电压时，则晶体管291与晶体管293关闭(turn off)，而发光单元222则不发光。

另一方面，当光感测单元重设线288处于高电压时，晶体管294会开启，而使得电压源V_DD输入至光感测单元232的N极，即形成逆向偏压。此时，晶体管295亦会开启，而使电压源V_DD的电压可输入至晶体管296。当发光单元重设线288处于高电压时，亦使光感测单元选择线286处于高电压，此时晶体管297会开启，使得光感测单元232的P极接地，以形成回路，此时晶体管296亦会开启，而读取端70会读到来自电压源V_DD的电信号而处于高电压。接着，当光感测单元重设线288处于低电压而光感测单元选择线286仍处于高电压时，晶体管294会关闭。但当晶体管294刚关闭时，光感测单元232的N极仍处于高电位，因此读取端70仍读到来自电压源V_DD的电压。然而，当光感测单元232检测到光而形成从N极流至P极的光电流时，光感测单元232的N极的电压会逐渐下降。此时，晶体管295可视为将光感测单元232的N极的电压信号放大的放大器，因此当光感测单元232的N极的电压逐渐下降时，读取端70所读取到的电压亦逐渐下降。接着，当光感测单元选择线处于低电压时，则晶体管296与晶体管297会关闭，此时读取端70的电压亦掉落至低电压。

当光感测单元232所检测到的光的强度越强，则光电流越大，而使得N极的电压下降得越快，进而使读取端70的电压下降得越快。通过测量读取端70的电压下降的速率(例如下降的斜率的绝对值)或测量在光感测单元选择线286由高电压切换至低电压的前一刻的读取端70的电压，则可将检测到的光的强度转换成电压信号。

图6为本发明的又一实施例的发光感测模块的发光单元与光感测单元的剖面示意图。请参照图6，本实施例的发光感测模块200a与图2B的发光感测模块200类似，而两者的差异如下所述。在本实施例中，这些第二电极320a分别经由多个过孔340a贯穿这些光感测单元232a。具体而言，第二电极320a从第二掺杂半导体层246依序贯穿导电连接层260a、第三掺杂半导体层252a及第四掺杂半导体层254a，其中第二电极320a与过孔340a(又称之为贯孔)的内壁之间可填充有绝缘材料342a，以作为绝缘的效果。

图7为制造本发明的再一实施例的发光感测模块的过程中的外延示意图，而图8为图7的结构所制造而成的发光感测模块的局部剖面示意图。请参照图7与图8，本实施例的发光感测模块200b与图2B的发光感测模块200类似，而两者的差异如下所述。在本实施例中，导电基板50b为半导体基板，例如为有掺杂的氮化镓基板。在外延过程中，第一掺杂半导体层242、发光层244、第二掺杂半导体层246、导电连接层260、第三掺杂半导体层252及第四掺杂半导体层254则依序长成于导电基板50b上。之后，从上述外延结构的底部蚀刻出平台区T1b与阶梯区T2b。

再来，通过多个第一电极310分别连接这些像素的这些发光单元222b的这些第一掺杂半导体层242，且通过多个第二电极320分别连接这些像素的这些光感测单元232b的这些第三掺杂半导体层252。此外，形成电极层330，以连接这些像素的这些光感测单元232b的这些第四掺杂半导体层254。具体而言，每一发光单元222b还包括导电基板50b，其连接第一掺杂态半导体层242与第一电极310。再者，在本实施例中，这些第二电极320分别位于这些发光单元222b的一侧。

图8所绘示的发光感测模块200b也可采用类似于图4的驱动电路，且具有图2B的发光感测模块200的优点与功效，在此不再重述。

图9为本发明的另一实施例的发光感测模块的剖面示意图。请参照图9，本实施例的发光感测模块200c与图8的发光感测模块200b类似，而两者的差异如下所述。在本实施例中，这些第二电极320c分别经由多个过孔340c贯穿这些发光单元222c。具体而言，第二电极320c从第三掺杂半导体层252依序贯穿导电连接层260c、第二掺杂半导体层246c、发光层244c、第一掺杂半导体层242c及导电基板50c，其中第二电极320c与过孔340c的内壁之间可填充有绝缘材料342a，以作为绝缘的效果。

图10为制造本发明的又一实施例的发光感测模块的过程中的外延示意图，而图11为图10的结构所制造而成的发光感测模块的局部剖面示意图。请参照图10与图11，本实施例的发光感测模块200d与图8的发光感测模块200b类似，而两者的差异如下所述。在本实施例的发光感测模块200d中，发光单元阵列与光感测单元阵列互相交错配置。换句话说，在一像素P中，光感测单元232d是位于发光单元222的一侧，而光感测单元232d与发光单元222没有互相堆迭。在本实施例中，光感测单元232d与发光单元222皆配置于线路基板270上。

