CN102474260A - 使用频率倍增的次谐振注入锁定振荡器的低功率本机振荡器分布 - Google Patents

使用频率倍增的次谐振注入锁定振荡器的低功率本机振荡器分布 Download PDF

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Abstract

本机振荡器将具有相对低频率的信号跨越集成电路传送到混频器的位置。在所述混频器附近，频率倍增的次谐振注入锁定振荡器SHILO接收所述信号，且从其产生较高频率信号。如果所述SHILO输出I信号及Q正交信号，则所述I信号及所述Q信号驱动所述混频器。如果所述SHILO不产生正交信号，则正交产生电路接收SHILO输出信号，且从其产生驱动所述混频器的I信号及Q信号。在一个有利方面中，在从所述本机振荡器到所述SHILO的距离内传送的所述信号的频率低于局部地驱动所述混频器的所述I信号及所述Q信号的频率。与常规系统相比，减少在一定距离内传送的所述信号的所述频率可将LO信号分布系统的功率消耗减少50％以上。

Description

使用频率倍增的次谐振注入锁定振荡器的低功率本机振荡器分布
技术领域
所揭示的实施例涉及本机振荡器(LO)信号跨越从本机振荡器到混频器的距离的传送。
背景技术
在无线电发射器及接收器中，有时在集成电路上的一个位置处使用本机振荡器产生信号。接着将此信号从所述位置且跨越所述集成电路传送一实质距离到达在所述集成电路上的第二位置处的混频器。本机振荡器可位于远离所述混频器的此距离处，以防止来自本机振荡器及相关联电路的噪声干扰混频器的恰当操作。本机振荡器与混频器之间的距离可为相当重要的。
图1(现有技术)为射频(RF)收发器集成电路1(例如有时见于蜂窝式电话手持机中)的一个实例的简化图。集成电路1被称为收发器，因为其包括发射器电路2以及接收器电路3。如果要接收天线4上的信号，则将信号5从天线4传递到接收器电路3，在所述接收器电路3处，所述信号5由混频器6降频转换。所述降频转换由两个信号调谐及控制：同相差分信号I，及正交差分信号Q。I信号及Q信号是由位于远程的本机振荡器7与位于近端的二分频正交信号产生器8的组合产生。在所说明的实例中，位于远程的本机振荡器7输出一差分输出信号。此差分信号跨越一对导体9及10而传送到二分频正交信号产生器8。二分频正交信号产生器8将信号分频为二分之一，且将两个差分信号I信号及Q信号输出到混频器6。作为来自混频器6的输出的经降频转换信号11由模/数转换器(ADC)12数字化，且所得数字信息继续传递以进行进一步接收处理。
如果要发射数字信息，则将所述数字信息由数/模转换器(DAC)13转换成模拟形式。所得模拟信号14由发射器电路2中的混频器15升频转换。一对差分信号I及Q控制混频器15升频转换模拟信号的方式。如同在接收器电路的状况下，由混频器15使用的I信号及Q信号由位于远程的本机振荡器16以及靠近混频器15的二分频正交信号产生器17产生。位于远程的本机振荡器16将一差分信号经由一对导体18及19供应到二分频正交信号产生器17。二分频正交信号产生器17将差分信号I及Q输出到混频器15。作为混频器15的输出的所得经升频转换信号20被放大，且输出到天线4上以供发射。
图2(现有技术)更详细地说明这些本机振荡器及二分频正交信号产生器电路中的一者。在所说明的实例中，本机振荡器7包括锁相回路(PLL)。所述PLL又包括压控振荡器(VCO)21。VCO 21输出差分输出信号VO，所述差分输出信号VO由缓冲器22缓冲，且经由所述对导体9及10而传送跨越距离D。可通过电流转移或电压转移来传送信号VO。差分输出信号VO包括导体中的一者9上的VOP信号及导体中的另一者10上的反相VON信号。差分VO信号在此项技术中有时被称为本机振荡器(LO)信号，且有时被称为其它名称，例如VCO输出信号。然而，所述信号在此处被称为VO信号(“VCO输出”信号)，因为所述信号是从VCO 21输出，且因为实际上驱动混频器6的正交信号I及Q具有不同频率。
二分频正交信号产生器8从导体9及10接收差分信号VO，且从其产生彼此具有正交相位关系的两个差分信号。所述两个差分信号的频率因为二分频正交信号产生器8的二分频功能性而为VO信号的频率的一半。所述两个差分信号由缓冲器23及24缓冲以产生驱动混频器6的I及Q差分信号。在所说明的实例中，因为在混频器6处需要50亿赫兹的I及Q信号，所以如从本机振荡器7所传送的VO信号为100亿赫兹的信号。需要对图1及图2的信号产生及分布电路进行改进。
发明内容
在本机振荡器信号分布系统及方法中，本机振荡器将相对低频率的信号跨越集成电路而传送到混频器的位置。在一个实例中，所述低频率信号经由导体而传送至少一毫米的距离。在所述混频器附近，频率倍增的次谐振注入锁定振荡器(SHILO)接收所述低频率信号，且从其产生较高频率信号。如果所述SHILO输出同相(I)及正交(Q)信号，则由所述SHILO输出的I信号及Q信号用以驱动所述混频器。如果所述SHILO不产生正交信号，则正交产生电路接收所述SHILO输出信号，且从其产生接着用以驱动所述混频器的I及Q信号。在一个有利方面中，跨越所述集成电路从本机振荡器传送到SHILO的所述相对低频率信号的频率低于局部地驱动所述混频器的I信号及Q信号的频率。与常规本机振荡器信号分布系统相比，减小在所述本机振荡器与所述混频器之间的距离内传送的所述信号的频率会减少总功率消耗，且减少辐射能量。在第一实例中，所述SHILO包括基于注入锁定LC的VCO。在第二实例中，所述SHILO包括注入锁定环式振荡器。在第三实例中，所述SHILO包括注入锁定正交VCO(QVCO)。
前文为概述且因此必然含有细节的简化、一般化及省略；因此，所属领域的技术人员应了解，所述概述仅为说明性的且并不希望以任何方式为限制性的。如仅由权利要求书所界定的本文中所描述的装置及/或方法的其它方面、发明性特征及优势将在本文中所阐述的非限制性详细描述中变得显而易见。
附图说明
图1(现有技术)为说明用于将信号从本机振荡器跨越集成电路而发射到混频器的常规电路的图。
图2(现有技术)为图1的常规电路的更详细图。
图3为移动通信装置100(例如蜂窝式电话)的极简化高阶框图。
图4为图3的RF收发器集成电路102的更详细图。
图5为图4的本机振荡器111、导体112及混频器块109的更详细图。
图6为图5的电路中的次谐振注入锁定振荡器(SHILO)136的第一实例的电路图。
图7为图5的二分频正交信号产生器137的实例的电路图。
