CN102566099A - 一种接触电路 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种接触电路，该接触电路一端连接显示面板内的信号线，另一端通过各向异性导电膜连接驱动芯片，该接触电路包含复数条第一接触电路，其上设置第一接触部；复数条第二接触电路，与该第一接触电路相互间隔，其上设置第二接触部，该第一接触部与该第二接触部存在垂直段差。由于第一接触电路上的第一接触部与第二接触电路上的第二接触部的距离拉长，所以能有效减少发生相邻接触垫侧向导通问题的几率。

Description

一种接触电路

【技术领域】

本发明涉及一种接触电路，特别涉及一种液晶显示装置利用各向异性的导电膜(anisotropic conductive film，下称ACF)进行驱动连接的接触电路。

【背景技术】

液晶显示装置因其功耗低、制造成本低和无辐射等特点，近年来得到了广泛的应用。一般来说，液晶显示装置可分为显示单元以及驱动单元，该驱动单元主要包括柔性布线基板或柔性布线组件以及装配在该柔性布线基板或柔性布线组件上的驱动器IC，该驱动器IC通过ACF电耦合至显示面板以驱动显示面板。

请参照图1，图1是习知技术之液晶显示装置的平面图。如图1所示，液晶显示装置包含阵列基板10以及彩色滤光基板11，在阵列基板10与彩色滤光基板11的重叠区域即为显示单元，而在阵列基板10的非显示区域具有接触电路20，接触电路的一端连接显示单元内的数据线或栅极线，而接触电路20的一端连接的就是驱动芯片11，该驱动芯片11输出驱动信号到数据线或栅极线以驱动显示单元。

请同时参照图2，图2是图1中I-I’的截面图，驱动芯片30的引脚上形成有较厚的导电凸块(bump)301，另一方面，在下基板10的非显示区域形成有接触垫(pad)201，该接触垫201是位于接触电路20上的。在驱动芯片30与下基板10之间置入ACF 40，且该ACF 40中具有导电颗粒401，然后加入改变ACF40的粘滞度，接着压合驱动芯片30与下基板10，此时对于的接触垫201与导电凸块301之间必须是相互对准的。

由于导电凸块301具有一定的厚度，位于ACF 40中的导电颗粒401会再导电凸块301与接触垫201之间被挤压，被挤压的导电颗粒401便在导电凸块301与接触垫201之间构成电连接。利用ACF进行芯片封装，便可同时完成粘合驱动芯片30与电路耦接的动作。

应用ACF进行芯片封装时，常见的问题是导电颗粒的不当迁移(magration)。由于加热后ACF中树脂部分的粘滞度下降，在压合导电凸块301与接触垫201时，其间的导电颗粒401容易向周围扩散迁移，从而造成导电凸块301与接触垫201间的导电颗粒401数量太少，而使耦接的电阻增加，由于相邻的接触垫201仅存在一个水平距离H，当该水平距离H较小时甚至会引发如图3中所示的产生电连接的问题，由于太多的导电颗粒401集中于相邻的导电凸块301间而产生侧向的电连接，即对相邻的导电凸块301与相邻的接触垫201造成短路。在芯片功能日益增加的情况下，短路问题将越来越容易发生。

【发明内容】

本发明的目的在于提供一种液晶显示器，以解决上述问题。

本发明提出的一种接触电路，该接触电路一端连接显示面板内的信号线，另一端连接驱动芯片，该接触电路包含复数条第一接触电路，其上设置第一接触部；复数条第二接触电路，与该第一接触电路相互间隔，其上设置第二接触部，该第一接触部与该第二接触部存在垂直段差。

在本发明的一个实施例中，该第一接触电路具有复数个第一接触部，该第二接触电路具有复数个第二接触部。

在本发明的又一实施例中，该第一接触电路只有一个第一接触部，该第二接触电路只有一个第二接触部。

在本发明的一实施例中，该第一接触电路的上半部分设置复数个第一接触部，其下半部分设置复数个第二接触部；该第二接触电路的上半部分设置复数个第二接触部，其下半部分设置复数个第一接触部。

