CN102485955A - 利用真空镀膜制备硅钢薄板带的方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种硅钢的制备方法，特别涉及一种利用真空镀膜技术制备硅钢薄板带的方法。一种利用真空镀膜制备硅钢薄板带的方法，包括如下步骤：预处理；硅膜沉积及热处理；绝缘层制备。本发明采用真空物理气相沉积技术制备硅含量任意的硅钢薄带，具有成分精确可控，制备硅钢带厚度薄，制备的线圈厚度薄，具有叠层系数较高等特点。

Description

利用真空镀膜制备硅钢薄板带的方法

技术领域

 本发明涉及一种硅钢的制备方法，特别涉及一种利用真空镀膜技术制备硅钢薄板带的方法。

背景技术

 硅钢是含硅量在3％左右、其它主要是铁的硅铁合金。是电力、电子和军事工业不可缺少的重要软磁合金，亦是产量最大的金属功能材料，主要用作各种电机、发电机和变压器的铁心。它的生产工艺复杂，制造技术严格，国外的生产技术都以专利形式加以保护，视为企业的生命。目前硅钢根据制备方法分为热轧硅钢片和冷轧硅钢片，其中热轧硅钢片是将Fe-Si合金用平炉或电炉熔融，进行反复热轧成薄板，最后在800-850℃退火后制成。热轧硅钢片主要用于发电机的制造，故又称热轧电机硅钢片，但其可利用率低，能量损耗大，近年相关部门已强令要求淘汰。 冷轧无硅钢片最主要的用途是用于发电机制造，故又称冷轧电机硅钢。其含硅量0.5%-3.0%，经冷轧至成品厚度，供应态多为0.35 mm和0.5 mm厚的钢带。

由于硅钢自身的脆性以及轧制工艺上的局限，轧制法制备的薄板厚度一般很难低于0.30 mm，除成本高外，为在弱磁场范围和高使用频率的工作条件减小涡流损耗和交变磁场下的有效磁导率，一般使用0.05-0.20 mm的薄带。目前对于商品化的厚度为0.1~0.35mm的硅钢薄板带多采用化学气相沉积方法制备和物理气相沉积技术制备。专利ZL200610114114.4公开了一种采用连续磁控溅射物理气相沉积制备Fe-6.5%Si薄板方法，以硅作为阴极靶，以低硅钢带作为阳极，采用物理气相沉积方式沉积硅膜，通过后续高温扩散，使硅钢带中的整体含硅量提高到6.5wt%，获得具有优异软磁性能的高硅硅钢带。而后续的绝缘层制备则还是采用涂刷的方法。

硅钢带表面绝缘层的制备多采用涂刷的方法，表面根据硅钢使用环境需求，可在硅钢表面涂刷不同种类的绝缘层，如宝钢提供的A、H、D三种类型的绝缘涂层。由于硅钢带自身厚度的限制和绝缘层采用涂刷方式，硅钢线圈的叠层厚度不均匀或较厚使得电机及变压器的体积较大，能耗增加。

发明内容

本发明的目的在于避免现有技术的不足提供一种利用真空镀膜制备硅钢薄板带的方法，普通钢带或低硅钢钢带经过真空镀膜沉积硅膜，随后通过高温扩散，获得硅含量任意的硅钢带。同时通过真空镀膜的方法，在制备的硅钢带表面沉积有机或无机绝缘层，在保证硅钢绝缘性能的同时，显著降低硅钢厚度，提高叠层系数，使得电机体积减小，达到理想的节能效果。

为实现上述目的，本发明采取的技术方案为：一种利用真空镀膜制备硅钢薄板带的方法，其主要特点在于包括如下步骤：

（1）预处理：选取待厚度为0.1-0.5mm的普通钢带或低硅钢带作为待镀基带；将基带依次在浓度为NaOH浓度为5~15%碱溶液和1~15%稀盐酸中进行除锈除油处理；纯水漂洗，热风吹干待用；