图8为说明图6的电路的操作的波形图。
图9为展示图6的电路的相位裕度性能的曲线图。
图10为图5的电路中的次谐振注入锁定振荡器(SHILO)136的第二实例的电路图。
图11为说明图10的电路的操作的波形图。
图12为展示图10的电路的相位裕度性能的曲线图。
图13为图5的电路中的SHILO 136的第三实例的电路图。此第三实例不使用图5的二分频正交信号产生器电路137。与图6及图10的实例中的导体112上的2.25GHz信号相比，此第三实例包括导体112上的1.25GHz VOP信号。
图14为说明图13的电路的操作的波形图。
图15为展示图13的电路的相位裕度性能的曲线图。
图16为阐述图1及图2的现有技术、图6的第一实例或图10的第二实例及图13的第三实例的比较的图表。
图17为根据一个新颖方面的方法的流程图。
具体实施方式
图3为移动通信装置100(例如蜂窝式电话)的极简化高阶框图。装置100包括用于接收及发射蜂窝式电话通信的天线101、RF收发器集成电路102及数字基带集成电路103(以及其它未说明零件)。
图4为图3的RF收发器集成电路102的更详细图。在蜂窝式电话的操作的一个极简化解释中，如果蜂窝式电话正用来接收作为蜂窝式电话交谈的部分的音频信息，则在天线101上接收传入发射104。信号经过双工器105及匹配网络106，且由接收链108的低噪声放大器(LNA)107放大。在由混频器块109中的混频器降频转换之后，且在由基带滤波器110滤波之后，信息被传送到数字基带集成电路103以进行模/数转换且在数字域中进行进一步处理。通过改变由本机振荡器111产生的本机振荡器信号的频率来控制接收链进行降频转换的方式。此本机振荡器信号LO1(图4中未展示)实际上包括两个差分信号I及Q。差分信号I为同相差分信号，而差分信号Q为正交信号。如下文进一步解释，这些信号I及Q中的每一者为跨越一组两个导体而传送的差分信号。在图4中所说明的特定实例中，包括这些I及Q信号的本机振荡器信号LO1实际上是在混频器块109内从导体112上的VCO输出信号VOP中产生。数字基带集成电路103控制VOP信号的频率，且借此还通过将控制信息CONTROL经由串行总线接口114、串行总线115、串行总线接口116及导体117发送到本机振荡器111来控制供应到混频器块109中的混频器的I及Q信号。
另一方面，如果蜂窝式电话100正用来发射作为蜂窝式电话交谈的部分的音频信息，则在数字基带集成电路103中将待发射的音频信息转换成模拟形式。模拟信息被供应到RF收发器集成电路102的发射链119的基带滤波器118。在滤波之后，混频器块120中的混频器升频转换所述信号。通过控制供应到混频器块120中的混频器的一对差分I及Q正交信号的频率来调谐并控制升频转换过程。本机振荡器121经由导体123输出VCO输出信号，且此VCO输出信号用以产生供应到混频器的I及Q信号。信号I及Q在此处被称为第二本机振荡器信号LO2。数字基带集成电路103控制导体123上的VO信号的频率，且借此还通过将控制信息CONTROL经由串行总线接口114、串行总线115、串行总线接口116及导体125发送到本机振荡器121来控制LO2的I信号及Q信号。由混频器块120输出的所得经升频转换信号由驱动器放大器126及外部功率放大器127放大。经放大的信号作为传出发射128被供应到天线101以供发射。在此实施例中，在数字基带集成电路103内执行来自存储器131的处理器可执行指令130的集合的处理器129确定控制信息CONTROL，且使此控制信息待传送到本机振荡器111及121。
图5为更详细地展示图4的本机振荡器111、导体112及混频器块109的图。本机振荡器111经由导体129接收参考时钟信号REF CLK，且在导体112上从其产生信号VOP，其中信号VOP的频率由导体117上的多位数字控制信息CONTROL来确定。本机振荡器111包括锁相回路(PLL)130、四分频分频器(DIV4)131及缓冲器132(以及其它未说明电路)。PLL 130的压控振荡器(VCO)133输出差分VCO输出信号，所述差分VCO输出信号被供应到分频器131。分频器131执行四分频功能，且输出差分输出信号VO。在此实例中，差分信号VO包括导体134上的信号VOP及导体135上的信号VON。导体134上的VOP信号由缓冲器132缓冲，且作为导体112上的单端周期性VCO输出信号VOP而从本机振荡器111输出。
在所说明的特定实例中，周期性信号VCO 133以10GHz振荡，且分频器131进行四分频，所以导体112上的周期性信号VOP的频率为2.5GHz。此处所提及的10GHz及2.5GHz频率为其相应周期性信号的基础频率。
导体112上的2.5GHz周期性VOP信号跨越集成电路102从本机振荡器111的位置到混频器块109的位置而传送一实质性距离。在本实例中，此距离为约两毫米。在混频器块109的位置处，在频率倍增的次谐振注入锁定振荡器(SHILO)136上接收信号VOP。通过接收VOP信号，使得SHILO 136以导体112上的传入VOP信号的频率的整数倍频率振荡。在本实例中，此整数倍为4。SHILO 136因此以10GHz振荡，且输出10GHz差分输出信号FOSC。二分频正交信号产生电路137接收10GHz信号FOSC，且从其产生两个差分信号。因为二分频正交信号产生电路137进行二分频，所以在此实例中的这两个差分信号的频率为5GHz。这些差分信号中的每一者由一对缓冲器138及139中的相应者缓冲。缓冲器138在混频器块109内将5GHz同相差分信号I经由导体140及141供应到混频器144。缓冲器139将5GHz正交差分信号Q经由导体142及143供应到混频器144。
因此，即使从本机振荡器111传送到混频器块109的信号VOP的频率具有较低频率(在此状况下为2.5GHz)，也通过5GHz I及Q信号驱动混频器144。另一方面，在图2的现有技术中，从本机振荡器7传送到接收器3的差分信号比10GHz高得多。通过使用本专利文档的教示来减小传送从本机振荡器到混频器的相对大距离的信号的频率，可减少从长导体所辐射的功率量，且减少寄生充电及放电。如下文更详细描述，与图2的电路比较，功率消耗得以减少。尽管图5的目前所描述的特定实例包括通过5GHz信号驱动混频器，但此仅为一个实例。目前所描述的方法及电路可用以通过任何频率驱动混频器。