在本发明的另一实施例中，该第一接触电路仅在其上半部分设置复数个第一接触部；该第二接触电路仅在其下半部分设置复数个第二接触部。

在本发明的一个实施例中，该第一接触部为透明电极层，该透明电极层位于第一金属层上，该透明电极层通过第一接触孔与第一金属层相接触；该第二接触部为透明电极层，该透明电极层位于第二金属层上该透明电极层通过第二接触孔与第二金属层相接触。

在本发明的另一个实施例中，该第一接触部为第一金属层，该第二接触部为第二金属层。

在本发明的一个实施例中，该垂直段差为栅极绝缘层、非晶硅层以及第二金属层的高度之和。

在本发明的一个实施例中，该垂直段差为栅极绝缘层以及第二金属层的高度之和。

在本发明的另一个实施例中，该垂直段差为栅极绝缘层的高度。

在本发明的一个实施例中，该垂直段差为栅极绝缘层以及非晶硅层的高度。

【附图说明】

图1是现有技术液晶显示面板平面图。

图2是图1中I-I’的截面图。

图3是传统ACF接合方式常有的问题的示意图。

图4是本发明第一实施例的接触电路平面图。

图5是本发明第一实施例的接触电路截面图。

图6是本发明第二实施例的接触电路平面图。

图7是本发明第二实施例的接触电路第截面图。

图8是本发明第三实施例的接触电路平面图。

图9是本发明第三实施例的接触电路截面图。

图10是本发明第四实施例的接触电路平面图。

图11是本发明第四实施例的接触电路截面图。

图12是本发明第五实施例的接触电路平面图。

图13是本发明第五实施例的接触电路截面图。

图14是本发明第六实施例的接触电路平面图。

图15是本发明第六实施例的接触电路截面图。

图16是本发明第七实施例的接触电路平面图。

图17是本发明第七实施例的接触电路截面图。

图18是本发明第八实施例的接触电路平面图。

图19是本发明第八实施例的接触电路截面图。

【具体实施方式】

下面结合附图和实施例对本发明进行详细说明。

图4是本发明接触电路的第一实施例平面图，在此图4中，是显示接触电路的区域布线，其中该接触电路区域布线包含有第一接触电路811以及第二接触电路812，该第一接触电路811和该第二接触电路812是相互间隔设置的，即第一接触电路811和第二接触电路812是彼此相邻的，其中在该第一接触电路811上还设置有复数个第一接触部611，在该第二接触电路812上设置有复数个第二接触部612。而该第一接触电路811以及该第二接触电路812的一端连接至显示单元内的信号线，该些信号线为显示面板上的数据线或栅极线，其另一端则连接信号驱动芯片，该信号驱动芯片主要为输出驱动信号到数据线或栅极线以驱动显示单元。

接续上述，请同时参照图4及图5，图5是是本发明接触电路的第一实施例A-A’的截面图。在此截面图中主要显示了第一接触部611及第二接触部612的截面图，其中该第一接触部611为透明电极层，主要构成是在阵列基板510上设置一第一金属层511，該第一金属层511上設置一第一接触孔711，而该第一接触孔711的形成是通过蚀刻在栅极绝缘层512以及保护层515形成了一孔洞并曝露出第一金属层511，最后再设置一透明电极层作为该第一接触部611；其中该第二接触部612为透明电极层，主要构成是在阵列基板510上先形成一栅极绝缘层512，在该栅极绝缘层512上形成一非晶硅513，在该非晶硅513上接着设置一第二金属层514，该第二金属层514上设置一第二接觸孔712，而该第二接觸孔712的形成是通过蚀刻在该保护层515形成了一孔洞并曝露出第二金属层512，最后再设置一透明电极层作为该第二接触部612；其中第一接触电路811上设置的是第一接触部611，第二接触电路812上设置的是第二接触部612。以下再次详述本实施例，该第一接触电路811以及第二接触电路812是设置在阵列基板510上的，其中该接触电路可以与显示区域的薄膜电晶体同时形成。然而，位于第一接触电路811上的第一接触部611为透明电极层，该透明电极层位于第一金属层511上，该透明电极层是通过第一接触孔711与第一金属层511相接触的，该第一接触孔711是通过蚀刻栅极绝缘层512以及保护层515形成的，在本实施例中第一接触部611的面积大于第一接触孔711的面积。而位于第二接触电路811上的第二接触部612为透明电极层，该透明电极层位于第二金属层514上，其中该第二金属层514位于非晶硅层513上。该第二接触部612是通过第二接触孔712与第二金属层514相接触，第二接触孔712是通过蚀刻保护层515形成的，同样第二接触部612的面积是大于第二接触孔712的面积的。由于该第一接触部611与该第二接触部612均为透明电极层所以该第一接触部611与该第二接触部612间的垂直段差V1为栅极绝缘层、非晶硅层以及第二金属层的高度之和。所以第一接触部与第二接触部间的距离不再只是水平距离，而是为一斜边距离，如此一来使第一接触部611与第二接触部612间的距离拉长，从而减少了发生相邻接触部侧向导通问题的几率。

