CN102468128A - 深沟槽多晶硅形成方法 - Google Patents

深沟槽多晶硅形成方法 Download PDF

Info

Publication number
CN102468128A
CN102468128A CN2010105365831A CN201010536583A CN102468128A CN 102468128 A CN102468128 A CN 102468128A CN 2010105365831 A CN2010105365831 A CN 2010105365831A CN 201010536583 A CN201010536583 A CN 201010536583A CN 102468128 A CN102468128 A CN 102468128A
Authority
CN
China
Prior art keywords
polysilicon
etching
time
deep trench
multilayer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN2010105365831A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102468128B (zh
Inventor
吴智勇
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp
Original Assignee
Shanghai Hua Hong NEC Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shanghai Hua Hong NEC Electronics Co Ltd filed Critical Shanghai Hua Hong NEC Electronics Co Ltd
Priority to CN 201010536583 priority Critical patent/CN102468128B/zh
Publication of CN102468128A publication Critical patent/CN102468128A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102468128B publication Critical patent/CN102468128B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

本发明公开了一种深沟槽多晶硅形成方法，包括步骤：在形成深沟槽后，循环淀积多晶硅和离子注入形成多层多晶硅，直至多层多晶硅填满深沟槽；对多层多晶硅进行回刻，用以去除深沟槽外部区域的多晶硅。在多层多晶硅回刻工艺中采用多晶硅刻蚀和自然氧化层刻蚀循环重复刻蚀的方式，即当多晶硅刻蚀到含有自然氧化层的位置时，插入一步自然氧化层刻蚀工艺。本发明能够避免出现多晶硅刻蚀过程中形成自然氧化层的侧壁掩模，从而能够消除多晶硅尖刺的形成。