图6为图5的SHILO 136的第一实例的电路图。SHILO 136包括脉冲产生器电路145及基于LC的VCO 146。基于LC的VCO 146包括LC槽147、一对交叉耦合的N沟道晶体管148及149、电流源150、一对交叉耦合的P沟道晶体管151及152，及一对信号注入P沟道晶体管153及154。P沟道晶体管151到154的源极如所说明耦合到供应电压节点161。电流源150将电流从N沟道晶体管148及149的源极传导到接地节点162。基于LC的VCO 146的输出节点为节点155及156。10GHz信号FOSC存在于节点156与156之间。参考数字157识别基于LC的VCO 146的第一输出引线。此引线157为输出节点155的扩展。类似地，参考数字158识别基于LC的VCO 146的第二输出引线。此引线158为节点156的扩展。基于LC的VCO 146的输入节点分别包括P沟道信号注入晶体管153及154的栅极。LC槽147包括并联连接的电感器159及电容器160。槽电路147的电感及电容固定，使得VCO 146的锁定范围包括10GHz，但不包括2.5GHz的任何其它整数倍。
脉冲产生器电路145包括脉冲产生逻辑门163及164，脉冲产生逻辑门163及164经由输入引线165而从导体112(见图5)接收VOP信号且产生脉冲输出信号PO，且将所述脉冲输出信号PO供应到基于LC的VCO 146的P沟道信号注入晶体管153的栅极上。延迟逻辑元件166产生PO信号的经延迟版本POD，且将所述延迟脉冲输出信号POD供应到基于LC的VCO 146的P沟道信号注入晶体管154的栅极。尽管导体112上的VOP信号可能并不具有10GHz频率分量，或可能不具有具适当振幅的10GHz频率分量，但脉冲产生器电路145输出具有实质10GHz频率分量的脉冲流PO及POD。因为基于LC的VCO经调谐而具有包括10GHz的锁定范围，所以基于LC的VCO锁定在经注入的10GHz频率分量上且以10GHz振荡，因此将输入引线165上的传入2.5GHz信号频率倍增四倍。
图7为图5的二分频正交信号产生器137的合适实施的一个实例的电路图。二分频正交产生器137包括如所说明而互连的两个差分锁存器167及168。经由输入引线169及170在图7的二分频正交产生器137上接收如由图6的SHILO 136所输出的信号FOSC。在此实例中，输出节点155、输出引线157及输入引线169皆形成一个节点。类似地，输出节点156、输出引线158及输入引线170皆形成一个节点。供应到图6中的缓冲器138的I差分信号输出到图7中所说明的输出引线171及172上。类似地，供应到图6中的缓冲器139的Q差分信号输出到图7中所说明的输出引线172及173上。
图8为说明图6的脉冲产生器145的操作的波形图。在导体112上的传入VOP信号的每一上升边缘上，脉冲产生器145产生一低脉冲。这些低脉冲的脉冲宽度为约50皮秒，且由通过图6中的反相器163的传播延迟确定。低脉冲流在图8中被识别为波形PO。另外，响应于传入VOP信号的每一上升边缘，脉冲产生器145产生低脉冲的延迟版本。这些延迟低脉冲的脉冲宽度为约50皮秒，且也是由通过图6中的反相器163的传播延迟确定。这些延迟低脉冲流在图8中被识别为波形POD。PO低脉冲及延迟POD低脉冲的脉动使图6的基于LC的VCO 146如上文所描述而以10GHz振荡。在图8中，标记为FOSC的波形说明存在于基于LC的振荡器146的输出节点155与156之间的振荡输出信号。
图9为展示由图6的电路输出的10GHz FOSC信号的相位噪声如何满足IEEE802.11B相位噪声要求200的曲线图。在水平维度中指示从由基于LC的VCO 146输出的振荡信号的10GHz基础频率的频率偏移。线201表示此信号的相位噪声，而线202表示在图6的基于LC的VCO自由运行(即，未注入锁定到信号VOP)时基于LC的VCO的输出的相位噪声。垂直虚线203指示SHILO 136的锁定范围。SHILO 136可锁定到10GHz加上或减去60MHz的范围内的信号上。
图10为图5的SHILO 136的第二实例的电路图。在此第二实例中，SHILO为基于环式振荡器的次谐振注入锁定振荡器，且包括脉冲产生器300、环式振荡器301、多个信号注入晶体管302到305，及可选缓冲器306。如同在图6的第一实例的状况下，参考数字157及158识别SHILO 136的一对输出引线，且参考数字165识别SHILO 136的输入引线。
图11为说明图10的基于环式振荡器的次谐振注入锁定振荡器136的操作的波形图。响应于传入的VOP信号的上升边缘，脉冲产生器300产生一组高脉冲，所述组高脉冲如在图11中所指示而在时间上展开。这些高脉冲中的每一者的脉冲宽度为约50皮秒。产生4个脉冲流PO1、PO2、PO3及PO4，且这些脉冲流中的每一者被引导到4个注入下拉N沟道晶体管302到305中的对应相应晶体管的栅极上。这些晶体管302到305在合适时间在对应内部节点307到310上下拉，使得传入的2.5GHz VOP输入信号的第四谐振注入到环式振荡器301中。因此使得环式振荡器301以10GHz振荡，且输出10GHz信号FOSC。图11中的三角符号311及312表示差分缓冲器。
图12为展示由环式振荡器电路图10的电路输出的10GHz FOSC信号的相位噪声如何满足IEEE 802.11A相位噪声要求400的曲线图。在水平维度中指示从环式振荡器输出信号的10GHz基础频率的频率偏移。线401表示环式振荡器输出的相位噪声，而线402表示在环式振荡器自由运行(即，未注入锁定到信号VOP)时环式振荡器的相位噪声。垂直虚线403指示SHILO 136的锁定范围。SHILO 136可锁定到10GHz加上或减去600MHz的范围内的信号上。图10的环式振荡器实例的锁定范围因此大于图6的基于LC的VCO实例的锁定范围。
图13为图5的SHILO 136的第三实例的电路图。在此实例中，SHILO为基于正交VCO的次谐振注入锁定振荡器，且包括脉冲产生器500、在此处被称为正交VCO(QVCO)的振荡器501，及多个信号注入晶体管502到505。符号506及507表示VCO。VCO 506及507如图所示耦合在一起，使得其频率倍增四倍，且还产生一对差分信号I及Q。信号I及Q相对于彼此具有正交相位关系。因为QVCO 501产生I及Q信号，所以不需要额外正交信号产生器二分频电路，或不将其提供于QVCO的输出上。因此，对于待供应到图5的混频器144的相同的5GHz I及Q信号，与在图6及图10的实例中振荡器146及301以10GHz振荡的振荡器相比，图13的QVCO仅需要以5GHz振荡。因为QVCO501的频率倍增四倍，所以与图6及图10的实例中的2.5GHz的VOP频率相比，输入引线165上的传入VOP信号的频率仅为1.25GHz。