图6是本发明接触电路的第二实施例平面图，在此图6中，是显示接触电路的区域布线，其中该接触电路区域布线包含有第一接触电路821以及第二接触电路822，该第一接触电路821和该第二接触电路822是相互间隔设置的，即第一接触电路821和第二接触电路822是彼此相邻的，其中在该第一接触电路821上还设置有复数个第一接触部621，在该第二接触电路822上设置有复数个第二接触部622。而该第一接触电路821以及该第二接触电路822的一端连接至显示单元内的信号线，该些信号线为显示面板上的数据线或栅极线，其另一端则连接信号驱动芯片，该信号驱动芯片主要为输出驱动信号到数据线或栅极线以驱动显示单元。

请同时参照图6及图7，图7是是本发明接触电路的第二实施例A-A’的截面图。在此第二截面图中主要显示了第一接触部621及第二接触部622的截面图，其中该第一接触部621为透明电极层，主要构成是在阵列基板510上设置一第一金属层521，该第一金属层521上设置一第一接触孔721，而该第一接触孔721的形成是通过蚀刻在保护层525形成了一孔洞并曝露出第一金属层521，最后再设置一透明电极层作为该第一接触部621；其中该第二接触部622为透明电极层，主要构成是在阵列基板520上先形成一栅极绝缘层522，在该栅极绝缘层522上形成设置一第二金属层524，该第二金属层524上设置一第二接触孔722，而该第二接触孔722的形成是通过蚀刻在该保护层525形成了一孔洞并曝露出第二金属层522，最后再设置一透明电极层作为该第二接触部622；其中第一接触电路811上设置的是第一接触部621，第二接触电路822上设置的是第二接触部622。以下再次详述本实施例，该第一接触电路821以及第二接触电路822是设置在阵列基板520上的，其中该接触电路可以与显示区域的薄膜电晶体同时形成。然而，位于第一接触电路821上的第一接触部621为透明电极层，该透明电极层位于第一金属层521上，该透明电极层是通过第一接触孔721与第一金属层521相接触的，该第一接触孔721是通过蚀刻保护层525形成的，在本实施例中第一接触部621的面积大于第一接触孔721的面积。而位于第二接触电路811上的第二接触部622为透明电极层，该透明电极层位于第二金属层524上，其中该第二金属层524位于栅极绝缘层525上。该第二接触部622是通过第二接触孔722与第二金属层524相接触，第二接触孔722是通过蚀刻保护层525形成的，同样第二接触部622的面积是大于第二接触孔722的面积的。由于该第一接触部621与该第二接触部622均为透明电极层所以该第一接触部621与该第二接触部622间的垂直段差V2为栅极绝缘层第二金属层的高度之和。所以第一接触部与第二接触部间的距离不再只是水平距离，而是一斜边距离，如此一来使第一接触部621与第二接触部622间的距离拉长，从而减少了发生相邻接触部侧向导通问题的几率。

图8是本发明接触电路的第三实施例平面图，在此图8中，是显示接触电路的区域布线，其中该接触电路区域布线包含有第一接触电路831以及第二接触电路832，该第一接触电路831和该第二接触电路832是相互间隔设置的，即第一接触电路831和第二接触电路832是彼此相邻的，其中在该第一接触电路831上还设置有复数个第一接触部631，在该第二接触电路832上设置有复数个第二接触部632。而该第一接触电路831以及该第二接触电路832的一端连接至显示单元内的信号线，该些信号线为显示面板上的数据线或栅极线，其另一端则连接信号驱动芯片，该信号驱动芯片主要为输出驱动信号到数据线或栅极线以驱动显示单元。