Description

深沟槽多晶硅形成方法
技术领域
本发明涉及一种半导体集成电路制造工艺方法，特别是涉及一种深沟槽多晶硅形成方法。
背景技术
在射频横向扩散型金属氧化场效应管(RFLDMOS)的结构中，为了完全形成低电阻的源衬通路，提高RFLDMOS工作频率，需要形成深沟槽多晶硅作为所述RFLDMOS器件为源衬通路。由于没有高剂量的原位掺杂的多晶硅工艺，现有深沟槽多晶硅形成方法一般采用分多次多晶硅淀积并分别进行离子注入的方法，如图1所述是现有深沟槽多晶硅形成方法的多晶硅回刻工艺的流程图，包括如下步骤：
步骤一、采用氧化硅硬掩膜做掩模在硅衬底上形成深沟槽。
步骤二、在所述硅衬底上形成第一层多晶硅，所述第一层多晶硅同时形成于所述深沟槽的内壁和所述深沟槽外的所述氧化硅硬掩膜表面。
步骤三、对所述第一层多晶硅进行第一次离子注入，能为垂直注入或带角度注入。
步骤四、在所述第一层多晶硅上生长第二层多晶硅。
步骤五、对所述第二层多晶硅进行第二次离子注入，能为垂直注入或带角度注入。
步骤六、循环重复所述步骤四和所述步骤五的多晶硅生长工艺和离子注入工艺直到所述深沟槽被多层多晶硅填满。所述氧化硅硬掩膜上部区域为平坦区域、形成于所述平坦区域的所述多层多晶硅呈平坦结构；所述深沟槽内部及其上部区域为深沟槽区域、形成于所述深沟槽区域所述多层多晶硅呈凹陷结构。
步骤七、对所述多层多晶硅进行回刻的工艺。所述多层多晶硅的回刻工艺包括：自然氧化层刻蚀工艺，用于去除所述多层多晶硅最顶层表面的自然氧化层；多晶硅主刻蚀工艺，用于去除所述平坦区域的所述多层多晶硅；多晶硅过刻蚀工艺，用于对所述深沟槽区域中的所述多层多晶硅进行过刻蚀并在所述深沟槽保留满足工艺厚度条件的多晶硅。最后进行高温推阱兼激活，使得所述深沟槽中的多晶硅充满了高掺杂的载流子。
现有深沟槽多晶硅形成方法中由于形成所述多层多晶硅时在各层多晶硅形成后都要进行离子注入工艺，即在每两层多晶硅淀积之间相隔有时间差，而多晶硅的两步淀积时间超过30分钟就会形成15到20左右厚度的自然氧化层，所以现有深沟槽多晶硅形成方法中由步骤一至步骤六所形成的所述多层多晶硅的各层多晶硅表面也即每两层多晶硅间都会形成一层自然氧化层。如图2所示，是采用现有深沟槽多晶硅形成方法的步骤一至六形成的深沟槽多晶硅实例一结构示意图；包括：硅衬底1，所述硅衬底1可以为硅外延层；形成于所述硅衬底1上的氧化硅硬掩膜2；形成于深沟槽和所述氧化层硬掩膜2上的多层多晶硅，所述多层多晶硅包括了两层多晶硅即第一层多晶硅3和第二层多晶硅4，在所述第一层多晶硅3和所述第二层多晶硅4的接触面形成有第一层自然氧化层5。
现有深沟槽多晶硅形成方法的步骤七的对所述多层多晶硅进行回刻的工艺中，并未考虑到各层所述多晶硅表面的自然氧化层的影响，只是单独进行多晶硅的刻蚀、并未采用刻蚀氧化层的工艺对所述自然氧化层进行刻蚀；这样产生的一个问题是，在所述深沟槽区域中的自然氧化层呈纵向结构，在步骤七的刻蚀过程中所述深沟槽区域中的自然氧化层暴露出来后，所暴露出来的自然氧化层就会形成后续多晶硅刻蚀的侧向掩膜，在被所述自然氧化层保护的地方会形成多晶硅尖刺。如图3所示，是采用现有深沟槽多晶硅形成方法的步骤七后形成的深沟槽多晶硅实例一结构示意图；可知，平坦区域上也即所述氧化硅硬掩膜2上的所述多层多晶硅都以去除；所述深沟槽区域的所述多层多晶硅也都刻蚀到了等于或低于所述硅衬底1的硅表面；但是由于在步骤七中，现有技术中没有针对所述第一层自然氧化层5的单独刻蚀，在所述深沟槽区域的所述第一层自然氧化层5呈纵向结构即和所述深沟槽的深度方向相同，当所述深沟槽区域的所述第一层自然氧化层5暴露出来后，所述暴露出来的所述第一层自然氧化层5就会成为后续的所述多层多晶硅刻蚀的侧向掩模，最终会形成多晶硅尖刺6。因为所形成的所述深沟槽多晶硅上部最后还要形成接触孔并形成接触，所述多晶硅尖刺6的存在会使后续的形成不良接触。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种深沟槽多晶硅形成方法，能去除多晶硅尖刺。
为解决上述技术问题，本发明提供的深沟槽多晶硅形成方法，包括如下步骤：