图14为说明图13的基于QVCO的次谐振注入锁定振荡器的操作的波形图。响应于传入的VOP信号的上升边缘，脉冲产生器500产生一组高脉冲，所述组高脉冲如在图14中所指示在时间上展开。这些高脉冲中的每一者的脉冲宽度为约100皮秒。因此产生4个脉冲流PO1、PO2、PO3及PO4，且这些脉冲流中的每一者被引导到4个注入下拉N沟道晶体管502到505中的对应相应晶体管的栅极上。这些晶体管502到505在合适时间在振荡器的内部节点上下拉，使得1.25GHz VOP输入信号的第四谐振注入到QVCO501中。因此使得QVCO 501以5GHz振荡，且输出两个5GHz差分FOSC信号。
图15为展示由图13的QVCO 501输出的5GHz I及Q FOSC信号的相位噪声如何满足IEEE 802.11B相位噪声要求600的曲线图。在水平维度中指示从环式振荡器输出的10GHz基础频率的频率偏移。线601表示QVCO输出的相位噪声，而线602表示在QCO自由运行(即，未注入锁定到信号VOP)时QVCO输出的相位噪声。垂直虚线603指示SHILO 136的锁定范围。SHILO 136可锁定到在大约低于10GHz 60MHz到大约超过10GHz 60MHz的范围内的信号上。
图16为比较图1及图2的现有技术电路、图6的第一实例电路、图10的第二实例电路及图13的第三实例电路的各种性能参数的表格。在每一状况下，假定本机振荡器在同一集成电路上位于远离混频器约两毫米处。电流消耗量的行从上部行到底部行依次为：1)在实例中的SHILO中的振荡器的电流消耗，2)随后二分频正交产生电路的电流消耗(如果有的话)，3)SHILO内的脉冲产生器的电流消耗(如果有的话)，4)归因于将高频率信号驱动于长导体112上且沿长导体112驱动到混频器的电流消耗，及5)总功率消耗。注意，图6、图10及图13的实例消耗的总电流实质上小于图1及图2的现有技术电路消耗的总电流。在图6、图10及图13的三个实例中，图13的QVCO实例具有最低总功率消耗，但具有最高相位噪声。与图6的基于LC的VCO相比，图10的环式振荡器实例在一较小IC面积上实现，具有较宽锁定频率范围，但具有较不良相位噪声性能。
图17为根据一个新颖方面的方法700的流程图。在第一步骤(步骤701)中，将第一信号跨越集成电路从本机振荡器到频率倍增的次谐振注入锁定振荡器(SHILO)传送一毫米以上的距离。所述第一信号为具有第一频率的周期性信号。在所述方法的一个实例中，所述第一信号为图5中的导体112上的信号VOP。
在第二步骤(步骤702)中，将第一信号接收于频率倍增的SHILO上。由SHILO使用第一信号产生具有第二频率的第二信号。所述第二信号为第一频率的整数倍。SHILO位于相对靠近混频器处，而本机振荡器位于距混频器的远程位置。在所述方法的一个实例中，所述第二信号为图5中的信号FOSC。
在第三步骤(步骤703)中，将第二信号接收于正交信号产生器电路上。正交信号产生器电路产生具有第三频率的同相(I)信号及具有第三频率的正交(Q)信号。I信号与Q信号在相位上相差90度。所述第三频率大于所述第一频率。在所述方法的一个实例中，I信号及Q信号为图5中展示为供应到混频器144的I及Q差分信号。I信号及Q信号的第三频率为5GHz，而导体112上的VOP信号的第一频率为2.5GHz。
在第四步骤(步骤704)中，将I信号及Q信号供应到混频器。在所述方法的一个实例中，供应到混频器的I信号及Q信号为图5中所说明的被供应到混频器144的I及Q差分信号。
在一个或一个以上示范性实施例中，可以硬件、软件、固件或其任何组合来实施所描述的功能。如果以软件加以实施，则所述功能可作为一个或一个以上指令或代码而存储于计算机可读媒体上或经由计算机可读媒体进行传输。计算机可读媒体包括计算机存储媒体及通信媒体两者，通信媒体包括促进计算机程序从一处转移到另一处的任何媒体。存储媒体可为可由通用或专用计算机存取的任何可用媒体。作为实例而非限制，此计算机可读媒体可包含RAM、ROM、EEPROM、CD-ROM或其它光盘存储装置、磁盘存储装置或其它磁性存储装置，或可用以载运或存储呈指令或数据结构形式的所要代码装置且可由通用或专用计算机或通用或专用处理器存取的任何其它媒体。又，可将任何连接恰当地称作计算机可读媒体。举例来说，如果使用同轴电缆、光纤缆线、双绞线、数字订户线(DSL)或无线技术(例如红外线、无线电及微波)而从网站、服务器或其它远程源传输软件，则同轴电缆、光纤缆线、双绞线、DSL或无线技术(例如红外线、无线电及微波)包括于媒体的定义中。如本文中所使用，磁盘及光盘包括压缩光盘(CD)、激光光盘、光学光盘、数字通用光盘(DVD)、软性磁盘及蓝光光盘，其中磁盘通常以磁性方式再生数据，而光盘通过激光以光学方式再生数据。上述各物的组合也应包括在计算机可读媒体的范围内。在一个说明性实例中，图3的处理器129执行处理器可执行指令130的集合，借此使集成电路103控制频率倍增的SHILO电路混频器块109及120的操作参数。
尽管上文出于指导的目的而描述某些特定实施例，但此专利文档的教示具有一般可应用性且并不限于上文所描述的特定实施例。尽管单端信号VO被描述为从本机振荡器111经由导体112而传送到混频器块109，但所传送的信号可为经由两个导体所传送的差分信号。VO信号可由一个或一个以上缓冲器在其从本机振荡器到SHILO的路径上缓冲。VO信号不需要由模拟VCO产生，而可由本机振荡器中的另一电路产生。在一些实例中，数字控制振荡器(DCO)输出一信号，且本机振荡器中的分频器对此信号分频，且所得信号为传送一毫米以上的距离而传送到位于远程的SHILO的VO信号。因此，可在不脱离所阐述的权利要求书的范围的情况下实践对所描述的特定实施例的各种特征的各种修改、改动及组合。

Claims (25)

1.一种集成电路，其包含：
本机振荡器，其输出具有第一频率的第一信号；
次谐振注入锁定振荡器SHILO，其接收所述第一信号且从其产生具有第二频率的第二信号，其中所述第二频率为所述第一频率的整数倍；及
正交信号产生器，其接收所述第二信号且从其产生具有第三频率的同相I信号及具有所述第三频率的正交Q信号。