具体而言，每一像素P还包括硅基板50d，而像素P的光感测单元232d与发光单元222皆配置于硅基板50d上。在本实施例中，发光单元222的第一掺杂半导体层242、发光层244与第二掺杂半导体层246堆迭于硅基板50d上，而光感测单元232d则形成于硅基板50d的表面。在本实施例中，硅基板50d例如是经掺杂后的可导电的硅基板，即一种导电基板。然而，在其他实施例中，也可采用其他种类的导电基板来取代硅基板50d。光感测单元232d包括肖特基接触251d(Schottky contact)与欧姆接触253d(ohmic contact)。当光照射于光感测单元232d时，硅基板50d的位于肖特基接触251d与欧姆接触253d之间的部分会产生光电流。在本实施例中，每一像素P还包括第三电极352与第四电极354，其中第三电极352经由过孔52d从线路基板270延伸至肖特基接触251d，以将肖特基接触251d与线路基板270电性连接。此外，第四电极354经由过孔54d从线路基板270延伸至欧姆接触253d，以将欧姆接触253d与线路基板270电性连接。第三电极352与过孔52d的内壁之间可填充有绝缘材料351，以达到绝缘的效果。此外第四电极354与过孔54d之间可填充有绝缘材料353，以达到绝缘的效果。

发光感测模块200d在制造过程中，是将第一掺杂半导体层242、发光层244及第二掺杂半导体层246依序成长于硅基板50d上。之后，再从此堆迭结构的顶部蚀刻出平台区T1d与阶梯区T2d，并将其接合于线路基板270上。

此外，电极层330配置于这些像素P的这些第二掺杂半导体层246上，以电性连接这些第二掺掺半导体层246。此外，第一电极310则配置于硅基板50d与线路基板270之间，以将两者电性连接。相较于图8的发光感测模块200b的每个像素P是通过第一电极310、第二电极320与电极层330等三个电极来驱动，本实施例的发光感测模块200d则是通过第一电极310、电极层330、第三电极352与第四电极354等四个电极来驱动。

图12为图11的发光感测模块的驱动方块图，图13为图11的发光感测模块的一个像素的驱动电路图，而图14为图11的发光感测模块的驱动波形图。请参照图12至图14，图12的驱动方块图与图3的驱动方块图类似，而两者的差异在于图12的驱动方块图能够符合图11的发光感测模块200d的通过四个电极来驱动的方式。换句话说，发光单元驱动电路272d与光感测单元驱动电路274d各别驱动发光单元222与光感测单元232d。在本实施例中，相邻的三个发光单元222例如分别是红光发光单元222r、绿光发光单元222g及蓝光发光单元222l，以使发光感测模块200d能够作全彩显示。

图13的驱动电路图与图4的驱动电路图类似，而两者的差异如下所述。图13的驱动电路图较为简化，其所使用的晶体管的数量较少，且发光单元222与光感测单元232d是采用并联方式。请同时参照图13与图14，当发光单元选择线282为高电压时，晶体管291会开启，而此时发光单元数据线284的电压便可输入至晶体管292的栅极，以调整电压源V_DD输入至像素P中的发光单元222的能量，进而使发光单元222发光。当发光单元选择线282处于低电压时，则晶体管291关闭，而发光单元222则不发光。

另一方面，当光感测单元重设线288处于高电压时，晶体管294会开启，而使得电压源V_DD输入至光感测单元232d的N极，即形成逆向偏压。此时，晶体管295亦会开启，而使电压源V_DD的电压可输入至晶体管296。当发光单元重设线288处于高电压时，亦使光感测单元选择线286处于高电压，此时读取端70会读到来自电压源V_DD的电信号而处于高电压。接着，当光感测单元重设线288处于低电压而光感测单元选择线286仍处于高电压时，晶体管294会关闭。但当晶体管294刚关闭时，光感测单元232d的N极仍处于高电位，因此读取端70仍读到来自电压源V_DD的电压。然而，当光感测单元232d检测到光而形成从N极流至P极的光电流时，光感测单元232d的N极的电压会逐渐下降。此时，晶体管295可视为将光感测单元232d的N极的电压信号放大的放大器，因此当光感测单元232d的N极的电压会逐渐下降时，读取端70所读取到的电压亦逐渐下降。接着，当光感测单元选择线处于低电压时，则晶体管296会关闭，此时读取端70的电压亦掉落至低电压。

当光感测单元232d所检测到的光的强度越强，则光电流越大，而使得N极的电压下降得越快，进而使读取端70的电压下降得越快。通过测量读取端70的电压下降的速率(例如下降的斜率的绝对值)或测量在光感测单元选择线286由高电压切换至低电压的前一刻的读取端70的电压，则可将检测到的光的强度转换成电压信号。