步骤一、采用氧化硅硬掩膜做掩模在硅衬底上形成深沟槽。
步骤二、在所述硅衬底上形成第一层多晶硅，所述第一层多晶硅同时形成于所述深沟槽的内壁和所述深沟槽外的所述氧化硅硬掩膜表面。
步骤三、对所述第一层多晶硅进行第一次离子注入。
步骤四、在所述第一层多晶硅上生长第二层多晶硅。
步骤五、对所述第二层多晶硅进行第二次离子注入。
步骤六、循环重复所述步骤四和所述步骤五的多晶硅生长工艺和离子注入工艺直到所述深沟槽被多层多晶硅填满；所述氧化硅硬掩膜上部区域为平坦区域、形成于所述平坦区域的所述多层多晶硅呈平坦结构；所述深沟槽内部及其上部区域为深沟槽区域、形成于所述深沟槽区域所述多层多晶硅呈凹陷结构。
步骤七、对所述多层多晶硅进行回刻的工艺；所述步骤七包括如下步骤：
步骤7a、第一次自然氧化层刻蚀工艺，将形成于最顶层多晶硅表面的最顶层自然氧化层去除。
步骤7b、第一次多晶硅主刻蚀，对所述多层多晶硅进行刻蚀，当形成于所述平坦区域的所述最顶层多晶硅刻蚀完后结束所述第一次多晶硅主刻蚀。
步骤7c、第二次自然氧化层刻蚀工艺，将形成于所述平坦区域的次顶层多晶硅表面的次顶层自然氧化层以及在所述深沟槽区域中暴露出来的自然氧化层去除。
步骤7d、循环重复所述步骤7b的第一次多晶硅主刻蚀和所述步骤7c的第二次自然氧化层刻蚀工艺对剩余的所述多层多晶硅以及形成于所述多层多晶硅的各层间的自然氧化层进行刻蚀；每次重复所述第一次多晶硅主刻蚀时都同时刻蚀所述平坦区域的所述多层多晶硅的一层以及所述深沟槽区域所暴露出的所述多层多晶硅；最后一次之前的各次重复所述第一次多晶硅主刻蚀的结束标志为各次刻蚀所对应的所述平坦区域的被刻蚀层完全被去除；最后一次重复所述第一次多晶硅主刻蚀的结束标志为所述平坦区域的所述第一层多晶硅的剩余厚度大于500埃；各次重复所述步骤7c的所述第二次自然氧化层刻蚀工艺分别去除前次所述第一次多晶硅主刻蚀后暴露在所述平坦区域的所述多层多晶硅的表面的自然氧化层以及暴露于所述深沟槽区域的自然氧化层。
步骤7f、第一次多晶硅过刻蚀，对所述平坦区域中剩余的所述第一层多晶硅和所述深沟槽区域中剩余的所述多层多晶硅进行刻蚀，当所述平坦区域剩余的所述第一层多晶硅完全去除时结束所述第一次多晶硅过刻蚀。
步骤7g、第三次自然氧化层刻蚀工艺，将暴露于所述深沟槽区域的自然氧化层去除。
步骤7h、第二次多晶硅过刻蚀，对所述深沟槽区域中剩余的所述多层多晶硅进行刻蚀并去除部分所述多层多晶硅。
步骤7i、循环重复步骤7g和步骤7h，直到所述深沟槽中的所述多层多晶硅厚度达到要求；每次所述第二次多晶硅过刻蚀都对所述深沟槽区域中的剩余的所述多层多晶硅进行刻蚀并去除部分所述多层多晶硅；每次所述第三次自然氧化层刻蚀工艺对前次所述第二次多晶硅过刻蚀完后暴露于所述深沟槽区域的自然氧化层进行去除。
上述步骤中、所述第一次自然氧化层刻蚀工艺的刻蚀气体包括CF4、刻蚀时间为5秒～20秒。所述第一次多晶硅主刻蚀的刻蚀气体包括主刻蚀气体CL2、SF6和辅助气体He和O2。所述第二次自然氧化层刻蚀工艺的刻蚀气体包括CF4。步骤7f中所述第一次多晶硅过刻蚀的刻蚀气体包括主刻蚀气体CL2、HBr，采用终点检测的方法控制所述第一次多晶硅过刻蚀的结束条件。所述第三次自然氧化层刻蚀工艺的刻蚀气体包括CF4。所述第二次多晶硅过刻蚀的刻蚀气体包括主刻蚀气体CL2、HBr。
本发明方法通过在所述多层多晶硅回刻的干法刻蚀工艺中反复掺入氧化膜刻蚀步骤，能够刻蚀各次多晶硅刻蚀后所暴露出来的自然氧化层，从而消除了各次多晶硅刻蚀后所暴露出来的自然氧化层对后续的多晶硅刻蚀工艺影响，从而也就能避免多晶硅尖刺的形成。
附图说明
下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明：
图1是现有深沟槽多晶硅形成方法的多晶硅回刻工艺的流程图；
图2是采用现有深沟槽多晶硅形成方法的步骤一至六形成的深沟槽多晶硅实例一结构示意图；
图3是采用现有深沟槽多晶硅形成方法的步骤七后形成的深沟槽多晶硅实例一结构示意图；
图4是本发明深沟槽多晶硅形成方法的多晶硅回刻工艺的流程图；