2.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述第一信号跨越所述集成电路从所述本机振荡器到所述SHILO传送一毫米以上的距离。
3.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述本机振荡器被安置为远离所述SHILO一毫米以上，且其中所述第三频率大于所述第一频率。
4.根据权利要求1所述的集成电路，其进一步包含：
混频器，其接收所述I信号及所述Q信号。
5.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述第三频率为所述第二频率的一半。
6.根据权利要求1所述的集成电路，其中由所述SHILO接收的所述第一信号是取自由以下各者组成的群组：单端信号，及差分信号。
7.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述第一信号为第一周期性信号，且所述第一频率为所述第一周期性信号的基础频率，其中所述第二信号为第二周期性信号，且所述第二频率为所述第二周期性信号的基础频率，且其中所述I信号及所述Q信号为第三周期性信号，且所述第三频率为所述第三周期性信号的基础频率。
8.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述SHILO包含：
脉冲产生器，其接收所述第一信号且从其产生脉冲信号；及
振荡器，其具有频率锁定范围，所述范围包括所述第二频率但不包括所述第一频率，其中所述振荡器接收所述脉冲信号，且其中所述振荡器输出具有所述第二频率的所述第二信号。
9.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述SHILO包括振荡器，其中所述振荡器包括LC槽电路，其中所述LC槽电路包括电感器及电容器。
10.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述SHILO包括环式振荡器。
11.根据权利要求8所述的集成电路，其中所述脉冲信号为包括多个相同脉冲的信号，其中所述相同脉冲中的每一者具有脉冲宽度，且其中所述脉冲宽度是由所述脉冲产生器中的电路元件的传播延迟来确定。
12.一种方法，其包含：
(a)将第一信号跨越集成电路传送一毫米以上的距离到次谐振注入锁定振荡器SHILO，其中所述第一信号为具有第一频率的周期性信号；
(b)将所述第一信号接收到所述SHILO上，且使用所述SHILO产生具有第二频率的第二信号，其中所述第二频率为所述第一频率的整数倍；及
(c)将所述第二信号接收到正交信号产生器电路上，且使用所述正交信号产生器电路产生具有第三频率的同相I信号及具有所述第三频率的正交Q信号，其中所述第三频率大于所述第一频率。
13.根据权利要求12所述的方法，其中所述第一信号在(a)中是从本机振荡器传送到所述SHILO。
14.根据权利要求13所述的方法，其进一步包含：
(d)将所述I信号及所述Q信号供应到混频器。
15.根据权利要求12所述的方法，其中在(b)中所述第二信号的所述产生包含：
接收所述第一信号且从其产生脉冲信号；及
将所述脉冲信号供应到振荡器，使得所述振荡器以所述第二频率振荡且输出所述第二信号。
16.根据权利要求12所述的方法，其中所述SHILO包括振荡器，其中所述振荡器包括LC槽电路，且其中所述LC槽电路包括电感器及电容器。
17.根据权利要求12所述的方法，其中所述SHILO包括环式振荡器。
18.一种集成电路，其包含：
本机振荡器，其输出具有第一频率的周期性信号；
次谐振注入锁定振荡器SHILO，其被安置为远离所述本机振荡器一毫米以上，其中所述SHILO接收所述周期性信号且从其产生同相I差分信号及正交Q差分信号，其中所述I差分信号及所述Q差分信号具有大于所述第一频率的第二频率；及混频器，其从所述SHILO接收所述I差分信号及所述Q差分信号。
19.根据权利要求18所述的集成电路，其中所述SHILO被安置为远离所述混频器大致小于一毫米，且其中所述SHILO包括正交压控振荡器QVCO。
20.一种方法，其包含：
(a)将具有第一频率的周期性信号跨越集成电路从本机振荡器到次谐振注入锁定振荡器SHILO传送一毫米以上的距离；
(b)将所述周期性信号接收到所述SHILO上，且使用所述SHILO产生同相I差分信号及正交Q差分信号，其中所述I差分信号及所述Q差分信号具有大于所述第一频率的第二频率；及
(c)将所述I差分信号及所述Q差分信号供应到混频器。
21.根据权利要求20所述的方法，其中将所述SHILO安置为远离所述混频器大致小于一毫米，其中所述SHILO包括正交压控振荡器QVCO。
22.一种集成电路，其包含：
混频器；及
用于如下操作的装置：将周期性信号从本机振荡器传送一毫米以上的距离；使用所述周期性信号产生具有第二频率的同相I信号且产生具有所述第二频率的正交Q信号，其中所述周期性信号具有第一频率，其中所述第二频率大于所述第一频率且为所述第一频率的整数倍；及将所述I信号及所述Q信号供应到所述混频器。
23.根据权利要求22所述的集成电路，其中所述装置将所述周期性信号跨越导体从所述本机振荡器传送到邻近所述混频器的位置，且其中所述装置用于在所述位置处产生所述I信号及所述Q信号。
24.根据权利要求22所述的集成电路，其中所述装置包含次谐振注入锁定振荡器SHILO及正交信号产生器电路。
25.根据权利要求22所述的集成电路，其中所述装置包含输出所述I信号及所述Q信号的次谐振注入锁定振荡器SHILO。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103219945A (zh) * 2013-04-12 2013-07-24 中国科学技术大学 一种带有奇次谐波抑制机制的注入锁定二倍频器
CN103427767A (zh) * 2012-05-18 2013-12-04 联芯科技有限公司 双平衡无源混频器的版图设计方法
CN105027452A (zh) * 2013-03-01 2015-11-04 索尼公司 接收装置和电子设备
CN105103438A (zh) * 2013-03-15 2015-11-25 盈诺飞公司 数控注入锁定振荡器
CN107465425A (zh) * 2016-06-02 2017-12-12 英特尔Ip公司 具有注入锁定倍增器的用于时钟生成的参考信号路径