（2）硅膜沉积及热处理：将预处理好的基带在真空室2×10^-2Pa~8×10^-1 Pa中进行硅膜制备并进行高温扩散处理；热处理炉温度为1100-1200℃，热处理时间为55-65 min，热处理过程中需在氮气保护下进行，在退火炉升温之前应先充25-30min的氮气；

（3）绝缘层制备：将经步骤（2）处理后钢带在真空环境下进行绝缘层的制备。

所述的利用真空镀膜制备硅钢薄板带的方法，还包括如下步骤：

将预处理好的基带在真空度为2×10^-2Pa~8×10^-1 Pa的真空室中进行硅膜制备时，进行高压离子清洁，充入氮气，压力2~5Pa，电压轰击2000~3500V，电流2~4A。

所述的利用真空镀膜制备硅钢薄板带的方法，所述硅膜沉积方法采用磁控溅射沉积方法或等离子增强化学气相沉积方法。

所述的利用真空镀膜制备硅钢薄板带的方法，所述采用磁控溅射沉积方法制备硅膜时，靶材为99.9999%的高纯硅块体，溅射时功率密度为1—10W/cm2，靶和基带的距离为50—300mm，镀膜时，真空室真空度为2×10^-2Pa~8×10^-1 Pa，真空室体的温度为100—160℃，在工件和真空室体间加占空比为40—80%的200—1000V的直流偏压，磁场强度300~500Gs；沉积厚度为0.5—15μm。

所述的利用真空镀膜制备硅钢薄板带的方法，所述的采用等离子增强化学气相沉积方法制备硅膜时，其特征在于包括如下步骤：

将真空室抽真空至10-3Pa以下，通入工艺气体SiH4和H2，其中SiH4和H2的流量比为10：1至3：1，气压保持在50-150Pa，气压稳定后，射频电源启辉开始沉积非晶硅薄膜，射频电源功率大于500W。

所述的利用真空镀膜制备硅钢薄板带的方法，所述绝缘层的制备采用真空蒸发镀膜、真空磁控溅射镀膜、真空多弧离子镀膜以及化学气相沉积的方法。

所述的利用真空镀膜制备硅钢薄板带的方法，绝缘层可为氧化硅，氮化硅，氧化铝绝缘层。

本发明采用真空物理气相沉积技术制备硅含量任意的硅钢薄带，具有成分精确可控，制备硅钢带厚度薄，制备的线圈厚度薄，具有叠层系数较高等特点。

具体实施方式

下面将结合实施例对本发明做进一步说明，但具体实施方法不局限于此：

实施例1：一种利用真空镀膜制备硅钢薄板带的方法，其特征在于包括如下步骤：

（1）预处理：选取待厚度为0.3mm的普通钢带作为待镀基带；将基带依次在10%的氢氧化钠碱溶液和6%的稀盐酸中进行除油除锈处理；纯水漂洗，热风吹干待用；

将预处理好的基带在真空室（2×10^-2Pa~8×10^-1 Pa）室中进行硅膜制备时，进行高压离子清洁，充入氮气，压力2~5Pa，电压轰击2000~3500V，电流2~4A。

（2）硅膜沉积及热处理：采用磁控溅射沉积方法制备硅膜，将预处理好的基带在真空室中进行硅膜制备并进行高温扩散处理；

具体过程如下：在钢带表面制备硅膜时，选取99.9999%的高纯硅块作为靶材，溅射时功率密度为1—10W/cm²，靶和基带的距离为50—300mm，镀膜时，真空室（真空度：2×10^-2Pa~8×10^-1 Pa）体的温度为100—160℃，在工件和真空室体间加占空比为40—80%的200—1000V的直流偏压，磁场强度300—500Gs；沉积厚度为10μm；