接续上述，请同时参照图8及图9，图9是是本发明接触电路的第三实施例A-A’的截面图。在此第一截面图中主要显示了第一接触部631及第二接触部632的截面图，其中该第一接触部631为透明电极层，主要构成是在阵列基板530上设置一第一金属层531，该第一金属层531上设置一第一接触孔731，而该第一接触孔731的形成是通过蚀刻在栅极绝缘层532以及保护层535形成了一孔洞并曝露出第一金属层531，最后再设置一透明电极层作为该第一接触部631；其中该第二接触部632为透明电极层，主要构成是在阵列基板530上先形成一栅极绝缘层532，在该栅极绝缘层532上形成一非晶硅533，在该非晶硅533上接着设置一第二金属层534，该第二金属层534上设置一第二接触孔732，而该第二接触孔732的形成是通过蚀刻在该保护层535形成了一孔洞并曝露出第二金属层532，最后再设置一透明电极层作为该第二接触部632；其中第一接触电路831上设置的是第一接触部631，第二接触电路832上设置的是第二接触部632。以下再次详述本实施例，该第一接触电路831以及第二接触电路832是设置在阵列基板530上的，其中该接触电路可以与显示区域的薄膜电晶体同时形成。然而，位于第一接触电路831上的第一接触部631为透明电极层，该透明电极层位于第一金属层531上，该透明电极层是通过第一接触孔731与第一金属层531相接触的，该第一接触孔731是通过蚀刻栅极绝缘层532以及保护层535形成的，在本实施例中第一接触部631的面积等于或小于第一接触孔731的面积。而位于第二接触电路831上的第二接触部632为透明电极层，该透明电极层位于第二金属层534上，其中该第二金属层534位于非晶硅层533上。该第二接触部632是通过第二接触孔732与第二金属层534相接触，第二接触孔732是通过蚀刻保护层535形成的，同样第二接触部632的面积是等于或小于第二接触孔732的面积的。由于该第一接触部631与该第二接触部632均为透明电极层所以该第一接触部631与该第二接触部632间的垂直段差同样为栅极绝缘层、非晶硅层以及第二金属层的高度之和。所以第一接触部与第二接触部间的距离不再只是水平距离，而是大于该水平距离，如此一来使第一接触部631与第二接触部632间的距离拉长，从而减少了发生相邻接触部侧向导通问题的几率。

图10是本发明接触电路的第四实施例平面图，在此图10中，是显示接触电路的区域布线，其中该接触电路区域布线包含有第一接触电路841以及第二接触电路842，该第一接触电路841和该第二接触电路842是相互间隔设置的，即第一接触电路841和第二接触电路842是彼此相邻的，其中在该第一接触电路841上还设置有复数个第一接触部641，在该第二接触电路842上设置有复数个第二接触部642。而该第一接触电路841以及该第二接触电路842的一端连接至显示单元内的信号线，该些信号线为显示面板上的数据线或栅极线，其另一端则连接信号驱动芯片，该信号驱动芯片主要为输出驱动信号到数据线或栅极线以驱动显示单元。

接续上述，请同时参照图10及图11，图11是是本发明接触电路的第四实施例A-A’的截面图。在此第二截面图中主要显示了第一接触部641及第二接触部642的截面图，其中该第一接触部641为透明电极层，主要构成是在阵列基板540上设置一第一金属层541，该第一金属层541上设置一第一接触孔741，而该第一接触孔741的形成是通过蚀刻在保护层545形成了一孔洞并曝露出第一金属层541，最后再设置一透明电极层作为该第一接触部641；需要说明的是，在习知的制程中图案化第一金属层541后，会沉积栅极绝缘层542，该栅极绝缘层542是不需要进行图案化，而在本实施例中，该栅极绝缘层542需要进行图案化以曝露出部分第一金属层541。其中该第二接触部642为透明电极层，主要构成是在阵列基板540上先形成一栅极绝缘层542，在该栅极绝缘层542上形成设置一第二金属层544，该第二金属层544上设置一第二接触孔742，而该第二接触孔742的形成是通过蚀刻在该保护层545形成了一孔洞并曝露出第二金属层542，最后再设置一透明电极层作为该第二接触部642；其中第一接触电路841上设置的是第一接触部641，第二接触电路842上设置的是第二接触部642。以下再次详述本实施例，该第一接触电路841以及第二接触电路842是设置在阵列基板540上的，其中该接触电路可以与显示区域的薄膜电晶体同时形成。然而，位于第一接触电路841上的第一接触部641为透明电极层，该透明电极层位于第一金属层541上，该透明电极层是通过第一接触孔741与第一金属层541相接触的，该第一接触孔741是通过蚀刻保护层545形成的，在本实施例中第一接触部641的面积等于或小于第一接触孔741的面积。而位于第二接触电路841上的第二接触部642为透明电极层，该透明电极层位于第二金属层544上，其中该第二金属层544位于栅极绝缘层545上。该第二接触部642是通过第二接触孔742与第二金属层544相接触，第二接触孔742是通过蚀刻保护层545形成的，同样第二接触部642的面积是等于或小于第二接触孔742的面积的。由于该第一接触部641与该第二接触部642均为透明电极层所以该第一接触部641与该第二接触部642间的垂直段差为栅极绝缘层以及第二金属层的高度。所以第一接触部与第二接触部间的距离不再只是水平距离，而是大于该水平距离，如此一来使第一接触部641与第二接触部642间的距离拉长，从而减少了发生相邻接触部侧向导通问题的几率。