上述的发光单元数据线284与发光单元选择线282的至少其一处于高电压的时间可视为落在发光时段中，而上述的光感测单元选择线286与光感测单元重设线288的至少其一处于高电压的时间可视为落在光感测时段中。在本实施例中，发光时段与光感测时段交替出现，如此可使采用本实施例的发光感测模块200d的摄影投影装置能够达到同时投影与摄影的功效。此外，采用本实施例的发光感测模块200d的投影摄影装置或其他实施例的投影摄影装置除了可以拍摄静态的照片之外，也可拍摄动态的电影或短片。

图15为图13的驱动电路的另一种驱动波形图。图15的驱动波形图与图14的驱动波形图类似，而两者的差异在于图15的驱动波形中，发光时段与光感测时间重叠。换句话说，发光单元222在发光时，光感测单元232d亦在检测光。如此一来，光感测单元232d便能够即时检测发光单元222所发出的色彩与光强度，进而即时调整发光单元222的驱动能量，以藉此调校发光感测模块200d的显示色彩或显示亮度。

请再参照图12，在另一实施例中，控制单元(如图1所绘示的控制单元120)适于在一时间内驱动这些像素P的第一部分的这些发光单元222发光(例如驱动奇数行的像素P的发光单元222发光)，并同时驱动这些像素P的第二部分的这些光感测单元232d检测光(例如驱动偶数行的像素P的光感测单元232d检测光)，其中这些像素P的第一部分分别与这些像素P的第二部分相邻(如奇数行像素P分别与偶数行像素P相邻)。如此一来，一像素P中的光感测单元232d便能够检测相邻的另一像素的发光单元222所发出的光，并藉此作即时调校。此外，在下一时间内，可驱动这些像素P的第一部分的这些光感测单元232d检测光，而驱动这些像素P的第二部分的这些发光单元222发光。

图16A为本发明的再一实施例的发光感测模块的局部剖面示意图。请参照图16A，本实施例的发光感测模块200e与图11的发光感测模块200d类似，而两者的差异如下所述。在本实施例中，光感测单元232e为P-I-N型(positive-intrinsic-negative type)光电二极管，但图11的光感测单元232d为肖特基传感器。在本实施例中，电极层330e设置于硅基板50d的表面上，且电性连接硅基板50d与线路基板(如图11中所绘示，而在图16A中不再绘示)。在本实施例中，相邻像素P的硅基板50d是互相连接在一起的。此外，第一电极310e形成于发光单元222的第二掺杂半导体层246上，以电性连接第二掺杂半导体层246与线路基板。

在本实施例中，光感测单元232e是在N型掺杂的硅基板50d上形成P型掺杂井区322e及空乏区324e，例如利用离子布植法在硅基板50d上形成P型掺杂井区322e。此外，第二电极320e配置于P型掺杂井区322e上，以电性连接P型掺杂井区322e与线路基板。当光于空乏区234e内被接收时，便可产生载子，进而产生光电流以供检测分析。在其他实施例中，也可将P型掺杂井区322e置换为N型掺杂井区，且将N型掺杂的硅基板50d置换为P型掺杂的硅基板，亦即掺杂井区与硅基板的掺杂态相反即可。

在本实施例中，相邻两像素间设有隔光结构360，以避免像素P中的发光单元222所发出的光被相邻像素P中的光感测单元232e所检测。隔光结构360例如是黑色吸光结构，但本发明不以此为限。如此一来，像素P中的光感测单元232e只检测同一像素中的发光单元222所发出的光，而不会检测到相邻的另一个像素中的发光单元222所发出的光，进而提升色彩与亮度调校的准确度。

图16B为本发明的另一实施例的发光感测模块的局部剖面示意图。请参照图16B，本实施例的发光感测模块200g与图16A的发光感测模块200e类似，而两者的差异如下所述。在本实施例的发光感测模块200g中，光感测单元232g是在N型掺杂的硅基板50d上形成空乏区324g，而第二电极320g配置于空乏区324g上并与空乏区324g接触。换句话说，光感测单元232g为肖特基传感器。当光于空乏区324g内被接收时，便可产生载子，进而产生光电流以供检测分析。在本实施例中，第二电极320g例如为环状电极，但本发明不以此为限。在其他实施例中，第二电极320g也可以是呈其他形状的电极。