将表面制备好硅薄膜的钢带进行常规热处理，热处理炉温度为1200℃，热处理时间为60 min，热处理过程中需在氮气保护下进行，在退火炉升温之前应先充30min的氮气；

（3）绝缘层制备：将经步骤（2）处理后钢带在真空环境下进行绝缘层的制备；

具体过程如下：将单体材料六甲基二硅氧烷（AK0.65）加热到40~45℃后充入真空室体，将室内压强维持在4~5Pa；开启轰击电源，在真空室体内的一对轰击极板间加2500~3500V直流电压，2~3A电流，产生稳定的辉光，产生单体等离子流；在稳定的辉光放电的条件下轰击100~260s，聚合一定厚度的软质保护膜层。关闭轰击电源，开启预抽阀，将没有参与辉光放电和没被聚合的单体材料排出真空室。关闭阀门，充气，开门。得到绝缘层为氧化硅的硅钢片。

经上述步骤制的的硅钢带经二次电子质谱（SEMS）分析，测得样品的Si含量为3.0-3.1%，经检测其软磁性能B8=1.20T，Hc=0.2mOe，P_1.5/50=0.50W/kg，P10/400=7.21W/kg，叠片系数=98%。

实施例2：一种利用真空镀膜制备硅钢薄板带的方法，其特征在于包括如下步骤：

（1）预处理：选取待厚度为0.3mm的普通钢带作为待镀基带；将基带依次在10%的氢氧化钠碱溶液和6%的稀盐酸中进行除油除锈处理；纯水漂洗，热风吹干待用；

将预处理好的基带在真空室（2×10^-2Pa~8×10^-1 Pa）室中进行硅膜制备时，进行高压离子清洁，充入氮气，压力2~5Pa，电压轰击2000~3500V，电流2~4A。

（2）硅膜沉积及热处理：采用等离子增强化学气相沉积方法制备硅膜,将预处理好的基带在真空室中进行硅膜制备并进行高温扩散处理；

具体过程如下：将真空室抽真空至10^-3Pa以下，通入工艺气体SiH₄和H₂，其中SiH₄和H₂的流量比为10：1至3：1，气压保持在50—150Pa，气压稳定后，射频电源启辉开始沉积非晶硅薄膜，射频电源功率大于500W，硅膜沉积厚度为15μm。

将表面制备好硅薄膜的钢带进行常规热处理，热处理炉温度为1200℃，热处理时间为60 min，热处理过程中需在氮气保护下进行，在退火炉升温之前应先充30min的氮气。

（3）绝缘层制备：将经步骤（2）处理后钢带在真空环境下进行绝缘层的制备；

具体过程如下：将单体材料六甲基二硅氧烷（AK0.65）加热到40~45℃后充入真空室体，将室内压强维持在4~5Pa；开启轰击电源，在真空室体内的一对轰击极板间加2500~3500V直流电压，2~3A电流，产生稳定的辉光，产生单体等离子流；在稳定的辉光放电的条件下轰击100~260s，聚合一定厚度的软质保护膜层。关闭轰击电源，开启预抽阀，将没有参与辉光放电和没被聚合的单体材料排出真空室。关闭阀门，充气，开门。得到绝缘层为氧化硅的硅钢带。

经上述步骤制的的硅钢带经二次电子质谱（SEMS）分析，测得样品的Si含量为3.1%，经检测其软磁性能B8=1.25T，Hc=0.22mOe，P10/50=0.52W/kg，P10/400=7.20W/kg，叠片系数=98%。

实施例3：一种利用真空镀膜制备硅钢薄板带的方法，其特征在于包括如下步骤：

（1）预处理：选取待厚度为0.35mm的硅含量为3.1%的市售低硅钢带作为待镀基带；将基带依次在15%的氢氧化钠碱溶液和10%的稀盐酸中进行除油除锈处理；纯水漂洗，热风吹干待用；