图5是采用本发明实施例深沟槽多晶硅形成方法的步骤七后形成的深沟槽多晶硅实例一结构示意图。
具体实施方式
如图4所示，是本发明深沟槽多晶硅形成方法的多晶硅回刻工艺的流程图；如图2所示是采用本发明实施例深沟槽多晶硅形成方法的步骤一至六形成的深沟槽多晶硅实例一结构示意图，和现有技术中的步骤一至步骤六相同；如图5所示，是采用本发明实施例深沟槽多晶硅形成方法的步骤七后形成的深沟槽多晶硅实例一结构示意图。本发明实施例深沟槽多晶硅形成方法，包括如下步骤：
步骤一、采用氧化硅硬掩膜2做掩模在硅衬底1上形成深沟槽。
步骤二、在所述硅衬底1上形成第一层多晶硅3，所述第一层多晶硅3同时形成于所述深沟槽的内壁和所述深沟槽外的所述氧化硅硬掩膜2表面。
步骤三、对所述第一层多晶硅3进行第一次离子注入。
步骤四、在所述第一层多晶硅3上生长第二层多晶硅4。
步骤五、对所述第二层多晶硅4进行第二次离子注入。
步骤六、循环重复所述步骤四和所述步骤五的多晶硅生长工艺和离子注入工艺直到所述深沟槽被多层多晶硅填满；所述氧化硅硬掩膜上部区域为平坦区域、形成于所述平坦区域的所述多层多晶硅呈平坦结构；所述深沟槽内部及其上部区域为深沟槽区域、形成于所述深沟槽区域所述多层多晶硅呈凹陷结构。本发明实施例中由于两层多晶硅就能将所述深沟槽填满，故步骤六的循环重复次数为0。
步骤七、对所述多层多晶硅进行回刻的工艺；所述步骤七包括如下步骤：
步骤7a、第一次自然氧化层刻蚀工艺，将形成于最顶层多晶硅表面的最顶层自然氧化层去除。在本实施例中所述最顶层多晶硅即为所述第二层多晶硅4。所述第一次自然氧化层刻蚀工艺的刻蚀气体包括CF4、刻蚀时间为5秒～20秒。
步骤7b、第一次多晶硅主刻蚀，对所述多层多晶硅进行刻蚀，当形成于所述平坦区域的所述第二层多晶硅4刻蚀完后结束所述第一次多晶硅主刻蚀。所述第一次多晶硅主刻蚀的刻蚀气体包括主刻蚀气体CL2、SF6和辅助气体He和O2。
步骤7c、第二次自然氧化层刻蚀工艺，将形成于所述平坦区域的次顶层多晶硅即所述第一层多晶硅3表面的次顶层自然氧化层即所述第一层自然氧化层5以及在所述深沟槽区域中暴露出来的自然氧化层即所述深沟槽区域中的所述第一层自然氧化层5去除。所述第二次自然氧化层刻蚀工艺的刻蚀气体包括CF4。
步骤7d、循环重复所述步骤7b的第一次多晶硅主刻蚀和所述步骤7c的第二次自然氧化层刻蚀工艺对剩余的所述多层多晶硅以及形成于所述多层多晶硅的各层间的自然氧化层进行刻蚀。在本发明实施例中由于所述多层多晶硅为两层结构，故本步骤的循环重复次数为1次，且该次重复第一次多晶硅主刻蚀的结束标志为所述平坦区域的所述第一层多晶硅3的剩余厚度大于500埃。
步骤7f、第一次多晶硅过刻蚀，对所述平坦区域中剩余的所述第一层多晶硅3和所述深沟槽区域中剩余的所述多层多晶硅进行刻蚀，当所述平坦区域剩余的所述第一层多晶硅3完全去除时结束所述第一次多晶硅过刻蚀。所述第一次多晶硅过刻蚀的刻蚀气体包括主刻蚀气体CL2、HBr，采用终点检测的方法控制所述第一次多晶硅过刻蚀的结束条件。
步骤7g、第三次自然氧化层刻蚀工艺，将暴露于所述深沟槽区域的自然氧化层去除。所述第三次自然氧化层刻蚀工艺的刻蚀气体包括CF4。
步骤7h、第二次多晶硅过刻蚀，对所述深沟槽区域中剩余的所述多层多晶硅即所述第一层多晶硅3和所述第二层多晶硅4进行刻蚀并去除部分所述多层多晶硅。所述第二次多晶硅过刻蚀的刻蚀气体包括主刻蚀气体CL2、HBr。
步骤7i、循环重复步骤7g和步骤7h，直到所述深沟槽中的所述多层多晶硅厚度达到要求，在本发明实施例中所述深沟槽中的所述多层多晶硅的顶面位置等于或低于所述硅衬底1的硅表面位置。每次所述第二次多晶硅过刻蚀都对所述深沟槽区域中的剩余的所述多层多晶硅进行刻蚀并去除部分所述多层多晶硅；每次所述第三次自然氧化层刻蚀工艺对前次所述第二次多晶硅过刻蚀完后暴露于所述深沟槽区域的自然氧化层进行去除。
如图5所示，采用本发明实施例深沟槽多晶硅形成方法后消除了现有技术中存在的多晶硅尖刺。
以上通过具体实施例对本发明进行了详细的说明，但这些并非构成对本发明的限制。在不脱离本发明原理的情况下，本领域的技术人员还可做出许多变形和改进，这些也应视为本发明的保护范围。