图17为本发明的再一实施例的发光感测模块的一个像素的示意图。请参照图17，本实施例的发光感测模块200f类似于图11的发光感测模块200d，而两者的差异如下所述。在本实施例中，光感测单元232f为场效晶体管。光感测单元232f是设于硅基板50d的P型掺杂井区51f上。光感测单元232f包括一个N型掺杂井区256f、栅极257f及绝缘层258f，其中绝缘层258f配置于P型掺杂井区51f上并与N型掺杂井区256f相邻。当栅极257f施加适当电压时，会于其下方产生空乏区259f，且当光照射于光感测单元232f时，空乏区259f会产生光电流，以将光信号转换成电信号，而达到光检测的效果。晶体管370为传输晶体管，用以将空乏区259f中产生的光致电载子传输至至外部信号读出。晶体管294为重置(Reset)晶体管，用以将图像感测状态重置。图17的右边的晶体管295、296及其电路与图13所绘示的晶体管295、296相同，在此不在重述。此外，图17的晶体管295、296可设于线路基板中。然而，在本实施例中，可将部分设于线路基板中的电路设于硅基板50d上，如图17所绘示，是将图13的晶体管294设于硅基板50d上的P型掺杂井区51f上。在一实施例中，可在硅基板50d上作出电荷耦合元件(chargecoupled device，CCD)或互补式金属氧化物半导体感测元件(complementarymetal oxide semiconductor sensor，CMOS sensor)，以检测光线。

图18A为制造本发明的另一实施例的发光感测模块的过程中的外延示意图，而图18B为图18A的结构所制造而成的发光感测模块的局部剖面示意图。请参照图18A与图18B，本实施例的发光感测模块200h与图2B的发光感测模块200类似，而两者的差异如下所述。在本实施例的发光感测模块200h中，光感测单元232h包括第五掺杂半导体层412、肖特基接触414及416，其中第五掺杂半导体层412通过导电连接层260与发光单元222连接，例如与发光单元222的第二掺杂半导体层246连接。此外，肖特基接触414与416彼此相间隔地配置于第五掺杂半导体层412的背对于发光单元222的一侧。肖特基接触414与第五掺杂半导体层412之间的接面为肖特基接面，而肖特基接触416与第五掺杂半导体层412之间的接面亦为肖特基接面，因此第五掺杂半导体层412、肖特基接触414与416即形成金属-半导体-金属型式的肖特基光电二极管，而可达到感光的功能。在本实施例中，第五掺杂半导体层412例如为N型半导体层。然而，在其他实施例中，第五掺杂半导体层412也可以是P型半导体层。在本实施例中，肖特基接触414可经由凸块422电性连接至线路基板270，而肖特基接触416可经由凸块424电性连接至线路基板270。

发光单元222与光感测单元232h的制作过程可先参照图18A。首先，先在基板50上依序成长第一掺杂半导体层242、发光层244、第二掺杂半导体层246、导电连接层260及第五掺杂半导体层412。接着，对这些膜层进行选择性蚀刻，以使这些膜层形成如图18B的平台区T1与阶梯区T2。之后，再将整个结构倒置，并通过肖特基接触414、肖特基接触416及第二电极320接合于线路基板270上，例如是通过凸块422将肖特基接触414与线路基板270接合，通过凸块424将肖特基接触416与线路基板270接合，且通过凸块426将第二电极320与线路基板270接合。然后，再将基板50移除。在此之后，再将电极层330形成于第一掺杂半导体层242上。如此一来，每一发光单元222与光感测单元232h整体便形成了一个4端(terminal)元件，即为包含了肖特基接触414、肖特基接触416、电极层330及第二电极320等四个电极的元件。

在其他实施例中，也可以不采用导电连接层260，而是使第二掺杂半导体层246与第五掺杂半导体层412直接接触，亦即将第五掺杂半导体层412直接形成于第二掺杂半导体层246上。或者，在其他实施例中，也可采用透明绝缘层来取代导电连接层260。在另一实施例中，在对这些膜层进行选择性蚀刻时，也可将两相邻像素P之间相连的第一掺杂半导体层242的部分R蚀刻掉，以使两相邻像素P的第一掺杂半导体层242不连续。

图19A为本发明的又一实施例的摄影投影装置的方块图，图19B为图19A的摄影投影装置的应用方法的流程图，而图20A至图20D绘示了本发明的一实施例的摄影投影装置的应用方法。请先参照图1、图19A、图19B与图20A，本实施例的摄影投影装置100i与图1的摄影投影装置100类似，而两者的差异在于本实施例的摄影投影装置100i的控制单元120i包括运算次单元122。本实施例的摄影投影装置100i的应用方法包括下列步骤。首先，执行步骤S110，即投射第一投影图像。具体而言，在本实施例中，可利用控制单元120i提供第一图像数据D1至第一驱动器80，而第一驱动器80驱动发光感测元件205以产生第一图像，而投影镜头110将此第一图像投影至屏幕40上，以在屏幕40上形成第一投影图像I1。然后，执行步骤S120，即在第一投影图像I1上形成第二图像I2，例如是利用外界装置30在第一投影图像I1上形成第二图像I2。在本实施例中，外界装置30例如为激光笔，而第二图像I2例如为利用激光笔所发出的激光在屏幕40上所形成的光点的图像，或者为此光点在屏幕40上的移动轨迹的图像。