将预处理好的基带在真空室（2×10^-2Pa~8×10^-1 Pa）室中进行硅膜制备时，进行高压离子清洁，充入氮气，压力2~5Pa，电压轰击2000~3500V，电流2~4A。

（2）硅膜沉积及热处理：采用磁控溅射沉积方法制备硅膜将预处理好的基带在真空室中进行硅膜制备并进行高温扩散处理；

具体过程如下：在钢带表面制备硅膜时，选取99.9999%的高纯硅块作为靶材，溅射时功率密度为1—10W/cm²，靶和基带的距离为50—300mm，镀膜时，真空室体的温度为100—160℃，在工件和真空室体间加占空比为40—80%的200—1000V的直流偏压，磁场强度300—500Gs；沉积厚度为15μm；（2×10^-2Pa~8×10^-1 Pa）

将表面制备好硅薄膜的钢带进行常规热处理，热处理炉温度为1200℃，热处理时间为60 min，热处理过程中需在氮气保护下进行，在退火炉升温之前应先充30min的氮气；

（3）绝缘层制备：将经步骤（2）处理后钢带在真空环境下进行绝缘层的制备；

具体过程如下：将单体材料六甲基二硅氧烷（AK0.65）加热到40~45℃后充入真空室体，将室内压强维持在4~5Pa；开启轰击电源，在真空室体内的一对轰击极板间加2500~3500V直流电压，2~3A电流，产生稳定的辉光，产生单体等离子流；在稳定的辉光放电的条件下轰击100~260s，聚合一定厚度的软质保护膜层。关闭轰击电源，开启预抽阀，将没有参与辉光放电和没被聚合的单体材料排出真空室。关闭阀门，充气，开门。得到绝缘层为氧化硅的硅钢带。

经上述步骤制的的硅钢带经二次电子质谱（SEMS）分析，测得样品的Si含量为6.5%，经检测其软磁性能B8=1.34T，Hc=0.30mOe，P10/50=0.52W/kg，P10/400=6.8W/kg，叠片系数=98%。

实施例4：一种利用真空镀膜制备硅钢薄板带的方法，其特征在于包括如下步骤：

（1）预处理：选取待厚度为0.35mm的硅含量为3.1%的市售低硅钢带作为待镀基带；将基带依次在15%的氢氧化钠碱溶液和10%的稀盐酸中进行除油除锈处理；

将预处理好的基带在真空室（2×10^-2Pa~8×10^-1 Pa）室中进行硅膜制备时，进行高压离子清洁，充入氮气，压力2~5Pa，电压轰击2000~3500V，电流2~4A。

（2）硅膜沉积及热处理：采用等离子增强化学气相沉积方法制备硅膜,将预处理好的基带在真空室中进行硅膜制备并进行高温扩散处理；

具体过程如下：将真空室抽着空至10^-3Pa以下，通入工艺气体SiH₄和H₂，其中SiH₄和H₂的流量比为10：1至3：1，气压保持在50—150Pa，气压稳定后，射频电源启辉开始沉积非晶硅薄膜，射频电源功率大于500W，硅膜沉积厚度为20μm。

将表面制备好硅薄膜的钢带进行常规热处理，热处理炉温度为1100℃，热处理时间为65 min，热处理过程中需在氮气保护下进行，在退火炉升温之前应先充30min的氮气；

（3）绝缘层制备：将经步骤（2）处理后钢带在真空环境下进行绝缘层的制备；

具体过程如下：将单体材料六甲基二硅氧烷（AK0.65）加热到40~45℃后充入真空室体，将室内压强维持在4~5Pa；开启轰击电源，在真空室体内的一对轰击极板间加2500~3500V直流电压，2~3A电流，产生稳定的辉光，产生单体等离子流；在稳定的辉光放电的条件下轰击100~260s，聚合一定厚度的软质保护膜层。关闭轰击电源，开启预抽阀，将没有参与辉光放电和没被聚合的单体材料排出真空室。关闭阀门，充气，开门。得到绝缘层为氧化硅的硅钢带。