Claims (7)

1.一种深沟槽多晶硅形成方法，包括如下步骤：
步骤一、采用氧化硅硬掩膜做掩模在硅衬底上形成深沟槽；
步骤二、在所述硅衬底上形成第一层多晶硅，所述第一层多晶硅同时形成于所述深沟槽的内壁和所述深沟槽外的所述氧化硅硬掩膜表面；
步骤三、对所述第一层多晶硅进行第一次离子注入；
步骤四、在所述第一层多晶硅上生长第二层多晶硅；
步骤五、对所述第二层多晶硅进行第二次离子注入；
步骤六、循环重复所述步骤四和所述步骤五的多晶硅生长工艺和离子注入工艺直到所述深沟槽被多层多晶硅填满；所述氧化硅硬掩膜上部区域为平坦区域、形成于所述平坦区域的所述多层多晶硅呈平坦结构；所述深沟槽内部及其上部区域为深沟槽区域、形成于所述深沟槽区域所述多层多晶硅呈凹陷结构；
其特征在于：还包括步骤七、对所述多层多晶硅进行回刻的工艺；所述步骤七包括如下步骤：
步骤7a、第一次自然氧化层刻蚀工艺，将形成于最顶层多晶硅表面的最顶层自然氧化层去除；
步骤7b、第一次多晶硅主刻蚀，对所述多层多晶硅进行刻蚀，当形成于所述平坦区域的所述最顶层多晶硅刻蚀完后结束所述第一次多晶硅主刻蚀；
步骤7c、第二次自然氧化层刻蚀工艺，将形成于所述平坦区域的次顶层多晶硅表面的次顶层自然氧化层以及在所述深沟槽区域中暴露出来的自然氧化层去除；
步骤7d、循环重复所述步骤7b的第一次多晶硅主刻蚀和所述步骤7c的第二次自然氧化层刻蚀工艺对剩余的所述多层多晶硅以及形成于所述多层多晶硅的各层间的自然氧化层进行刻蚀；每次重复所述第一次多晶硅主刻蚀时都同时刻蚀所述平坦区域的所述多层多晶硅的一层以及所述深沟槽区域所暴露出的所述多层多晶硅；最后一次之前的各次重复所述第一次多晶硅主刻蚀的结束标志为各次刻蚀所对应的所述平坦区域的被刻蚀层完全被去除；最后一次重复所述第一次多晶硅主刻蚀的结束标志为所述平坦区域的所述第一层多晶硅的剩余厚度大于500埃；各次重复所述步骤7c的所述第二次自然氧化层刻蚀工艺分别去除前次所述第一次多晶硅主刻蚀后暴露在所述平坦区域的所述多层多晶硅的表面的自然氧化层以及暴露于所述深沟槽区域的自然氧化层；
步骤7f、第一次多晶硅过刻蚀，对所述平坦区域中剩余的所述第一层多晶硅和所述深沟槽区域中剩余的所述多层多晶硅进行刻蚀，当所述平坦区域剩余的所述第一层多晶硅完全去除时结束所述第一次多晶硅过刻蚀；
步骤7g、第三次自然氧化层刻蚀工艺，将暴露于所述深沟槽区域的自然氧化层去除；
步骤7h、第二次多晶硅过刻蚀，对所述深沟槽区域中剩余的所述多层多晶硅进行刻蚀并去除部分所述多层多晶硅；
步骤7i、循环重复步骤7g和步骤7h，直到所述深沟槽中的所述多层多晶硅厚度达到要求；每次所述第二次多晶硅过刻蚀都对所述深沟槽区域中的剩余的所述多层多晶硅进行刻蚀并去除部分所述多层多晶硅；每次所述第三次自然氧化层刻蚀工艺对前次所述第二次多晶硅过刻蚀完后暴露于所述深沟槽区域的自然氧化层进行去除。
2.如权利要求1所述深沟槽多晶硅形成方法，其特征在于：所述第一次自然氧化层刻蚀工艺的刻蚀气体包括CF4、刻蚀时间为5秒～20秒。
3.如权利要求1所述深沟槽多晶硅形成方法，其特征在于：所述第一次多晶硅主刻蚀的刻蚀气体包括主刻蚀气体CL2、SF6和辅助气体He和O2。
4.如权利要求1所述深沟槽多晶硅形成方法，其特征在于：所述第二次自然氧化层刻蚀工艺的刻蚀气体包括CF4。
5.如权利要求1所述深沟槽多晶硅形成方法，其特征在于：步骤7f中所述第一次多晶硅过刻蚀的刻蚀气体包括主刻蚀气体CL2、HBr，采用终点检测的方法控制所述第一次多晶硅过刻蚀的结束条件。
6.如权利要求1所述深沟槽多晶硅形成方法，其特征在于：所述第三次自然氧化层刻蚀工艺的刻蚀气体包括CF4。
7.如权利要求1所述深沟槽多晶硅形成方法，其特征在于：所述第二次多晶硅过刻蚀的刻蚀气体包括主刻蚀气体CL2、HBr。
CN 201010536583 2010-11-09 2010-11-09 深沟槽多晶硅形成方法 Active CN102468128B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN 201010536583 CN102468128B (zh) 2010-11-09 2010-11-09 深沟槽多晶硅形成方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN 201010536583 CN102468128B (zh) 2010-11-09 2010-11-09 深沟槽多晶硅形成方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102468128A true CN102468128A (zh) 2012-05-23
CN102468128B CN102468128B (zh) 2013-09-11