图12是本发明接触电路的第五实施例平面图，在此图12中，是显示接触电路的区域布线，其中该接触电路区域布线包含有第一接触电路851以及第二接触电路852，该第一接触电路851和该第二接触电路852是相互间隔设置的，即第一接触电路851和第二接触电路852是彼此相邻的，其中在该第一接触电路851上只设置有一个第一接触部651，在该第二接触电路852上只设置有一个第二接触部652。而该第一接触电路851以及该第二接触电路852的一端连接至显示单元内的信号线，该些信号线为显示面板上的数据线或栅极线，其另一端则连接信号驱动芯片，该信号驱动芯片主要为输出驱动信号到数据线或栅极线以驱动显示单元。

接续上述，请同时参照图12及图13，图13是是本发明接触电路的第五实施例A-A’的截面图。在此第一截面图中主要显示了第一接触部651及第二接触部652的截面图，其中该第一接触部651为透明电极层，主要构成是在阵列基板550上设置一第一金属层551，该第一金属层551上设置一第一接触孔751，而该第一接触孔751的形成是通过蚀刻在栅极绝缘层552以及保护层555形成了一孔洞并曝露出第一金属层551，最后再设置一透明电极层作为该第一接触部651；其中该第二接触部652为透明电极层，主要构成是在阵列基板550上先形成一栅极绝缘层552，在该栅极绝缘层552上形成一非晶硅533，在该非晶硅533上接着设置一第二金属层554，该第二金属层554上设置一第二接触孔752，而该第二接触孔752的形成是通过蚀刻在该保护层555形成了一孔洞并曝露出第二金属层552，最后再设置一透明电极层作为该第二接触部652；其中第一接触电路851上设置的是第一接触部651，第二接触电路852上设置的是第二接触部652。以下再次详述本实施例，该第一接触电路851以及第二接触电路852是设置在阵列基板550上的，其中该接触电路可以与显示区域的薄膜电晶体同时形成。然而，位于第一接触电路851上的第一接触部651为透明电极层，该透明电极层位于第一金属层551上，该透明电极层是通过第一接触孔751与第一金属层551相接触的，该第一接触孔751是通过蚀刻栅极绝缘层552以及保护层555形成的，在本实施例中第一接触部651的面积等于或小于第一接触孔751的面积。而位于第二接触电路851上的第二接触部652为透明电极层，该透明电极层位于第二金属层554上，其中该第二金属层554位于非晶硅层533上。该第二接触部652是通过第二接触孔752与第二金属层554相接触，第二接触孔752是通过蚀刻保护层555形成的，同样第二接触部652的面积是等于或小于第二接触孔752的面积的。由于该第一接触部651与该第二接触部652均为透明电极层所以该第一接触部651与该第二接触部652间的垂直段差为栅极绝缘层、非晶硅层以及第二金属层的高度之和。所以第一接触部与第二接触部间的距离不再只是水平距离，而是大于该水平距离，如此一来使第一接触部651与第二接触部652间的距离拉长，从而减少了发生相邻接触部侧向导通问题的几率。