CN115473539A (zh) * 2017-12-29 2022-12-13 德州仪器公司 基于数字偏移频率产生器的射频发射器

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI380604B (en) * 2009-05-05 2012-12-21 Univ Nat Sun Yat Sen Rf sensing circuit with a voltage-controlled oscillator
US9031515B2 (en) * 2010-06-03 2015-05-12 Broadcom Corporation Transceiver including a weaved connection
US8971389B2 (en) * 2011-02-17 2015-03-03 Tokyo Institute Of Technology Millimeter-wave band radio transceiver device
US8804397B2 (en) * 2011-03-03 2014-08-12 Rambus Inc. Integrated circuit having a clock deskew circuit that includes an injection-locked oscillator
JP5701149B2 (ja) * 2011-05-24 2015-04-15 三菱電機株式会社 高周波発振源
TWI442739B (zh) * 2011-12-02 2014-06-21 Univ Nat Sun Yat Sen 應用注入鎖定技術之極座標接收機
US9331632B2 (en) * 2012-04-18 2016-05-03 Qualcomm Incorporated Integrated circuit for mixing millimeter-wavelength signals
US9106234B2 (en) * 2013-03-15 2015-08-11 Qualcomm Incorporated Programmable frequency divider for local oscillator generation
WO2015173306A1 (en) * 2014-05-16 2015-11-19 Greenpeak Technologies B.V. Combination of local oscillator system and sub-harmonic mixer
US9685907B2 (en) * 2015-06-30 2017-06-20 Texas Instruments Incorporated Variable gain power amplifiers
US10158509B2 (en) 2015-09-23 2018-12-18 Innophase Inc. Method and apparatus for polar receiver with phase-amplitude alignment
US9673829B1 (en) 2015-12-02 2017-06-06 Innophase, Inc. Wideband polar receiver architecture and signal processing methods
CN108605024B (zh) * 2015-12-02 2021-05-14 盈诺飞公司 宽带极坐标接收器架构及信号处理方法
US9825597B2 (en) 2015-12-30 2017-11-21 Skyworks Solutions, Inc. Impedance transformation circuit for amplifier
US10062670B2 (en) 2016-04-18 2018-08-28 Skyworks Solutions, Inc. Radio frequency system-in-package with stacked clocking crystal
US10171053B2 (en) 2016-05-05 2019-01-01 Skyworks Solutions, Inc. Apparatus and methods for power amplifiers with an injection-locked oscillator driver stage
US10454432B2 (en) 2016-12-29 2019-10-22 Skyworks Solutions, Inc. Radio frequency amplifiers with an injection-locked oscillator driver stage and a stacked output stage
TW202329611A (zh) 2016-12-29 2023-07-16 美商天工方案公司 前端系統及相關裝置、積體電路、模組及方法
US10515924B2 (en) 2017-03-10 2019-12-24 Skyworks Solutions, Inc. Radio frequency modules
US10122397B2 (en) 2017-03-28 2018-11-06 Innophase, Inc. Polar receiver system and method for Bluetooth communications
US10503122B2 (en) 2017-04-14 2019-12-10 Innophase, Inc. Time to digital converter with increased range and sensitivity
US10622959B2 (en) 2018-09-07 2020-04-14 Innophase Inc. Multi-stage LNA with reduced mutual coupling
US10840921B2 (en) 2018-09-07 2020-11-17 Innophase Inc. Frequency control word linearization for an oscillator