经上述步骤制的的硅钢带经二次电子质谱（SEMS）分析，测得样品的Si含量为6.5%，经检测其软磁性能B8=1.28T，Hc=0.2mOe，P10/50=0.50W/kg，P10/400=7.29W/kg，叠片系数=98%。

实施例5：一种利用真空镀膜制备硅钢薄板带的方法，其特征在于包括如下步骤：

（1）预处理：选取待厚度为0.3mm的普通钢带作为待镀基带；将基带依次在10%的氢氧化钠碱溶液和6%的稀盐酸中进行除油除锈处理；

将预处理好的基带在真空室（2×10^-2Pa~8×10^-1 Pa）室中进行硅膜制备时，进行高压离子清洁，充入氮气，压力2~5Pa，电压轰击2000~3500V，电流2~4A。

（2）硅膜沉积及热处理：将预处理好的基带在真空室中进行硅膜制备并进行高温扩散处理；

具体过程如下：在钢带表面制备硅膜时，选取99.9999%的高纯硅块作为靶材，溅射时功率密度为1—10W/cm²，靶和基带的距离为50—300mm，镀膜时，真空室体的温度为100—160℃，在工件和真空室体间加占空比为40—80%的200—1000V的直流偏压，磁场强度300—500Gs；沉积厚度为15μm；

将表面制备好硅薄膜的钢带进行常规热处理，热处理炉温度为1200℃，热处理时间为60 min，热处理过程中需在氮气保护下进行，在退火炉升温之前应先充30min的氮气；

（3）绝缘层制备：将经步骤（2）处理后钢带在真空环境下进行绝缘层氧化铝的制备；

具体过程如下：选取纯度为99.9%的铝材作为溅射靶材，将真空室抽着空至10^-3Pa以下，通入工艺气体氩气和氧气，其中氩气和氧气的流量比为5：1，气压保持在0.8Pa，气压稳定后，射频电源启辉开始沉积氧化铝，射频电源功率大于500W，氧化铝薄膜沉积厚度为2μm。关闭射频电源，关闭阀门，充气，开门。

经上述步骤制的的硅钢带经二次电子质谱（SEMS）分析，测得样品的Si含量为3.0-3.1%，经检测其软磁性能B8=1.20T，Hc=0.2mOe，P10/50=0.50W/kg，P10/400=7.21W/kg，叠片系数=98%。

实施例6：一种利用真空镀膜制备硅钢薄板带的方法，其特征在于包括如下步骤：

（1）预处理：选取待厚度为0.35mm的硅含量为3.1%的市售低硅钢带作为待镀基带；将基带依次在15%的氢氧化钠碱溶液和10%的稀盐酸中进行除油除锈处理；纯水漂洗，热风吹干待用；

将预处理好的基带在真空室（2×10^-2Pa~8×10^-1 Pa）室中进行硅膜制备时，进行高压离子清洁，充入氮气，压力2~5Pa，电压轰击2000~3500V，电流2~4A。

（2）硅膜沉积及热处理：将预处理好的基带在真空室中进行硅膜制备并进行高温扩散处理；

具体过程如下：将真空室抽着空至10^-3Pa以下，通入工艺气体SiH₄和H₂，其中SiH₄和H₂的流量比为10：1至3：1，气压保持在50—150Pa，气压稳定后，射频电源启辉开始沉积非晶硅薄膜，射频电源功率大于500W，硅膜沉积厚度为20μm。

将表面制备好硅薄膜的钢带进行常规热处理，热处理炉温度为1200℃，热处理时间为60 min，热处理过程中需在氮气保护下进行，在退火炉升温之前应先充30min的氮气；