之后，执行步骤S130，检测第二图像I2，并将第二图像I2转换成第二图像数据D2。在本实施例中，可通过控制单元120i命令第二驱动器90驱动发光感测元件205的光感测阵列230，以检测第二图像I2，并将第二图像I2转换成第二图像数据D2。接着，第二驱动器90将第二图像数据D2传递至控制单元120i。

然后，执行步骤S140，其为运算第一图像数据D1与第二图像数据D2，以产生第三图像数据D3。在本实施例中，可通过控制单元120i运算第一图像数据D1与第二图像数据D2，例如是通过控制单元120i的运算次单元122来运算第一图像数据D1与第二图像数据D2，以产生第三图像数据D3。

接着，执行步骤S150，其为投影对应于第三图像数据D3的第三投影图像I3，例如是将第三投影图像I3投影于屏幕40上。在本实施例中，可通过控制单元120i提供第三图像数据D3至第一驱动器80，而第一驱动器80驱动发光感测元件205以产生第三图像，而投影镜头110将第三图像投影至屏幕40，以产生第三投影图像I3。

在本实施例中，第一投影图像I1可包括物件I11，而第二图像I2例如是利用激光笔图选物件I11所产生的轨迹，例如是近似于圆形的轨迹。此外，第三投影图像I3可包括接近于第二图像I2的转换图像I22，此转换图像I22例如为几何图形图像。举例而言，转换图像I22例如为正圆形图像。在本实施例中，第三投影图像I3例如是转换图像I22重叠于第一投影图像I1上的图像。然而，在其他实施例中，第三投影图像I3例如是第一投影图像I1在扣除转换图像I22后的图像，亦即屏幕40上的转换图像I22呈现背景颜色，例如呈现黑色。如此一来，即可达到利用外界装置30在屏幕上绘图的功效。

此外，在本实施例中，外界装置30所投影出的激光例如为可见光或不可见光，其中不可见光例如为红外光。

再者，在本实施例中，转换图像I22的形成方式例如为运算次单元122比对第二图像数据D2与内建的图案数据库，以从内建的图案数据库中选出一个最接近第二图像I2的图案来作为转换图像数据，而转换图像数据与第一图像数据D1迭合以产生第三图像数据D3，其中转换图像数据对应产生转换图像I22。然而，在其他实施例中，也可以是第一图像数据D1扣除转换图像数据而产生第三图像数据D3。举例而言，图20A的转换图像I22例如为正圆形，而在图20B中第二图像I2’例如为接近于直线的图案，转换图像I22’例如为直线。

再者，请参照图20C，运算次单元122也可将第二图像数据D2与内建的文字数据库比对，以选出一个最接近第二图像I2”的文字，然后，控制单元120再将此代表此文字的转换图像数据与第一图像数据D1迭合，以形成第三图像数据D3。如此一来，便可在屏幕40上投影出包含转换图像I22”(即文字)的第三投影图像I3”。或者，在其他实施例中，也可以是将第一图像数据D1扣除转换图像以产生第三图像数据D3。

请再参照图20D，在本实施例中，第二图像I2例如为外界装置30所投射出的光的轨迹，而物件I11具有对应的物件区域，例如为图20D中的矩形。此外，运算单元122判断第二图像I2是否有至少部分位于物件区域内，亦即通过第二图像数据D2与第一图像数据D1来判断第二图像I2是否有至少部分位于物件区域内，如果是，则控制单元120i启动第二图像I2(即光的轨迹)所对应的功能。举例而言，如果光的轨迹从屏幕上的起点位置移动至终点位置，而起点位置落在物件区域时，则运算单元122产生第三图像数据D3，以对应在屏幕40上产生第三投影图像I3”’，其中第三投影图像I3”’中所包含的物件I11则位于终点位置。如此一来，便可通过外界装置30来移动第一投影图像I1中的物件I11。此外，在另一实施例中，第二图像I2所对应的功能也可以是播放音乐或影片、开启超连接或换页。