US11095296B2 (en) 2018-09-07 2021-08-17 Innophase, Inc. Phase modulator having fractional sample interval timing skew for frequency control input
US11025259B2 (en) * 2018-10-12 2021-06-01 Skyworks Solutions, Inc. Systems and methods for integration of injection-locked oscillators into transceiver arrays
US10728851B1 (en) 2019-01-07 2020-07-28 Innophase Inc. System and method for low-power wireless beacon monitor
WO2020146408A1 (en) 2019-01-07 2020-07-16 Innophase, Inc. Using a multi-tone signal to tune a multi-stage low-noise amplifier
FR3107796B1 (fr) * 2020-02-27 2022-03-25 St Microelectronics Alps Sas Dispositif de génération de signaux radiofréquence en quadrature de phase, utilisable en particulier dans la technologie 5G
US11601116B2 (en) 2021-02-02 2023-03-07 Samsung Electronics Co., Ltd. System and method for generating sub harmonic locked frequency division and phase interpolation

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1045496A (zh) * 1989-01-27 1990-09-19 莫托罗拉公司 能精密闭环控注入信号幅度的变频级
US20020113660A1 (en) * 2001-02-20 2002-08-22 Velio Communications, Inc Phase controlled oscillator

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3109148A (en) * 1959-04-23 1963-10-29 Philco Corp Oscillator frequency control system
US4238796A (en) * 1979-06-28 1980-12-09 Rca Corporation Radio frequency pulse generator
SE502599C2 (sv) * 1993-09-09 1995-11-20 Ericsson Ge Mobile Communicat Sätt och anordning vid en homodynmottagare för att minimera läckage av störsignaler
JPH07221546A (ja) * 1994-01-28 1995-08-18 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 注入同期発振器
US5561398A (en) * 1995-05-16 1996-10-01 National Semiconductor Corporation LC-tuned voltage controlled ring oscillator
JP2001086024A (ja) 1999-09-10 2001-03-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd 無線回路及び無線通信装置
JP2001168935A (ja) 1999-12-09 2001-06-22 Nec Corp Ｐｌｌを内蔵した直交復調器
US7376206B1 (en) 2000-11-06 2008-05-20 Qualcomm Incorporated Method and apparatus for adjusting the phase of a received signal
US20020163391A1 (en) * 2001-03-01 2002-11-07 Peterzell Paul E. Local oscillator leakage control in direct conversion processes
WO2003107536A2 (en) * 2002-06-17 2003-12-24 California Institute Of Technology Self-dividing oscillators
JP3948466B2 (ja) 2003-06-18 2007-07-25 ソニー株式会社 高周波信号受信装置
EP1545006A1 (en) * 2003-12-19 2005-06-22 Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw ( IMEC) Local oscillator for harmonic image-rejection mixers
JP4255875B2 (ja) 2004-04-07 2009-04-15 日本電信電話株式会社 広帯域４５度移相器
KR100699080B1 (ko) * 2004-09-22 2007-03-23 지씨티 세미컨덕터 인코포레이티드 광대역 주파수 발진 장치 및 그 방법
WO2006044372A2 (en) * 2004-10-12 2006-04-27 Maxlinear, Inc. A receiver architecture with digitally generated intermediate frequency
JP4777715B2 (ja) 2005-08-03 2011-09-21 シャープ株式会社 無線送信装置および無線送受信システム