图14是本发明接触电路的第六实施例平面图，在此图14中，是显示接触电路的区域布线，其中该接触电路区域布线包含有第一接触电路861以及第二接触电路862，该第一接触电路861和该第二接触电路862是相互间隔设置的，即第一接触电路861和第二接触电路862是彼此相邻的，其中在该第一接触电路861上只设置有一个第一接触部661，在该第二接触电路862上只设置有一个第二接触部662。而该第一接触电路861以及该第二接触电路862的一端连接至显示单元内的信号线，该些信号线为显示面板上的数据线或栅极线，其另一端则连接信号驱动芯片，该信号驱动芯片主要为输出驱动信号到数据线或栅极线以驱动显示单元。

接续上述，请同时参照图14及图15，图15是是本发明接触电路的第六实施例A-A’的截面图。在此第二截面图中主要显示了第一接触部661及第二接触部662的截面图，其中该第一接触部661为透明电极层，主要构成是在阵列基板560上设置一第一金属层561，该第一金属层561上设置一第一接触孔761，而该第一接触孔761的形成是通过蚀刻在保护层565形成了一孔洞并曝露出第一金属层561，最后再设置一透明电极层作为该第一接触部661；需要说明的是，在习知的制程中图案化第一金属层541后，会沉积栅极绝缘层562，该栅极绝缘层562是不需要进行图案化，而在本实施例中，该栅极绝缘层562需要进行图案化以曝露出部分第一金属层561。其中该第二接触部662为透明电极层，主要构成是在阵列基板560上先形成一栅极绝缘层562，在该栅极绝缘层562上形成设置一第二金属层564，该第二金属层564上设置一第二接触孔762，而该第二接触孔762的形成是通过蚀刻在该保护层565形成了一孔洞并曝露出第二金属层562，最后再设置一透明电极层作为该第二接触部662；其中第一接触电路851上设置的是第一接触部661，第二接触电路852上设置的是第二接触部662。以下再次详述本实施例，该第一接触电路851以及第二接触电路852是设置在阵列基板560上的，其中该接触电路可以与显示区域的薄膜电晶体同时形成。然而，位于第一接触电路851上的第一接触部661为透明电极层，该透明电极层位于第一金属层561上，该透明电极层是通过第一接触孔761与第一金属层561相接触的，该第一接触孔761是通过蚀刻保护层565形成的，在本实施例中第一接触部661的面积等于或小于第一接触孔761的面积。而位于第二接触电路851上的第二接触部662为透明电极层，该透明电极层位于第二金属层564上，其中该第二金属层564位于栅极绝缘层565上。该第二接触部662是通过第二接触孔762与第二金属层564相接触，第二接触孔762是通过蚀刻保护层565形成的，同样第二接触部662的面积是等于或小于第二接触孔762的面积的。由于该第一接触部661与该第二接触部662均为透明电极层所以该第一接触部661与该第二接触部662间的垂直段差为栅极绝缘层以及第二金属层的高度之和。所以第一接触部与第二接触部间的距离不再只是水平距离，而是大于该水平距离，如此一来使第一接触部661与第二接触部662间的距离拉长，从而减少了发生相邻接触部侧向导通问题的几率。

图16是本发明接触电路的第七实施例平面图，在此图16中，是显示接触电路的区域布线，其中该接触电路区域布线包含有第一接触电路871以及第二接触电路872，该第一接触电路871和该第二接触电路872是相互间隔设置的，即第一接触电路871和第二接触电路872是彼此相邻的，其中在该第一接触电路871的上半部分设置有复数第一接触部671，其下半部分设置复数个第二接触部672，在该第二接触电路872的上半部分设置有复数第二接触部672，其下半部分设置复数个第一接触部671。而该第一接触电路871以及该第二接触电路872的一端连接至显示单元内的信号线，该些信号线为显示面板上的数据线或栅极线，其另一端则连接信号驱动芯片，该信号驱动芯片主要为输出驱动信号到数据线或栅极线以驱动显示单元。