（3）绝缘层制备：将经步骤（2）处理后钢带在真空环境下进行绝缘层的制备；

具体过程如下：将单体材料六甲基二硅氧烷（AK0.65）加热到40~45℃后充入真空室体，将室内压强维持在4~5Pa；开启轰击电源，在真空室体内的一对轰击极板间加2500~3500V直流电压，2~3A电流，产生稳定的辉光，产生单体等离子流；在稳定的辉光放电的条件下轰击100~260s。关闭轰击电源，开启预抽阀，将没有参与辉光放电和没被聚合的单体材料排出真空室。关闭阀门，充气，开门。

经上述步骤制的的硅钢带经二次电子质谱（SEMS）分析，测得样品的Si含量为6.5%，经检测其软磁性能B8=1.28T，Hc=0.2mOe，P1/50=0.50W/kg，P10/400=7.29W/kg，叠片系数=98%。

实施例7：一种利用真空镀膜制备硅钢薄板带的方法，包括如下步骤：

（1）预处理：选取待厚度为0.3mm的普通钢带作为待镀基带；将基带依次在10%的氢氧化钠碱溶液和6%的稀盐酸中进行除油除锈处理；纯水漂洗，热风吹干待用；

将预处理好的基带在真空室（2×10^-2Pa~8×10^-1 Pa）室中进行硅膜制备时，进行高压离子清洁，充入氮气，压力2~5Pa，电压轰击2000~3500V，电流2~4A。

（2）硅膜沉积及热处理：采用磁控溅射沉积方法制备硅膜，将预处理好的基带在真空室中进行硅膜制备并进行高温扩散处理；

具体过程如下：在钢带表面制备硅膜时，选取99.9999%的高纯硅块作为靶材，溅射时功率密度为1—10W/cm²，靶和基带的距离为50—300mm，镀膜时，真空室（真空度：2×10^-2Pa~8×10^-1 Pa）体的温度为100—160℃，在工件和真空室体间加占空比为40—80%的200—1000V的直流偏压，磁场强度300—500Gs；沉积厚度为10μm；

将表面制备好硅薄膜的钢带进行常规热处理，热处理炉温度为1200℃，热处理时间为60 min，热处理过程中需在氮气保护下进行，在退火炉升温之前应先充30min的氮气；

（3）绝缘层制备：将经步骤（2）处理后钢带在真空环境下进行绝缘层氮化硅的制备；

具体过程如下：选取99.9999%的高纯硅块作为靶材，氩气与氮气的比例为5：1~3：1，溅射时功率密度为1—10W/cm²，靶和基带的距离为50—300mm，镀膜时，真空室体的温度为100—160℃，在工件和真空室体间加占空比为40—80%的200—1000V的直流偏压，磁场强度300—500Gs；沉积厚度为5μm；

经上述步骤制的的硅钢带经二次电子质谱（SEMS）分析，测得样品的Si含量为3.0-3.1%，经检测其软磁性能B8=1.20T，Hc=0.2mOe，P_1.5/50=0.50W/kg，P10/400=7.21W/kg，叠片系数=97%。

 

实施例8：一种利用真空镀膜制备硅钢薄板带的方法，其特征在于包括如下步骤：

（1）预处理：选取待厚度为0.3mm的普通钢带作为待镀基带；将基带依次在10%的氢氧化钠碱溶液和6%的稀盐酸中进行除油除锈处理；

将预处理好的基带在真空室（2×10^-2Pa~8×10^-1 Pa）室中进行硅膜制备时，进行高压离子清洁，充入氮气，压力2~5Pa，电压轰击2000~3500V，电流2~4A。

（2）硅膜沉积及热处理：采用磁控溅射沉积方法制备硅膜，将预处理好的基带在真空室中进行硅膜制备并进行高温扩散处理；

具体过程如下：将真空室抽着空至10^-3Pa以下，通入工艺气体SiH₄和H₂，其中SiH₄和H₂的流量比为10：1至3：1，气压保持在50—150Pa，气压稳定后，射频电源启辉开始沉积非晶硅薄膜，射频电源功率大于500W，硅膜沉积厚度为20μm。