US7414484B2 (en) 2005-09-29 2008-08-19 Altera Corporation Voltage controlled oscillator circuitry and methods
KR100727898B1 (ko) * 2006-01-06 2007-06-14 삼성전자주식회사 Ｒｆ 송수신기에서 주입-록킹된 직각 ｖｃｏ를 가지는주파수 합성 장치 및 방법
US7539476B2 (en) 2006-03-13 2009-05-26 Kleer Semiconductor Corporation RF-to-baseband receiver architecture
US7558538B2 (en) * 2006-05-11 2009-07-07 Frederic Carrez Quadrature sub-harmonic frequency up-converter
GB0612142D0 (en) 2006-06-20 2006-08-02 Secr Defence Spreading modulation spectrum control
US7471204B2 (en) * 2006-07-07 2008-12-30 Broadcom Corporation Receiver architecture for canceling blocking signals
US7570124B2 (en) * 2008-01-03 2009-08-04 Broadcom Corporation Low power frequency division and local oscillator generation
US8111735B2 (en) 2008-01-28 2012-02-07 Mediatek Inc. GNSS data/pilot correlator and code generator thereof
KR100965766B1 (ko) * 2008-06-30 2010-06-24 주식회사 하이닉스반도체 링 오실레이터와 이를 이용한 멀티 위상 클럭 보정 회로

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1045496A (zh) * 1989-01-27 1990-09-19 莫托罗拉公司 能精密闭环控注入信号幅度的变频级
US20020113660A1 (en) * 2001-02-20 2002-08-22 Velio Communications, Inc Phase controlled oscillator

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
ALAN W.L.NG等: "A 1-V 17-GHz 5-mW CMOS quadrature VCO based on transformer coupling", 《SOLID-STATE CIRCUITS, IEEE JOURNAL OF》 *
ALEKSANDAR TASIC等: "Receiver RF front-end with 5GHz-band LC voltage-controlled oscillator and subharmonically-locked ring oscillator for 17GHz wireless applications", 《RADIO FREQUENCY INTEGRATED CIRCUITS (RFIC) SYMPOSIUM,2006 IEEE》 *
JAMES F.BUCKWALTER等: "An Integrated Subharmonic Coupled-Oscillator Scheme for a 60-GHz Phased-Array Transmitter", 《MICROWAVE THEORY AND TECHNIQUES,IEEE TRANSACTIONS ON》 *

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103427767A (zh) * 2012-05-18 2013-12-04 联芯科技有限公司 双平衡无源混频器的版图设计方法
CN103427767B (zh) * 2012-05-18 2016-12-14 联芯科技有限公司 双平衡无源混频器的版图设计方法
CN105027452A (zh) * 2013-03-01 2015-11-04 索尼公司 接收装置和电子设备
US9906251B2 (en) 2013-03-01 2018-02-27 Sony Semiconductor Solutions Corporation Reception device and electronic apparatus
CN105103438A (zh) * 2013-03-15 2015-11-25 盈诺飞公司 数控注入锁定振荡器
CN105103438B (zh) * 2013-03-15 2018-07-10 盈诺飞公司 数控注入锁定振荡器
CN103219945A (zh) * 2013-04-12 2013-07-24 中国科学技术大学 一种带有奇次谐波抑制机制的注入锁定二倍频器
CN107465425A (zh) * 2016-06-02 2017-12-12 英特尔Ip公司 具有注入锁定倍增器的用于时钟生成的参考信号路径
US10418942B2 (en) 2016-06-02 2019-09-17 Intel IP Corporation Reference signal path for clock generation with an injection locked multiplier (ILM)
CN107465425B (zh) * 2016-06-02 2020-08-18 苹果公司 具有注入锁定倍增器的用于时钟生成的参考信号路径
CN115473539A (zh) * 2017-12-29 2022-12-13 德州仪器公司 基于数字偏移频率产生器的射频发射器
CN115473539B (zh) * 2017-12-29 2024-05-10 德州仪器公司 基于数字偏移频率产生器的射频发射器

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