接续上述，请同时参照图16及图17，图17是本发明接触电路的第七实施例A-A’的截面图。在此截面图中主要显示了第一接触部671及第二接触部672的截面图，其中该第一接触部671为第一金属层，主要构成是在阵列基板570上设置一第一金属层作为第一接触部671，该第一金属层上设置一第一接触孔771，而该第一接触孔771的形成是通过蚀刻在栅极绝缘层572以及保护层575形成了一孔洞并曝露出第一金属层作为第一接触部671；其中该第二接触部672为第二金属层，主要构成是在阵列基板570上先形成一栅极绝缘层572，在该栅极绝缘层572上设置一第二金属层作为第二接触部672，该第二金属层上设置一第二接触孔772，而该第二接触孔772的形成是通过蚀刻在该保护层575形成了一孔洞并曝露出第二金属层作为第一接触部671；其中第一接触电路871上半部分以及第二接触电路872下半部分上设置的是第一接触部671，第一接触电路871下半部分以及第二接触电路872上半部分上设置的是第二接触部672。以下再次详述本实施例，该第一接触电路871以及第二接触电路872是设置在阵列基板570上的，其中该接触电路可以与显示区域的薄膜电晶体同时形成。然而，位于第一接触电路871上半部分以及第二接触电路872下半部分的第一接触部671为第一金属层，该第一金属层是通过第一接触孔771曝露的，该第一接触孔771是通过蚀刻栅极绝缘层572以及保护层575形成的，在本实施例中第一接触部671的面积等于或小于第一接触孔771的面积。而位于第一接触电路871下半部分以及第二接触电路872上半部分的第二接触部672为第二金属层，该第二接触部672是通过第二接触孔772曝露的，该第二接触孔772是通过蚀刻保护层575形成的，同样第二接触部672的面积是等于或小于第二接触孔772的面积的。由于该第一接触部671与该第二接触部672分别为第一金属层以及第二金属层，所以该第一接触部671与该第二接触部672间的垂直段差为栅极绝缘层的高度。所以第一接触部与第二接触部间的距离不再只是水平距离，而是大于该水平距离，如此一来使第一接触部671与第二接触部672间的距离拉长，从而减少了发生相邻接触部侧向导通问题的几率。

图18是本发明接触电路的第八实施例平面图，在此图18中，是显示接触电路的区域布线，其中该接触电路区域布线包含有第一接触电路881以及第二接触电路882，该第一接触电路881和该第二接触电路882是相互间隔设置的，即第一接触电路881和第二接触电路882是彼此相邻的，其中在该第一接触电路881的上半部分设置有复数第一接触部681，在该第二接触电路872的下半部分设置复数个第二接触部682。而该第一接触电路881以及该第二接触电路882的一端连接至显示单元内的信号线，该些信号线为显示面板上的数据线或栅极线，其另一端则连接信号驱动芯片，该信号驱动芯片主要为输出驱动信号到数据线或栅极线以驱动显示单元。

接续上述，请同时参照图18及图19，图19是本发明接触电路的第八实施例A-A’的截面图。在此截面图中主要显示了第一接触部681及第二接触部682的截面图，其中该第一接触部681为第一金属层，主要构成是在阵列基板580上设置一第一金属层作为第一接触部681，该第一金属层上设置一第一接触孔781，而该第一接触孔781的形成是通过蚀刻在栅极绝缘层582以及保护层585形成了一孔洞并曝露出第一金属层作为第一接触部681；其中该第二接触部682为第二金属层，主要构成是在阵列基板580上先形成一栅极绝缘层582，在该栅极绝缘层582上形成一非晶硅583，在该非晶硅583上接着设置一第二金属层作为第二接触部682，该第二金属层上设置一第二接触孔782，而该第二接触孔782的形成是通过蚀刻在该保护层585形成了一孔洞并曝露出第二金属层作为第一接触部681；其中第一接触电路881上半部分设置的是第一接触部681，第二接触电路882下半部分上设置的是第二接触部682。以下再次详述本实施例，该第一接触电路881以及第二接触电路882是设置在阵列基板580上的，其中该接触电路可以与显示区域的薄膜电晶体同时形成。然而，位于第一接触电路881上半部分以及第二接触电路882下半部分的第一接触部681为第一金属层，该第一金属层是通过第一接触孔781曝露的，该第一接触孔781是通过蚀刻栅极绝缘层582以及保护层585形成的，在本实施例中第一接触部681的面积等于或小于第一接触孔781的面积。而位于第二接触电路882下半部分的第二接触部682为第二金属层，该第二接触部682是通过第二接触孔782曝露的，该第二接触孔782是通过蚀刻保护层585形成的，同样第二接触部682的面积是等于或小于第二接触孔782的面积的。由于该第一接触部681与该第二接触部682分别为第一金属层以及第二金属层，所以该第一接触部681与该第二接触部682间的垂直段差为栅极绝缘层582以及非晶硅层583的高度。所以第一接触部与第二接触部间的距离不再只是水平距离，而是大于该水平距离，如此一来使第一接触部681与第二接触部682间的距离拉长，从而减少了发生相邻接触部侧向导通问题的几率。