如此一来，当使用本实施例的摄影投影装置100i及其应用方法来作投影简报时，通过外界装置30(如激光笔)便能够与投影简报作互动，以增添投影简报的互动性与效果。

图21绘示本发明的再一实施例的摄影投影装置的应用。请参照图21，当多个图1的摄影投影装置100搭配使用时，便可产生光通信系统，而每一摄影投影装置100可视为一光收发装置。图21是以两个摄影投影装置100为例。如图21所示，两个摄影投影装置100可相对设置，而投影镜头110可采用让来自发光感测元件205的图像光束B转换成平行光的镜头。如此一来，两个摄影投影装置100之一所产生的图像光束B便能够平行地投射至两个摄影投影装置100的另一的投影镜头110，而此另一摄影投影装置100的投影镜头110则将此图像光束B成像在此另一摄影投影装置的发光感测元件205上。换句话说，以图21为例，左边的摄影投影装置100在接收到输出信号SO时，将输出信号SO转换成图像光束B，将着将此图像光束B平行地投射至右边的摄影投影装置100，而右边的摄影投影装置100则将图像光束转换成输入信号SI，如此即完成光通信的动作，其中输出信号SO与输入信号SI例如为电信号。反之，右边的摄影投影装置100在接收到输出信号SO时，也可将输出信号SO转换成图像光束B，且利用投影镜头110将图像光束平行地投射于左边的摄影投影装置100。左边的摄影投影装置的发光感测元件205则将图像光束B转换成输出信号SO。如此一来，可达成另一方向的光通信。换句话说，本实施例的光通信系统可达成双向的光通信。

在另一实施例中，也可实现一个摄影投影装置100对多个摄影投影装置100的一对多双向光通信。举例而言，此一个摄影投影装置100的投影镜头110可让来自发光感测元件205的图像光束B成为发散光，以使图像光束B能照射到多个摄影投影装置100。如此一来，即可达成一对多的双向光通信。本发明并不限定投影镜头110所转换而成的图像光束B为平行光束或发散光束，在另一实施例中，也可以是转换成收敛光束。

在本实施例中，由于两个摄影投影装置100可通过其投影镜头110反应于光感测单元阵列230所产生的信号而自动调整焦距及指向性以确保最佳光信号质量，因此两个摄影投影装置100之间可以是自由空间，而可以不采用光纤来传递光信号。如此一来，两个摄影投影装置100之间便可产生自由空间的信号传输通道。此由于发光单元阵列220与光感测单元阵列230均具有多个像素P，因此本实施例的投影投影装置100可实现多通道高速可见光通信架构。

此外，由于本实施例可采用可见光来传递信号，因此不会与一般法定的射频信号或其他波段的信号产生干扰，且可达到数据保密的效果。此外，发光单元阵列220所产生的图像与光感测单元阵列230所接收的图像也可以是全像图像，即利用全息术(holography)所产生的图像，如此图像光束B便可传递更为庞大的信息。

再者，可通过萤光粉、量子点、纳米萤光粉、聚合物、有机材质或无机材质来对像素P作色彩化，以使所传递的光信号夹带更多的信息，并通过对不同颜色的检测而解析出更多的数据。另外，不只可对不同的颜色作检测与判断，也可针对色温与演色性来作检测与判断。另外，不同的颜色也可用以传递不同性质的信号。或者，上传信号时可采用一种颜色，而下载信号时则采用另一种颜色，而达到二倍的通信效果。

再者，也可在发光单元阵列220的表面形成光子晶体，并让光子晶体的孔洞深入发光层244中，以产生表面再结合机制(surface recombinationmechanism)，进而提升发光单元阵列220的发光反应速率。

另外，摄影投影装置100的投影镜头110也可以用配置于发光单元阵列220上的透镜阵列来取代。或者，也可采用光栅、光子晶体或发光单元阵列220的平台区T1的形状来达到对图像光束B的光形与传递方向的控制。

综上所述，由于本发明的实施例的摄影投影装置中的发光感测模块能将发光单元阵列与光感测单元阵列整合在一起，因此可具有较小的体积，且兼具显示(或投影显示)与光检测的功能。此外，由于发光感测模块可直接发出图像光束，而不是像已知投影装置是采用光阀将照明系统所产生的照明光束转换为图像光束，因此本发明的实施例的摄影投影装置可节省已知技术中照明光束的光路径所占据的空间，故可有效缩小本发明的实施例的摄影投影装置的体积。如此一来，本发明的实施例的摄影投影装置便适合装设于携带型电子装置中，而不会占用过大的体积，且能进一步缩小携带型电子装置的整体体积。另外，在本发明的实施例中，也可利用光感测单元阵列来检测发光单元阵列所发出的光，以作图像校正或调整(如色彩调校、亮度调校等)。

虽然本发明已以实施例公开如上，然其并非用以限定本发明，本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，故本发明的保护范围当视所附权利要求书所界定者为准。

Claims (31)