将表面制备好硅薄膜的钢带进行常规热处理，热处理炉温度为1200℃，热处理时间为60 min，热处理过程中需在氮气保护下进行，在退火炉升温之前应先充30min的氮气；

（3）绝缘层制备：将经步骤（2）处理后钢带在真空环境下进行绝缘层氮化硅的制备；

具体过程如下：选取99.9999%的高纯硅块作为靶材，氩气与氮气的比例为5：1~3：1，溅射时功率密度为1—10W/cm²，靶和基带的距离为50—300mm，镀膜时，真空室体的温度为100—160℃，在工件和真空室体间加占空比为40—80%的200—1000V的直流偏压，磁场强度300—500Gs；沉积厚度为5μm；

经上述步骤制的的硅钢带经二次电子质谱（SEMS）分析，测得样品的Si含量为6.5%，经检测其软磁性能B8=1.26T，Hc=0.23mOe，P1/50=0.52W/kg，P10/400=7.31W/kg，叠片系数=98%。

以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (7)

1.一种利用真空镀膜制备硅钢薄板带的方法，其特征在于包括如下步骤：

（1）预处理：选取待厚度为0.1-0.5mm的普通钢带或低硅钢带作为待镀基带；将基带依次在浓度为NaOH浓度为5~15%碱溶液和1~15%稀盐酸中进行除锈除油处理；纯水漂洗，热风吹干待用；

（2）硅膜沉积及热处理：将预处理好的基带在真空室2×10^-2Pa~8×10^-1 Pa中进行硅膜制备并进行高温扩散处理；热处理炉温度为1100-1200℃，热处理时间为55-65 min，热处理过程中需在氮气保护下进行，在退火炉升温之前应先充25-30min的氮气；

（3）绝缘层制备：将经步骤（2）处理后钢带在真空环境下进行绝缘层的制备。

2.如权利要求1所述的利用真空镀膜制备硅钢薄板带的方法，其特征是还包括如下步骤：

将预处理好的基带在真空度为2×10^-2Pa~8×10^-1 Pa的真空室中进行硅膜制备时，进行高压离子清洁，充入氮气，压力2~5Pa，电压轰击2000~3500V，电流2~4A。

3.如权利要求1所述的利用真空镀膜制备硅钢薄板带的方法，其特征在于所述硅膜沉积方法采用磁控溅射沉积方法或等离子增强化学气相沉积方法。

4.如权利要求3所述的利用真空镀膜制备硅钢薄板带的方法，其特征在于所述采用磁控溅射沉积方法制备硅膜时，靶材为99.9999%的高纯硅块体，溅射时功率密度为1—10W/cm2，靶和基带的距离为50—300mm，镀膜时，真空室真空度为2×10^-2Pa~8×10^-1 Pa，真空室体的温度为100—160℃，在工件和真空室体间加占空比为40—80%的200—1000V的直流偏压，磁场强度300~500Gs；沉积厚度为0.5—15μm。

5.如权利要求3所述的利用真空镀膜制备硅钢薄板带的方法，其特征在于所述的采用等离子增强化学气相沉积方法制备硅膜时，其特征在于包括如下步骤：

将真空室抽真空至10-3Pa以下，通入工艺气体SiH4和H2，其中SiH4和H2的流量比为10：1至3：1，气压保持在50-150Pa，气压稳定后，射频电源启辉开始沉积非晶硅薄膜，射频电源功率大于500W。

6.如权利要求1所述的利用真空镀膜制备硅钢薄板带的方法，其特征在于所述绝缘层的制备采用真空蒸发镀膜、真空磁控溅射镀膜以及化学气相沉积的方法。

7.如权利要求1所述的利用真空镀膜制备硅钢薄板带的方法，其特征在于绝缘层可为氧化硅，氮化硅，氧化铝绝缘层。