Family

ID=46071618

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN 201010536583 Active CN102468128B (zh) 2010-11-09 2010-11-09 深沟槽多晶硅形成方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN102468128B (zh)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103035502A (zh) * 2012-08-01 2013-04-10 上海华虹Nec电子有限公司 Igbt栅极沟槽多晶硅的填充方法
CN103035506A (zh) * 2012-08-09 2013-04-10 上海华虹Nec电子有限公司 Rfldmos隔离介质层深沟槽的刻蚀方法
CN108054092A (zh) * 2017-12-25 2018-05-18 深圳市晶特智造科技有限公司 一种多晶硅填充方法
CN109256441A (zh) * 2018-09-20 2019-01-22 北方电子研究院安徽有限公司 一种emccd器件多层多晶硅栅结构制作方法
CN117059477A (zh) * 2023-10-10 2023-11-14 粤芯半导体技术股份有限公司 一种多层多晶硅的清洗方法及半导体器件

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW473871B (en) * 1999-03-17 2002-01-21 Nippon Electric Co Manufacturing method of semiconductor device
US20060270150A1 (en) * 2005-05-31 2006-11-30 Nanya Technology Corporation Method for forming a semiconductor device
CN101131933A (zh) * 2006-08-24 2008-02-27 上海华虹Nec电子有限公司 沟槽型mos晶体管的制造方法
CN101202241A (zh) * 2006-12-11 2008-06-18 上海华虹Nec电子有限公司 避免深沟槽工艺产生角凹槽的方法
CN101339902A (zh) * 2007-07-04 2009-01-07 东部高科股份有限公司 制造半导体高压器件的方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW473871B (en) * 1999-03-17 2002-01-21 Nippon Electric Co Manufacturing method of semiconductor device
US20060270150A1 (en) * 2005-05-31 2006-11-30 Nanya Technology Corporation Method for forming a semiconductor device
CN101131933A (zh) * 2006-08-24 2008-02-27 上海华虹Nec电子有限公司 沟槽型mos晶体管的制造方法
CN101202241A (zh) * 2006-12-11 2008-06-18 上海华虹Nec电子有限公司 避免深沟槽工艺产生角凹槽的方法
CN101339902A (zh) * 2007-07-04 2009-01-07 东部高科股份有限公司 制造半导体高压器件的方法