1.一种摄影投影装置，其特征在于，包括：

发光感测模块，具有发光感测区，该发光感测模块包括：

发光单元阵列，包括多个呈阵列排列的发光单元，其中这些发光单元分布于该发光感测区中，且该发光单元阵列适于提供图像光束；以及

光感测单元阵列，包括多个呈阵列排列的光感测单元，其中这些光感测单元分布于该发光感测区中，其中每一该光感测单元与一对应的该发光单元构成一像素；以及

投影镜头，配置于该图像光束的传递路径上。

2.如权利要求1所述的摄影投影装置，其特征在于每一该发光单元包括：

第一掺杂半导体层；

第二掺杂半导体层；以及

发光层，配置于该第一掺杂半导体层与该第二掺杂半导体层之间，且

每一该光感测单元包括：

第三掺杂半导体层；以及

第四掺杂半导体层，与该第三掺杂态半导体层连接，其中这些光感测单元分别与这些发光单元互相堆迭。

3.如权利要求2所述的摄影投影装置，其特征在于该发光感测模块还包括：

多个第一电极，分别连接这些像素的这些光感测单元的这些第四掺杂半导体层；

多个第二电极，分别连接这些像素的这些发光单元的这些第二掺杂半导体层，且与这些光感测单元的这些第三掺杂半导体层电性连接；以及

电极层，电性连接这些像素的这些发光单元的这些第一掺杂态半导体层。

4.如权利要求3所述的摄影投影装置，其特征在于这些第二电极分别经由多个过孔贯穿这些光感测单元。

5.如权利要求3所述的摄影投影装置，其特征在于该发光感测模块还包括：

多个发光单元驱动电路，分别经由这些第二电极与该电极层驱动这些发光单元；以及

多个光感测单元驱动电路，分别经由这些第一电极与对应的这些第二电极驱动这些光感测单元。

6.如权利要求2所述的摄影投影装置，其特征在于该发光感测模块还包括：

多个第一电极，分别连接这些像素的这些发光单元的这些第一掺杂半导体层；

多个第二电极，分别连接这些像素的这些光感测单元的这些第三掺杂半导体层，且与这些发光单元的这些第二掺杂半导体层电性连接；以及

电极层，电性连接这些像素的这些光感测单元的这些第四掺杂半导体层。

7.如权利要求6所述的摄影投影装置，其特征在于这些第二电极分别经由多个过孔贯穿这些发光单元。

8.如权利要求6所述的摄影投影装置，其特征在于该发光感测模块还包括：

多个发光单元驱动电路，分别经由这些第一电极与对应的这些第二电极驱动这些发光单元；以及

多个光感测单元驱动电路，分别经由这些第二电极与该电极层驱动这些光感测单元。

9.如权利要求1所述的摄影投影装置，其特征在于该发光单元阵列与该光感测单元阵列互相交错配置。

10.如权利要求1所述的摄影投影装置，其特征在于每一该像素还包括导电基板，该像素的该光感测单元与该发光单元皆配置于该导电基板上。

11.如权利要求10所述的摄影投影装置，其特征在于该光感测单元为肖特基传感器。

12.如权利要求10所述的摄影投影装置，其特征在于该发光感测模块还包括线路基板，每一该光感测单元还包括：

肖特基接触，配置于该导电基板上；以及

欧姆接触，配置于该导电基板上，其中该肖特基接触与该欧姆接触相间隔配置，且

该发光感测模块还包括：

多个第三电极，分别电性连接至该线路基板与这些光感测单元的这些肖特基接触；以及

多个第四电极，分别电性连接该线路基板与这些光感测单元的这些欧姆接触。如权利要求10所述的摄影投影装置，其中每一该光感测单元还包括空乏区，形成于该导电基板的表面，该发光感测模块还包括多个第二电极，分别配置于这些光感测单元的这些空乏区上，并与这些空乏区接触。

13.如权利要求10所述的摄影投影装置，其特征在于该光感测单元为P-I-N型光电二极管。

14.如权利要求10所述的摄影投影装置，其特征在于该发光感测模块还包括线路基板，这些像素配置于该线路基板上，每一该光感测单元还包括：

空乏区，形成于该导电基板的表面；以及

掺杂井区，形成于该空乏区中，其中该掺杂井区的掺杂态与该导电基板的掺杂态相反，且

该发光感测模块还包括多个第二电极，分别配置于这些光感测单元的该掺杂井区上，且分别电性连接这些掺杂井区与该线路基板。

15.如权利要求1所述的摄影投影装置，其特征在于，还包括控制单元，电性连接至该发光单元阵列与该光感测单元阵列，以交替驱动该发光单元阵列发光及该光感测单元检测光。

16.如权利要求1所述的摄影投影装置，其特征在于该投影装置还包括控制单元，该控制单元适于在一时间内驱动这些像素的第一部分的这些发光单元发光，并同时驱动这些像素的第二部分的这些光感测单元检测光，其中这些像素的该第一部分分别与这些像素的该第二部分相邻。