在上述实施例中，仅对本发明进行了示范性描述，上述各种接触部可以任意组合使用，本领域技术人员在阅读本专利申请后可以在不脱离本发明的精神和范围的情况下对本发明进行各种修改。

Claims (30)

1.一种接触电路，该接触电路一端连接显示面板内的信号线，另一端连接信号驱动芯片，该接触电路包含：

复数条第一接触电路，其上设置第一接触部；

复数条第二接触电路，与该第一金属线相互间隔，其上设置第二接触部；

该第一接触部与该第二接触部存在垂直段差。

2.如权利要求1所述的接触电路，其中该显示面板为液晶显示面板，该信号线为数据线和栅极线。

3.如权利要求1所述的接触电路，其中该第一接触电路上设置复数个第一接触部。

4.如权利要求1所述的接触电路，其中该第二接触电路上设置复数个第二接触部。

5.如权利要求1所述的接触电路，其中该第一接触部为透明电极层，该透明电极层通过第一接触孔与第一金属层相接触。

6.如权利要求5所述的接触电路，其中该第一接触孔通过蚀刻栅极绝缘层以及保护层形成。

7.如权利要求5所述的接触电路，其中该第一接触孔通过蚀刻保护层形成。

8.如权利要求5所述的接触电路，其中该透明电极层的面积大于该第一接触孔的面积。

9.如权利要求5所述的接触电路，其中该透明电极层的面积小于或等于该第一接触孔的面积。

10.如权利要求1所述的接触电路，其中该第二接触部为透明电极层，该透明电极层通过第二接触孔与第二金属层相接触。

11.如权利要求10所述的接触电路，其中该第一接触孔通过蚀刻保护层形成。

12.如权利要求10所述的接触电路，其中该透明电极层的面积大于该第一接触孔的面积。

13.如权利要求10所述的接触电路，其中该透明电极层的面积小于或等于该第一接触孔的面积。

14.如权利要求10所述的接触电路，其中该第二金属层位于非晶硅层上。

15.如权利要求10所述的接触电路，其中该第二金属层位于栅极绝缘层。

16.如权利要求1所述的接触电路，其中该第一接触电路的上半部分设置一个第一接触部，该第一接触电路的上半部分靠近该驱动信号。

17.如权利要求1所述的接触电路，其中该第二接触电路的下半部分设置一个第二接触部，该第二接触电路的下半部分靠近该显示面板内的信号线。

18.如权利要求1所述的接触电路，其中该垂直段差为栅极绝缘层、非晶硅层以及第二金属层的高度之和。

19.如权利要求1所述的接触电路，其中该垂直段差为栅极绝缘层以及第二金属层的高度之和。

20.如权利要求1所述的接触电路，其中该第一接触部为第一金属层。

21.如权利要求20所述的接触电路，其中该第一接触部通过第一接触孔曝露。

22.如权利要求21所述的接触电路，其中该第一接触孔通过蚀刻栅极绝缘层以及保护层形成。

23.如权利要求21所述的接触电路，其中该第一接触孔通过蚀刻栅极绝缘层形成。

24.如权利要求1所述的接触电路，其中该第二接触部为第二金属层。

25.如权利要求24所述的接触电路，其中该第二接触部通过第二接触孔曝露。

26.如权利要求25所述的接触电路，其中该第二接触孔通过保护层形成。

27.如权利要求24所述的接触电路，其中该第二金属层位于非晶硅层上。

28.如权利要求24所述的接触电路，其中该第二金属层位于栅极绝缘层。

29.如权利要求1所述的接触电路，其中该垂直段差为栅极绝缘层的高度。

30.如权利要求1所述的接触电路，其中该垂直段差为栅极绝缘层以及非晶硅层的高度。

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