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103035502A (zh) * 2012-08-01 2013-04-10 上海华虹Nec电子有限公司 Igbt栅极沟槽多晶硅的填充方法
CN103035506A (zh) * 2012-08-09 2013-04-10 上海华虹Nec电子有限公司 Rfldmos隔离介质层深沟槽的刻蚀方法
CN103035506B (zh) * 2012-08-09 2015-10-14 上海华虹宏力半导体制造有限公司 Rfldmos隔离介质层深沟槽的刻蚀方法
CN108054092A (zh) * 2017-12-25 2018-05-18 深圳市晶特智造科技有限公司 一种多晶硅填充方法
CN108054092B (zh) * 2017-12-25 2020-06-02 宁夏海盛实业有限公司 一种多晶硅填充方法
CN109256441A (zh) * 2018-09-20 2019-01-22 北方电子研究院安徽有限公司 一种emccd器件多层多晶硅栅结构制作方法
CN117059477A (zh) * 2023-10-10 2023-11-14 粤芯半导体技术股份有限公司 一种多层多晶硅的清洗方法及半导体器件

Also Published As

Publication number Publication date
CN102468128B (zh) 2013-09-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102468128B (zh) 深沟槽多晶硅形成方法
WO2008070266A3 (en) Methods for manufacturing three-dimensional thin-film solar cells
CN103632949B (zh) 沟槽型双层栅mos的多晶硅间的热氧介质层的形成方法
JP2010503212A5 (zh)
CN105914234A (zh) 分离栅功率mos管结构及制作方法
CN102569386A (zh) 具有屏蔽栅的vdmos器件及其制备方法
CN108389831A (zh) 层间介质层的填充方法
US20120302047A1 (en) Method for fabricating semiconductor device with partially open sidewall
CN102479699B (zh) 超级结半导体器件结构的制作方法
CN102074478A (zh) 一种沟槽式mos的制造工艺方法
CN106098544A (zh) 改善沟槽型双层栅mos中介质层形貌的方法
CN102376621A (zh) 浅槽隔离结构的制作方法
CN102129993B (zh) 氧化层/氮化层/氧化层侧墙的制作方法
CN107331620A (zh) 低压超结mosfet栅极漏电改善方法
CN104835738B (zh) 一种形成FinFET器件的鳍片的方法
TW200727389A (en) Method of forming a shallow trench isolation structure with reduced leakage current in a semiconductor device
CN103474353B (zh) 一种鳍片和sti结构制作方法
CN102117760A (zh) 用于形成特殊浅沟槽隔离的湿法刻蚀工艺方法
CN101859725B (zh) 一种通过改善浅沟槽绝缘结构的边缘形成晶片的方法
CN110504161A (zh) 沟槽栅极金氧半场效晶体管及其制造方法
WO2008012737A3 (en) Method of manufacturing a semiconductor device and a device manufactured by the method
CN104520998A (zh) 碳化硅半导体装置及其制造方法
CN102339747A (zh) 零标的形成方法
CN103367133B (zh) 高介电常数金属栅极制造方法
CN103022110B (zh) 金属硅化物抬升外基区全自对准双极晶体管及其制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: SHANGHAI HUAHONG GRACE SEMICONDUCTOR MANUFACTURING

Free format text: FORMER OWNER: HUAHONG NEC ELECTRONICS CO LTD, SHANGHAI

Effective date: 20140207

COR Change of bibliographic data

Free format text: CORRECT: ADDRESS; FROM: 201206 PUDONG NEW AREA, SHANGHAI TO: 201203 PUDONG NEW AREA, SHANGHAI

TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20140207

Address after: 201203 Shanghai city Zuchongzhi road Pudong New Area Zhangjiang hi tech Park No. 1399

Patentee after: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corporation

Address before: 201206, Shanghai, Pudong New Area, Sichuan Road, No. 1188 Bridge

Patentee before: Shanghai Huahong NEC Electronics Co., Ltd.

TR01 Transfer of patent right