17.如权利要求1所述的摄影投影装置，其特征在于每一该发光单元包括：

第一掺杂半导体层；

第二掺杂半导体层；以及

发光层，配置于该第一掺杂半导体层与该第二掺杂半导体层之间，且

每一该光感测单元包括：

第五掺杂半导体层，连接至该第二掺杂半导体层；

第一肖特基接触，配置于该第五掺杂半导体层上；以及

第二肖特基接触，配置于该第五掺杂半导体层上，其中该第一肖特基接触与该第二肖特基接触彼此相间隔配置，且

该发光感测模块还包括线路基板，其中该第五掺杂半导体层通过该第一肖特基接触与该第二肖特基接触电性连接至该线路基板。

18.如权利要求1所述的摄影投影装置，其特征在于该发光单元阵列用以将输出信号转换成该图像光束，且该投影镜头用以将该图像光束传递至另一摄影投影装置，该另一摄影投影装置的投影镜头用以将该图像光束成像于该另一摄影投影装置的光感测单元阵列，且该另一摄影投影装置的该光感测单元阵列用以将该图像光束转换成输入信号。

19.一种发光感测模块，其特征在于，包括：

发光感测区；

发光单元阵列，包括多个呈阵列排列的发光单元，其中这些发光单元分布于该发光感测区中；

光感测单元阵列，包括多个呈阵列排列的光感测单元，其中这些光感测单元分布于该发光感测区中，其中每一该光感测单元与一对应的该发光单元构成一像素；以及

线路基板，其中这些发光单元与这些光感测单元配置于该线路基板上，且该线路基板包括：

多个发光单元驱动电路，分别电性连接至这些发光单元；以及

多个光感测单元驱动电路，分别电性连接至这些光感测单元。

20.如权利要求19所述的发光感测模块，其特征在于每一该发光单元包括：

第一掺杂半导体层；

第二掺杂半导体层；以及

发光层，配置于该第一掺杂半导体层与该第二掺杂半导体层之间，且

每一该光感测单元包括：

第三掺杂半导体层；以及

第四掺杂半导体层，与该第三掺杂态半导体层连接，其中这些光感测单元分别与这些发光单元互相堆迭于该线路基板上。。

21.如权利要求20所述的发光感测模块，其特征在于，还包括：

多个第一电极，分别连接这些像素的这些光感测单元的这些第四掺杂半导体层与该线路基板；

多个第二电极，分别连接这些像素的这些发光单元的这些第二掺杂半导体层与该线路基板；以及

电极层，连接这些像素的这些发光单元的这些第一掺杂态半导体层。

22.如权利要求21所述的发光感测模块，其特征在于这些第二电极分别经由多个过孔贯穿这些光感测单元。

23.如权利要求21所述的发光感测模块，其特征在于这些发光单元驱动电路分别经由这些第二电极与该电极层驱动这些发光单元，且这些光感测单元驱动电路分别经由这些第一电极与对应的这些第二电极驱动这些光感测单元。

24.如权利要求20所述的发光感测模块，其特征在于，还包括：

多个第一电极，分别连接这些像素的这些发光单元的这些第一掺杂半导体层与该线路基板；

多个第二电极，分别连接这些像素的这些光感测单元的这些第三掺杂半导体层与该线路基板；以及

电极层，连接这些像素的这些光感测单元的这些第四掺杂半导体层。

25.如权利要求24所述的发光感测模块，其特征在于这些第二电极分别经由多个过孔贯穿这些发光单元。

26.如权利要求24所述的发光感测模块，其特征在于这些发光单元驱动电路分别经由这些第一电极与对应的这些第二电极驱动这些发光单元，且这些光感测单元驱动电路分别经由这些第二电极与该电极层驱动这些光感测单元。

27.如权利要求19所述的发光感测模块，其特征在于该发光单元阵列与该光感测单元阵列互相交错配置。

28.如权利要求19所述的发光感测模块，其特征在于该光感测单元与该发光单元皆配置于该导电基板上。

29.如权利要求28所述的发光感测模块，其特征在于该光感测单元为肖特基传感器。

30.如权利要求28所述的发光感测模块，其特征在于该光感测单元为P-I-N型光电二极管。

31.如权利要求19所述的发光感测模块，其特征在于每一该发光单元包括：

第一掺杂半导体层；

第二掺杂半导体层；以及

发光层，配置于该第一掺杂半导体层与该第二掺杂半导体层之间，且

每一该光感测单元包括：

第五掺杂半导体层，连接至该第二掺杂半导体层；

第一肖特基接触，配置于该第五掺杂半导体层上；以及

第二肖特基接触，配置于该第五掺杂半导体层上，其中该第一肖特基接触与该第二肖特基接触彼此相间隔配置，且

该发光感测模块还包括线路基板，其中该第五掺杂半导体层通过该第一肖特基接触与该第二肖特基接触电性连接至该线路基板。

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